低成本光通讯组件及使用该组件的光次模组的制作方法

专利名称：低成本光通讯组件及使用该组件的光次模组的制作方法
技术领域：
本发明关于一种光通讯组件，特别是一种用以收发光电信号的光电组件，以及该光电组件与筒形件所组成的光次模组。
背景技术：
光通讯乃是利用光、电的转换而达到传递讯号的效果。在讯号的发
射端与接收端皆配设有光次模组(Optical Sub-assembly, OSA)。该光次模组由 一 个筒形件(Barrel)/接座(Receptacle)与光电组件耦光对准后，由胶材粘剂或焊接融合使彼此互相结合。对光通讯而言，OSA为光传接模组(Transeiver Module)中的关键零组件，且OSA所提供的光强度及耦光效率决定讯号在光纤的传输品质与距离，所以一般可由在OSA中配设或形成透镜，或是取用发光强度较大、光散角度较小的光电组件来达到提升OSA的光强度及耦光效率。
参见图1，图中所示的光次模组10为顶端开口金属壳(Top Open can,TO-can)架构的光电组件11与筒形件12的组合。该光电组件11包含金属制成的底座(Header)lll上组设一个具有球形透镜113的金属上盖112。载体(Submount) 114固定在该底座111上。光电晶粒115固定在该载体114上以致于更接近该球形透镜113。两根导线116和117分别与该载体114及该光电晶粒115连接。此外载体114表面镀有金属，所以光电晶粒115底面电极的讯号可以由载体114的表面接出。
参见图2，图中所示的光次模组20与图1所示先前技术的差异在于筒形件22具有透镜221; TO-can架构的光电组件21具有可透光的玻璃片211。光电晶粒212组设在载体213上以致于接近该透镜221。
图1与图2所示该光电晶粒115和212因组设在该载体114和213上，故可以接近透镜113和221使得耦光效率能够增加，但是使用该载体114和213会使整个光电组件的成本增加。
另外若将TO-can架构的金属上盖112制成较小高度，则该光电晶粒115和212便可以更接近透镜113和221，然而固定型号的TO-can架构具有特定的尺寸，若要更改上盖的高度则TO-can的价格将会大幅提高，不符合大量制造成本的考虑。
对光通讯的接收端而言，光信号会先到达光侦测器(Photodetector,PD)以转换成光电流。接下來再由转阻放大器(Transimpedance Amplifier,TIA) /前置放大器(Preamplifier, Preamp)将光电流转换为电压信号。
参见图3， 一种已知的PIN-TIA架构，于底座30上配置有载体31，且光侦测器32组设在该载体31上用以接收光线；还有一个转阻放大器34及至少一个旁支电容(Bypass Capacitor) 33组设在该底座30用以过滤杂讯及增加灵敏度。值得注意的是，该光侦测器32上方具电极供导线35打线，而另一电极位在光侦测器32下方且由银胶粘在载体31表面，因此载体31表面可以形成另一电极并供另一导线36打线，且该载体31上所形成的电极可以与旁支电容33导线电性连接。
是以载体31的作用除了承载该光侦测器32使其接近透镜外，还具有连接该光侦测器32的电极并形成打线区之功效。然而载体31占整个光电组件成本的一部份，所以对成本而言未必具有好的效益。但是直接将光侦测器32粘固在金属底座(Header) 30上，会使得光侦测器的电极与金属底座接地直接相连，造成电路上连线的问题，使得PIN-TIA无法正常工作。
参见图4，光电晶粒40的架构主要具有P型金属41、半导体层42、基板43及N型金属44，其中该半导体层42具有主动区用以发射出或接收光线。传统上，该光电晶粒40固定在载体45的方法是以银胶46粘结N型金属44与载体45，形成所谓P侧向上(P-side Up)的封装型态。此时即使银胶46溢出也仅能与基板43接触，因此不会导致该半导体层42与载体45表面的金属层452形成短路。
归纳前述的说明内容，虽然在光电组件中配设载体会使成本增加，但是在提高光电组件耦光效率、延伸光电晶粒或光侦测器的电极且形成打线区，以及避免光电晶粒或光侦测器直接粘固在底座而造成电性连接困难等考虑下，该载体成为必要之恶。

发明内容
本发明的主要目的在于提供一种通讯用的光电组件，其具有制作成本低、散热效果佳的功效，且该光学组件的制程与既有制程、设备及技术完全兼容。
本发明另一目的在于提供一种光次模组，其具有能够使透镜与光学
8组件的光电晶粒接近以提高耦光效率，且容易达到被动或耦合对准的效果。
本发明的目的是通过下述技术方案予以实现的一种光通讯的光电组件，其特征在于包括基座；
光电晶粒，所述光电晶粒配设在所述基座上；
粘着层，所述粘着层位于该基座与该光电晶粒之间，用以粘结该光电晶粒及该基座。
一种光次模组，其特征在于包括筒形件，具有腔室及光纤插头通道-,
光电组件，具有基座；光电晶粒配设在该基座上；粘着层位于该基座与该光电晶粒之间，用以粘结该光电晶粒及该基座；
至少一个透镜，配置在该光电组件与该光纤插头通道之间；
所述光电组件组设在该筒形件一端，该光电晶粒位在该腔室内相对所述透镜。
本发明的有益效果是
1、 由于本发明的光电组件，由粘着层粘固于基座上，形成不具有任何形式载体的组件。由此降低该光电组件的制作成本。
2、 以该光电组件与筒形件组合成光次模组，且该光次模组内部具有透镜，由于该透镜与该光电晶粒间没有阻隔性组件，所以该透镜可以接近该光电晶粒而达到高耦光效率。


图1是习知光次模组结构示意图。图2是习知光次模组结构示意图。
图3是习知光电组件配置转阻放大器及旁支电容的结构示意图。
图4是习知光电晶粒的组配示意图。
图5是光电组件结构示意图。
图6是光电组件P侧向下组配示意图。
图7A是光电组件P侧向上组配示意图。
图7B是光电组件P侧向上且配置转阻放器的组配示意图。
图7C是光电组件配置旁支电容的组配示意图。
9图8A是光电组件配置芯片形转阻放器与后级放大器的组配示意图。
图8B是电组件配置芯片形驱动IC的组配示意图。
图8C是在基座上配设二光电晶粒及芯片形驱动IC的组配示意图。
图9是TO-can架构的基座示意图。
图IO是导线架结构的基座示意图。
图11是导线架结构的基座示意图。
图12是光次模组所使用的筒形件结构示意图。
图13是光次模组结构示意图。
图14A是光次模组配置胶体结构示意图。
图14B是光次模组配置胶体结构示意图。
图14C是光次模组配置折射率匹配油结构示意图。
图14D是光次模组配置折射率匹配油结构示意图。
图14E是光次模组配置胶体结构示意图。
图14F是光次模组配置胶体于光电晶粒及IC组件顶面的结构示意图。
图14G是光次模组配置胶体于光电晶粒及IC组件顶面的结构示意图。
图14H是光次模组配置胶体于光电晶粒及匹配组件结构示意图。图15是导线架结构的光电组件与筒形件所组成的光次模组结构示意图。
具体实施例方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步描述。
本发明提供一种没有任何形式载体的光电组件。该光电组件具有光电晶粒，其可以是发光二极管(Light-emitting Diode， LED)、激光二极管(Laser Diode， LD)或光侦测器(Photodiode, PD)。该光电晶粒应用于玻璃光纤的光纤通讯用以发射或接收800nm至1800nm的红外线光讯号。或应用于塑胶光纤的光纤通讯用以发射或接收200nm至800nm的可见光光讯号。该光电晶粒直接粘固于TO-can的金属底座，或是导线架的金属支架，或是导线架的塑胶底盘，皆不会发生短路，且能够有效地提供打线区域。此外与接座组合成光次模组时可以达到高耦光效率。如图5所示，本发明提供一种光电组件50，其包含金属材质的基座(Base)52 及光电晶粒(Optoelectronic Die)54 ， 且粘着层(Adhesion Layer) 56配置在该基座52与该光电晶粒54之间，使得该光电晶粒54固定在该基座52表面。本发明所揭露的光电组件50不具有任何形式的载体。
如图6所示，该光电晶粒54以二极管为例，其具有P型金属(P-type Metal) 61、半导体层62、基板63及N型金属(N-typeMetal)64，其中该半导体层62具有主动区，该基板63为N型基板。该光电晶粒54与基座52的结合以位在远离该基板63方向的该P型金属61朝向该基座52，且该粘着层56的材料为具有导电性粘剂，例如Metal-filled Adhesive,焊料或焊料膏(如焊锡、锡膏)，或电镀锡与助熔剂的混合。
上述的粘着材料仅仅与金属材料形成结合，所以该粘着层56可以牢固地结合P型金属61与金属材质的该基座52。而且该粘着层56即使发生溢出情形也不会粘结该半导体层62，所以不会造成光电晶粒54短路。此外，该P型金属61由粘着层56与电极接脚65导通，而N型金属64由导线67与另一电极接脚66导通。
是以本发明所提供的光电组件50不但可以不需配置载体，且通过选择适当粘着层56的材料，可以提高封装良率。此外P侧向下(P-side Down)的封装架构可由P型金属61将光电组件50所产生的热量经该粘着层56传导到基座52，故可以提高光电组件50的散热效率。
台湾专利第M267631号中所提供的光电晶粒的二电极可以形在基板一侧，其中该基板可以是半绝缘或陶瓷基板。根据该专利架构所供提示，如图7A所示，光电晶粒70具有半绝缘或陶瓷基板72，该半绝缘或陶瓷基板72为高阻值基板(电阻率107ohm-cm以上)， 一般为砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)的半绝缘基板，或一般为氮化铝(A1N)或氧化铝"120:,)的陶瓷基板。该半绝缘或陶瓷基板72上具有P型金属61、 N型金属64及半导体层62。值得注意的是，第一电极73与第二电极和74形成在半绝缘或陶瓷基板72上且位于同一方向。
当光侦测器70进行P侧向上(P-side Up)的封装型式，以半绝缘基板72对应基座52，且该粘着层56的材料为导电粘剂或绝缘粘剂，所以该光侦测器70虽然直接以粘着层56粘固在该基座52表面，但半绝缘或陶瓷基板72不与金属基座52导通，所以不会造成短路。
如图7B所示，由于光侦测器70的两个电极73和74的打线区域皆露出在组件表面，所以用户可以将导线75和76分别连结电极73和74以及转阻放大器77。该转阻放大器77用以将光电流转换为电压信号，并且放大输出振幅。
如图7C所示，本实施例中，可配接一个旁支电容71用以滤除高频杂讯。且此设计可大幅降低打线垫(Bonding pad)的电容，因此可以有多个打线垫，或是使该打线垫的面积放大，允许多个打线点。图中的打线垫乃用与TIA脚位中的PIN+和PIN-相连接。
如图8A所示，转阻放大器77与后级放大器(Postamplifier，Postamp/Limiting Amplifier)78可组合成芯片形式且与该光电晶粒54电性连接。其中该后级放大器78的作用在于将转阻放大器77所输出的差动电压讯号放大至一稳定振幅的输出讯号。由于转阻放大器77与后级放大器78整合成芯片或IC型组件，所以可以方便与光电晶粒54形成电性连接，而且本发明没有载体，所以该基座52具有足够的空间可以供芯片或IC型组件安装。
以发光二极管与激光二极管而言，其传统上需安装在具有驱动及控制电路的电路板上，如此才能使控制其发光的形式。如图8B所示，本发明可以包含芯片形式的驱动积体电路(驱动IC)79，该驱动积体电路79包含用以驱动该发光二极管(或激光二极管)701的驱动及控制电路，且与该发光二极管(或电射二极管)701电性连接。如此一来不但可以减少电路板的体积，且因为本发明不具有载体，所以该基座52能够提供足够的空间供驱动IC 79安装。
如图8C所示，该基座52上配设有两个光电晶粒，例如发光二极管(或激光二极管)701和光侦测器70且相邻摆在一起，而该转阻放大器77、该后级放大器78及该驱动IC 79做成一颗IC形态且与放置于同一基座52的两个光电晶粒分别电性相接。
由图7A及图7B可知，本发明之一实施例在P-side Up的封装型式下，仍然可以直接将光侦测器70以粘着层56直接粘固于基座52的表面，而且该光侦测器70固定后，该电极73和74皆露出可用以作打线的区域，因此本发明不需要载体也可以发挥光电组件的特性。由以上说明，可知本发明所揭示的光电组件没有设置载体，可以 明显降低制造成本，而且通过选择适当粘着层材料及使用适当架构的
光电晶粒，不但可以达到发射及接收光线，更可以满足P-side Down与 P-side Up等不同的封装型式。
并且，光电晶粒除了连接转阻放大器、后级放大器或驱动IC夕卜， 还可以连接被动组件，例如电容、电阻、电感等组件，或是主动组件， 例如曾纳二极管(Zener Diode)。该被动组件或主动组件可提供抗突 波、变压、整流、稳压、感测、回授电路或阻抗匹配之一或综合的功 能。
另外，不使用载体且将光电晶粒直接粘固在底座上，可以减少光 电晶粒及其他组件配置所需的空间要求，所以封装体的尺寸可以有效 地缩小，例如可以由TO-56的规格縮小成TO-38的规格，同时可以减 少打线距离以提升高频特性。
如图9所示，本发明所称的基座52可以是T0-can架构的底座 (header) 522 。而该TO-can架构包含该底座522上不具有上盖， 如图(A)所示；该底座522上配设有上盖(Cap) 523，如图(B)所示， 且该上盖523的顶面设有开放口 524相对该光电晶粒54或光侦测器 70。另外，图(C)在上盖523上配设有球形透镜；图(D)在上盖523上 配设有平板玻璃；图(E)在上盖523上配设有环氧化物透镜(Epoxy Lens)。
如图10所示，本发明所称的基座52可以是导线架的数个支架中 的一个支架525。该导线架的架构包含图(A)揭露所在数个支架所构 成的导线架结构(依图示方向显示支架525和526)中不具有任何射出 封装体；图(B)揭露该导线架具有一个射出封装体527，且该封装体 527具有开放口 528相对该光电晶粒54;图(C)揭露该导线架具有封 闭的封装体527;图(D)揭露该导线架具有封闭的封装体527，且透镜 529形成在该封装体527上相对该光电晶粒54。
如图11所示，本发明所称的基座52可以是底盘(包含塑胶底盘 或金属底盘)531。以塑胶制作的底盘为例，该底盘531可以是射出成 型的方式形成在支架525和526上。特别是，该光电晶粒54被粘固 在该底盘531上与支架525导通，且该底盘531不具有上盖，如图(A) 所示；又该底盘531上具有上盖532，该底盘531与该上盖532同以射出成型方式形成在支架525和526上，如图(B)所示，此时该光电 晶粒54可以是边射型组件或面射型组件。
光次模组是由光电组件与筒形件/接座组合而成。本发明的光电 组件虽然不具有载体，但其仍然能够使光次模组具有高的耦光效率。
如图12所示， 一般的筒形件80包含图(A)至图(D)所示的结构， 其中除了图(A)没有透镜结构外，其余的筒形件80具有一个或二个透 镜81和82。更进一步而言，该筒形件80具有腔室83及光纤插头通 道84 —端分别为封闭面，该透镜81和82则分别形成在该封闭面。
由上述任一筒形件80与图9至图11中任一个光电组件结合皆形 成光次模组。
如图13所示，以TO-can架构的光电组件50配合具有两个镜81 和82的筒形件80组成光次模组为例，由于该光电晶粒54与透镜81 之间没有阻隔性组件，所以该透镜81可以延伸进入该上盖523内部 接近该光电晶粒54，且使得该光电晶粒54的主动区542对准透镜81。 如此一来，本发明的光电组件50虽然没有配置载体，但因为光电晶 粒54与透镜81的间距短，所以仍然可以达到高耦光效率。另外，以 粘胶材料85涂覆在该光电组件50的该基座52与该筒形件80之间， 如此可以使得该腔室83形成密封状，以避免高温、高湿环境的侵袭。
在该腔室82内可以填充折射率匹配油(Index Matching Oil)以 保护光电晶粒54或是使行进于光电晶粒54及透镜81之间的光线的 发散角变小，以提高耦光效率。
该折射率匹配油可以是硅胶(Silicone)、紫外线胶(UV Glue)、 或可见光胶(Visible Glue)。此外，也可以填充气体，例如空气或氮 气或惰性气体。除了折射率匹配油之外，或仅填入胶体用以保护组件 或打线的线材或与筒形件之间的封口 。
如图14A所示，在光次模组内填充胶体87的形式之一，乃以该 胶体87的填充高度介于该光电组件50的光电晶粒54的顶面与该基 座52顶面之间。如此一来可以具有固定该光电晶粒54，以及保护粘 着层56的效果。
如图14B所示，另一填充胶体87的方式是完全包覆该光电组件 50的光电晶粒54，如此可进一步提供保护光电晶粒54及打线的线材 的效果。如图14C所示，其提供了一种以T0-can架构的光电组件的上盖 523内填注填充折射率匹配油86的形式。该折射率匹配油86完全充 满该筒形件80的腔室83。如此可以达到固定及保护该光电晶粒54 以及保护粘着层56的效果。
如图14D所示，其提供了一种导线架结构的光电组件与筒形件80 结合，其中该筒形件80的腔室83内部注满填充折射率匹配油86,且 该光电组件以由上而下的方式组设于该腔室83。
如图14E所示，其揭露将胶体87填充在该筒形件80的腔室83 内且未接触到光电晶粒54。当该TO-can架构的光电组件插入该腔室 83内，则该胶体87粘结该上盖523用以密闭该光电组件与筒形件的 封口 ，如此该腔室83的剩余空间可以形成密封状。
如图14F及图14G所示，胶体87可以涂覆在该光电晶粒54的顶 面及IC组件88(如前述的转阻放大器、后级放大器、驱动IC，或各 组件的组合)的顶面，如此可以保护打线区域。
如图14H所示，另一种实施例，胶体87的填充高度越过IC组件 90，例如转阻放大器、后级放大器、驱动IC、主动组件、被动组件等 等，且该胶体87的高度不超过该光电晶粒54的顶面。
前述的光次模组虽然是以TO-can架构的光电组件与筒形件的组 合为例，然而该TO-can架构的光电组件可以由导线架结构的光电组 件取代。
如图15所示，图中揭露一种导线架结构的光电组件50与筒形件 80所组成的光次模组，其中该光电组件50虽然具有封装体527,但 该封装体527的顶面可制作成接近光电晶粒54，所以该透镜81仍然 可接近该光电晶粒54，所以本实施例具有高耦光效率。此外该腔室 83内可填注折射率匹配油86或气体或使其真空。
经由以上说明可知，本发明的光电组件与筒形件所组成的光次模 组，因为透镜可以延伸接近光电晶粒，所以不需要载体也能达到高耦 光效率，而且因为整个组件中没有载体，所以制作成本低且可以少掉 设置载体的制程。
以上所述为本发明的较佳实施例以及设计图式，惟较佳实施例以 及设计图式仅是举例说明，并非用于限制本发明技艺的权利范围，凡 以均等的技艺手段，均不脱离本发明的范畴而为申请人的权利范围。
1权利要求
1. 一种光通讯的光电组件，其特征在于包括基座；光电晶粒，所述光电晶粒配设在所述基座上；粘着层，所述粘着层位于该基座与该光电晶粒之间，用以粘结该光电晶粒及该基座。
2. 如权利要求1所述的光通讯的光电组件，其特征在于所述光 电晶粒应用于玻璃光纤的光纤通讯用以发射或接收800nm至1800nm 的光讯号。
3. 如权利要求1所述的光通讯的光电组件，其特征在于所述 光电晶粒应用于塑胶光纤的光纤通讯用以发射或接收200mn至800 mn 的光讯号。
4. 如权利要求1所述的光通讯的光电组件，其特征在于所述 光电组件为TO-can架构，所述基座为TO-can架构的金属底座。
5. 如权利要求4所述的光通讯的光电组件，其特征在于所述 TO-can架构的光电组件具有上盖；所述上盖配设在该底座上且端面形 成开放口 。
6. 如权利要求1所述的光通讯的光电组件，其特征在于所述光 电组件为导线架结构；所述基座为该导线架结构的底盘；该底盘成形 在该导线架结构的支架上，该底盘为塑胶材质或金属材质。
7. 如权利要求6所述的光通讯的光电组件，其特征在于所述光电晶粒配设在该底盘上。
8. 如权利要求6所述的光通讯的光电组件，其特征在于还包括 一个形成在该底盘上的上盖；该上盖一端具有开放口。
9. 如权利要求1所述的光通讯的光电组件，其特征在于所述 光电组件为导线架结构；该基座为该导线架的支架，该光电晶粒配设 在该支架上。
10. 如权利要求9所述的光通讯的光电组件，其特征在于还包 括一个用以包覆该支架的封装体。
11. 如权利要求9所述的光通讯的光电组件，其特征在于还包括一个用以包覆该支架及该光电晶粒的封装体；该封装体表面形成有 透镜相对该光电晶粒。
12. 如权利要求1所述的光通讯的光电组件，其特征在于所述 光电晶粒具有P型金属、半导体层、N型基板及N型金属；所述P型 金属朝向该基座，并由粘着层粘固于该基座；所述粘着层的材料为具 有导电性粘剂或焊锡、锡膏、电镀锡与助熔剂的混合。
13. 如权利要求1所述的光通讯的光电组件，其特征在于所述 光电晶粒具有半绝缘或陶瓷基板；该基板上具有P型金属、N型金属 及半导体层，且该基板由粘着层粘固于该基座上；该粘着层的材料为 导电粘剂或绝缘粘剂。
14. 如权利要求13所述的光通讯的光电组件，其特征在于所述 光电晶粒为光侦测器，或激光二极管，或发光二极管。
15. 如权利要求14所述的光通讯的光电组件，其特征在于所述 光电晶粒为面射/收型或边射/收型组件。
16. 如权利要求13所述的光通讯的光电组件，其特征在于所述 光电晶粒具有第一电极及第二电极，所述第一电极及第二电极位于该 基板同一侧。
17. 如权利要求16所述的光通讯的光电组件，其特征在于还包 括转阻放大器、后级放大器、被动组件、主动组件或组合配设在该基 座，且与该光电晶粒的该第一电极与该第二电极电性连接。
18. 如权利要求16所述的光通讯的光电组件，其特征在于所述 转阻放大器、后级放大器、被动组件、主动组件或组合形成芯片形式。
19. 如权利要求13所述的光通讯的光电组件，其特征在于还包括驱动IC配设在该基座上，且电性连接该光电晶粒。
20. —种光次模组，其特征在于包括 筒形件，具有腔室及光纤插头通道；光电组件，具有基座；光电晶粒配设在该基座上；粘着层位于该 基座与该光电晶粒之间，用以粘结该光电晶粒及该基座；至少一个透镜，配置在该光电组件与该光纤插头通道之间； 所述光电组件组设在该筒形件一端，该光电晶粒位在该腔室内相 对所述透镜。
21. 如权利要求20所述的光次模组，其特征在于所述光电晶粒应用于玻璃光纤的光纤通讯用以发射或接收800nm至1800nni的光讯号。
22. 如权利要求20所述的光次模组，其特征在于所述光电晶粒 应用于塑胶光纤的光纤通讯用以发射或接收200nm至800 nm的光讯号。
23. 如权利要求20所述的光次模组，其特征在于所述透镜的数 量为一个，该光纤插头一端为封闭面，该透镜形成在该封闭面。
24. 如权利要求20所述的光次模组，其特征在于所述透镜的数 量为一个，该腔室一端为封闭面，该透镜形成在该封闭面。
25. 如权利要求20所述的光次模组，其特征在于所述透镜的数 量为二个，其中一个透镜形成在该光纤插头通道内，另一个透镜形成 在该腔室内。
26. 如权利要求20所述的光次模组，其特征在于还包括有粘胶 材料配置在该光电组件的该基座与该筒形件之间，使得该腔室形成密 封状。
27. 如权利要求20所述的光次模组，其特征在于还包括折射率匹配油或胶体填充于该腔室内。
28. 如权利要求27所述的光次模组，其特征在于所述胶体的填充高度介于该光电组件的光电晶粒顶面与该基座顶面之间。
29. 如权利要求27所述的光次模组，其特征在于所述胶体的填充高度完全包覆该光电组件的光电晶粒。
30. 如权利要求27所述的光次模组，其特征在于所述折射率匹配油充满该筒形件的腔室。
31. 如权利要求27所述的光次模组，其特征在于所述胶体填充于该筒形件的腔室内，且该胶体不接触该光电组件的光电晶粒，使得 该腔室的剩余空间形成密闭。
32. 如权利要求27所述的光次模组，其特征在于所述胶体涂覆 于该光电组件的光电晶粒顶面。
33. 如权利要求20所述的光次模组，其特征在于还包括转阻放 大器、后级放大器、驱动IC、被动组件、主动组件或组合配设在该光 电组件的基座，且与该光电晶粒电性连接。
34. 如权利要求33所述的光次模组，其特征在于还包括胶体涂覆在转阻放大器、后级放大器、驱动IC、被动组件、主动组件或组合的顶面。
35. 如权利要求20所述的光次模组，其特征在于所述光电组件 为TO-can架构；所述透镜延伸进入该光电组件内并接近该光电晶粒。
36. 如权利要求20所述的光次模组，其特征在于所述光电组件 为导线架结构，所述透镜延伸接近该光电组件的该光电晶粒。
37. 如权利要求20所述的光次模组，其特征在于所述基座为 T0-can架构的底座。
38. 如权利要求37所述的光次模组，其特征在于所述TO-can 架构的光电组件具有上盖；所述上盖配设在该底座上，且端面形成开 放口 。
39. 如权利要求20所述的光次模组，其特征在于所述光电组件 的该基座为导线架的支架上的底盘。
40. 如权利要求39所述的光次模组，其特征在于还包括上盖射 出成型在该底盘上，且该上盖一端具有开放口。
41. 如权利要求20所述的光次模组，其特征在于所述光电组件 的该基座为导线架的数个支架中的一个支架。
42. 如权利要求41所述的光次模组，其特征在于还包括封装层 用以包覆所述数个支架。
43. 如权利要求41所述的光次模组，其特征在于还包括封装体 用以包覆所述数个支架及所述光电晶粒，且该封装层表面形成有透镜 相对该光电晶粒。
44. 如权利要求20所述的光次模组，其特征在于所述光电晶粒 具有P型金属、半导体层、N型基板及N型金属；所述P型金属朝向 基座由粘着层粘固于所述基座；所述粘着层的材料为具有导电性粘剂 或焊锡、锡膏、电镀锡与助熔剂的混合。
45. 如权利要求20所述的光次模组，其特征在于所述光电晶粒 具有半绝缘或陶瓷基板；该基板上具有P型金属、N型金属及半导体 层；且该基板由粘着层粘固在于基座上；所述粘着层的材料为导电粘 剂或绝缘粘剂。
46. 如权利要求45所述的光次模组，其特征在于所述光电组件 的该光电晶粒为光侦测器，或激光二极管，或发光二极管。
47. 如权利要求45所述的光次模组，其特征在于所述光电组件的光电晶粒具有第一电极及第二电极；所述第一电极及第二电极位于该基板同一侧且远离该基座。
48. 如权利要求45所述的光次模组，其特征在于还包括转阻放大器配设在所述基座上；所述光电晶粒的第一电极与第二电极分别与该转阻放大器电性连接。
49. 如权利要求45所述的光次模组，其特征在于还包括转阻放大器与后级放大器的组合；所述转阻放大器与后级放大器的组合为形成芯片形式与该光电晶粒电连接。
50. 如权利要求20所述的光次模组，其特征在于还包括驱动IC配设在所述基座上，且电连接所述光电晶粒。
51. 如权利要求20所述的光次模组，其特征在于还包括IC组件配设于所述底座上；该IC组件为转阻放大器、后级放大器、驱动IC，或组合；胶体涂覆在所述IC组件的顶面。
52. 如权利要求51所述的光次模组，其特征在于所述胶体的填充高度不超过所述光电晶粒的顶面。
全文摘要
本发明提供了一种光通讯的光电组件，用以收发光线的光电晶粒由粘着层粘固于基座上，形成不具有任何形式载体的组件。由此降低该光电组件的制作成本。另外，以该光电组件与筒形件组合成光次模组，且该光次模组内部具有透镜，由于该透镜与该光电晶粒间没有阻隔性组件，所以该透镜可以接近该光电晶粒而达到高耦光效率。
文档编号G02B6/32GK101498818SQ200810006840
公开日2009年8月5日 申请日期2008年2月2日 优先权日2008年2月2日
发明者袁荣亨 申请人:前源科技股份有限公司