透反液晶显示装置的制作方法

专利名称：透反液晶显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种液晶显示装置。更特别是，本发明涉及一种液晶 显示装置，其在显示区域的液晶为了显示而被驱动，其中显示区域包 括通过反射从外部入射的光来实现显示的反射区域，和通过透射来自 后面部分的光来实现显示的透射区域。
背景技术：
液晶显示装置可大致分为透射液晶显示装置和反射液晶显示装 置。通常，透射液晶显示装置具有背光光源，并且通过控制来自背光 光源的透射光的量来显示图像。反射液晶显示装置具有用于反射来自 外部的光的反射器，并且通过利用由反射器反射的光作为显示光源来 显示图像。反射液晶显示装置不需要背光光源，所以它在减少装置的 功耗、厚度、和重量方面优于透射液晶显示装置。然而，由于反射液 晶显示装置使用环境中的光作为显示光源，所以反射液晶显示装置具 有在黑暗条件下对比度和可见度变差这样的缺点。
同时，具有透射液晶显示装置和反射液晶显示装置两者的优点的 透反液晶显示装置已经作为便携电话和移动终端的显示器投入实际使 用。透反液晶显示装置在单位像素内具有透射区域和反射区域。透射 区域透射来自背光光源的光，并且使用背光光源作为显示光源。反射 区域具有反射器，并且使用由反射器反射的外部光作为显示光源。使用透反液晶显示装置，通过在明亮条件下熄灭背光光源并且用反射区 域来显示图像能够减少功耗。此外，当周围的环境变暗时，通过点亮 背光光源并且用透射区域显示图像，即使在黑暗条件下也能够显示图 像。
而且，如具有宽范围的可见视角的液晶面板和液晶显示装置，诸
如通常被称为宽视角液晶显示面板的IPS模式(共面转换In-Plane Switching)的横向电场模式已经投入实际使用。用这种IPS模式的液 晶面板，液晶分子通过与基板平行的方式单轴地排列，并且电压平行 施加到基板上以便在保持与基板的平衡状态的同时旋转液晶分子。换 句话说，即使当施加电压时，液晶分子不会相对于基板立起，所以理 论上能够获得宽视角。此外，IPS模式液晶显示装置具有形成在同一基 板上的像素电极和公共电极，以及施加到液晶层上的横向电场。通过 IPS模式液晶显示装置，例如，通过在平行于基板的方向上充分旋转液 晶分子来显示图像，能够获得比TN模式液晶显示装置更宽的视角。
当IPS模式被用于现有的透反液晶显示装置时，黑色显示和白色 显示被颠倒。因此，如果在正常的驱动系统下，透射区域是常黑 (normally black)，反射区域是常白(normally white)。
图17A和图17B示出了现有透反液晶显示装置的单位像素的示意 截面视图。如图17A和图17B所示，透反液晶显示装置的单位像素包 括背面侧基板501，观察者侧基板502，和夹在两个基板之间的液晶层 503。单位像素在像素区域内包括，用于反射来自观察者侧的光的反射 区域521，和用于透射来自背面侧的光的透射区域522，并且反射区域 521和透射区域522的液晶层503用由平行施加到基板面的电压产生的 横向电场驱动。
此外，背面侧基板501和观察者侧基板502在其外侧分别包括第 一偏振片520和第二偏振片523。而且，两种电极，即像素电极511和公共电极512形成在液晶层侧上的背面侧基板501的表面上。在形成 像素电极511和公共电极512的区域部分中，反射器515和绝缘层516 设置在这些电极和背面侧基板501之间。由于绝缘层516的存在，反 射区域521的液晶层503的厚度是透射区域522的液晶层503的厚度 的一半。此外，起到用于透射显示的光源作用的背光504设置在背面 侧基板501的偏振片(第一偏振片)的外侧(低侧)上。
此外，如图17A和图17B的中的虚线所示的，第一偏振片520和 第二偏振片523以使得其偏振轴成为彼此正交的方式设置。在液晶层 503中，当不施加电压时，液晶分子排列成面向沿着从第一偏振片520 的偏振轴(光透射轴)偏转90度的方向。例如，如果第一偏振片520 的偏振轴是O度，则第二偏振片523的偏振轴被设置成90度，并且液 晶层503的液晶分子的主轴方向被设置成90度。在液晶层503中，透 射区域522中的单元间隙(cell gap)被调整以使延迟(retardation) △ nd ( An是液晶分子折射率的各向异性，d是液晶的单元间隙)变成入 /2 (入是光的波长，例如，当以绿光作为参考时，A- 550nm)，而反 射区域521中的单元间隙被调整以使延迟变成入/4。
现在，通过参考图17A，描述当没有电压被施加到液晶层503时， 上述结构的透反液晶显示装置的单位像素的光学动作。首先，穿过第 二偏振片523的沿着90度方向(纵向方向)的线偏振光(在下文中称 为"卯度线偏振光")入射到反射区域521的液晶层503上。在液晶 层503中，入射到液晶层503上的线偏振光的光轴和液晶分子的主光 轴方向是一致的。因此，处于90度线偏振光的状态的入射光照其原样 透射通过液晶层503，并且它被反射器515反射。在线偏振光的情况下， 即使被反射之后它也保持在线偏振光的状态。这样，处于90度线偏振 状态的反射光再一次入射到液晶层503上。而且，90度线偏振光照其 原样从液晶层503出射，并且入射到第二偏振片523上。第二偏振片 523的偏振轴也是90度，所以90度线偏振光透射通过第二偏振片523。 因此，当没有施加电压时，反射区域521提供白色显示。其次，描述没有被施加电压的透射区域522。穿过第一偏振片520 的横向线偏振光入射到透射区域522的液晶层503上。在液晶层503 中，入射光的偏振方向和分子的主光轴方向是彼此正交的，因此横向 线偏振光穿过液晶层而不改变偏振状态，并且入射到第二偏振片523 上。由于第二偏振片523的偏振轴是90度，因此透射光不能穿过第二 偏振片523，这导致提供黑色显示。接下来，通过参考图17B，描述当电压施加到液晶层503时，上 述的结构的透反液晶显示装置的单元像素的光学动作。首先，穿过第 二偏振片523的沿90度方向(纵向方向)的线偏振光入射到反射区域 521的液晶层503上。通过施加电压，液晶层503中的液晶的主轴方向 关于基板平面从0度改变为45度。在液晶层503中，入射光的偏振方 向和液晶分子的主轴方向彼此偏移45度，并且液晶的延迟被设置为入 /4。因此，入射到液晶层503的纵向线偏振光变成顺时针圆偏振光，并 且入射到反射器515上。顺时针圆偏振光被反射器515反射并且变成 逆时针圆偏振光。入射到液晶层503上的逆时针圆偏振光再一次穿过 液晶层503，该圆偏振光变成横向(0度)线偏振光并且入射到第二偏 振片523上。由于第二偏振片523的偏振轴是90度，所以反射光不能 穿过反射器515，这导致提供黑色显示。然后，穿过第一偏振片520的横向线偏振光入射到透射区域522 的液晶层503上。通过施加电压，液晶层503中的液晶分子的主轴方 向关于基板平面从0度改变为45度。在液晶层503中，入射光的偏振 方向和液晶分子的主轴方向彼此偏移45度，并且液晶的延迟被设置为 入/2。因此，入射到液晶层503上的横向线偏振光变成纵向方向线偏振 光，并且入射到第二偏振片523上。因此，在透射区域522中，第二 偏振片523使穿过第一偏振片520的背光能够通过，这导致提供白色 显示。根据上面描述的透反液晶显示装置，在施加电场到液晶层503和 不施加电场到液晶层503两种情况下，都存在着在反射区域521和透 射区域522中的白色显示和黑色显示被颠倒的不方便之处。作为解决这个问题的措施，通过对透反液晶显示装置的反射区域 和透射区域中的液晶层施加彼此不同的电压能够提供反射区域和透射 区域显示的一致性。例如，在上面描述的IPS透反液晶显示装置中，通 过将输入到反射区域的公共电极的信号(下文中称为反射公共信号) 和输入到透射区域的公共电极的信号(下文中称为透射公共信号)设 置成彼此相反的相位能够对反射区域和透射区域施加彼此不同的电 压。现在，在黑色显示时的每个输入信号的波形的例子示于图18中。 在扫描线的选择时段中，在像素电极和公共电极之间的反射区域中产 生有电位差，并且电压施加到液晶层(图18A的Vlc)，这导致提供黑 色显示。同时，其相位与反射公共信号的相位相反的信号被输入到透 射区域的透射公共电极上。因此，在扫描线的选择时段中，没有产生 在像素电极和公共电极之间的电位差，所以没有电压被施加到液晶层 (图18B的VIc)，这导致提供黑色显示。此外，为了在一帧周期内保 持被施加到每个液晶层上的电压，有必要通过跟随公共电极的电位来 改变像素电极的电位。由于保持在透射区域和反射区域的电压是不同 的，所以有必要对每个反射区域和透射区域提供存储电容。现在，将描述在黑色显示时每个电极电位的变化。如图19A中所 示，在反射区域，在黑色显示时有必要对液晶层施加电压。因此，在 扫描线的选择时段中在公共电极和像素电极之间产生有电位差(在这 种情况下假设为5V)。此后，像素电极和反射器1的电位在扫描线的 非选择时段变成浮动的。因此，通过与公共电极形成电容，像素电极 和反射器1的电位通过与反射公共信号同步而跟随反射公共信号。此 外，如图19B所示，在透射区域中，在黑色显示时没有电压施加到液晶层。因此，在扫描线的选择时段中公共电极和像素电极的电位变成 一致的。此后，在扫描线的非选择时段中，通过与公共电极形成电容， 像素电极和反射器的电位通过与透射公共信号同步而跟随透射公共信 号。此外，还公开了一种单位像素结构，以该像素单元结构，通过分 别将存储电容提供到液晶层的反射区域和透射区域以对相应的区域施 加彼此不同的电压，来控制IPS透反液晶显示装置的驱动，使反射区域 和透射区域的显示能够一致(日本未经审核的专利申请第2005-191061号专利文献l)。在专利文献l中，提供对应于反射区域和透射区域每个的两个TFT (薄膜晶体管)以及对应于反射区域和透射区域每个 的第一和第二公共电极。液晶层的反射区域和透射区域通过将彼此反 相的信号输入到两个公共电极上而被驱动。此外，还公开了一种液晶显示装置，其中对应反射区域和透射 区域的每一个提供有晶体管和存储电容；并且晶体管Tr和存储电容线CsrL和CstL被提供给反射区域和透射区域的每一个(日本未审核专利 公开2005-189570:专利文献2)。在专利文献2中，反射区域的存储 电容用反射区域的像素电极和存储电容线CsrL形成，透射区域的存储 电容用透射区域的像素电极和存储电容线CstL形成。因此，存储电容 单独形成在反射区域和透射区域的每一个。用存储电容，不同电位能 够施加到反射区域和透射区域的像素电极。此外，液晶显示装置的孔 径比通过在反射区域的反射器的底层中形成透射区域的存储电容能够 被增加。然而，用上面描述的横向电场类型的液晶显示装置，通过在反射 器的底层中简单地形成用于反射区域和透射区域的存储电容不可能获 得极好的显示。例如，当用于形成存储电容的反射像素电极和透射像 素电极被设置在专利文献1的结构中的反射器的底层中时，电容耦合 存在于反射器和两像素电极之间。'因此，像素电极的电位被改变。因此，后面将被描述的偏移电压被施加到液晶层上，这引起由于光泄漏造成的对比度的变坏。当反射存储电容形成部分和透射存储电容形成 部分与由其它导电物质制成的层重叠时，也有类似的问题。发明内容因此本发明的典型的目的是提供一种能够抑制光泄漏并且提供高 可见度的透反液晶显示装置。为了达到上述的典型目的，根据本发明的典型的方面的透反液晶 显示装置是包括以下部分的透反液晶显示装置在单位像素中，反射 区域，该反射区域包括反射器以及成对的像素电极和公共电极；透射 区域，该透射区域包括成对的像素电极和公共电极；以及提供给反射区域和透射区域的液晶层，并且该透反液晶显示装置还包括提供在反 射器的底层中、用于反射区域和透射区域的存储电容，以通过跟随公 共电极的电位来改变像素电极的电位。该透反液晶显示装置还包括抑 制装置，用于当由于在反射器和像素电极之间产生的电容耦合而像素 电极受反射器电位的影响时，抑制产生在液晶层的光泄漏。


图1是剖视图，示出了根据本发明的透反液晶显示装置的示例性实施例的单位像素结构；图2是俯视图，示出了图1中公开的透反液晶显示装置的示例性 实施例的结构；图3是俯视图，示出了图1中公开的透反液晶显示装置的示例性 实施例的结构；图4是俯视图，示出了图1中公开的透反液晶显示装置的示例性 实施例的结构；图5是平面电路结构图，示出了图1中公开的透反液晶显示装置 的示例性实施例的构造；图6示出了图1中公开的透反液晶显示装置的示例性实施例的电压波形图；图7是曲线图，示出了根据图1中公开的透反液晶显示装置的示 例性实施例的透射比和所施加电压之间的关系；图8是平面电路结构图，示出了图1中公开的透反液晶显示装置 的示例性实施例的构造；图9是示意性的平面电路结构图，示出了图1中公开的透反液晶 显示装置的示例性实施例的构造；图IO是剖视图，示出了根据本发明的透反液晶显示装置的另一个 示例性实施例的单位像素结构；图11是俯视图，示出了图10中公开的透反液晶显示装置的示例 性实施例的结构；图12是俯视图，示出了图10中公开的透反液晶显示装置的示例 性施例的结构；图13是示意性的平面电路结构图，示出了图10中公开的透反液 晶显示装置的示例性实施例的构造；图14A-图14C示出了图10中公开的透反液晶显示装置的示例性 实施例，其中图14A是曲线图，示出了电容比和偏移电压之间的关系， 图14B是曲线图，示出了透射比和所施加电压之间的关系，图14C是 曲线图，示出了有机薄膜厚度和偏移电压之间的关系；图15是俯视图，示出了根据本发明的透反液晶显示装置的又一个 示例性实施例的单位像素结构；图16是俯视图，示出了根据本发明的透反液晶显示装置的再一个 示例性实施例的单位像素结构；图17A和图17B示出了现有的透反液晶显示装置的示例性实施 例，其中图17A是剖视图，示出了当没有电压施加到像素电极和公共 电极之间时的单位像素结构，图17B是剖视图，示出了当电压施加到像素电极和公共电极之间时的单位像素结构；图18示出了图17A和图17B中公开的透反液晶显示装置的示例性实施例的电压波形图；以及图19示出了图17A和图17B中公开的透反液晶显示装置的示例性实施例的电压波形图。
具体实施方式
在下文中，将通过参考附图详细地描述本发明的示例性实施例。 将通过参考IPS透反液晶显示装置的例子描述透反液晶显示装置的工作原理。如图17A和17B中所示，反射区域521中的液晶层503 的And(延迟)是入/4，透射区域522中的液晶层503的And是入/2。 液晶层503被夹在其透射轴线彼此正交的偏振片520和偏振片523之 间。因此，反射区域521成为常白，而透射区域522成为常黑。为了 使反射区域521和透射区域522具有均一的显示，有必要对反射区域 521的液晶层503和透射区域522的液晶层503施加彼此不同的电压。 通过将输入到反射区域521的公共电极512上的信号(反射公共信号) 的相位设置成与输入到透射区域522的公共电极512上信号(透射公 共信号)的相位相反能够得到不同的电压。图18A和图18B图解了在黑色显示的时候每个输入信号的波形。 在扫描线的选择时段中，在反射区域521，反射像素电极511和反射公 共电极512之间产生了电位差，并且电压施加到反射区域521的液晶 层503上(图18A的Vlc)。这样，反射区域521中的显示变成黑色。 同时，与用于反射公共电极512的信号的相位反相的信号被输入到透 射区域522中的透射公共电极512上。因此，在扫描线的选择时段中， 没有产生在透射像素电极511和透射公共电极512之间的电位差，因 此没有电压施加到透射区域522的液晶层503上(图18B的Vlc)。因 此，透射区域522中的显示变成黑色。为了在一帧周期中保持被施加到反射区域521和透射区域522的 每个液晶层503上的电压，有必要通过跟随公共电极512的电位来改 变像素电极511的电位。由于保持在透射区域522和反射区域521中 的电压是不同的，有必要对反射区域521和透射区域522的每一个提供存储电容。因此，有必要对单位像素的反射区域和透射区域的每一 个提供晶体管和存储电容以实现IPS透反液晶显示装置如同上面所描 述的那样工作。如图1、图10、图15和图16中所示，本发明的示例性实施例包 括存储电容Cstl、 Cst2，用于通过跟随反射区域21和透射区域22的公 共电极47、 48的电位来改变反射区域21和透射区域22的电位。这些 存储电容Cstl和Cst2被设置在反射区域21的反射器23、 24和25的 下面的层。反射区域21的存储电容Cstl形成在反射区域21的静态电 极(反射像素电极)35和公共电极(反射公共电极)37之间，电容Call 形成在反射区域21的反射器23、 23、 25和静态电极(反射像素电极) 35之间。透射区域22的存储电容Cst2形成在反射区域21的静态电极 (透射像素电极)36和公共电极(透射公共电极)38之间，电容Cal2 形成在反射区域21的反射器23、 24、 25和静态电极(透射像素电极) 36之间。图5示出了根据本发明的示例性实施例的等效电路。也就是，如图5所示，形成在反射区域21中的晶体管TFT的栅 极连接到扫描线31，其源极或者漏极连接到数据线32，并且另一个极 (源极或者漏极)连接到形成在反射区域21的反射像素电极A35上。 类似地，形成在透射区域22中的晶体管TFT的栅极连接到扫描线31， 其源极或者漏极连接到数据线32，并且另一个极(源极或者漏极)连 接到形成在反射区域21的透射像素电极A36上。反射器23、 24 (25)形成为单连续板(single continuous plate)， 并且电容Call和Cal2被设置在反射器23、 24 (25)的底层中。因此， 反射像素电极35和透射像素电极36通过电容Call和Cal2被容性耦合。现在，将描述当反射像素电极35和透射像素电极36通过电容Ca11 和Cal2被容性耦合时出现的问题。为了描述问题，在黑色显示时每个 电极电位的改变将参考图19和图6详细地描述。在下面的说明中，假设反射器23和24是连续整体形式的单反射器。如图19A所示，在黑色显示时有必要对反射区域21的液晶层16 施加电压。这样，在扫描线31的选择时段中，在公共电极47和像素 电极45之间产生有电位差(假定在这种情况下是5V)。此后，像素 电极45和反射器23、24的电位在扫描线31的非选择时段变成浮动的。 因此，通过像素电极35和公共电极37之间的存储电容Cstl，像素电 极35和反射器23、 24的电位通过与反射公共信号同步而将跟随反射 公共信号。如图19B所示，在透射区域22中，在黑色显示时没有电压施加到 液晶层16。这样，在扫描线31的非选择时段中，公共电极48和像素 电极46的电位变成一致。此后，在扫描线31的非选择时段中，通过 像素电极36和公共电极38之间的存储电容Cst2，像素电极36和反射 器23、 24的电位将通过与透射公共信号同步而跟随透射公共信号。然 而，当反射器23和反射器24相连接时，示于图19A和图19B中的反 射器23的电位和反射器24的电位被相加。因此，如图6A所示，可以 认为电位被固定(在这种情况下在5V)。如图6B所示，在这样的条 件下，在透射区域22中，当公共电极48的电位变成0V时，由于电容 耦合(电容Cst2),像素电极46的电位受反射器23、 24的影响。因 此，像素电极46的电位变得大于0V。电容Cal2和存储电容Cst2被认 为是串联，因此按存储电容Cst2与电容Ca12的反比来分配反射器23、 24和公共电极38之间的电位差。因此，假如反射器23、 24和公共电 极38之间的电位差是V，存储电容Cst2的值是Cst，由反射器23、 24 和像素电极36形成的电容Cal2的值是Cal，像素电极48的电位的改 变AV可由以下等式表示。△ V = V X Cal / (Cst + Cal)"厶V"称作偏移电压。在黑色显示时，"A V"的电压施加到透射区域22的液晶层16上。图7示出了显示透射比和所施加电压之间关系的特性的例子。如 同能从图7中所看到的那样，当0.5V或更大的电压施加到液晶层16 上时，透射比开始增加。这个电压被称作阈值电压。当偏移电压厶V 大于阈值电压时，在黑色显示时液晶的排列被改变并且发生光泄漏。 因此，对比度变坏。类似地，由于偏移电压AV，不能对反射区域21 施加足够的电压，因此在那里也发生光泄漏。因此，为了抑制由这种光泄漏引起的可见度的变坏，本发明的示 例性实施例还包括抑制装置，用于抑制由于形成在反射器23、 24、 25 和像素电极35、 36之间的电容Call和Cal2的电容耦合而使像素电极 35、 36受到反射器23、 24、 25的电位的影响而产生在液晶层16中的 光泄漏。如上所述，根据本发明的示例性实施例的透反液晶显示装置针对 于包括如下部分的透反液晶显示装置在单位像素内，反射区域21, 其包括反射器以及成对的像素电极45和公共电极47，透射区域22, 其包括成对的像素电极46和公共电极48;和提供在反射区域21和透 射区域22内的液晶层16。此外，如图l、图10、图15和图16所示， 作为基本结构，透反液晶显示装置包括提供在反射器23、 24、 25的底 层中用于反射区域21和透射区域22的存储电容Cstl和Cst2，所述存 储电容Cstl、Cst2用于改变像素电极45、46的电位以跟随公共电极47、 48的电位。此外，透反液晶显示装置包括的抑制装置，用于抑制当由 于形成在反射器23、 24、 25和像素电极35、 36之间的电容Call和Cal2 的电容耦合使像素电极35、 36受到反射器23、 24、 25的电位的影响 时产生在液晶层16中的光泄漏。该抑制装置的细节将在后面描述。以本发明的示例性实施例，由于有在反射器23、 24、 25的底层中、 用于反射区域21和透射区域22的存储电容Cstl、 Cst2，因此像素电极的电位通过跟随公共电极的电位而改变。因此，施加到反射区域21和 透射区域22的液晶层16的电压在一帧周期内能够以确定的方式被维 持。由于因为电容Call、 Cal2而在反射器23、 24、 25和像素电极35、 36之间引起的电容耦合，由于像素电极35、 36受到反射器23、 24、 25的电位影响，在液晶层16中发生光泄漏。然而，在本发明的示例性 实施例中，在液晶层16中的光泄漏能够被抑制装置所抑制。作为根据本发明的典型优点，本发明的示例性实施例包括提供 在反射器的底层中、用于反射区域和透射区域的存储电容，以通过跟 随公共电极的电位来改变像素电极的电位；用于抑制因为像素电极的 电位由于在反射器和像素电极之间产生的电容耦合而受到反射器的电 位的影响而在液晶层中产生的光泄漏的抑制装置。因此，对于像素电 极的电位跟随公共电极的电位将变得有可能。而且，可能抑制由于通 过存储电容产生的电容耦合而导致的发生在液晶层中的光泄漏，因此 液晶显示装置的可见度能够被提高。其次，根据本发明的透反液晶显示装置，特别是抑制装置的具体 的例子，将通过参考附图被更详细地描述。第一示例性实施例形成根据本发明的第一示例性实施例的抑制装置，以通过采用这 样的结构来抑制将要被施加到液晶层16上的偏移电压AV，在该结构 中反射区域21的电容Call和透射区域22的电容Cal2被电隔离。在下 文中，将以具体的方式描述第一示例性实施例。如图1所示，根据第一示例性实施例的液晶显示装置的单位像素 结构10包括配置有反射区域21和透射区域22的背面侧基板18，并且 反射公共电极A37和透射公共电极A38形成在背面侧基板18的观察者侧表面的反射区域21侧。此外，扫描线31 (图2)形成在与反射公共 电极A37和透射公共电极A38被形成在其上的平面相同的平面上。如 图2所示，透射公共电极A38，扫描线31和反射公共电极A37以透射 公共电极A38，扫描线31和反射公共电极A37的顺序，朝着远离透射 区域侧的方向平行地形成。而且，如图1所示，通过覆盖透射公共电 极38和反射公共电极A37，绝缘层12形成在背面侧基板18的观察者 侧上。而且，如图1所示，形成反射像素电极A35以重叠于绝缘层12 的反射区域21的观察者侧上的反射公共电极A37。换句话说，当从观 察者侧观察时，反射像素电极A35形成在反射公共电极A37上方。因 此，反射存储电容Cstl与反射公共电极A37 —起形成在反射像素电极 A35的背面侧(在绝缘层12内)上。类似地，形成透射像素电极A36 以重叠于绝缘层12的反射区域21的观察者侧上的透射公共电极A38。 因此，透射存储电容Cst2与透射公共电极A38 —起形成在透射像素电 极A36的背面侧(在绝缘层12内)上。而且，如图2中所示，形成用于每个像素的、数据信号供给到其 上的数据线32，以与透射公共电极A38，扫描线31和反射公共电极 A37垂直交叉，数据线32形成在与反射像素电极A35和透射像素电极 A36形成在其上的平面的相同平面上。如图2所示，形成有用于将每 个数据线32，反射像素电极A35,和透射像素电极A36的突出部分(以 点划线圈出的部分)相互连接的开关器件(下文中被称为TFT)。而 且，如图1所示，通过覆盖绝缘层12的观察者侧，绝缘层13形成在 反射区域21和透射区域22内，绝缘层12包括与绝缘层一起的反射像 素电极A35和透射像素电极A36。而且，有机薄膜层14形成在绝缘层13的观察者侧上的反射区域 21中。有机薄膜层14在观察者侧面上具有适合后面要描述的反射器的 不平整的图案。而且，如图1和图3所示，反射器23形成在有机薄膜层14的观察者侧面上以重叠于反射像素电极A35。即，当从观察者侧 观察时，反射器23被设置成在反射像素电极A35之上。以这样的结构， 电容Call形成在反射器23的背面侧和反射像素电极A35之间。此外, 反射器24形成在有机薄膜层14的观察者侧面上以重叠于透射像素电 极A36。即，当从观察者侧观察时，反射器24被设置成在透射像素电 极A36之上。以这样的结构，电容Cal2形成在反射器24的背面侧和 透射像素电极A36之间。此外，如图3所示，反射器23和反射器24在物理上是分离的， 因此上面描述的电容Call和电容Cal2是电隔离的。反射器23和24被 形成为在它们的横截面上具有不平整的图案，以增加散射效果。而且，如图l所示，通过以整平薄膜覆盖反射区域21的反射器23、 24的观察者侧和透射区域22的绝缘层13的观察者侧，形成了整平薄 膜层15。通过调节整平薄膜层15的厚度，反射区域21和透射区域22 中每个液晶层的单元间隙能够被调节。在形成反射公共电极B47之前，反射像素电极B45，透射公共电 极B48，和透射像素电极B46，接触孔a-d被形成在反射区域21和透 射区域22中，如图3和图4所示。因此，反射公共电极B47，反射像 素电极B45，透射公共电极B48，和透射像素电极B46,分别通过接触 孔a-d被连接到反射公共电极A37，反射像素电极A35,透射公共电极 A38，和透射像素电极A36。而且，如图4所示，梳状反射公共电极B47和梳状反射像素电极 B45以这样的方式排列在整平薄膜层15的观察者侧面各电极的突出 部分以朝向相对的反射区域的内侧的方向面向。因此，在反射区域21 中，反射像素电极B45和反射公共电极B47以交替的方式在与梳齿纵 向方向正交的方向排列。类似地，梳状透射公共观察者侧面，该方式使得各电极的突出部分以朝向反射区域的内侧的
方向面向以便相对。因此在透射区域22中，透射像素电极B46和透射 公共电极B4S以交替的方式在与梳齿纵向方向正交的方向排列。
而且，如图1所示，通过覆盖反射像素电极B45，反射公共电极 B47,透射像素电极B46，和透射公共电极B48，液晶层16形成在整 平薄膜层15的上层(观察者侧)上。关于液晶层16，其在反射区域 21中的延迟And被设置为其在透射区域22中的延迟And被设 置为入/2。而且，观察者侧基板19被提供在液晶层16的观察者侧上。 因此，配置了根据本示例性实施例的液晶显示装置的单位像素。
本示例性实施例的液晶显示装置按照上面描述的方式构成，因此 在排列在整平薄膜层15的上层(观察者侧)上的反射公共电极B47和 反射像素电极B45和透射公共电极B48和透射像素电极B46之间产生 电场，以便旋转地驱动液晶。
现在，描述了示于图1一图4的液晶显示装置10的单位像素结构 中的反射器23和24没有被电隔离的情况。图5示出了这种情况的等 效电路。
如图5所示，对应反射和透射区域的存储电容Cstl和Cst2分别形 成在反射器的底层侧。在这种情况下，反射像素电极A35和透射像素 电极A36也被布置成与反射器相对，而绝缘层13和和有机薄膜层14 插入在其之间。因此Call和Cd2的电容耦合发生在各自的像素电极和 反射器之间。
因为这样，反射像素电极A35和透射像素电极A36的电位受反射 器电位的影响。因此，如图6A所示，在反射区域21的反射像素电极 A35的电位(反射像素信号电位)和反射公共电极A37的电位(反射 公共信号电位)变成小于不存在来自反射器的电位的影响的情况(图19A)。也就是变成小于大约两倍的反射公共信号电位的值(以※1标 记的箭头)
换句话说，当反射器23和24没有被电隔离时，示于图19A和图 19B的反射器电位l和2被相加。这样，如图6A中所示，能够认为电 位被固定(这种情况下在5V，反射器电位)。在这种情况下，在反射 区域21中，当反射公共信号电位变成5V时，在扫描线信号电位的非 选择周期中，反射像素电极的电位比IOV小(以※1标记的箭头)。 这意味着不可能施加足够的电压到液晶，这能够导致引起光泄漏。
此外，如图6B所示，在透射区域22中的透射像素电极A36的电 位(透射像素电极电位)和反射公共电极A38的电位(透射公共信号 电位)之间产生有电位差。该电位差比没有来自反射器的电位(图19B: 电位差=0)的影响的情况要大(以※2标记的箭头)。
换句话说，如图6B所示，当透射公共信号电位变成OV时，在扫 描线信号电位的非选择周期中，透射像素电极电位比OV大(以※2标 记的箭头)。在这种情况下，因为电压没有被充分阻塞，也可以认为 在显示中有光泄漏。
在此，能够认为存储电容(Cstl、 Cst2)和由反射像素电极A35、 透射像素电极A36和反射器形成的电容被串联。因此，反射器和反射 公共电极A37和透射公共电极A38之间的电位差按每个电容的反比分 配。因此，假如反射器和每个公共电极之间的电位差是V，存储电容 的数值是Cst,形成在反射器和像素电极之间的电容的数值是Cal，像 素电极的电位的改变AV (在下文中称为"偏移电压")可由以下等式 表不。
AV = V X Cal / (Cst + Cal)因此，在黑色显示时，偏移电压(AV)被施加到透射区域的液晶 层上。这样，电压不能够被充分阻塞，因此引起光泄漏。
图7示出了透射比和所施加电压之间关系的例子。如图7所示， 可以认为当0.5V或更大的电压施加到液晶层上时，透射比开始增加。
这个值(在这种情况是0.5V)被称作阈值电压。因此，在透射区域22 中黑色显示时，当偏移电压大于阈值电压时，存在液晶的排列的改变， 这导致引起光泄漏。类似的，由于因为偏移电压的影响，足够的电压 不能施加到液晶层，因此在反射区域21也发生了光泄漏。
作为解决这个问题的措施，在如上面描述的示例性实施例的单位 像素的结构中，分别对应反射区域21和透射区域22的存储电容，被 形成在反射区域21的反射器的背面侧(底层侧)上的层中，并且反射 器沿着反射存储电容形成部分和透射存储电容形成部分之间的分界线 被电隔离。这使得抑制偏移电压的产生成为可能，因此像素的显示中 的光泄漏能够被抑制。
图8示出了被示于图1 —图4中的液晶显示装置10的单位像素之 内的TFT基板上的等效电路。如图8所示，作为控制线用于控制作为 开关器件的TFT (薄膜晶体管)的扫描线31，用于通过TFT来提供像 素电极电压到反射和透射像素电极的数据线32，被彼此正交地形成。
在此，TFT 60和61通过对应反射区域21和透射区域22被形成。 每个TFT 60和61的栅极被连接到扫描线31，其源极或者漏极被连接 到数据线32。此外，每个TFT60和61的另一个极(其源极或者漏极) 被连接到反射像素电极A35和透射像素电极A36。作为开关器件，其 它不同于TFT的开关器件，例如MIM，也可以被使用。
如图8所示，电容耦合Cll、 C12、和C13 (被称为小电容)分别 产生在反射器23和反射公共电极B47之间，反射器24和反射像素电极B45之间，以及反射器23、 24和反射公共电极B47之间。假设图1 中的整平薄膜层15的厚度大约是绝缘薄膜12的膜厚度的五倍，并且 反射公共电极B47或者反射像素电极B45的面积大约是构成存储电容 的电极的面积的十分之一。因此，小电容的尺寸大约成为要被形成的 存储电容尺寸的五十分之一。因此当施加到反射像素电极和透射像素 电极的偏移电压的驱动电压是5V时，小电容的电压是大约O.IV。这相 比于阈值电压比较小，因此认为对显示没有影响。
图9示出了当不考虑小电容时的等效电路。如图9所示，反射区 域21的电容Cstl和Call和透射区域22的电容Cst2和Cal2是彼此独 立的。因此，因为反射器24与反射器23是电隔离的，即使反射器23 的电位由于电容Call被改变时，例如，透射像素电极A36的电位跟随 透射公共信号而不受电容Call的电位的影响。因此，在扫描线31的选 择周期中像素电极和公共电极之间产生的电位差在非选择周期中还能 够被维持。同时，抑制偏移电压的产生变得可能，因此像素的显示中 的光泄漏能够被抑制。
第二示例性实施例
下面，作为根据本发明的第二示例性实施例的抑制装置，将描述 利用反射区域的存储电容和形成在反射区域的静态电极和反射器之间 的电容之间的电容比，以及利用透射区域的存储电容和形成在透射区 域的静态电极和反射器之间的电容之间的电容比的情况。
考虑到当施加了超出阈值电压的偏移电压时，液晶层16具有引起 光泄漏的特性，根据本发明的第二示例性实施例的抑制装置被构成， 以通过利用反射区域21的存储电容Cstl和电容Call之间的电容比和 利用透射区域22的存储电容Cst2和电容Cal2之间的电容比，将偏移 电压抑制到比阈值电压小。在下文中，根据本发明的第二示例性实施 例的抑制装置将以具体的方式被描述。对于根据本发明第二实施例的液晶显示装置，相同的附图标记用 于与上面描述的第一实施例的部件相同的部件。在第二实施例中，该 系统配置部分具有与第一实施例几乎相同的结构。与第一实施例的不 同之处是提供反射器25代替第一示例性实施例中提供的电隔离的反射器23和24。如在上面描述的第一示例性实施例(图1)的情况，根据第二示例 性实施例的液晶显示装置11包括配置有反射区域21和透射区22的背 面侧基板18，而反射公共电极A37和透射公共电极A38形成在背面侧 基板18的观察者侧表面上的反射区域21—侧上，如图10所示。而且， 扫描线31 (如在图2的情况)形成在与反射公共电极A37和透射公共 电极A38形成在其上的平面相同的平面上。如在第一实施例的图2中， 透射公共电极A38、扫描线31和反射公共电极A37以透射公共电极 A38、扫描线31和反射公共电极A37的顺序朝着离开该透射区域侧的 方向平行地形成。而且，如图10所示，通过覆盖透射公共电极A38和 反射公共电极A37，绝缘层12形成在背面侧基板18的观察者侧上。而且，如图10所示，反射像素电极A35形成在绝缘层12的反射 区域21的观察者侧上，以与反射公共电极A37重叠。换句话说，当从 观察者侧观察时，反射像素电极A35形成在反射公共电极A37上方。 因而，反射存储电容Cstl与反射公共电极A37 —起形成在反射像素电 极A35的背面侧(在绝缘层12内)上。类似地，透射像素电极A36 形成在绝缘层12的反射区域21的观察者侧上，以与透射公共电极A38 重叠。因而，透射存储电容Cst2与透射公共电极A38—起形成在透射 像素电极A36的背面侧(在绝缘层12内)上。而且，正如在第一示例性实施例的图2 —样，形成用于为每个像 素的、供给数据信号供给到其上的数据线32，与透射像素电极A38、 扫描线31和反射公共电极A35垂直交叉形成，数据线32形成在垂直 于与反射像素电极A35和透射像素电极A36形成在其上的平面的相同的平面上。如图2所示，形成有用于将每个数据线32、反射像素电极A35和透射像素电极A36的突出部分(用点划线圈出的部分)相互连 接的开关器件(下文中被称为TFT)。而且，如图10所示，通过覆盖 该绝缘层的观察者侧，在反射区域21和透射区域22形成绝缘层13， 该绝缘层13包括与该绝缘层一起的反射像素电极A35和透射像素电极 A36。而且，有机薄膜层14形成在绝缘层13的观察者侧上的反射区域 21中。该有机薄膜层14在观察者侧表面上具有适合于后面要描述的反 射器的不平整的图案。而且，如图10和图11所示，在该有机薄膜层14的观察者侧面上 形成反射器25以与反射像素电极A35和透射像素电极A36重叠。艮口 ， 当从观察者侧观察时，反射器25设置成在反射像素电极A35和透射像 素电极A36上。由此，电容Call和Cal2分别形成在反射器25的背面 侧与反射像素电极A35和透射像素电极A36之间(绝缘层13和有机薄 膜层14之间的界面)。而且，反射器25形成为在其横截面上具有不 平整的图案，以增加散射效果。而且，如图10所示，整平薄膜层15通过用整平薄膜覆盖反射区 域21的反射器25的观察者侧和透射区域22的绝缘层13的观察者侧 来形成。通过调节整平薄膜层15的厚度，能够调节在反射区域21和 透射区域22中的每个液晶层的单元间隙。而且，如图12所示，梳状反射公共电极B47和梳状反射像素电极 B45以这样的方式排列在该整平薄膜层15的观察者侧面上各电极的 突出部分以朝向反射区域的内侧的方向面向。因而，在反射区域21中， 反射像素电极B45和反射公共电极B47在与梳齿的纵向正交的方向以 交替的方向排列。类似地，梳状透射公共电极B48和梳状透射像素电极B46以这样 的方式布置在透射区域22的整平薄膜层15的观察者侧平面上，该方 式使得各电极的突出部分以朝向透射区域的内侧的方向面向。因而， 在透射区域22中，透射像素电极B46和透射公共电极B48在与梳齿纵 向方向正交的方向以交替的方式排列。如图12所示，反射公共电极B47、反射像素电极B45、透射公共 电极B48和透射像素电极B46通过形成在反射区域21和透射区域22 中的接触孔a—d分别连接到反射公共电极A37、反射像素电极A35、 透射公共电极A38和透射像素电极A36。而且，如图10所示，通过覆盖反射像素电极B45、反射公共电极 B47、透射像素电极B46和透射公共电极B48，液晶显示层16形成在 整平薄膜层15的上层上(观察者侧)。关于液晶层16，其在反射区域 21的延迟And被设置为X/4，其在透射区域22中的延迟And被设置为 X/2。而且，观察者侧基板19提供在液晶层16的观察者侧上。因而， 配置了根据本示例性实施例的液晶显示装置的单位像素。本示例性实施例的液晶显示装置按照上面描述的方式构成，因此 在排列在整平薄膜层15的上层(观察者侧)上的反射公共电极B47和 反射像素电极B45与透射公共电极B48和透射像素电极B46之间产生 电场，以便旋转地驱动液晶。图13示出了关于图10至图12所示的液晶显示装置11的单位像 素内的TFT基板的等效电路。如图13所示，作为控制线用于控制作为 开关器件的TFT的扫描线31和用于通过TFT为反射和透射像素电极 供给像素电极电压的数据线32形成为彼此正交。用这种结构，假如形成在反射与透射公共电极之间和反射与透射 像素电极之间的电容值为Cl (Cst)，形成在反射像素电极A35以及透射像素电极A36与反射器25之间的每个电容值为C2 (Cal)，并且 a为C2/(Cl+C2) ， a的值和反射公共电极A37与反射器25之间和透 射公共电极A38与反射器25之间的电位差V满足"0.5>VXa"的关 系。而且，形成在反射像素电极与反射器之间的电容值C3和形成在反 射像素电极与反射公共电极之间的存储电容值C4满足"3 < C4/C3"的 关系。此外，形成在透射像素电极与反射器之间的电容值C5和形成在透 射像素电极与透射公共电极之间的透射存储电容值C6满足"3 < C6/C5"的关系。反射区域21和透射区域22的存储电容Cstl和Cst2 (下文统称为 Cst)通过电容Call和Ca12 (下文统称为Cal)连接，因此存在相互产 生的偏移电压。图14A示出了关于Cst和Cal (Cst/Cal)的电容比和 在透射像素电极A36和透射公共电极A38之间产生的偏移电压(△ V) 之间的关系的例子。根据这种关系，随着Cst / Cal值增加，偏移电压 (AV)被抑制。另外，图14B示出了关于透射比和施加的电压之间的关系的曲线 图的例子。在这里，阈值电压是大约0.7V。例如，当电容(Cst和Cal) 之间的比值(Cst/Cal)设置为3或更大时，"AV"表示0.7V的值或 更小。这小于在先设置的阈值电压，因此可抑制在透射区域22的光泄漏。作为增加电容比(Cst / Cal)的示例方法，可以增加有机薄膜层 14的薄膜厚度。具体地，在这里假设具有这样的像素结构，其中绝缘 薄膜层12用薄膜厚度为0.15/mi的SiO薄膜(相对介电常数=4.0)和 薄膜厚度为0.3pm的SiN薄膜(相对介电常数=6.4)形成，绝缘薄膜层13用薄膜厚度为0.15/mi的SiN薄膜形成，而有机薄膜层14用基于 丙烯酰基的树脂(acryl-based resin)(相对介电常数=3.2)形成。因此，当反射器的面积是形成反射和透射区域21、 22的每个存储 电容Cstl和Cst2的电极的面积的两倍时，根据图14C所示的有机薄膜 层的薄膜厚度和偏移电压之间的关系，用于使偏移电压小于0.7V (阈 值电压)的有机薄膜层的薄膜厚度为0.5pm或以上。因而，即便用反 射器没有被电隔离的结构，第二示例性实施例的液晶显示装置也能够 抑制偏移电压并且抑制由光泄漏引起的可见度的劣化。第三示例性实施例作为第三示例性实施例，下面将描述利用配线的变化作为本发明 的示例性实施例的抑制装置的情况。根据第三实施例的抑制装置具有这样的结构，其中用于向单位像 素供给扫描信号的扫描线31与反射器23、 24和25的底层隔离，以使 来自扫描线31的电场可以布置在影响反射器23、 24和25的电位的区 域以外。下文将描述本发明的第三示例性实施例。相同的附图标记将 用于与上面描述的第一和第二实施例相同的部件。如图15所示，第三示例性实施例的单位像素的结构与其他示例性 实施例不同的是，扫描线31被提供在离开透射区域22的远侧的端部， 即在单位像素本身和离开透射区域22的远侧像素之间的边界处。换句 话说，该扫描线31设置在不与反射器重叠的位置。而且，反射公共电极A37在与提供扫描线31的平面相同的平面上 设置在反射区域21内，而透射公共电极A38离开反射公共电极A37 设置在透射区域22 —侧上。因而，TFT也形成在提供扫描线31的一 侧上。这种透反液晶显示装置的其他结构与上面描述的第二示例性实 施例的结构几乎是同样的。如上所述，通过将扫描线31设置在离开单位像素结构的透射区域 的远侧(上端)上，即通过将扫描线提供在不与反射器重叠的位置， 能够抑制由扫描线31产生的电场的影响对反射器的电场施以影响。在IPS透反液晶显示装置的反射区域中，通常，存在这种可能性， 原来对其基板设置为水平的电场方向由于施加给反射器的电位产生的 偏移或波动变得扰乱。如上所述，通过将扫描线31布置在从观察者侧观察的反射器不与扫描线31重叠的反射区域21的端部，扫描线31不通过反射器的背面 侧(底层侧)。这使得能够使减轻从扫描线31产生的电场的影响对反 射器的电位施以影响。由此，电位(电场)能够以平行于基板的方向施加于反射区域21 的液晶层。因此，能够改善反射区域的对比度和可见度。第四示例性实施例作为本发明的第四示例性实施例，下面将描述透射区域22的部分 存储电容Cst 2的布置在作为本发明的实施例的抑制装置的反射器23、 24和25的底层的区域以外的情况。相同的附图标记用于与上面描述的 第一、第二和第三实施例相同的部件。如图16所示，根据本发明第四示例性实施例的透反液晶显示装置 的单位像素结构具有设置在不与反射器23、 24和25重叠的，即在反 射器23、 24和25的区域之外的透射区域22的存储电容的部分(具体 地，透射像素电极36a和透射公共电极38a的部分)。如图16所示， 在这个示例性实施例中，透射公共电极38a和透射像素电极36a的部分 布置在离开反射区域21 —侧(具有在图16所示斜线的部分)的远侧 上的在透射区域22内的端部处。因而，透射区域22的部分存储电容形成在用斜线图示的透射公共电极A38和透射像素电极A36之间。如上所述，第一至第三示例性实施例的反射区域21和透射区域22 的存储电容提供在反射器的底层与反射器重叠的位置。但是，第四示 例性实施例不同于其他实施例，在于透射区域22的部分存储电容提供 在不与反射器重叠的位置。在这种情况下，用于防止液晶分子反向旋转的结构能够提供给设 置在不与反射器重叠的反射器的底层上的位置处的透射公共电极和透 射像素电极。这特别使得能够抑制透射区域的上端和下端的向错 (disclination)，因此可改善液晶显示装置的可见度。虽然上面已经参考IPS透反液晶显示装置的情况描述了第一至第 四实施例，但是本发明不仅限于这种情况。本发明还能够应用于TN、 VA、以及FFS透反液晶显示装置。接下来，将面描述本发明的另一个示例性实施例。根据本发明另 一个实施例的透反液晶显示装置具有背面侧基板、观察者侧基板以及 夹在两个基板之间的液晶层，并且配置有驱动液晶层的单位像素(每 个包括用于反射来自观察者侧的反射光的反射区域和用于透射来自背 面侧的透射光的透射区域)。该透反液晶显示层可以形成在这种结构 中，其中 一对电隔离的反射器1和2形成在反射区域；用于反射区 域和透射区域的其每个由数据信号驱的反射像素电极和透射像素电 极，或者由公共信号驱动反射公共电极和透射公共电极，被提供在反 射器1和2的背面侧基板侧上；以及分别在反射像素电极与透射像素 电极之间和反射公共电极与透射公共电极之间形成存储电容。而且，具有背面侧基板、观察者侧基板和夹在该两个基板之间的 液晶层并且配置有用于驱动液晶层的单位像素(每个包括用于反射来 自观察者侧的反射光的反射区域和用于透射来自背面侧的透射光的透射区域)的该透反液晶显示装置可以形成在这种结构中，其中其每 个由数据信号驱动的反射像素电极和透射像素电极在反射器的背面侧 基板侧上提供给反射区域和透射区域；分别在反射像素电极和透射像 素电极的背面侧基板上提供反射公共电极和透射公共电极，用于与该 反射像素电极和透射像素电极形成存储电容；并且，假如形成在反射 和透射公共电极以及反射和透射像素电极之间电容值为Cl，形成在反射和透射像素电极与反射器之间的电容为C2，并且a为C2/(C1+C2)， a的值和该反射和透射公共电极与反射器之间的电位差V满足"0.5〉V Xa"的关系。而且，透反液晶显示装置可以以这样的方式构造，即形成在反射 像素电极与反射器之间的电容值C3和形成在反射像素电极与反射公共 电极之间的反射存储电容值C4满足"3〈C4/C3"的关系，并且形成在 透射像素电极与反射器之间的电容值C5和形成在透射像素电极与透射 公共电极之间的透射存储电容值C6满足"3<C6/C5"的关系。由此，孔径比在反射区域和透射区域的液晶显示能够增大。同时， 能够有效地抑制液晶部分的光泄漏，并且改善对比度以及可见度。而且，用于对每个单位像素供给扫描信号的扫描线可以布置在离 开透射区域的一侧上的在单位像素内的反射区域的端部。这使得能够抑制扫描线施于反射器的电位的影响，因此能够改善 在反射区域中的对比度和可见度。而且，部分透射像素电极和透射公共电极可以提供在不与反射器 重叠的透射区域端部。通过提供用于抑制当液晶显示被驱动时在透射区域的上部和下部 产生的向错的结构，能够改善透射区域的可见度。而且，作为用于驱动每个单位像素的液晶层的模式，可以利用从IPS (共面转换)、FFS (边缘场转换)、VA (垂直配向)以及TN (扭转向列)中选择的任何一种模式。虽然参考其示例性实施例具体示出并描述了本发明，但是本发明 不限于这些实施例。本领域的普通技术人员应当理解，在不脱离由权 利要求限定的本发明的精神实质和范围的情况下可以对其形式和细节 进行各种改变。工业适用性本发明优选地能够用于例如便携式电话、游戏机、数字照相机以 及视频摄像机的便携式终端装置的液晶显示装置。
权利要求
1. 一种透反液晶显示装置，包括在单位像素内，具有反射器以及成对的像素电极和公共电极的反射区域，和具有成对的像素电极和公共电极的透射区域；以及提供给所述反射区域和所述透射区域的液晶层，所述透反液晶显示装置还包括用于所述反射区域和所述透射区域的存储电容，提供在所述反射器的底层内，以通过跟随所述公共电极的电位来改变所述像素电极的电位；以及抑制装置，用于抑制当由于在所述反射器和所述像素电极之间产生的电容耦合使所述像素电极受所述反射器的电位的影响时产生在所述液晶层的光泄漏。
2. 如权利要求l所述的透反液晶显示装置，其中所述抑制装置具 有如下的结构在该结构中形成在所述反射区域的静态电极和所述反 射器之间的电容与形成在所述透射区域的静态电极和所述反射器之间 的电容是电隔离的。
3. 如权利要求l所述的透反液晶显示装置，其中 所述液晶层具有这样的特性，即当施加超过阈值的偏移电压时，在所述透射区域产生光泄漏；并且所述抑制装置被构造成通过利用所述反射区域的所述存储电容与 形成在所述反射区域的所述静态电极和所述反射器之间的所述电容之 间的电容比，以及所述透射区域的所述存储电容与形成在所述透射区 域的所述静态电极和所述反射器之间的所述电容之间的电容比，抑制 所述偏移电压以小于所述阈值。
4. 如权利要求3所述的透反液晶显示装置，其中假如在所述反射区域或所述透射区域中的所述存储电容的值为Cl，形成在所述反射区域或所述透射区域的所述静态电极与所述反射器之间的所述存储电容的值为C2，并且a为C2/(C1+C2)， a的值和所述反射器和与所述反射区域或所述透射区域的所述静态电极成对的反 射公共电极之间的电位差V满足"0.5>VXo;"的关系。
5. 如权利要求3所述的透反液晶显示装置，其中 形成在所述反射区域的所述静态电极与所述反射器之间的电容值C3和所述反射区域的存储电容值C4满足"3<C4/C3"的关系。
6. 如权利要求3所述的透反液晶显示装置，其中 形成在所述透射区域的所述静态电极与所述反射器之间的电容值C5和所述透射区域的存储电容值C6满足"3<C6/C5"的关系。
7. 如权利要求l所述的透反液晶显示装置，其中用于向所述单位 像素供给扫描信号的扫描线与所述反射器的底层隔离，将被布置在来 自所述扫描线的电场影响所述反射器的电位的区域以外。
8. 如权利要求l所述的透反液晶显示装置，其中所述透射区域的 部分所述存储电容被布置在所述反射器的底层的区域以外。
9. 如权利要求l所述的透反液晶显示装置，其由产生在所述像素 电极和所述公共电极之间的横向电场所驱动。
10. —种透反液晶显示装置，包括在单位像素内，具有反射器 以及成对的像素电极和公共电极的反射区域，和具有成对的像素电极 和公共电极的透射区域；以及提供给所述反射区域和所述透射区域的 液晶层，所述透反液晶显示装置还包括用于所述反射区域和所述透射区域的存储电容，提供在所述反射 器的底层内，以通过跟随所述公共电极的电位来改变所述像素电极的 电位；以及抑制装置，用于抑制当由于在所述反射器和所述像素电极之间产 生的电容耦合使所述像素电极受所述反射器的电位的影响时产生在所 述液晶层的光泄漏。
全文摘要
为了增大透反液晶显示装置的孔径比并且抑制光泄漏。提供了一种透反液晶显示装置，包括在单位像素内，包括反射器和成对的像素电极和公共电极的反射区域，和包括成对的像素电极和公共电极的透射区域；提供给该反射区域和该透射区域的液晶层；用于该反射区域和该透射区域、提供在该反射器的底层、以通过跟随该公共电极的电位来改变该像素电极的电位的存储电容；以及用于抑制当由于在该反射器和像素电极之间产生的电容耦合使像素电极受该反射器的电位的影响时产生在液晶层的光泄漏的抑制装置。
文档编号G02F1/1343GK101285976SQ200810091769
公开日2008年10月15日 申请日期2008年4月14日 优先权日2007年4月13日
发明者中谦一郎, 坂本道昭, 森健一, 永井博 申请人:Nec液晶技术株式会社