电光装置及电子设备的制作方法

专利名称：电光装置及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及例如，液晶装置等电光装置及具有该电光装置的，例如， 液晶投影仪等的电子设备的技术领域。
背景技术：
作为这种电光装置的一个示例的液晶装置，不仅直接观看型显示器， 例如，而且作为投射型显示装置的光调制部件(光阀)也是通用的。特别是 在投射型显示装置的情况下，由于光源发出的强光入射液晶光阀，在液晶 光阀内设置遮光膜，作为遮挡入射光的遮光部件，避免由于该光在液晶光
阀内的薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)造成漏电流增大和误动作 等。在这样的遮光部件或遮光膜方面，例如，专利第3356429号公报(以下 称为专利文献l)公开了一种技术，通过在构成TFT的半导体层的上层侧配 置的栅极布线中，该栅极布线和半导体层的下层侧配置的底面遮光膜连接 用的接触孔内设置的部分，提高对TFT的遮光功能。
但是，在专利文献l所公开的技术中，栅极布线和底面遮光膜连接用 的接触孔，在平面上看，形成具有沿着数据线的长方形的形状。因此，有 这样的技术问题，即随着对这种电光装置要求的高开口率化，布线宽度变 窄，恐怕难以充分确保形成接触孔的面积，接触电阻增大。
另一方面，这种电光装置，在基板上具备像素电极、选择该像素电极 的驱动用的扫描线、数据线及作为像素切换用的元件的TFT，构成得可以 进行有源矩阵驱动。此外，以高对比度化等为目的，有时在TFT和《象素电 极之间设置电容元件。在基板上以高密度制作以上的结构要素，力求提高 像素的开口率和装置的小型化。 其中特别是，电容元件希望电容量尽可能大，但是与此相反，希望设
计得不牺牲像素开口率。因此，例如，在特开2005-115104号公报(以下称 为专利文献2)中公开了这样的 一种技术，即通过在基板上凹部的底面及侧 面形成电容元件，在确保高开口率的同时，增大该电容元件的电容。
上述电容元件，也可以把作为该电容元件的构成要素的电极兼作遮光 膜，给TFT遮光。例如，在上述专利文献2中，公开了用电容元件减少半 导体层光入射的技术。
但是，若采用专利文献2所公开的技术，在制造工艺上有个技术问题，
的单独的工序制作，导致制造工序复杂化。此外，随着进一步提高开口率 和装置小型化，有更难确保形成电容元件的面积的技术问题。

发明内容
本发明是例如鉴于上述问题而形成的，目的是提供一种宜于提高开口 率，可以减少TFT中光漏电流的发生的同时，可以实现TFT的栅极电极 和该栅极电极以外各层上配置的扫描线之间良好的电气连接的电光装置及 具有该电光装置的电子设备。另外，目的在于提供一种在维持高开口率并 可以增大存储电容容量的同时，可以减少TFT中光漏电流的发生，可以显 示高质量的图像的电光装置及具有该电光装置的电子设备。
按照本发明的第1电光装置，为了解决上述问题，在a上具备，相 互交叉的数据线及扫描线;像素电极，与该数据线及扫描线的交叉点对应设 置;和晶体管，设置在把像素的开口区域相互隔开的非开口区域中与上述交 叉点对应的交叉区域内，包含:(i)半导体层，隔着第l绝缘膜，配置在与上 述扫描线彼此不同的层上，形成具有沿着上述数据线延伸的第1方向的沟 道长的沟道区，和(ii)栅极电极，相对于该半导体层，配置在与上述扫描线 相反一侧的层上，与上述沟道区重叠；其中，在上述第1绝缘膜上，形成 用于电气连接上述栅极电极和上述扫描线的接触孔，其在上述M平面上 看，具有第l部分，在上述半导体层侧方沿着上述第1方向延长;和第2
部分，与上述扫描线的一部分重叠，并沿着上述扫描线延伸的第2方向延 长。
采用按照本发明的第1电光装置，在其工作时，扫描信号经过扫描线 依次提供给晶体管的栅极电极，图像信号经过数据线提供给晶体管的源极， 使图像信号提供给像素电极。这样，便可以在多个像素电极对应于数据线 及扫描线的交叉点例如设置成矩阵状的像素区域(或称为"图像显示区域") 中显示图4象，即，便可能进行所谓有源矩阵方式的图像显示。
其中，扫描线、数据线及晶体管，在基板的平面上看，设置在把像素(即， 对应于像素电极的像素)的开口区域(即，在各个像素上，让实际上对显示 有贡献的光透射或反射的区域)相互隔开的非开口区域内。即，这些扫描线、 数据线及晶体管，不设置在各像素的开口区域，而设置在非开口区域内， 使之不妨碍显示。
晶体管设置在非开口区域内与数据线及扫描线的交叉点对应的交叉区 域(即，设置在交叉区域的全部或一部分)内，包含具有沟道区的半导体层 及重叠于沟道区的栅极电极。
在J4l上的层叠构造上，半导体层隔着第l绝缘膜，配置在与扫描线 彼此不同的层上(即，隔着第l绝缘膜配置在扫描线的下层或上层)。沟道 区，具有沿着数据线延伸的第l方向(换言之多条扫描线排列的方向，即，
Y方向)的沟道长。即，半导体层典型地形成为沿着第l方向延伸。
栅极电极在基板上的层叠构造上，相对于半导体层，配置在与扫描线 相反一侧的层上。在这种情况下，宜在半导体层侧方形成接触孔，在电气 上连接栅极电极和扫描线。即，在扫描线配置在半导体层的下层侧的情况 下，栅极电极例如隔着栅极绝缘膜配置在半导体层的上层侧，换言之晶体 管形成为顶栅型晶体管。另一方面，在扫描线配置在半导体层的上层侧的 情况下，栅极电极例如隔着栅极绝缘膜配置在半导体层的下层侧，换言之 晶体管形成为底栅型晶体管。
在配置在141上的层叠构造上，栅极电极及扫描线在电气上通过在栅 极电极和扫描线之间的绝缘膜上形成的或者开孔的接触孔连接。即，例如，
在扫描线配置在半导体层的下层侧的情况下(即，隔着第l绝缘膜在扫描线 的上层侧，晶体管作为顶栅型配置的情况下)，栅极电极从该栅极电极内与 沟道区重叠的部分起在接触孔内延伸设置，从而在电气上连接栅极电极和 扫描线。或者，例如，在扫描线配置在半导体层的上层侧的情况下(即，晶 体管隔着第l绝缘膜在扫描线的下层侧，形成为底栅型的情况下)，扫描线
从沿着该第2方向延伸的主线部在接触孔内延伸设置，从而在电气上连接 栅极电极和扫描线。无论在哪一种的情况下，在接触孔内都形成栅极电极 或扫描线的一部分。另外，也可以构成得通过在接触孔内用与栅极电极及 扫描线都不同的导电材料组成的插塞(plug),在电气上连接栅极电极和 扫描线。
在本发明中，特别是，在电气上连接栅极电极和扫描线用的接触孔， 在基板上平面上看，具有在半导体层侧方沿着第1方向延长的第1部分、 与扫描线的一部分重叠并沿着扫描线延伸的第2方向(换言之，与第1方向 相交的方向，或者多条数据线排列的方向即，X方向)延长的第2部分。即， 接触孔由第1部分和第2部分通过例如蚀刻等在第1绝缘膜上形成为例如 具有L字状或者T字状等平面形状的沟(或者接点沟)。
因而，可以在维持高开口率的同时，减少栅极电极和扫描线间的接触 电阻。即，在本发明中，特别是，由于接触孔具有第l及第2部分，与假 定接触孔例如具有圆形、正方形、长方形等平面形状的情况相比，可以扩 大在有限的非开口区域形成的该接触孔区域的面积。因而，可以在减少栅 极电极和扫描线间的电阻的同时提高开口率。另外，这里所谓"开口率"表 示开口区域在对应于各像素的整个区域(即，开口区域和非开口区域的合计) 中占的比率，开口率越大，液晶装置显示性能越高。
另外，在本发明中，特别是如上所述，接触孔的第l部分在半导体层 侧方沿着第1方向延长。即，第1部分在沿着第1方向延伸的半导体层的 側面，隔开，见定的距离，形成为沿着第1方向的长条形。因而，在第l部 分内形成的栅极电极或者扫描线的一部分，在三维上看，沿着半导体层， 形成为壁状遮光体。因而，可以用第l部分(更确切地说，第l部分中形成
的栅极电极或者扫描线的一部分)遮挡对于半导体层倾斜入射的光(即，具 有沿着M面的分量的光)。即，可以用形成为配置在半导体层附近的例如 壁状的遮光体的第l部分，强化遮挡对半导体层倾斜入射的光的遮光性。 结果，可以在图像显示中减少闪烁和像素不匀。
如上所述，若釆用按照本发明的第1电光装置，由于在电气上连接扫
描线和栅极电极用的接触孔具有第l及第2部分，可以提高开口率，减少 晶体管中光漏电流的发生的同时，可以实现晶体管的栅极电极和扫描线间 良好的电气连接。结果，便可能进行明亮的、减少闪烁和像素不匀的高质 量的图像显示。
在按照本发明的第1电光装置的一种形态中，上述栅极电极具有重 叠在上述沟道区上的主体部分;和从主体部分起，在上述M平面上看，以 与上述接触孔重叠的方式延伸设置的栅极电极延伸部分，上述扫描线具有 沿着上述第2方向延伸的主线部分;和从该主线部分起，在上述a平面上 看，以与上述第l部分重叠的方式延伸设置的扫描线延伸部分。
若采用该形态，则由于可以在接触孔内形成栅极电极延伸部分或者扫 描线延伸部分，可以可靠地在电气上在栅极电极及扫描线间进行连接的同 时，可以可靠地强化对半导体层的遮光性。
在按照本发明的第1电光装置的另一个形态中，上述半导体层具有 电气连接到上述数据线的数据线侧源漏区、电气连接到上述像素电极的像 素电极侧源漏区、在上述沟道区及上述数据线侧源漏区之间形成的第l结 区、和在上述沟道区及上述像素电极侧源漏区之间形成的第2结区，上述 第1部分沿着上述第1及第2结区的至少一方形成。
若采用该形态，则第l部分(更确切地说，在第l部分内形成的栅极电 极或者扫描线的一部分)，在3维上看，沿着半导体层中的第l及第2结区 中至少一个，例如，形成为壁状的遮光体。因而，可以用第l部分遮挡对 半导体层中的第l及第2结区中至少一个倾斜入射的光。即，可以用在半 导体层附近配置的例如，形成为壁状的遮光体的第1部分，强化遮挡对半 导体层倾斜入射的光的遮光性。
另外，按照本发明的"第l结区"是在沟道区和数据线侧源漏区的结合
部分形成的区域，按照本发明的"第2结区"是在沟道区和像素电极侧源漏 区的结合部分上形成的区域。即，第1及第2结区表示，例如，晶体管形 成为例如NPN型或者PNP型晶体管(即，N沟道型或者P沟道型晶体管) 的情况下的PN结区，和晶体管具有LDD构造的情况下的LDD区(即，例 如，通过离子注入法等的杂质注入，在半导体层中杂质注入量比源漏区小 的区域)。
在上述的笫l部分沿着第l及第2结区中至少一个形成的形态下，上 述接触孔，在上述基板平面上看，在上述半导体层的两侧形成，上述第1 部分也可以设置在上述中至少一个的两侧。
在这种情况下，接触孔的第l部分(更确切地说，在第l部分内形成的 栅极电极或者扫描线的一部分)，在半导体层中第l及第2结区中至少一个 的两侧形成为例如壁状遮光体。因而，对于至少一个结区，可以遮挡从两 侧倾斜入射的光。因而，可以比较可靠地减少晶体管中的光漏电流。
另外，由于接触孔在半导体层的两侧各自形成，可以比较可靠地减少 栅极电极和扫描线间的电阻。
在上述第l部分沿着第l及第2结区中至少一个形成的形态下，上述 第1部分，在上述基板平面上看，也可以沿着上述第2结区设置。
在这种情况下，接触孔的第l部分(更确切地说，在第l部分内形成的 栅极电极或者扫描线的一部分)，沿着第2结区形成为例如壁状遮光体。其 中，按照本发明者的研究，在理论上，晶体管工作时，在第2结区，与第 1结区相比，有相对地更容易发生光漏电流的趋向，即使在实验上也得到 了证明。在本形态下，通过接触孔的第l部分，比较可靠地遮挡入射半导 体层第2结区的光，从而便可能进一步减少入射半导体层第2结区的光量。 结果是，便可能比较有效地减少晶体管中光漏电流的发生。
在上述第l部分沿着第l及第2结区中至少一方形成的形态下，上述 第l及第2结区也可以是LDD区。
在这种情况下，晶体管具有LDD构造。因而，晶体管非工作时，流
过数据线侧源漏区及像素电极侧源漏区的截止电流减少，而且可以减少晶 体管饱和工作时漏极端的电场緩和，可以抑制因热载流子现象造成的阈值 上升(涉及晶体管的特性劣化相关的可靠性上的问题)而导致的导通电流下 降及截止漏电流上升。
在按照本发明的第1电光装置的另一个形态下，上述扫描线配置在上 述半导体层的下层侧。
若采用该形态，扫描线隔着第l绝缘膜，配置在顶栅型晶体管的下层 侧。因而，扫描线可以起到给晶体管遮挡回光的下侧遮光膜或者背面遮光 膜的作用。即，通过作为下侧遮光膜的扫描线，在基板中背面反射和复板 式投影仪等中，可以为晶体管遮挡作为其他电光装置发出穿过合成光学系 统的光等，从皿侧入射装置的返回光。因而，可以比较可靠地减少晶体 管中光漏电流的发生。
在按照本发明的第1电光装置的另一个形态中，上述栅极电极及上述 扫描线包含遮光性导电材料。
若采用该形态，栅极电极及扫描线可以可靠地起遮挡入射晶体管的光 的遮光膜的作用。特别是，可以使栅极电极或者扫描线的一部分，可靠地 起在接触孔的第l部分种形成的例如，壁状遮光体的功能。因而，可以比 较可靠地减少晶体管中光漏电流的发生
在按照本发明的第1电光装置的另一个形态中，上述第l部分的宽度
比上述第2部分的宽度窄。
若采用该形态，第l部分的宽度，由于比第2部分的宽度还窄，几乎 不会由于形成第1部分而招致非开口区域的增大(换言之开口率下降)。另 外，由于第2部分的宽度比第l部分的宽度宽，可以可靠地通过第2部分 减少栅极电极和扫描线间的接触电阻。即，在可靠地维持高的开口率的同 时，主要地可以强化第l部分对晶体管的遮光性，可以主要地用第2部分 减少栅极电极和扫描线间的接触电阻。
在按照本发明的第1电光装置的另一个形态中，还具有隔着第2绝缘 膜，配置在上述晶体管的上层侧，在上述非开口区域内形成的存储电容，
该存储电容以覆盖因上述接触孔而在上述第2绝缘膜上层侧表面产生的凹 部的方式形成，具备具有沿着凹部表面的凹状剖面形状的凹状部分。
若采用该形态，存储电容在M上的层叠构造中隔着第2绝缘膜配置 在晶体管的上层侧。另外存储电容，在非开口区域内，典型地覆盖沟道区 及与其相邻的例如，LDD区等，在基板上平面上看，形成得部分地至少与 半导体层重叠。存储电容，典型地，包含遮光性导电膜(更具体地说，构成 存储电容的一对电容电极中的至少一个例如由金属膜等的遮光性导电膜形 成)，起遮挡从上层侧入射晶体管的光的内置遮光膜的作用。因而，可以降 低晶体管中光漏电流的发生。
在该形态下，特别是，存储电容在第2绝缘膜的上层侧表面形成，使 之覆盖因接触孔而产生的凹部，具备具有沿着该凹部表面的凹状剖面形状 的凹状部分。
即，在配置在第2绝缘膜的下层侧的第l绝缘膜上，如上所述，由于 接触孔的形成，在第2绝缘膜的上层侧表面上，例如，大致沿着接触孔的 内壁产生凹部。存储电容形成得覆盖该凹部，从而使其一部分在凹部内形 成，具备具有沿着凹部表面的凹状剖面形状的凹状部分。凹状部分典型地 沿着凹部中的壁部及底部形成。
因而，存储电容通过具有凹状部分，电容值增大。因而，可以提高像 素电极中的电位保持特性。换言之，与存储电容不具有凹状部分的情况(即， 存储电容只在平面上形成的情况)相比，具有实现制品所要求的显示性能的 电容值的存储电容可以做入J^L上狭窄的区域中。从而，可以减少图像显 示中的闪烁和像素不匀，另外，可以实现装置的小型化。
另外，由于凹部是由于接触孔而产生的，凹部(及凹状部分)具有和接 触孔的平面形状大致相同的平面形状。换言之，凹状部分，在基板上平面 上看，具有在半导体层侧方沿着第1方向延长的部分，和与扫描线的一部 分重叠并沿着扫描线延伸的第2方向延长的部分。因而，可以容易地把凹 状部分配置在非开口区域内，几乎不招致开口率的下降，可以增大存储电 容的电容值。
加之，凹部是由于接触孔而产生的，故几乎或者完全不会招致制造工 序的复杂化或者增加。
如上所述，若采用该形态，在原样维持高开口率可以增大存储电容的
电容值的同时，可以减少TFT中光漏电流的发生。结果是，便可能产生高 质量的图像显示。
在具有上述存储电容的形态下，上述半导体层具有在电气上连接到上 述数据线的数据线侧源漏区、在电气上连接到上述像素电极的像素电极侧 源漏区、上述沟道区及上述数据线侧源漏区之间形成的第l结区和上述沟 道区及上述#>素电极侧源漏区之间形成的第2结区，上述存储电容在上述 ^平面上看，也可以构成得至少和上述第2结区重叠。
在这种情况下，可以比较可靠地遮挡与第1结区相比有更容易发生光 漏电流的趋向的第2结区。因而，便可能比较有效地减少晶体管中光漏电 流的发生。
在具有上述存储电容的形态下，上述存储电容也可以构成得包含遮光 性导电材料。
在这种情况下，可以〗吏存储电容可靠地起遮挡入射晶体管的光的遮光 膜的作用。
在上述存储电容至少和第2结区重叠的形态下，上述存储电容也可以 构成得具有沿着上述第1方向延伸并覆盖上述第1结区的第1电容部分和 覆盖上述第2结区并且上述第2方向的宽度比上述第1电容部分更宽的第 2电容部分。
在这种情况下，在存储电容中，覆盖第2结区的第2电容部分，构造 得使第2方向的宽度比覆盖第1结区的第1电容部分更宽。即，第2电容 部分构造得，对于沿着例如Y方向延伸的半导体层，例如，X方向的宽度 比第l电容部分更宽。因而，与入射第l结区的光相比，可以更可靠地遮 挡入射第2结区的光，而第2结区与第1结区相比具有相对更容易发生光 漏电流的趋向。即，可以把遮挡到达第2结区的光的遮光性提高(即，强化) 得比遮挡到达第1结区的光的遮光性更高。
为了解决上述问题，按照本发明的第2电光装置，在基板上具备，相 互交叉的数据线及扫描线;像素电极，与该数据线及扫描线的交叉点对应设 置;和晶体管，设置在把像素的开口区域相互隔开的非开口区域中与上述交 叉点对应的交叉区域内，包含:(i)半导体层，隔着第l绝缘膜，配置在与上 述扫描线彼此不同的层上，形成具有沿着上述数据线延伸的方向的沟道长 的沟道区，和(ii)栅极电极，相对于该半导体层，配置在与上述扫描线相反 一侧的层上，与上述沟道区重叠;其中，在上述第l绝缘膜上，形成用于电 气连接上述栅极电极和上述扫描线的接触孔，其在上述基板平面上看，具 有第1部分，在上述半导体层侧方沿着上述扫描线延伸的方向延长；和 第2部分，与上述数据线的一部分重叠并沿着上述数据线延伸的方向延长。
若釆用按照本发明的第2电光装置，在其工作时，和上述按照本发明 的第l电光装置大致相同，可以在像素区域中进行图像显示。
晶体管包含在非开口区域内设置在与数据线及扫描线交叉点对应的交 叉区域(即，设置在交叉区域的全部或一部分)、具有沟道区的半导体层及 重叠在沟道区上的栅极电极。
在a上的层叠构造中，半导体层隔着第1绝缘膜配置在与扫描线彼 此不同的层上(即，隔着第1绝缘膜，配置在扫描线的下层侧或上层侧)。 沟道区，具有沿着扫描线延伸的方向(换言之多条数据线排列的方向，即， X方向)的沟道长。即，半导体层，典型地形成为沿着扫描线延伸的方向延 伸。
在基板上的层叠构造中，相对于半导体层，栅极电极配置在与扫描线 相反一侧的层上。在这种情况下，宜在半导体层侧方形成接触孔，在电气 上连接栅极电极和扫描线。
在基板上的层叠构造中，经过配置在栅极电极和扫描线之间的绝缘膜 上(或者该绝缘膜及例如栅极绝缘膜)形成的或者开孔的接触孔在电气上连 接栅极电极及扫描线。
在本发明中，特别是，在电气上连接栅极电极和扫描线用的接触孔， 在基板上平面上看，具有在半导体层侧方沿着扫描线延伸的方向延长的第
1部分;和重叠到数据线的一部分并沿着数据线延伸的方向(换言之多条扫 描线排列的方向即，Y方向)延长的第2部分。即，接触孔由第l部分和第 2部分在第1绝缘膜上通过例如蚀刻等形成为具有例如L字状或T字状等 平面形状的沟(或者接点沟)。
因而，在维持高的开口率的同时，可以减少栅极电极和扫描线间的接 触电阻。即，在本发明中，特别是，接触孔由于具有第l及第2部分，与 假定接触孔具有圆形、正方形、长方形等平面形状的情况相比，在有限的 非开口区域，可以扩大形成该接触孔的区域面积。因而，在减少栅极电极 和扫描线间的电阻的同时，可以提高开口率。
另外，在本发明中，特别是，如上所述，接触孔的第l部分在半导体 层侧方沿着扫描线延伸的方向延长。即，第1部分，在形成得沿着扫描线 延伸的方向延伸的半导体层侧面一侧，隔开规定的距离，沿着扫描线延伸 的方向形成长条形。因而，在第l部分内形成的栅极电极或者扫描线的一 部分，在三维上看，沿着半导体层，形成为例如壁状遮光体。因而，可以 通过第l部分(更确切地说，在第l部分中形成的栅极电极或者扫描线的一 部分)遮挡倾斜入射半导体层的光(即，具有沿着基&面的分量的光)。即， 通过配置在半导体层附近例如形成为壁状遮光体的第l部分，可以强化遮 挡倾斜入射半导体层的光的遮光性。结果，可以减少图像显示中的闪烁和 像素不匀。
如上所述，若采用按照本发明的第2电光装置，在电气上连接扫描线 和栅极电极用的接触孔，由于具有第1及第2部分，宜于提高开口率，在 可以减少晶体管中光漏电流的发生的同时，可以实现晶体管的栅极电极和 扫描线间良好的电气连接。结果，有可能进行明亮、减少了闪烁和像素不 匀的高质量的图像显示。
在按照本发明的第2电光装置的一个形态中，还具有隔着第2绝缘膜， 配置在上述晶体管的上层侧，在上述非开口区域内形成的存储电容，该存 储电容以覆盖因上述接触孔而在上述第2绝缘膜上层侧表面产生的凹部的 方式形成，具备具有沿着凹部表面的凹状剖面形状的凹状部分。
若采用该形态，存储电容在基板上的层叠构造中经过第2绝缘膜配置 在晶体管的上层侧。另外，存储电容形成得在非开口区域内，典型地覆盖 沟道区及与之相邻的例如LDD区等，在基板上平面上看至少部分地重叠 半导体层。存储电容典型地包含遮光性导电膜，起遮挡从上层侧入射晶体 管的光的内置遮光膜的作用。因而，可以减少晶体管中光漏电流的发生。
在该形态下，特别是，存储电容形成得覆盖第2绝缘膜上层侧表面上 由于接触孔而产生的凹部，具备具有沿着该凹部表面的凹状剖面形状的凹 状部分。
即，由于如上所述接触孔在配置在第2绝缘膜的下层侧的第1绝缘膜 上形成，在第2绝缘膜上层侧的表面上，产生因该接触孔而例如大致沿着 接触孔内壁的凹部。存储电容形成得覆盖该凹部，从而使其一部分在凹部 内形成，具备具有沿着凹部表面的凹状剖面形状的凹状部分。凹状部分典 型地沿着凹部中的壁部及底部形成。
因而，存储电容通过具有凹状部分，电容值增大。因而，可以提高像 素电极中的电位保持特性。换言之，与存储电容不具有凹状部分的情况(即， 存储电容只在平面上形成的情况)相比，可以把具有实现制品所要求的显示 性能的电容值的存储电容做入基板上狭窄的区域。从而，可以减少图像显 示中的闪烁和像素不匀，可以实现装置的小型化。
另外，凹部由于接触孔而产生，故凹部(及凹状部分)具有和接触孔的
平面形状大致相同的平面形状。换言之，凹状部分在141上平面上看，具 有在半导体层侧方沿着扫描线延伸的方向延长的部分，和与数据线的一部
分重叠的同时沿着数据线延伸的方向延长的部分。因而，凹状部分可以容 易地配置在非开口区域内，几乎不招致开口率的下降，可以增大存储电容 的电容值。
加之，由于凹部是因接触孔而产生的，几乎不或者完全不招致制造工 序的复杂化或者增加。
如上所述，若采用该形态，在原样维持高开口率，可以增大存储电容 的电容值的同时，可以减少TFT中光漏电流的发生。结果是，可以实现高
质量的图像显示。
为了解决上述问题，本发明的电子设备具有上述按照本发明的第1电 光装置。
若采用按照本发明的电子设备，由于具有上述按照本发明的第1电光 装置，可以进行高质量的显示，可以实现投射型显示装置、便携式电话、 电子杂记本、字处理器、取景器型或监视器直接观看型磁带录像机、工作
站、电视电话、POS终端、触摸屏等各种电子设备。此外，作为按照本发
明的电子i殳备，例如，还可以实现电子纸张等电泳装置等。
参照下面简单说明的附图，阅读下面联系本发明的最佳实施例所作的 详细说明，本发明的性质、实用性及其他特征将变得更加明显。


图l是表示与第1实施例相关的液晶装置的整体结构的平面图； 图2是沿着图1的II-II线的剖面图3是与笫1实施例相关的液晶装置的多个像素部的等效电路图； 图4是与第1实施例相关的液晶装置的多个^^素部的平面图(下层部
分)；
图5是与第1实施例相关的液晶装置的多个^^素部的平面图(上层部
分)；
图6是图4及图5重叠的情况下沿着VI-VI线的剖面图7是扫描线及栅极电极间的接触孔及存储电容的平面图8是沿着图7的VIII-VIII线的剖面图9是沿着图7的IX-IX线的剖面图IO是第2实施例中与图7同一意图的平面图ll是第3实施例中与图4同一意图的平面图12是第3实施例中与图5同一意图的平面图13是图11及图12重叠的情况下沿着XIII-XIII线的剖面图14是第3实施例中与图7同一意图的平面图；而
图15是表示作为采用电光装置的电子设备的一个示例的投影仪的构 造的平面图。
具体实施例方式
以下，参照附图就本发明的最佳实施例作一说明。另外，在以下的实 施例中，以作为本发明的电光装置的一个示例的驱动电路内置型的TFT有 源矩阵驱动方式的液晶装置作为示例。
第1实施例
现参照图1至图9说明第1实施例。
首先参照图l及图2说明按照本实施例的液晶装置的整体结构。
图1是从反面基板一侧看TFT阵列141在其上形成的各构成要素的同 时的液晶装置平面图，图2是沿着图1的II-II线的剖面图。
在图1及图2中，在按照本实施例的液晶装置中，TFT阵列141 10 和反面^20相向配置。TFT10阵列^是例如，石英基板、玻璃基板、 硅J4l等的透明14l。反面基板20和TFT阵列基板10 —样也是透明a。 在TFT阵列基板10和反面基板20之间封入液晶层50。 TFT阵列基板10 和反面基板20，用设置在位于设置了多个像素部的图像显示区域10a的周 围的密封区域的密封材料52相互粘结。
在图1中，与配置了密封材料52的密封区域内侧并行，规定图像显示 区域10a的边框区域的遮光性的边框遮光膜53设置在反面基板20侧。其 中，这样的边框遮光膜53的一部分或全部也可以作为内置于TFT阵列基 板10侧的遮光膜设置。周边区域内，在位于配置了密封材料52的密封区 域的外侧的区域中，数据线驱动电路101及外部电路连接端子102沿着TFT 阵列基板10的一边设置。扫描线驱动电路104沿着与该边相邻的两边，而 且，设置得覆盖在边框遮光膜53上。另外，这样，为了连接设置在图像显 示区域10a两侧的两个扫描线驱动电路104间，设置多个布线105，使之 沿着TFT阵列M 10剩余的一边延伸，而且覆盖边框遮光膜53。
在反面^4120的4角，配置起两基板间上下导电端子的作用的上下导
电材料106。另一方面，在TFT阵列基板10中，在对向它们角部设置上 下导电端子。通过它们，TFT阵列14110和反面基板20间在电气上可以 导通。
在图2，在TFT阵列基板10上，形成制作了像素切换用的TFT和扫 描线、数据线等布线的层叠构造。在图像显示区域10a中，在像素切换用 的TFT和例如，扫描线、数据线等布线的上层，矩阵状设置像素电极9a。 在像素电极9a上，形成取向膜。另一方面，在反面M 20上与TFT阵列 基板10相反的一面上形成遮光膜23。遮光膜23，例如，由遮光性金属膜 等形成，在反面基板20上的图像显示区域10a内，例如，形成栅格状等图 形。然后，在遮光膜23上，由ITO等透明材料组成的对向电极21，与多 个像素电极9a对向形成为片状。在对向电极21上形成取向膜。此外，液 晶层50，例如，由一种或数种向列型液晶混合的液晶组成，在这一对取向 膜之间，采取规定的取向状态。
另外，也可以在图l及图2所示的TFT阵列基板10上，加上这些数 据线驱动电路101、扫描线驱动电路104等的驱动电路，形成对图像信号 线上的图像信号进行采样并提供给数据线的釆样电路、在图像信号之前分 别向多条数据线施加规定电压电平的预充电信号的预充电电路、在制造过 程中和出货时检查该电光装置的质量、缺陷等用的检查电路等。
接着，参照图3说明按照本实施例的液晶装置的像素部的电气结构。
图3是构成按照本实施例的液晶装置的图像显示区域的形成为矩阵状 的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路图。
在图3中，构成图像显示区域10a的形成为矩阵状的多个像素中，形 成像素电极9a及作为按照本发明的"晶体管"的一个示例的TFT30。TFT30 电气连接到像素电极9a，在液晶装置工作时开关控制像素电极9a。提供图 像信号的数据线6a在电气上连接到TFT30的源极。写入数据线6a的图像 信号S1， S2，…，Sn，也可以按这样的顺序以线顺序提供，对于相邻的多 条数据线6a，也可以每组提供。
扫描线11在电气上连接到TFT30的栅极，按照本实施例的液晶装置， 构造得按规定的定时以脉沖方式把扫描信号Gl， G2,…，Gm按这样的 顺序以线顺序施加于扫描线11。像素电极9a，在电气上连接到TFT30的 漏极，作为开关元件的TFT30按一定的周期关闭其开关，从而从数据线 6a提供的图像信号Sl， S2，…，Sn按规定的定时写入。经过像素电极9a 写入构成液晶层50(参照图2)的液晶的规定电平的图像信号S1， S2，…， Sn，在与反面JA上形成为对向电极间保持一定周期。
构成液晶层50的液晶，由于施加电压电平，改变分子集合的取向和秩 序，从而调制光，可以进行灰度显示。在常白方式下，与在各像素单位施 加的电压对应，减小对入射光的透射率，若采用常黑方式，则与在各像素
单位施加的电压对应，增大对入射光的透射率，作为整体从液晶装置，出 射具有与图^象信号相应的对比度的光。
为了防止这里保存的图像信号的泄漏，增加了与像素电极9a和对向电 极21(参照图2)之间形成的液晶电容并联的存储电容70。存储电容70是一 种起根据图像信号的提供暂时保存各像素电极9a电位的保持电容的作用 的电容元件。存储电容70的一个电极，与像素电极9a并联，在电气上连 接到TFT30的漏极，另一个电极在电气上连接电位固定的电容线300,以 变为恒定电位。若采用于存储电容70，则可提高像素电极9a中的电位保 持特性，可以提高提高对比度，减少闪烁等显示特性。另外，存储电容70， 如后所述，也起遮挡入射TFT30的光的内置遮光膜的作用。
接着，参照图4至图6说明实现上述动作的像素部的具体结构。 图4及图5，是形成数据线、扫描线、像素电极等的TFT阵列基板相 邻的多个像素部的平面图。图4及图5分别显示后述的层叠构造中的下层 部分(图4)和上层部分(图5)。图6是图4及图5重叠的情况下沿着VI-VI 线的剖面图。
另外，在图6中，为了把各层/各部件放大到在图上可以识别的程度， 该各层/各部件的比例尺是不同的。此外，为了便于说明，在图5及图6中， 位于像素电极9a更上侧的部分没有显示。
在图5中，像素电极9a在TFT阵列基板10上矩阵状设置多个(通过
点线表示其轮廓)。
如图4及图5所示，分别沿着像素电极9a的纵横边界设置数据线6a 及扫描线ll。即，扫描线11沿着X方向延伸，数据线6a沿着Y方向延 伸，使之与扫描线11交叉。TFT30分别设置在扫描线11及数据线6a彼 此交叉的交叉区域。
扫描线11、数据线6a、存储电容70、中继层93及TFT30，在TFT 阵列基板10上的平面看，配置在包围对应于像素电极9a的各像素的开口 区域(即，在各像素上，透射或反射实际上对显示有贡献的光的区域)的非 开口区域。即，这些扫描线11、存储电容70、数据线6a、中继层93及 TFT30，不配置在各像素的开口区域内，而配置在非开口区域内，使之不 妨碍显示。另外，扫描线ll、存储电容70、数据线6a及中继层93，分别 规定非开口区域的一部分。
如图6所示，在TFT阵列基板10上，扫描线ll、 TFT30、存储电容 70、数据线6a、像素电极9a等各种结构要素设置为形成层叠构造。该层 叠构造，从下面起依次由包含扫描线11的第1层、包含具有栅极电极3 的TFT30等的第2层、包含存储电容70的第3层、包含数据线6a等的第 4层和包含像素电极9a等的第5层(最上层)组成。此外，分别在第1层及 第2层之间设置底层绝缘膜12，在第2层及第3层之间设置层间绝缘膜41， 在第3层及第4层之间设置第2层间绝缘膜42，在第4层及第5层之间设 置第3层间绝缘膜43，防止上述各要素间短路。此外，在这些各种绝缘膜 12， 41， 42及43中，例如，形成接触孔81等，在电气上连接TFT30的 半导体层la中的数据线侧源漏区ld和数据线6a。下面，依次说明这些各 个要素。另外，上述层叠构造中从第l层到笫l层间绝缘膜，作为下层部 分在图4中显示，从第3层到笫5层作为上层部分在图5显示。
第1层的构造-扫描线等
在图6中作为第1层设置扫描线11。扫描线11，由例如鴒(W)、钛(Ti)、 氮化钛(TiN)等高熔点金属材料等遮光性导电材料组成。
如图4所示，扫描线ll形成带条状图形，使之沿着X方向(延伸)。若
更详细观察，扫描线11,具有沿着X方向延伸的主线部分和从主线部分 llx向Y方向延伸设置的延伸部分lly。另外，相邻的扫描线ll的延伸部 分lly没有相互连接，因而，该扫描线变为一#^艮断开的形式。
第2层的构造-TFT等
在图6中，作为第2层，设置TFT30。
如图4及图6所示，TFT30构造得包含半导体层la及栅极电极3。 半导体层la，例如，由多晶硅组成，由沿着Y方向具有沟道长的沟道 区la，、数据线侧LDD区lb、像素电极侧LDD区lc、数据线侧源漏区 ld及像素电极侧源漏区le组成。即，TFT30具有LDD构造。另外，数据 线侧LDD区lb，是按照本发明的"第1结区"的一个示例，像素电极侧LDD 区lc是按照本发明的"第2结区"的一个示例。
数据线侧源漏区ld及像素电极侧源漏区le,以沟道区la，作为基准， 大致沿着Y方向镜像对称地形成。数据线侧LDD区lb，在沟道区la，及 数据线侧源漏区ld之间形成。像素电极侧LDD区lc在沟道区la，及像 素电极侧源漏区le之间形成。数据线侧LDD区lb、〗象素电极侧LDD区 lc、数据线侧源漏区ld及4象素电极侧源漏区le，例如，是用离子注入法 等通过注入杂质向半导体层la中注入杂质而成的掺杂区域。数据线侧LDD 区lb及像素电极侧LDD区lc，分别形成为杂质浓度略低于数据线侧源漏 区ld及像素电极侧源漏区le的掺杂区域。若采用这样的掺杂区域，TFT30 为非工作时，可以减少在源极区及漏极区流动的截止电流，而且可以抑制 TFT30工作时流过的导通电流的下降及截止漏电流的上升。另外，TFT30， 最好具有LDD构造，但也可以是不向数据线侧LDD区lb、像素电极侧 LDD区lc注入杂质的偏移构造，也可以以栅极电极作为掩模，通过高浓
扫描线ll及半导体层la之间，通过作为按照本发明的"第l绝缘膜" 的一个示例的底层绝缘膜12进行绝缘。基底绝缘层12,除起使半导体层 la对扫描线11绝缘的作用之外，在TFT阵列基板10的整个面上形成， 从而具有在研磨TFT阵列基板10的表面时粗糙化，防止洗净后残留的污
染物等造成像素开关用的TFT30特性的劣化的功能。
另外，在图4中，在底层绝缘膜12中，作为按照本发明的"接触孔" 的一个示例，形成接触孔810。现参照图7至图9详细说明有关接触孔810 的结构。
如图4及图6所示，栅极电极3隔着栅极绝缘膜2配置在半导体层la 的上层侧。即，TFT30形成为顶栅型TFT。栅极电极3，例如，由鴒(W)、 钛(Ti)、氮化钛(TiN)等高熔点金属材料等的遮光性导电材料组成。另外， 栅极电极3也可以由例如，导电性多晶硅形成。
如图4所示，栅极电极3具有重叠在TFT30的沟道区la，的主体部 分3a、从该主体部分3a沿着X方向延伸设置的延伸部分32和从该主体部 分3a沿着Y方向延伸设置的延伸部分31。另外，延伸部分31及31，是 按照本发明的，，栅极电极延伸部分"的一个示例。栅极电极3经过贯穿栅极 绝缘膜2及底层绝缘膜12而开孔的接触孔810，与扫描线11在电气上彼 此连接。
另外，在本实施例中，分别分离各TFT30的栅极电极3而形成，但是 例如，也可以形成为使与同一扫描线ll对应的TFT30(即，沿着X方向彼 此相邻的TFT30)的栅极电极3彼此连接。换言之，也可以相对于半导体层 la，形成包含与同一扫描线11对应的TFT30的栅极电极3、配置在与扫 描线ll相反一侧的层上的其他扫描线。在这种情况下，可以把扫描线构成 为二重布线，可以比较可靠地向栅极电极3提供扫描信号。
第3层的构造-存储电容等
在图6中作为第3层设置存储电容70。存储电容70隔着作为按照本 发明的"第2绝缘膜，，的一个示例的第一层间绝缘膜41，设置在TFT30的 上层侧。
隔着电介质膜75相向地配置下部电容电极71和上部电容电极300a， 从而形成存储电容70。
如图5及图6所示，上部电容电极300a形成为电容线300的一部分。 电容线300，从配置有像素电极9a的图像显示区域10a向其周围延伸设置。
上部电容电极300a，经过电容线300在电气上连接恒压源，是维持在固定 电位上的固定电位侧电容电极。上部电容电极300a，由例如，包含A1(铝)、 Ag(银)等金属或合金的不透明金属膜形成，还起给TFT30遮光的上侧遮光 膜(内置遮光膜)的作用。另外，上部电容电极300a，包含例如，Ti(钬)、 Cr(铬)、W(鴒)、Ta(钽)、Mo(钼)、Pd(把)等高熔点金属中至少一种、金属 单体、合金、金属硅化物、聚硅化物，也可以由它们的层叠等构成。
下部电容电极71,是TFT30的^象素电极侧源漏区le及在电气上连接 到像素电极9a的像素电位侧电容电极。更具体地说，下部电容电极71, 经过接触孔83在电气上连接到像素电极侧源漏区le的同时，经过贯穿第 2层间绝缘膜42及电介质膜75而开孔的接触孔84(参照图5)，在电气上连 接到配置在与后述的数据线6a同一层(即，第4层)的中继层93。另外中继 层93(参照图5)，经过在第3层间绝缘膜43开孔的接触孔85(参照图5)， 在电气上连接像素电极9a。即，下部电容电极71和中继层93—起，中继 像素电极侧源漏区le及像素电极9a间的电气连接。下部电容电极71，由 导电性的多晶硅形成。因而，存储电容70具有所谓MIS构造。另外，下 部电容电极71,除起像素电位侧电容电极的作用外，还具有作为配置在上 侧遮光膜的上部电容电极300a和TFT30之间起光吸收层或遮光膜的功能。
电介质膜75具有由HTO(高温氧化物)膜、LTO(低温氧化物)膜等的氧 化硅膜或氮化硅膜等构成的单层构造，或者多层构造。
另外，也可以像上部电容电极300a —样由金属膜形成下部电容电极 71。即，存储电容70也可以形成得具有金属膜-绝缘膜(绝缘膜)-金属膜3 层构造的所谓MIM构造。
另外，如图4及图5所示，在本实施例中，特别是，存储电容形成得 覆盖接触孔810。因此，尽管后面还要参照图7至图9详细说明，但是存 储电容70具有沿着因接触孔810而在第l层间绝缘膜41的上层侧表面产 生的凹部710表面而形成的凹状部分70t。
第4层的构造-数据线等
在图6中，作为第4层设置数据线6a。此外，在第4层中，中继层93(参
照图5)由与数据线6a同一的膜形成。
如图5及图6所示，数据线6a,经过贯穿第l层间绝缘膜41、电介质 膜75及第2层间绝缘膜42的接触孔81,在电气上连接到半导体层la的 数据线侧源漏区ld。数据线6a及接触孔81内部，例如，由Al-Si-Cu、Al-Cu 等含Al(铝)材料或Al单体或Al层和TiN层等的多层膜组成。数据线6a 也具有给TFT30遮光的功能。
在图5中，中继层93在层间绝缘膜42上，在与数据线6a(参照图6)同 一的层上形成。数据线6a及中继层93，例如，采用薄膜形成法用金属膜 等导电材料构成的薄膜在层间绝缘膜42上形成，部分地除去该薄膜，即， 通过形成图形而形成得处于相互隔开的状态。因而，由于数据线6a及中继 层93可以在同一工序中形成，可以简化装置的制造工艺。
第5层的构造-像素电极等
在图6中，作为第5层设置像素电极9a。像素电极9a，隔着第3层间 绝缘膜43在数据线6a的上层侧形成。
如图5及图6所示，像素电极9a,经过下部电容电极71、接触孔83， 84及85以及中继层93，在电气上连接到半导体层la的像素电极侧源漏区 le。在像素电极9a的上侧表面上，设置施加了研磨处理等规定的取向处理 的取向膜。
以上说明的像素部的构造，如图4及图5所示，各像素部都是一样的。 在图像显示区域10a(参照图l)上，周期地形成这样的4象素部。
接着，参照图7至图9,在说明存储电容的形状的同时，详细说明按 照本实施例的液晶装置的扫描线、栅极电极、在电气上连接在该扫描线及 栅极电极之间的接触孔的平面形状。
图7是平面图，表示按照本实施例的液晶装置的扫描线、栅极电极、
状。图8是沿着图7的VIII-VIII线的剖面图。图9是沿着图7的IX-IX 线的剖面图。
另夕卜，在图7中，在构成图4所示的像素部的构成要素中，扫描线ll、
TFT30及存储电容70是放大显示的，其他构成要素在图中省略。此外， 在图8及图9中，省略了第2层间绝缘膜的上层侧的结构要素。
在图7中，扫描线ll，参照图4如上所述，具有沿着X方向延伸的主 线部分llx和从主线部分llx沿着Y方向延伸设置的延伸部分lly。延伸 部分lly，由包含与数据线侧LDD区lb对向的区域而形成的第l延伸部 分llyl和包含与像素电极侧LDD区lc对向的区域而形成的第2延伸部分 11y2组成。因而，从下层侧入射数据线侧LDD区lb及像素电极侧LDD 区lc的光，可以用第l延伸部分llyl及第2延伸部分lly2遮挡。因而， 可以减少数据线侧LDD区lb及像素电极侧LDD区lc中光漏电流的发生。
另外，在本实施例中，扫描线11中的第2延伸部分lly2，构造得X 方向的宽度比第l延伸部分llyl宽。即，第2延伸部分lly2的X方向宽 度W2，比第l延伸部分llyl的X方向宽度Wl宽。因而，从下层侧入射 4象素电极侧LDD区lc的光，可以比从下层侧入射数据线侧LDD区lb的 光更可靠地被遮挡。因而，可以提高对相对容易产生光漏电流的像素电极 侧LDD区lc的遮光性，可以有效地减少流过TFT30的光漏电流。
如图7至图9所示，栅极电极3和扫描线11，经过贯穿栅极绝缘膜2 及底层绝缘膜12而开孔的接触孔810在电气上连接在一起。
如图7所示，在本实施例中，特别是，接触孔810，在TFT阵列M IO上在平面上看，在半导体层la的侧方，具有沿着Y方向延长的第l部 分811和与扫描线11的主线部分llx的一部分重叠并沿着X方向延长的 第2部分812。即，接触孔810连接第1部分811和第2部分812,可以说， 具有以L字状弯曲的平面形状。另外，栅极电极3，如上参照图4所述， 具有重叠在TFT30的沟道区la，上的主体部分3a，和从该主体部分3a延 伸设置为与接触孔810重叠的延伸部分31及32。延伸部分31,沿着Y方 向延伸设置，覆盖接触孔810的第l部分811，延伸部分32,沿着X方向 延伸设置，覆盖接触孔810的第2部分812。因而，如图8所示，延伸部 分31的一部分，在接触孔810的第l部分811内形成，与扫描线ll(更详 细地说，第2延伸部分lly2的一部分)接触。同样地，如图9所示，延伸
部分32的一部分，在接触孔810的第2部分812内形成，与扫描线ll(更 详细地说，主线部分llx的一部分)接触。
由于这样构成，可以在维持高开口率的同时，减少栅极电极3和扫描 线ll之间的接触电阻。
即，在本实施例中，特别是，如上所述，由于接触孔810具有第l部 分811及第2部分812，与假定接触孔810例如，呈圆形、正方形等具有 作为一般的接触孔的典型平面形状的情况，或者假定接触孔810由第1部 分811及第2部分812中任何一个的组成的情况相比，可以在有限的非开 口区域扩大形成该接触孔810的区域面积。因而，在降低栅极电极3和扫 描线ll之间的电阻的同时，可以提高开口率。
另外，像本实施例那样，接触孔810连接第1部分811和第2部分812， 可以说通过具有L字状弯曲的平面形状，可以避免栅极电极3及扫描线11 之间在电气上不连接的问题。即，假定接触孔810由第1部分811及第2 部分812中任何一个的组成的情况下等，在接触孔具有长方形或者长条形 的平面形状的情况下，随着高开口率化和小型化，接触孔形成得细时，要 充分开孔使接触孔达到扫描线恐怕会变得困难。然而，在像本实施例那样， 接触孔810可以说具有L字状弯曲的平面形状的情况下，至少在该弯曲部 分(换言之，第1部分811和第2部分连接的部分或者相交部分)，在经验 上开孔到使接触孔810能达到扫描线可能比较容易。因而，可以可靠地在 电气上连接栅极电极3及扫描线11。
另外，在本实施例中，特别是，如上所述，接触孔810的第l部分811 在半导体层la的侧方沿着Y方向延长。更具体地说，第1部分811，在形 成得沿着Y方向延伸的半导体层la的侧面侧，隔开规定的距离Ll,沿着 Y方向形成为长条形。
因而，如图8所示，在第l部分811内形成的栅极电极3(更确切地说， 延伸部分31)的一部分，在三维上看，沿着半导体层la形成为壁状遮光体。 因而，可以用第1部分811(更确切地说，第l部分811中形成的栅极电极 3的一部分)遮挡倾斜入射半导体层la的光(即，例如，在图8中，沿着箭 头P1所示的方向入射的光，即，入射光中具有X方向或Y方向分量的光， 或者沿着箭头P2所示方向入射的光，即，返回光中具有X方向或Y方向 分量的光)。即，可以用配置半导体层la附近形成为壁状遮光体的第1部 分811，强化遮挡对半导体层la倾斜入射的光的遮光性。结果，可以减少 图像显示中的闪烁和像素不匀。
加之，如图7及图8所示，在本实施例中，特别是，接触孔810，分 别在半导体层la两侧各设置一个，接触孔810的第1部分811在半导体层 la的两侧形成为壁状遮光体。因而，可以遮挡从两侧倾斜入射半导体层la 的光。因而，可以比较可靠地减少TFT30中的光漏电流。
另外，也可以只在半导体层la的一个侧面(即，在图7中，左侧或右 侧)上设置接触孔810，只在半导体层la—面形成第l部分811。即使在这 种情况下，也可以相应地强化遮挡倾斜入射半导体层la的光的遮光性。但 是，从强化遮光性的观点及减少接触电阻的观点看，最好像本实施例那样， 在半导体层la的两侧设置接触孔810，在半导体层la的两侧形成第1部 分811。
另外，如图7所示，在本实施例中，特别是，接触孔810的第1部分 811，设置在像素电极侧LDD区lc的两侧，而不设置在数据线侧LDD区 lb的两侧。因而，可以使遮挡到达像素电极侧LDD区lc的光的遮光性， 比遮挡到达数据线侧LDD区lb的光的遮光性还高，或可以强化它。其中， 本发明者得出结论，TFT30工作时，在像素电极侧LDD区lc，与数据线 侧LDD区lb相比，相对容易发生光漏电流。即，得出结论，TFT30工作 时，在像素电极侧LDD区lc受光照射的情况，与数据线侧LDD区lb受 光照射的情况相比，在TFT30中更容易发生光漏电流。因而，第1部分 811,设置在像素电极侧LDD区lc的两侧，而不设置在数据线侧LDD区 lb的两侧，这样可以提高对相对容易发生光漏电流的像素电极侧LDD区 lc的遮光性，可以有效地减少流过TFT30的光漏电流。反之，通过不在 与像素电极侧LDD区lc相比相对不易发生光漏电流的数据线侧LDD区 lb的两侧延伸设置接触孔810，可以防止开口率无谓的下降。
加之，如图7所示，在本实施例中，特别是，接触孔810第l部分811 的宽度WT1，比第2部分812的宽度WT2窄。因而，几乎不招致因形成 第l部分811而导致的非开口率的增大，即开口率的下降。另外，第2部 分812的宽度WT2，比第l部分811的宽度WT1宽，故可可靠地减少栅 板电极3和扫描线11之间的接触电阻。即，在可靠地维持高开口率的同时， 可以主要通过笫1部分811强化对TFT30的遮光性，可以主要通过第2部 分812降低栅极电极3和扫描线11之间的接触电阻。
如图7至图9所示，构成存储电容70的上部电容电极300a，具有覆 盖数据线侧LDD区lb的第1电极部分301和覆盖^f象素电极侧LDD区lc 的第2电极部分302。另夕卜，构成存储电容70的下部电容电极71，具有覆 盖数据线侧LDD区lb的第1电极部分71a和覆盖像素电极侧LDD区lc 的第2电极部分71b。另外，第1电极部分301及71a以及设置在电介质 膜75中第1电极部分301及71a之间的部分，构成按照本发明的"第1电 容部分"的一个示例，第2电极部分302及71b以及设置在电介质膜75中 第2电极部分302及71b的部分，构成按照本发明的"第2电容部分"的一 个示例。
因而，可以通过笫1电极部分301及71a遮挡从上层侧入射数据线侧 LDD区lb的光。另外，可以通过第2电极部分302及71b遮挡从上层侧 入射像素电极侧LDD区lc的光。因而，可以减少数据线侧LDD区lb及 4象素电极侧LDD区lc中光漏电流的发生。
在本实施例中，特别是，存储电容70具有形成得覆盖第l层间绝缘膜 41上层侧表面上因接触孔810而产生的凹部710，沿着凹部710的表面具 有凹状剖面形状的凹状部分70t。
即，如图8及图9所示，由于在配置于第1层间绝缘膜41下层侧的底 层绝缘膜12及栅极绝缘膜中形成接触孔810，因此在第1层间绝缘膜41 的上层侧表面上因接触孔810而产生例如大致沿着接触孔810的内壁的凹 部710。存储电容70形成得覆盖凹部710，从而其一部分在凹部710内形 成，具备具有沿着凹部710的表面的凹状剖面形的凹状部分70t。凹状部分
70t由重叠在上部电容电极300a中凹部710上的部分、重叠在电^h质膜75 内凹部710上的部分和重叠在下部电容电极71内的凹部710的部分组成。 因而，存储电容70通过具有凹状部分70t,电容值增大。因而，可以 提高像素电极9a中的电位保持特性。换言之，与存储电容70不具有凹状 部分70t的情况(即，存储电容70只在平面上形成的情况)相比，可以把实 现具有制品所要求的显示性能的电容值的存储电容做入TFT阵列M 10 上狭窄的区域。从而，可以减少图像显示中的闪烁和像素不匀，可以实现 装置的小型化。
另外，凹部710是因接触孔810而产生的，因此凹部710(及凹状部分 70t)具有与接触孔810的平面形状大致相同的平面形状(图中省略)。换言之， 凹状部分70t，在TFT阵列基板10上平面上看，具有在半导体层la的侧 方沿着Y方向延长的部分，和与扫描线11主线部分llx的一部分重叠并 沿着X方向延长的部分。因而，可以容易把凹状部分70t配置在非开口区 域内，几乎不招致开口率的下降，可以增大存储电容70的电容值。
另外，接触孔810的第1部分811及第2部分812，最好形成得使各 自的宽度超过栅极电极3的厚度的两倍。在这种情况下，可以减少或防止 接触孔810内完全被栅极电极3的一部分填塞、第1层间绝缘膜41上层侧 表面上无法产生因接触孔810导致的凹部710，即，在第1层间绝缘膜41 的上层侧表面上，可以比较可靠地产生因接触孔810导致的凹部710。因 而，可以使存储电容70可靠地具有凹状部分70t，可靠地增大存储电容70 的电容值。但是，接触孔810的第1部分811及第2部分812的各自的宽 度，即使在栅极电极3的厚度的2倍以下，通过调整接触孔810内侧壁的 覆盖率(即，栅极电极3内，相对于沿着TFT阵列基板10的基板面形成的 部分的厚度，接触孔810内的侧壁上形成的部分的厚度(即，从侧壁面算起 的厚度)的比率不足100%，便可以使凹部710产生。
加之，由于凹部710是因接触孔810而产生，几乎不或者完全不招致
制造工序的复杂化或增加。
如上所述，若釆用按照本实施例的液晶装置，在电气上连接扫描线ll 和栅极电极3用的接触孔810，由于具有笫1部分811及第2部分812，可 以提高开口率，可以减少像素开关用的TFT30中光漏电流的发生的同时， 实现TFT30的栅极电极3和扫描线11之间良好电气连接。另外，可以在 维持高开口率的同时增大存储电容70的电容值。其结果是，减少闪烁和4象 素不匀，可以实现明亮的高质量的图像显示。 第2实施例
现参照图IO说明第2实施例。
图10是第2实施例中的与图7同一意图的平面图。另夕卜，在图10中， 凡与图1至图9所示的第1实施例相关的构成要素相同的结构要素，均附 以同一引用符号，故适当省略其说明。
在图10中，与第2实施例相关的液晶装置不同之处在于不用上述第 1实施例中的接触孔810，而形成接触孔820;栅极电极3除主体部分3a、 延伸部分31及32外，还有延伸部分33;扫描线11不用上述第1实施例中 的第l延伸部分llyl，而具有第l延伸部分lly3;下部电容电极71不用第 1部分71a,而具有第1部分71c;以及上部电容电极300a不用第1部分301 ， 而具有第l部分303，在其他点上，其构成和与上述第1实施例相关的液 晶装置结构大致相同。
在本实施例中，特别是，接触孔820，在TFT阵列基板10上平面上 看，具有沿着像素电极侧LDD区lc延长的第l部分821a、沿着数据线侧 LDD区lb延长的第1部分821b、与扫描线11主线部分llx的一部分重 叠的同时沿着X方向延长的第2部分822。即，接触孔820，通过第1部 分821a及821b和第2部分822，可以说具有T字状平面形状。另外，栅 极电极3具有与TFT30的沟道区la，重叠的主体部分3a、从该主体部分 3a起与接触孔820重叠延伸设置的延伸部分31， 32及33。延伸部分31， 沿着Y方向延伸^L置，覆盖接触孔820的第1部分821a,延伸部分32， 沿着X方向延伸^L置，覆盖接触孔820的第2部分822,延伸部分33，沿 着Y方向延伸设置，覆盖接触孔820的第1部分821b。因而，延伸部分 31的一部分，在接触孔820的第l部分821a内形成，与扫描线ll(更详细
地说，第2延伸部分lly2的一部分)接触，延伸部分32的一部分，在接触 孔820的第2部分822内形成，与扫描线ll(更详细地说，主线部分llx 的一部分)接触，延伸部分33的一部分，在接触孔820的第1部分821b内 形成，与扫描线ll(更详细地说，第1延伸部分11y3的一部分)接触。
由于这样构成，除接触孔820的第l部分821a外，通过第l部分821b， 可以比较可靠地遮挡入射半导体层la的光，使比较可靠地减少TFT30中 光漏电流的发生成为可能。
另外，接触孔820,由于除第l部分821a外，还有第l部分821b，可 以比较可靠地减少接触电阻，可以实现栅极电极3和扫描线11之间的更良 好的电气连接。
加之，在本实施例中，特别是，存储电容70形成得覆盖第l层间绝缘 膜41的上层侧表面上因接触孔820而产生的凹部(即，第1电极部分303 及71c，形成得覆盖因接触孔820的第l部分821b而产生的凹部，第2电 极部分302及71b形成得覆盖因接触孔820的第1部分821a而产生的凹 部)，具备具有沿着凹部表面的凹状剖面形状的凹状部分。因而，存储电容 70通过具有凹状部分，电容值增大。因而，可以提高像素电极9a中的电 位保持特性。另外，这样的凹部，由于是因接触孔820而产生的，凹部(及 凹状部分)具有大致和接触孔820的平面形状相同的平面形状(图中省略)。 换言之，凹状部分，在TFT阵列基板10平面上看，具有在数据线侧LDD 区lb及像素电极侧LDD区lc附近，各自沿着Y方向延长的部分和与扫 描线ll主线部分llx的一部分重叠并沿着X方向延长的部分。因而，可 以容易地在非开口区域内配置凹状部分，几乎不招致开口率的下降，可以 增大存储电容70的电容值。
另外，在本实施例中，把接触孔820构造得具有所谓T字状的平面形 状，但是例如，也可以延长得使第2部分822接近半导体层la。在这种情 况下，可以进一步增大形成接触孔820的面积，进一步减少接触电阻。另 外，由于可以使因接触孔820而产生的凹部变大，可以使凹状部分进一步 增大。因而，可以进一步增大存储电容70的电容值。
第3实施例
现参照图11至图14说明第3实施例。
首先，参照图11至图13说明按照本实施例的液晶装置的像素部的构造。
图ll是第3实施例中的与图4同一意图的平面图，图12是第3实施 例中与图5同一意图的平面图，图13是图11及图12重叠的情况下沿着 XIII-XIII线的剖面图。另外，在图11至图13中，凡与图1至图9所示的 第1实施例相关的结构要素相同的结构要素，均附以同一引用符号，故适 当省略其说明。此外，在图13中，为了把各层/各部件放大到在图上可以 识别的程度，该各层/各部件的比例尺是不同的。
在图11至图13中，与第3实施例相关的液晶装置，与上述第1实施 例相关的液晶装置不同之点在于不具有上述笫1实施例中的扫描线11、 TFT30、存储电容70及数据线6a，而具有扫描线13、 TFT35、存储电容 73及数据线6c;不用上述第1实施例中的接触孔810，而形成接触孔830， 除此之外，和与第1实施例相关的液晶装置结构大致相同。
另夕卜，尽管后面参照图ll还要说明，但在与第3实施例相关的液晶装 置中，构成TFT35的半导体层5a,沿着扫描线延伸的方向(即，X方向) 形成，构成上述第1实施例中的TFT30的半导体层la沿着数据线延伸的 方向(即，Y方向)形成，在这一点上是不同的。
如图11及图12所示，数据线6c及扫描线13各自沿着像素电极9a的 纵横边界设置。即，扫描线13沿着X方向延伸，数据线6c沿着Y方向延 伸，使之和扫描线13交叉。TFT35设置在扫描线13及数据线6c彼此交 叉的交叉区域上。
扫描线13、数据线6c、存储电容73、中继层93c及TFT35，在TFT
阵列基板10平面上看，配置在包围与像素电极9a对应的各像素的开口区 域的非开口区域内。
第1层的构造-扫描线等
在图13中，作为第1层设置扫描线13。扫描线13,由例如，鴒(W)、 钛(Ti)、氮化钛(TiN)等高熔点金属材料等遮光性导电材料组成。
如图ll所示，扫描线13沿着X方向形成带条状图形。若更详细观察， 扫描线13具有沿着X方向延伸的主线部分13a和从该主线部分13a在Y 方向上延伸设置的延伸部分13b。延伸部分13b，在TFT阵列基板10平面 上看，形成得至少与后述的接触孔830重叠。另外，相邻的1扫描线13 的延伸部分13b不相互连接，因而，该扫描线13的形状是一才M艮断开。 第2层的构造-TFT等 在图13中，作为第2层设置TFT35。
如图11及图13所示，TFT35构成得包含半导体层5a及栅极电极33。
半导体层5a由例如，多晶硅组成，由沿着X方向具有沟道长的沟道 区5a，、数据线侧LDD区5b、像素电极侧LDD区5c、数据线侧源漏区 5d及像素电极侧源漏区5e组成。即，TFT35具有LDD构造。
数据线侧源漏区5d及像素电极侧源漏区5e，以沟道区5a，为基准， 沿着X方向大致镜像对称形成。数据线侧LDD区5b，在沟道区5a，及源 漏区5d之间形成。像素电极侧LDD区5c在沟道区5a，及像素电极侧源 漏区5e之间形成。
扫描线13及半导体层5a间，通过底层绝缘膜12绝缘。在底层绝缘膜 12中形成接触孔830。现参照图14详细说明接触孔830的结构。
如图11及图13所示，栅极电极33隔着栅极绝缘膜2配置在半导体层 5a的上层侧。栅极电极33由例如，鴒(W)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)等高熔点 金属材料等遮光性导电材料组成。另外，栅极电极33，也可以由导电性多 晶硅形成。
如图11所示，栅极电极33具有，重叠在TFT35的沟道区5a，上的 主体部分33a、从该主体部分33a起沿着X方向延伸设置的延伸部分331、 从该主体部分33a起沿着Y方向延伸设置的延伸部分332。栅极电极33经 过贯穿栅极绝缘膜2及底层绝缘膜12开孔的接触孔830，在电气上与扫描 线13彼此连接。
第3层的构造-存储电容等
在图13中，作为第3层设置存储电容73。存储电容73隔着第1层间 绝缘膜41设置在TFT35的上层侧。
隔着电介质膜75，存储电容73的下部电容电极731和上部电容电极 330a相向地配置而形成。
如图12及图13所示，上部电容电极330a形成为电容线330的一部分。 电容线330沿着Y方向布线，上述第1实施例中的电容线300沿着X方向 布线，在这点上不同。电容线330，从配置了像素电极9a的图像显示区域 10a出发，向其周围延伸设置。上部电容电极330a，经过电容线330,在 电气上连接到恒压源，是维持固定电位的固定电位侧电容电极。上部电容 电极330a，由例如，包含A1(铝)、Ag(银)等金属或合金的非透明金属膜形 成，起给TFT35遮光的上侧遮光膜的作用。
下部电容电极731,是在电气上连接到TFT35的像素电极侧源漏区5e 及像素电极9a的像素电位侧电容电极。更具体地说，下部电容电极731， 经过接触孔89在电气上连接像素电极侧源漏区的同时，经过贯穿第2层间 绝缘膜42及电介质膜75而开孔的接触孔85c(参照图12)，在电气上连接 到后述的配置在与数据线6c同一层(即，第4层)的中继层93c。另外，中 继层93c(参照图12)，经过在第3层间绝缘膜43开孔的接触孔84c(参照图 12)在电气上连接像素电极9a。即，下部电容电极731和中继层93c—起， 中继像素电极侧源漏区5e及像素电极9a间的电气连接。下部电容电极731 由导电性的多晶硅形成。
另外，如图11及图12所示，在本实施例中，存储电容73形成得覆盖 接触孔830。因此，存储电容73具有沿着因接触孔830而在第l层间绝缘 膜41的上层侧表面上产生的凹部的表面形成的凹状部分。正如在上述第1 实施例中参照图7至图9详细说明的，存储电容70具有沿着因接触孔810 而在第1层间绝缘膜41的上层侧表面产生的凹部710的表面而形成的凹状 部分70t，在这一点上，大致是同样的。
第4层的构造-数据线等
在图13中，作为第4层设置数据线6c。此外，在第4层中，中继层
93c(参照图12)和数据线6c由同一膜形成。
如图12及图13所示，数据线6c，具有沿着Y方向延伸的主线部分 6cy，和从该主线部分出发沿着X方向延伸设置的延伸部分6cx。数据线 6c,在该延伸设置的部分6cx上，经过贯穿第l层间绝缘膜41、电介质膜 75及笫2层间绝缘膜42的接触孔87在电气上连接到半导体层5a的数据 线侧源漏区5d。
在图12中，中继层93c,在层间绝缘膜42上，在与数据线6a(参照图 13)的同一层上形成。
第5层的构造-像素电极等
在图13中，作为第5层设置像素电极9a。像素电极9a隔着第3层间 绝缘膜在数据线6c的上层侧形成。
如图12及图13所示，像素电极9a，经过下部电容电极731、接触孔 89， 84c及85c以及中继层93c，在电气上连接到半导体层5a的〗象素电极 侧源漏区5e。
以上说明的像素部的构造，如图ll及图12所示，各像素部都是一样 的。在图像显示区域10a(参照图1)，周期地形成这样的像素部。
接着，参照图14详细说明存储电容的形状的同时，详细说明按照本实 施例的液晶装置的扫描线、栅极电极、在电气上连接在扫描线及栅极电极 之间的接触孔的平面形状。
图14是第3实施例中的与图7同一意图的平面图。
在图14中，扫描线13,如上参照图ll所述，具有沿着X方向的主线 部分13a、从主线部分13a沿着Y方向延伸设置的延伸部分13b。延伸部 分13b，由形成得重叠在数据线6c的主线部分6cy上的部分13bl和以数 据线6c作为基准在4象素电极侧LDD区5c侧形成的部分13b2组成。通过 在该像素电极侧LDD区5c侧形成的部分13b2，可以提高对相对容易产生 光漏电流的^象素电极侧LDD区5c的遮光性，可以有效地降低流过TFT35 的光漏电; 充。
栅极电极33和扫描线13经过贯穿栅极绝缘膜2及底层绝缘膜12而开
孔的接触孔830在电气上连接。
如图14所示，在本实施例中，特别是，接触孔830具有，在TFT阵 列基板10的平面上看，在半导体层5a侧方沿着X方向延长的第l部分831、 与数据线6c的主线部分6cy的一部分重叠并沿着Y方向延长的第2部分 832。即，接触孔830连接第1部分831和第2部分832，可以说具有L字 状弯曲的平面形状。另外，如上参照图ll所述，栅极电极33具有，重叠 在TFT35的沟道区5a，上的主体部分33a和从该主体部分33a出发并与 接触孔830重叠延伸设置的延伸部分331及332。延伸部分331，沿着X 方向延伸设置，覆盖接触孔830的笫1部分831，延伸部分332，沿着Y 方向延伸设置，覆盖接触孔830的第2部分832。因而，延伸部分331的 一部分，在接触孔830的第l部分831内形成，和扫描线13(更详细地说， 延伸部分13b2的一部分)接触。同样地，延伸部分332的一部分，在接触 孔830的第2部分832内形成，和扫描线13(更详细地说，延伸部分13bl 的一部分)接触。
由于这样的构成，和上述第1实施例大致同样地，在维持高开口率的 同时，可以减少栅极电极33和扫描线13之间的接触电阻。
即，在本实施例中，特别是，如上所述，接触孔830由于具有第l部 分831及第2部分832，与假定接触孔830具有例如作为圆形、正方形等 一般的接触孔的典型平面形状的情况或者假定接触孔只由第1部分831及 第2部分832中任何一个组成的情况相比，都可以扩大在有限的非开口区 域形成该接触孔830的区域面积。因而，在减少栅极电极33和扫描线13 之间的电阻的同时，可以提高开口率。
另夕卜，在本实施例中，特别是，如上所述，接触孔830的第l部分831, 在半导体层5a的侧方沿着X方向延长。更具体地说，第1部分831,在形 成得沿着X方向延伸的半导体层5a的侧面侧，隔开规定距离L2，沿着X 方向形成为长条形。
因而，在笫l部分831内形成的栅极电极33(更确切地说，延伸部分 331)的一部分，在三维上看，沿着半导体层5a形成为壁状遮光体。因而，
可以通过第1部分831(更确切地说，在第l部分831内形成的栅极电极33 的一部分)遮挡倾斜入射半导体层5a的光。即，通过形成为配置在半导体 层5a附近的壁状遮光体的第1部分831，可以强化遮挡倾斜入射半导体层 的光的遮光性。结果，可以减少图像显示中的闪烁和像素不匀。
如图14所示，构成存储电容73的上部电容电极330a，具有覆盖数据 线侧LDD区lb的第1电极部分330al，和覆盖像素电极侧LDD区5c的 第2电极部分330a2。另外，构成存储电容73的下部电容电极731,具有 覆盖数据线侧LDD区5b的第1电极部分731a，和覆盖像素电极侧LDD 区5c的第2电极部分731b。
因而，可以通过第1电极部分330al及731a遮挡从上层侧入射数据 线侧LDD区5b的光。另外，可以通过第2电极部分330a2及731b遮挡 从上层侧入射像素电极侧LDD区5c的光。因而，可以减少数据线侧LDD 区5b及像素电极侧LDD区5c中的光漏电流的发生。
在本实施例中，特别是，存储电容73，形成得覆盖第l层间绝缘膜41 上层侧表面上因接触孔830而产生的凹部，具备具有沿着凹部表面的凹状 剖面形状的凹状部分。
即，在配置在第1层间绝缘膜41的下层侧的底层绝缘膜12及栅极绝 缘膜2中，由于形成接触孔830,在第1层间绝缘膜41的上层侧表面，大 致沿着因接触孔830而在例如接触孔830的内壁产生的凹部。存储电容73, 通过形成得覆盖该凹部，其一部分在凹部内形成，具备具有沿着凹部表面 的凹状剖面形状的凹状部分。正如在上述第1实施例中参照图7至图9详 细说明的，存储电容70，具有沿着因接触孔810在笫1层间绝缘膜41的 上层侧表面产生的凹部710的表面而形成的凹状部分70t，在这一点上是大 致相同的。
因而，存储电容73通过具有凹状部分，电容值增大。因而，可以提高 像素电极9a中的电位保持特性。换言之，与存储电容73不具有凹状部分 的情况(即，存储电容73只在平面上形成的情况)相比，可以把具有实现制 品所要求的显示性能的电容值的存储电容73，做入TFT阵列14110上狭
窄的区域。从而，便可以减少图像显示中的闪烁和像素不匀，另外，可以 实现装置的小型化。
另外，由于凹部是因接触孔830而产生的，该凹部(及凹状部分)，具 有和接触孔830的平面形状大致相同的平面形状(图中省略)。换言之，凹 状部分，在TFT阵列基板10的平面上看，具有在半导体层5a的侧方沿着 X方向延长的部分、和数据线6c的主线部分6cy的一部分重叠并沿着Y方 向延长的部分。因而，可以容易地把凹状部分配置在非开口区域内，几乎 不招致开口率的下降，可以增大存储电容73的电容值。
如上所述，若采用按照本实施例的液晶装置，在原样维持高开口率， 增大存储电容73的电容值的同时，可以减少TFT35中光漏电流的发生。 结果是，可以实现高质量的图像显示。
电子设备
接着，参照图15说明把作为上述电光装置的液晶装置应用于各种电子 设备的情况。
图15是表示投影仪的构造示例的平面图。下面，就把该液晶装置作为 光阀采用的投影仪作一说明。
如图15所示，在投影仪1100内部，设置由卣素灯等白光源组成的灯 单元1102。从灯单元1102射出的投射光，通过配置在光导1104内的4枚 反射镜1106及2枚分色镜1108，分离为RGB3原色，入射作为与各原色 对应的光阀的液晶面板1110R、 1110B、 1110G。
液晶面板1110R、 1110B及1110G的构造，和上述液晶装置相同，从 图像信号处理电路提供的R、 G、 B的原色信号被分别驱动。然后，通过 这些液晶面板调制的光从3方向入射分色棱镜1112。在该二色性棱镜1112 中，R及B的光弯曲卯度，另一方面，G光直进。因而，各色图像合成 的结果，经过投射透镜1114，把彩色图像投影在屏幕等上。
其中，若着眼于各个液晶面板1110R、 1110B及1110G形成的显示像， 则液晶面板1110G形成的显示〗象，必须相对于1110R、 1110B形成的显示 像左右反转。
另外，在液晶面板1110R， 1110B及1110G中，由于对应于R， G， B 各原色的光通过分色镜1108入射，因此不必设置彩色滤波器。
另夕卜，除参照图15说明的电子设备以外，还可以举出移动式个人计算 机、便携式电话、液晶电视、取景器型，监视器直接观看型磁带录像机、 汽车导航系统装置、传呼机、电子杂记本、台式计算机、字处理器、工作 站、电视电话、POS终端、具有触摸屏的装置等。然后，它们当然可以应 用于各种电子设备。
此外本发明，除了在上述实施例中说明的液晶装置以外，在珪基板上 形成元件的反射型液晶装置(LCOS)、等离子体显示器(PDP)、电场释^L型 显示器(FED， SED)、有机EL显示器、数字孩史反射镜器件(DMD)、电泳装 置等也可以适用。
本发明，在不脱离其精神和基本特征的情况下，也可以以其他确定的 形态实现。因而，本实施例，在所有点上都应看作是例证，而不限于此， 本发明的范围，与其说是上述说明，不如说由后附权利要求的范围表示。 落在与权利要求的范围等效的意义及范围的改变，全都包含在本发明内。
2006年12月15日提出申请的日本专利申请号2006-338048及2006 年12月15日提出申请的日本专利申请号2006-338049，包括说明书、权利 要求的范围、附图及摘要全部公开内容作为整体结合入本说明书，作为参 考。
权利要求
1.一种电光装置，其特征在于，在基板上具备相互交叉的数据线及扫描线；像素电极，其与该数据线及扫描线的交叉相对应地设置；和晶体管，其设置在把像素的开口区域相互隔开的非开口区域中与上述交叉对应的交叉区域内，包含(i)半导体层，其隔着第1绝缘膜，配置在与上述扫描线彼此不同的层上，形成具有沿着上述数据线延伸的第1方向的沟道长的沟道区，和(ii)栅极电极，其相对于该半导体层，配置在与上述扫描线相反一侧的层上，与上述沟道区重叠；其中，在上述第1绝缘膜上，形成用于电气连接上述栅极电极和上述扫描线的接触孔，其在上述基板平面上看，具有第1部分，在上述半导体层侧方沿着上述第1方向延长；和第2部分，与上述扫描线的一部分重叠，并沿着上述扫描线延伸的第2方向延长。
2. 权利要求1记载的电光装置，其特征在于，上述栅极电极具有重叠在上述沟道区上的主体部分;和从主体部分 起，在上述J41平面上看，以与上述接触孔重叠的方式延伸设置的栅极电 极延伸部分，上述扫描线具有沿着上述第2方向延伸的主线部分;和从该主线部分起，在上述基板平面上看，以与上述第l部分重叠的方式延伸设置的扫描 线延伸部分。
3. 权利要求1记载的电光装置，其特征在于，上述半导体层具有电气连接到上述数据线的数据线侧源漏区、电气 连接到上述像素电极的像素电极侧源漏区、在上述沟道区及上述数据线侧 源漏区之间形成的第1结区、和在上述沟道区及上述像素电极侧源漏区之 间形成的第2结区；上述笫1部分，沿着上述第l及第2结区的至少一方形成。
4. 权利要求3记载的电光装置，其特征在于，上述接触孔，在上述基板平面上看，在上述半导体层的两侧形成，上述第l部分设置在上述第l及第2结区的至少一方的两侧。
5. 权利要求3记载的电光装置，其特征在于， 上述第1部分，在上述基板平面上看，沿着上述第2结区设置。
6. 权利要求3记载的电光装置，其特征在于， 上述第l及第2结区是LDD区。
7. 权利要求1记载的电光装置，其特征在于， 上述扫描线配置在上述半导体层的下层侧。
8. 权利要求1记载的电光装置，其特征在于，上述栅极电极及上述扫描线包含遮光性导电材料。
9. 权利要求1记载的电光装置，其特征在于， 上述第1部分的宽度比上述第2部分的宽度窄。
10. 权利要求1记载的电光装置，其特征在于，还具有隔着第2绝缘膜、配置在上述晶体管的上层侧，并且在上述非 开口区域内形成的存储电容，该存储电容以覆盖因上述接触孔而在上述第2绝缘膜上层侧表面产生 的凹部的方式形成，具备具有沿着凹部表面的凹状剖面形状的凹状部分。
11. 权利要求10记载的电光装置，其特征在于，上述半导体层具有电气连接上述数据线的数据线侧源漏区、电气连 接上述像素电极的像素电极侧源漏区、上述沟道区及上述数据线侧源漏区 之间形成的第1结区、和在上述沟道区及上述像素电极侧源漏区之间形成 的第2结区；上述存储电容，在上述基板平面上看，至少与上述第2结区重叠。
12. 权利要求10记载的电光装置，其特征在于， 上述存储电容包含遮光性导电材料。
13. 权利要求11记载的电光装置，其特征在于，上述存储电容具有沿着上述第1方向延伸并覆盖上述第1结区的第 1电容部分；和覆盖上述第2结区且上述第2方向的宽度比上述第1电容部分更宽的第2电容部分。
14. 一种电光装置，其特征在于，在基板上具备 相互交叉的数据线及扫描线；像素电极，其与该数据线及扫描线的交叉相对应地设置;和 晶体管，其设置在把像素的开口区域相互隔开的非开口区域中与上述 交叉对应的交叉区域内，包含:(i)半导体层，其隔着第l绝缘膜，配置在与 上述扫描线彼此不同的层上，形成具有沿着上述数据线延伸的方向的沟道 长的沟道区，和(ii)栅极电极，其相对于该半导体层，配置在与上述扫描线 相反一侧的层上，与上述沟道区重叠；其中，在上述第l绝缘膜上，形成用于电气连接上述栅极电极和上述 扫描线的接触孔，其在上述基板平面上看，具有第1部分，在上述半导 体层侧方沿着上述扫描线延伸的方向延长；和第2部分，与上述数据线的 一部分重叠并沿着上述数据线延伸的方向延长。
15. 权利要求14记载的电光装置，其特征在于， 还具有隔着第2绝缘膜、配置在上述晶体管的上层侧，并且在上述非开口区域内形成的存储电容，该存储电容以覆盖因上述接触孔而在上述第2绝缘膜上层侧表面产生 的凹部的方式形成，具备具有沿着凹部表面的凹状剖面形状的凹状部分。
16. —种电子i殳备，其特征在于， 具有权利要求1记载的电光装置。
全文摘要
本发明涉及电光装置及电子设备。本发明的电光装置，在基板(10)上具有数据线(6a)及扫描线(11)；与数据线及扫描线的交叉点对应设置的像素电极(9a)；和晶体管(30)，设置在把像素的开口区域隔开的非开口区域内与上述交叉点对应的交叉区域，包含(i)半导体层(1a)，经过扫描线和绝缘膜(12)配置不同的层上，沿着数据线延伸的Y方向延伸，(ii)栅极电极(3)，对于半导体层配置在与扫描线相反一侧的层上。另外，在绝缘膜中，形成在电气上连接栅极电极和扫描线用的接触孔(810)，具有在半导体层侧方沿着Y方向延长的第1部分(811)、和与扫描线的一部分重叠的同时沿着扫描线延伸的X方向延长的第2部分(812)。
文档编号G02F1/1362GK101206363SQ20071019886
公开日2008年6月25日 申请日期2007年12月14日 优先权日2006年12月15日
发明者中川雅嗣 申请人:精工爱普生株式会社