光刻设备和器件制造方法

专利名称：光刻设备和器件制造方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻设备和一种用于制造器件的方法。
背景技术：
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上
的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ic)的制造中。在这种情
况下，可以将可选地称为掩模或掩模版(reticle)的图案形成装置用于生成在 所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案成像到衬底(例如， 硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、 一个或多个管芯)上。 通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗 蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标 部分的网络。公知的光刻设备包括所谓步进机，在所述步进机中，通过 将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓 扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向("扫描"方向)扫描 所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每 一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案 形成装置将图案转移到衬底上。
曾有提议将光刻投影设备中的衬底浸没到具有相对高的折射率的液 体中(例如水)，这样在投影系统的最终元件和衬底之间的空隙上填充液 体。优选地，所述液体可以是蒸馏水，也可以采用其他液体。本发明的实 施例基于液体来描述。然而，别的液体也是合适的，尤其是浸湿液体、不 能压縮的液体和/或具有比空气更高折射率的液体，优选折射率高于水。这 种方法的关键在于能够对更小特征成像，因为曝光辐射在液体中具有更短 的波长。(液体的效果也可以认为是提高系统的有效数值孔径(NA)同时 增加了焦深。)其他的浸没液体也有提到，包括含有悬浮的固体颗粒(例如石英)的水或具有纳米颗粒悬浮物(颗粒最大尺寸达到10nm)的液体。
这种颗粒具有与它们悬浮其中的液体相似或相同的折射率。可选择的或附 加的是浸没液体包括碳氢化合物、含氢碳氟化合物和水溶液。
然而，将衬底或衬底与衬底台浸入液体溶池(参见，例如美国专利
US4，509，852，在此以引用的方式并入本文中)意味着在扫描曝光过程中需 要加速很大体积的液体。这需要额外的或更大功率的电动机，而液体中的 湍流可能会导致不希望的或不能预期的效果。
提出来的解决方法之一是液体供给系统通过使用液体艰制系统只将 液体提供在衬底的局部区域上(通常衬底具有比投影系统的最终元件更大 的表面积)且在投影系统的最终元件和衬底之间。提出来的一种用于设置 上述解决方案的方法在公开号为WO99/49504的专利申请中公开了，在此 该专利申请的内容以引用方式并入本文中。如图2和图3所示，液体优选 地沿着衬底相对于最终元件移动的方向，通过至少一个入口 IN供给到衬 底上，并在已经通过投影系统下面后，液体通过至少一个出口 OUT去除。 也就是说，当衬底在所述元件下沿着一X方向扫描时，液体在元件的+X 一侧供给并且在一X—侧去除。图2是所述配置的示意图，其中液体通过 入口IN供给，并在元件的另一侧通过出口 OUT去除，所述出口OUT与 低压力源相连。在图2中，虽然液体沿着衬底相对于最终元件的移动方向 供给，但这并不是必须的。可以在最终元件周围设置各种方向和数目的入 口和出口，图3示出了一个实施例，其中在最终元件的周围在每侧上以规 则的图案设置了四个入口和出口。
在图4中示出了另一个采用液体局部供给系统的浸没光刻方案。液体 由位于投影系统PL每一侧上的两个槽状入口 IN供给，由设置在入口 IN 沿径向向外的位置上的多个离散的出口 OUT去除。所述入口 IN和出口 OUT可以设置在板上，所述板在其中心有孔，投影束通过该孔投影。液体 由位于投影系统PS的一侧上的一个槽状入口 IN提供，由位于投影系统 PL的另一侧上的多个离散的出口 OUT去除。这引起投影系统PS和衬底 W之间的液体薄膜流。选择使用哪组入口 IN和出口 OUT组合可能依赖于 衬底W的移动方向(另外的入口 IN和出口 OUT组合是不被激活的)。
在欧洲专利申请公开出版物No.1420300和美国专利申请公开出版物
7No.2004-0136494中(在此以引用的方式将该两个申请的内容整体并入本 文中)，公开了一种成对的或双台浸没光刻设备的方案。这种设备具有两 个台用以支撑衬底。在第一位置以台进行水平测量，但没有浸没液体。在 第二位置以台进行曝光，其中设置浸没液体。可选的是，设备仅具有一个 可在曝光和测量位置之间移动的台。
在浸没光刻设备中，浸没液体的液滴可能会非故意地转移到，或遗留 在特定时间特意保持无浸没液体的表面上或表面的一部分上。这就会导致 产生缺陷衬底的问题。

发明内容
本发明旨在，例如，减少这种不希望有的液滴在浸没光刻设备的一个 或多个表面上的形成和/或从浸没光刻设备的一个或多个表面上去除浸没 液体的这种不希望有的液滴。
根据本发明的实施例，提供一种光刻设备，包括表面，所述表面至 少定期地接触浸没液体；和主动浸没液体控制系统，所述主动浸没液体控 制系统包括第一电极，所述第一电极电连接到被控制的浸没液体，第二 电极，所述第二电极与所述表面结合并与所述被控制的浸没液体电绝缘， 和电压控制器，构造成在第一和第二电极之间提供受控制的电压差。
根据本发明的实施例，提供一种器件制造方法，包括将衬底支撑在 衬底台上；应用投影系统将图案化的辐射束投影到所述衬底；应用浸没系 统供给浸没液体到所述投影系统的最终元件和所述衬底或衬底台之间的 空隙；通过在电连接到将被控制的浸没液体的第一电极和与所述表面结合 并与将被控制的浸没液体电绝缘的第二电极之间施加受控制的电压，控制 位于至少一个表面上的浸没液体，所述至少一个表面选自下面的表面投 影系统的表面、衬底台的表面和浸没系统的表面。
根据本发明的实施例，提供一种浸没光刻设备，包括
衬底台，构造成保持衬底，其中衬底、衬底台或衬底和衬底台两者涂 覆有电绝缘材料层；
投影系统，构造成将图案化的辐射束投影到衬底；
阻挡元件，构造成至少部分地将液体限制在投影系统和衬底或衬底台之间的空隙上，所述阻挡元件构造成使得在阻挡元件和衬底或衬底台之间 存在间隔，在所述间隔中当液体处在所述空隙中时，在液体和包围的气体 之间形成包围所述空隙的弯液面，并且阻挡元件包括设置成与邻近弯液面 区域的液体电接触的电极；禾口
电压控制器，构造成当在衬底台和投影系统之间在基本上朝向所述弯 液面区域的方向上存在相对移动时，在电极和所述衬底、所述衬底台或所 述衬底和所述衬底台之间提供受控制的电压差。
根据本发明的实施例，提供一种器件制造方法，包括 将衬底支撑在衬底台上，其中所述衬底、衬底台或所述衬底和所述衬
底台两者涂敷有电绝缘材料层；
使用投影系统将图案化的辐射束投影到衬底上；
供给液体到投影系统和衬底或衬底台之间的至少部分地由阻挡元件 限定的空隙，其中，在阻挡元件和衬底、衬底台或衬底和衬底台两者之间 存在空隙，在所述空隙中液体和包围的气体之间形成包围所述空隙的弯液
面，并且所述阻挡元件包括与邻近弯液面区域的液体电接触的电极；和 当在所述衬底台和所述投影系统之间在基本上朝向所述弯液面区域
的方向上存在相对移动时，在电极和衬底、衬底台或衬底和衬底台两者之
间提供受控制的电压差。
根据本发明的实施例，提供一种浸没光刻设备，包括至少周期地接
触浸没液体的表面；和主动浸没液体控制系统，构造成控制位于所述表面
上的浸没液体的接触角。
根据本发明的实施例，提供一种在浸没光刻设备中控制位于表面上的
液体的状态的方法，包括控制位于表面上的浸没液体的接触角。


下面结合附图，仅以示例的方式描述本发明的实施例，在附图中相应 的附图标记表示相应的部件，在附图中-
图1示出根据本发明实施例的光刻设备；
图2和3示出用于现有技术的光刻投影设备中的液体供给系统； 图4示出另一用于光刻投影设备中的液体供给系统；图5示出另一用于光刻投影设备中的液体供给系统；
图6示出显示形成有不希望有的液滴的典型位置的阻挡元件和包围区 域实例的放大截面图7示出结合本发明实施例的浸没光刻设备的表面的示意图8示出本发明实施例在浸没光刻设备的应用；
图9示出图8中的实施例在浸没光刻设备的具体应用；
图10和11示出浸没光刻设备面临的问题；
图12示出根据本发明的实施例与图IO和11相关的问题的解决方案； 图13和14示出根据图12的实施例在浸没光刻设备中的浸没覆盖物 的可选择的结构；
图15和16示出本发明实施例在浸没光刻设备中的应用；和 图17和18示出图15和16示出的本发明的实施例的其他应用。
具体实施例方式
根据本发明的一个实施例，图l示意地示出了一种光刻设备。所述光 刻设备包括
照射系统(照射器)IL，配置用于调节辐射束B (例如，紫外(UV)
辐射或深紫外(DUV)辐射)；
支撑结构(例如掩模台)MT，配置用于支撑图案形成装置(例如掩 模)MA并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定 位装置PM相连；
衬底台(例如晶片台)WT，配置用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂 的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装
置PW相连；以及
投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，所述投影系统PS配置用 于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分 C (例如包括一根或多根管芯)上。
所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、 磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、 成形、或控制辐射。支撑结构MT以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及诸 如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成 装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术保 持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要 成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的 位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语"掩模版"或"掩 模"都可以认为与更上位的术语"图案形成装置"同义。
这里所使用的术语"图案形成装置"应该被广义地理解为表示能够用 于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成 图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标 部分上所需的图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特 征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定 的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括 掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻 中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型 相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的 示例采用小反射镜的矩阵布置，可以独立地倾斜每一个小反射镜，以便沿 不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射 镜矩阵反射的辐射束。
应该将这里使用的术语"投影系统"广义地解释为包括任意类型的投 影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光 学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如 使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语 "投影透镜"可以认为是与更上位的术语"投影系统"同义。
如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替 代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射 镜阵列，或采用反射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或 更多的图案形成装置台)的类型。在这种"多台"机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在将一个或更多个其它台用于曝光的同时，在一个或 更多个台上执行预备步骤。
参照图l，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源和所述 光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情 况下，不会将该源考虑成光刻设备的组成部分，并且通过包括例如合适的
定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源 SO传到所述照射器IL。在其他情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成 部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及 如果需要时的所述束传递系统BD—起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器 AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部
和/或内部径向范围(一般分别称为CT-外部和CT-内部)进行调整。此外，
所述照射器IL可以包括各种其他部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以 将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和 强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图 案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图 案。已经穿过图案形成装置MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所 述PS将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和 位置传感器IF (例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助， 可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述 辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描 期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图l中未明确示 出)用于将图案形成装置MA相对于所述辐射束B的路径精确地定位。通常， 可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和 短行程模块(精定位)的帮助来实现支撑结构MT的移动。类似地，可以 采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实 现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述支撑 结构MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用图案形 成装置对准标记M1、 M2和衬底对准标记P1、 P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是他们可以 位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对齐标记)上。类似地，在将 多于一个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下，所述图案形成装置 对准标记可以位于所述管芯之间。
可以将所述设备用于以下模式的至少一种
1. 在步进模式中，在将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标
部分C上的同时，将图案形成装置支撑结构MT和衬底台WT保持为基本 静止(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移 动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸 限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2. 在扫描模式中，在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上 的同时，对图案形成装置支撑结构MT和衬底台WT同步地进行扫描(即， 单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以通 过所述投影系统PS的(縮小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模 式中，曝光场的最大尺寸限制了单一的动态曝光中的所述目标部分的宽度
(沿非扫描方向)，而所述扫描移动的长度确定了所述目标部分的高度(沿 所述扫描方向)。
3. 在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构MT
保持为基本静止状态，并且在将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C
上的同时，对所述衬底台WT进行移动或扫描。在这种模式中，通常采用
脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的
连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模
式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反
射镜阵列)的无掩模光刻中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
在浸没光刻设备中，浸没液体的液滴可能会非故意地转移到，或遗留 在特定时间特意地保持无浸没液体的表面或表面的一部分上。这就会引起 导致生产缺陷衬底的问题。
一个问题可能是不希望有的液滴的存在会导致其本身的缺陷。例如， 如果不希望有的液滴形成或遗留在透镜或传感器元件上，这将会改变所述元件的光学性能并导致(例如)检测和/或聚焦的不准确性。
此外，如果不希望有的浸没液体液滴遗留在所述表面上，然后它们蒸
发。接着，这种蒸发引起热负载，并施加到包括不希望有的液滴位于其上
的表面的光刻设备的元件上。这种热负载通过(例如)以不受控制的方式
改变所述元件的光学性能和/或使所述元件物理变形，导致进一步的不准确。
由让所述不希望有的液滴遗留在所述表面并且蒸发引起的还一问题 是， 一旦所述液体蒸发了污染物可能积聚在所述表面上。污染物可能是由 所述浸没液体中积聚的杂质或所述浸没液体的添加剂导致的。
用于去除所述不希望有的浸没液体液滴的一种可能的技术是，被动地 从液滴所在的表面去除它们。这可以通过应用憎液性的涂敷层到所述表面 来实现。可选择地，通过使用憎液性和亲液性涂敷层的结合来实现。然而， 这些被动去除不希望有的液滴的技术去除液滴相对较慢。因而，上面简述 的与液滴的存在相关的一个或多个问题还是会发生。
一种更快地去除不希望有的浸没液体液滴的方法是利用气流将它们 从表面吹走。然而，使用这种气流会导致所述液滴的部分蒸发，这接着会 带来一个或多个这里讨论到的相关的问题，例如，热负载和/或积聚杂质。
希望从浸没光刻设备的表面去除不希望有的浸没液体液滴，希望是从 其浸没系统去除，快速并不会招致显著的浸没液体液滴的蒸发。正如这里 用到的，"浸没系统"至少包括液体处理系统、衬底台WT和投影系统PS 的最终元件。虽然下面讨论本发明的实施例用到液体，但是相同的原理可 以用于其他流体。例如，可以理解，本发明的实施例至少适用于流体液滴、 液体液滴、其中含有悬浮的固体颗粒的流体液滴和含有悬浮的固体颗粒的 液体液滴。
术语"液滴"可以用来表示，例如，没有形成比其自身大的液体主体
(body ofliquid)的一部分的离散液滴。而且，液滴不能通过液体连接到 其他液体主体。还应该理解，在本申请中提到的控制或去除多个液滴等同 地适用于控制或去除单个液滴，反之亦然。
也应该理解，本发明的实施例可以应用到光刻设备中的任何部件。具 体地讲，可以应用到浸没光刻设备中的任何部件，例如包括浸没系统。本发明的实施例最有可能应用到其上形成有不希望有的浸没液体液滴的易 受影响的表面。这包括例如以下部件的表面和/或其周围投影系统PS的 最终元件；衬底W;衬底台WT;液体处理系统，例如液体处理系统的阻 挡元件120;和/或浸没系统，也就是在浸没光刻设备中用于提供、限制或 控制浸没液体的系统。
本发明的实施例特别适用于任何形式的浸没光刻设备，所述光刻设备 包括具有液体局部供给系统(也就是，"局部区域")或具有例如"溶池" 和"全浸湿"设置的未限制的液体供给系统的浸没系统。在溶池结构中， 衬底全部浸入(也就是，淹没)在浸没液体的溶池中。在"全浸湿"结 构中，衬底的面对投影系统的主表面全部覆盖有浸没液体。浸没液体可以 以如所期望的那样薄的膜的形式覆盖所述衬底。提供浸没液体使得其能自 由地流过衬底并且可能流过围绕衬底主表面的衬底台。
在另一个具有液体局部供给系统的浸没光刻设备中，供给系统具有阻 挡元件(或称为浸没覆盖物)，所述阻挡元件沿投影系统的最终元件和衬 底台之间的空隙的边界的至少一部分延伸。图5示出了这种解决方案。所
述阻挡元件相对于投影系统在XY平面上是基本上固定的。然而，在Z方
向上可以存在一些相对移动(在光学轴向方向)。在阻挡元件和衬底的表 面之间形成密封。
参见图5，密封元件16围绕投影系统的像场形成对衬底的非接触密 封，使得限制液体以充满衬底表面和投影系统的最终元件之间的储液装置 或浸没空隙11。所述储液装置11由位于所述投影系统PL的最终元件的下 面和周围的阻挡元件12形成。将液体引入到投影系统下面和阻挡元件12 内的空隙位置。例如，液体可以通过端口 13供给和/或去除。阻挡元件12 在投影系统的最终元件的上面延伸一点。液体在最终元件之上，以形成液 体的缓冲器。阻挡元件12具有内部周缘，所述内部周缘在上端处，在一 种结构中，与投影系统或其最终元件的形状接近一致，并且可以是例如圆
形的。在底端，所述内部周缘与像场的形状接近一致，例如矩形，但不是 必须这样。
液体通过阻挡元件12的底部和衬底W的表面之间的气体密封16而 被限制在储液装置中。气体密封通过气体形成，例如空气或合成空气。在一个实例中，氮气或其他惰性气体在压力下通过入口 15提供到阻挡元件
12和衬底W之间的间隙。气体通过第一出口 14被抽取。加在气体入口 15上的过压、第一出口 14上的真空水平和间隙的几何形状配置成使得存 在径向向内的、限制所述液体的高速气流。这样的系统在美国专利申请出 版物no. US 2004-0207824中公开。
浸没光刻设备的还一实例在图6中示出。图6中的所述设备具有例如 用于供给、限制和去除浸没液体的液体处理系统。液体处理系统包括阻挡 元件120。液体处理系统具有一个或更多个液体供给系统(图6中未示 出，但类似于图5中的入口 13);液体去除系统18、 181;和/或用以阻挡 通过它的浸没液体的移动的密封元件160。密封元件160可以用于将浸没 液体限制在容积中。典型的局域化区域浸没光刻设备，例如图6中示出的， 可以用于限制浸没液体的主要部分(mainbody) 200。
一个或更多个不希望有的浸没液体液滴可能遗留或形成在浸没光刻 设备的任何表面，例如它的浸没系统。图6示出通过一种浸没光刻设备的 浸没系统和周围特征部分的截面部分的近视图。图6示出形成在或遗留在 浸没光刻设备的图示部分的一个或多个表面上的多个不希望有的液体液 滴的位置。为了简单，仅示出了通过所述浸没系统和周围特征部分的截面 部分的一半。图6中示出的不希望有的液滴的位置典型地是那些在常规浸 没光刻设备中发现的位置，如下面所述。然而，应理解到， 一个或多个不 希望有的浸没液体液滴可能形成在浸没光刻设备的任何其他表面。
阴影区域示出浸没液体的位置。图6中仅示出所述设备的所期望的浸 没液体所在的部分是区域200。区域200由投影系统PS的最终元件、衬 底W (或衬底台WT)和阻挡元件120的表面限制。主要的弯液面201在 阻挡元件120的底部表面121和衬底W之间延伸。液体边界202在阻挡 元件120和投影系统PS的最终元件之间延伸。可以通过例如表面张力形 成液体边界202。
可能形成有不希望有的浸没液体液滴的典型区域是阻挡元件120的面 向衬底W的表面121。如图6所示，阻挡元件120设置有形成在阻挡元件 120的面向衬底W的表面121上的浸没液体抽取管路18。浸没液体抽取 管路18是液体处理系统的一部分，其控制通过浸没光刻设备的浸没液体的流量。所述管路18是位于不同的周缘位置上的多个针式抽取管路中的 一个。所述管路18定位在所述区域200周围。所述管路配置成最终通过
开口到负压的出口 181去除浸没液体。所述系统有效地确保多数浸没液体 不会径向超过抽取管路18的入口。但是，有些浸没液体可能没有通过抽 取管路18抽取，然后这些液体可能在需要浸没液体的所述区域200的外 侧形成不希望有的液滴。位于阻挡元件120上的这些液滴随后落到衬底上， 导致在衬底W上的缺陷。这些缺陷在图案缺陷测试中显示为弧形和直线。
典型地，浸没液体101的不希望有的次要部分(secondary body) 101 可能正好形成在抽取管路18的入口外。这个浸没液体101的次要部分在 所述阻挡元件120的面向衬底W的所述表面121和衬底W和/或衬底台 WT之间形成。这里当提到衬底W或衬底台WT时，它能够表示衬底W 和衬底台WT。因为衬底W和衬底台WT相对于阻挡元件120和投影系统 PS移动，浸没液体101的次要部分相对于衬底W移动，而在衬底W和/ 或衬底台WT的表面上形成液滴102。这意味着，不希望有的浸没液体液 滴102的痕迹会遗留在衬底W和/或衬底台WT上。 一个或多个不希望有 的液滴也可能会形成在阻挡元件的表面121上。然后，这些由浸没液体101 的次要部分产生的液滴102会在衬底W和/或衬底台WT上引起缺陷。这 些缺陷在图案缺陷测试中显示为弧形和直线。
没有被抽取管路18收集的液体可能被搬运进一步离开浸没液体的主 要部分200。为了阻止或至少减少这种情况，浸没光刻设备可能具有气体 密封160。在示出的实施例中，气体密封160是具有入口 150的气刀，气 体通过所述入口进入浸没系统。来自气刀160的气流被引导朝向衬底W。 气刀160配置成阻挡任何浸没液体通过它。理想地，所述气刀160阻止任 何浸没液体通过它。图6中的箭头161和162显示了气体流动路径的方向。 最终，沿着路径161 (也就是在朝向浸没液体的主要部分200的方向)的 所述气流也通过出口 181排出。
在阻挡元件120内所述气刀160的径向朝内处设置凹口 170 (相对于 投影系统的光学轴向)。所述凹口 170为来自气刀160的沿流动路径161 径向向内流动的气刀的气体提供合适的气体流动路径。
不希望有的浸没液体液滴可能形成在气刀160的任一侧。例如，它们可能形成在径向向内的表面上(相对于投影系统的光学轴向)。它们可能 沿径向向外形成在气刀160的外侧。不希望有的浸没液体的液滴可能形成 在气刀160的径向朝外的表面上，因为例如来自气刀的气体引起衬底或衬 底边缘上的液滴向上飞溅到浸没系统的表面，例如阻挡元件120的面向衬
底W的下表面121。在图6示出的实例中，在气刀160的径向朝外的表面 上未示出不希望有的浸没液体液滴。
在示出的实施例中，不希望有的浸没液体液滴已经形成在气刀160径 向向内的表面上(也就是，在朝向浸没液体的主体200的方向上)。图6 的实例示出了两个液滴。 一个液滴103在形成气体出口路径161的所述凹 口 170的径向向内的表面上。 一个液滴104在形成气体出口路径161的所 述凹口 170的径向向外的表面上。液滴103和104很容易落下或流到衬底 表面W上，例如借助重力，潜在地引起诸如上面讨论到的问题。任何经 历来自气刀160运行的循环的气体流动的表面将尤其容易在其上形成浸没 液体液滴。
除了图6示出的这些已经形成在阻挡元件120的面向衬底W的表面 上的液滴102、103，不希望有的浸没液体液滴可能会形成在任何其他位置。 所述不希望有的浸没液体液滴的精确位置依赖于，例如液体处理系统的具 体设计。所述不希望有的浸没液体液滴的精确位置依赖于，例如所述阻挡 元件120、投影系统PS、衬底W和衬底台WT的具体相对移动。
不希望有的液滴可能形成在具有焊接接头的表面。从这种接头的表面 去除所有浸没液体是尤其困难的。
可能形成不希望有的浸没液体液滴的还一区域是在投影系统PS的最 终元件和阻挡元件120的相对的表面上，例如阻挡元件120的面向远离衬 底W的表面122上。表面122可以位于衬底W和投影系统PS的最终元 件之间，并且可以被称为所述阻挡元件120的上表面122。所述表面很容 易形成不希望有的浸没液体液滴。投影系统PS的最终元件的下表面上也 很容易形成不希望有的浸没液体液滴。
不希望有的浸没液体液滴形成在这些表面上的原因是，在步进式和/ 或扫描式操作过程中，衬底台WT和衬底W相对于投影系统PS、阻挡元 件120和液体处理系统的其他部分移动。主要部分200中的浸没液体的动
18量引起液体的移动，使得其上面的弯液面(也就是液体边界202)在投影
系统的最终元件的表面和阻挡元件120的上表面之间移动。在扫描方向的 方向上的阻挡元件前部处的液体边缘部分朝向投影系统的光学轴向移动； 在扫描方向上的阻挡元件后部处的液体边缘部分远离所述光学轴向移动。 当扫描方向在下一扫描步骤中改变成相反方向时，所述液体边缘的每一部 分的移动方向就改变。因此通过连续的扫描动作，所述液体边缘的位置振 荡。当扫描动作加快，振荡就加快并且不受控制。因而，液滴可以由液体 边缘的移动形成。这种现象被称为"晃荡(sk)shing)"。相对的动作导致浸 没液体的液滴沉淀到例如投影系统PS的最终元件上和/或阻挡元件120的 上表面122。投影系统PS的最终元件，如这里所说，可以是例如投影透 镜，例如所谓的韦勒(WELLE)透镜。在一般的应用中，阻挡元件120 和投影系统PS的最终元件之间的浸没液体的液面水平可以变化，并且只 要浸没液体从表面上退出，都会有不希望有的液滴遗留。
可选择地或附加地，当衬底W和/或衬底台WT相对地朝阻挡元件120 移动时，结果在阻挡元件120的表面122 (也就是远离衬底W和/或衬底 台WT的表面)和投影系统PS的最终元件的下表面(也就是面向衬底W 和/或衬底台WT的表面)上可能形成不希望有的液滴。如果例如控制衬底 W或衬底台WT发生误差，这种情况就可能发生。如果发生这种情况，浸 没液体的主体200就可能溢出到阻挡元件120的远离衬底W的所述表面 122和投影系统PS的最终元件的下表面之间的区域。当这种溢出的浸没 液体退去时(例如当衬底W和衬底台WT移回远离阻挡元件120)，不希 望有的浸没液体液滴可能会遗留在阻挡元件120的所述表面122和投影系 统PS的最终元件的下表面上。
在图6示出的实例中，示出了位于阻挡元件120的上表面122上的一 个不希望有的液滴105。在投影系统PS的下表面上示出了另一个不希望 有的液滴106。
如上面解释的，如果任何不希望有的液滴遗留在所述表面中的一个 上，那么它会蒸发，因而可能把不希望有的热负载施加到具体的表面上。 对于位于投影系统PS的最终元件的下表面上的液滴106的情形，这可能 是尤其成问题的，因为由于所述液滴的蒸发会把不希望有的热负载施加到投影系统PS的最终元件。这将会影响投影系统PS的光学属性和性能。如 果例如投影系统PS的最终元件是透镜元件，这将尤其成问题。在蒸发过 程中，热负载可能随着时间变化导致所述投影系统PS的光学性能的不可 预知的变化。对于这种光学性能不可预知的变化的补偿可能极难以实现。
如果遗留了液滴，在阻挡元件120的上表面122上的液滴105可能蒸 发引起不希望有的热负载到阻挡元件120。这种不希望有的热负载可能引 起阻挡元件120的变形。这会导致例如难以定位所述阻挡元件120。这会 导致浸没液体的主体200的光学性能被改变。
此外，浸没系统中的任何液滴的蒸发会引起限制浸没液体的主体200 的多个表面变冷。例如，投影系统PS的最终元件的下表面，阻挡元件120 的表面和/或衬底表面本身可能冷下来。接着，这导致浸没液体的主体200 本身冷下来，因而例如通过改变所述液体的折射率影响浸没液体的主体 200的光学性能，。
图7示出帮助从浸没光刻设备的表面去除浸没液体的液滴的本发明的 实施例。如图所示，所述表面20设置有多个电极21、 22。第一型电极21 形成在或暴露在所述表面20上，使得在所述表面上的浸没液体的液滴23 可以直接接触第一型电极21。因而，所述第一型电极21可以电连接到所 述液滴23的浸没液体。如图7所示，第二型电极22形成在所述表面20 上的电绝缘层24内。可选择地或可附加地，所述第二型电极22形成在所 述表面20并且涂敷有绝缘层。在任何情况下，第二型电极22与两个第一 型电极21以及任何形成在所述表面20上的浸没液体的液滴23是隔离的。
提供电压控制器25并设置成使得它能在第一型电极21和第二型电极 22之间提供可控制的电压差。当提供这种电压差时，在接触到第一型电极 21的浸没液体的液滴23与邻近浸没液体的液滴23但与其绝缘的第二型电 极22之间就形成了电压差。结果，浸没液体的液滴23经历电浸湿效应。 因而，浸没液体的液滴23相对于所述表面20的接触角减小，并且所述液 滴23在所述表面上变得更加展开。
将这种系统应用到浸没光刻设备内的表面上的好处在于液滴经历电 浸湿效应，并因此在所述表面上展开，不容易从所述表面落下。因此，这 个系统可以应用到浸没液体的液滴形成其上并且随后会从其上落下的表面，例如应用到衬底。通过在表面20上展开浸没液体的液滴23，可以增
加液滴23与用于从所述表面20抽取浸没液体的管道26的开口接触的可 能性。例如，管道26可以充分的小使得浸没液体可以通过毛细作用从所 述表面20上抽取掉。此外，如在美国专利申请出版物no. US 2007-0146666 上公开的，管道26利用毛细作用和静电作用力的结合以促进浸没液体在 给定方向上流动。然而，任何形式的浸没液体的抽取可以用来与本发明的 实施例结合。如上面所述，应用减小液滴从所述表面20上落下的可能性 的电浸湿效应能够提供足够的优点，以致于本发明的实施例可以在没有浸 没液体抽取系统(例如管道26)或不运行这种系统的情况下使用。
在表面20上的电极21、 22的配置可以使得在电浸湿效应的影响下多 个在表面20上的离散的浸没液体液滴23充分展开，以至于在表面20上 形成连续的浸没液体的薄膜。有益的是，这有利于通过管道26去除所述 浸没液体，例如，和/或可以进一步减少浸没液体从所述表面20落下的可 能性。
可以应用任何数量的第一型电极21和任何数量的第二型电极22，依 赖于所述表面20的尺寸。同样地，可以应用任何在所述表面20上或邻近 所述表面20的电极的合适的构造或结构。在有利的结构中，可以选择邻 近的第一型电极的间隔使得所述间隔对应于被认为是对浸没光刻设备的 具体表面没有问题的浸没液体液滴的最大尺寸。因此， 一旦液滴变得足够 大到成问题时，例如因为液滴足够大以至于它会从所述表面落下或通过其 蒸发引起显著的变冷，液滴就会与至少一个第一型电极21接触，因而就 能产生电浸湿效应。
本发明的一个实施例可以应用到不希望有的浸没液体液滴可能形成、 位于或遗留的任何位置。例如，上面讨论的实施例可以应用到浸没液体液 滴可以形成在其上面的所有上述表面。例如，它可以应用到气体密封160 的径向向内的表面、形成气体出口路径161的凹口 170的径向内侧或外侧 表面或阻挡元件120的下表面121。此外，上述实施例可以应用到位于衬 底台WT的上表面上的表面上。这可能因为，例如，在位于朝向衬底W 边缘的管芯曝光过程中衬底和衬底台浸入到浸没液体中时，浸没液体液滴 可能遗留在衬底台的上表面，或在位于衬底和衬底台之间的密封上。上面所述的实施例可以提供至一个表面，在所述表面上不希望有的浸 没液体液滴会形成在"全浸湿"浸没光刻设备中。"全浸湿"浸没光刻设 备中包括浸没光刻系统，在所述浸没光刻系统中浸没液体是不受其浸没系 统的液体供给系统限制的。因而，在曝光过程中至少整个衬底W的经受 曝光的主表面浸入浸没液体。因而，即使在给定时间不被曝光的衬底区域 也由浸没液体覆盖。这与上面所述的在曝光过程中只是围绕衬底W的目 标部分的区域由浸没液体覆盖(也就是，衬底W当前被曝光的部分)的 配置是不同的。
这里所述的与其他实施例相关的形成不希望有的浸没液体液滴的实 例仍然可以应用到"全浸湿"浸没光刻设备。此外，"全浸湿"浸没光刻 设备可以把这里所述的实施例用到其他的可能会形成不希望有的浸没液 体液体的表面。
例如，不希望有的液滴可能形成在栅板、裙座和编码器头(所有这些
都会影响定位系统)，和/或衬底台WT上。具体地，关于衬底台WT，在 "全浸湿"浸没系统中，运行时衬底边缘和衬底台WT之间的间隙充满浸 没液体。然而，对于保留在该间隙中的浸没液体的液滴，和/或留在衬底边 缘的液滴，即使是经过干燥， 一般是不希望的。任何遗留在衬底台WT上 的液滴都会妨碍下一步衬底W被正确地定位在衬底台WT上。这会增加 衬底W的错误定位的可能性。而且，当后续的衬底W被放置在衬底台 WT上，遗留在衬底台WT上的不希望有的浸没液体液滴会飞溅到其它区 域，包括飞溅到衬底W本身。当这些不希望有的浸没液体液滴蒸发，它 们会导致一个或多个上面简述的问题。例如，液滴的蒸发会留下干燥污点， 留下污染物颗粒和/或引起不希望有的热负载给包括这些液滴所在表面的 元件。
因而，为了控制这些不希望有的浸没液体液滴和/或帮助它们的去除， 上面所述的实施例可以应用到"全浸湿"浸没系统的表面。例如，可以以 上面描述的基于衬底台WT的方式设置电极，也就是在面向衬底W的衬 底W的表面上。可以在衬底台WT和衬底W本身的外围边缘表面之间的 间隙中设置电极。还可以在例如衬底台的边缘等表面上设置电极。
关于图7中的上面所述的实施例涉及应用电浸湿用于控制形成在具有
22一个或多个针型浸没液体出口 18的浸没光刻设备的表面上的液滴。然而， 本发明的实施例可以与任何类型的浸没光刻设备一起应用。具体地，电浸 湿配置可以有益地应用到具有单相抽取系统的浸没光刻设备。可以是，例 如如图8所示的微筛浸没液体抽取系统。
在图8所示的配置中，液体抽取系统包括室171，该室保持轻微的负 压并充满浸没液体。所述室的下表面由多孔元件17 (也称为微筛)形成， 该多孔元件具有多个小孔，例如，小孔的直径在5-50pm范围。所述室的 下表面保持在离将要被去除的液体的表面(例如衬底W的表面)以上不 超过lmm的高度。例如，它可以在50-300pm范围内。多孔元件17可以 是穿孔的板或任何其它构造成允许液体通过的适当的结构。在实施例中， 多孔元件17至少是轻微地亲液性的，也就是到浸没液体具有小于90°的接 触角。理想的是，所述接触角小于60°，并且更理想地，小于30°。
负压使得形成在多孔元件17的孔上的弯液面阻止气体被拉入浸没液 体抽取系统的所述室171中。然而，当多孔元件17与位于衬底W或衬底 台WT上的液体接触时，没有弯液面限制流动。因而，液体可以自由流入 到浸没液体抽取系统的所述室171。这样的装置可以从衬底W的表面上去 除大部分液体而不会把气体拉入到所述室171。有关应用这种多孔元件的 更多细节可以在欧洲专利申请出版物no. EP 1 628 163中找到。
在图8的实例中，通过靠近阻挡元件120的下侧的最里面边缘的室171 形成浸没液体抽取系统。所述室171可以形成连续的带，围绕容纳浸没液 体主体的区域。具体地，它可以是环形或圆形的。它也可以由不连续的系 列分离的室形成。所述室171的下表面由多孔元件17形成，例如上面所 述的微筛。环形的室171连接到适当的泵或多个泵，用以从室中去除液体 并保持所需的负压。使用时，室171充满液体，但为清楚起见图8中示出 的是空的。
上面所述的将受控的电浸湿应用到表面用以控制位于表面上的浸没 液体液滴的实施例，通过应用图8示出的液体抽取系统，可以应用到浸没 光刻设备的任何表面，尤其是浸没系统或阻挡元件120的任何表面。此外， 在本发明的实施例中，电浸湿可以应用于改善液体抽取系统的性能。具体 地说，在使用过程中，上面讨论到的多孔元件在经过给定的使用时期后效果会变差。尤其是，有机碎片，例如来自衬底的抗蚀剂的颗粒和来自衬底 顶部涂敷物的薄片，会降低多孔元件的有效性。例如，所述碎片可能会沉 淀到多孔元件17的室171侧，阻碍了室171中的液体正确地接触多孔元
件17的表面。因而，希望形成在多孔元件的孔处用以阻止气体拉入到室 171中的弯液面不能正确地形成，并且气体可能被拉入到室171中。为了
减少这种影响，可以应用本发明的实施例。
根据本发明的实施例图9示出多孔元件17的配置。具体地，为了形 成电浸湿效应，设置电压控制器40，其构造成在第一和第二电极41、 42 之间提供受控的电压。第一电极41配置成使得其与室171内的浸没液体 电接触。应该认识到，如果需要可以设置多个这样的电极。第二电极42 由多孔元件本身或其一部分提供。具体地，在图9示出的实例中，多孔元 件包括电传导中心部分42，所述电传导中心部分用作第二电极，由例如不 锈钢形成，并且在电传导中心部分42的周围形成绝缘涂敷层43。
因此，当受控制的电压通过电压控制器40施加到第一和第二电极41、 42之间，浸没液体电浸湿在多孔元件17的表面。这样的效果是使多孔元 件更加亲液性，所需的亲水性，有助于确保室171内的浸没液体保留在更 靠近接近多孔元件17的位置。因此，位于多孔元件17的孔内的弯液面可 能更好地形成，因而减少气体被拉入室171的发生。因此，在多孔元件如 所预期地丧失功能前，比如果不应用本实施例，有更大量的碎片可能形成 在多孔元件17的表面上。因此，本实施例的应用可以延长多孔元件17的
可使用寿命。
多孔元件的表面可以选择为亲液性的，例如，通过应用合适的涂敷层。 代替把多孔元件17本身用作第二电极42，通过绝缘材料层与浸没液 体隔离的分离电极可以形成在多孔元件17的表面上。
上面所述的实施例涉及应用电浸湿、以控制形成在浸没光刻设备内的 表面上的液体液滴，例如减小液滴从表面落下的可能性，以有利于从表面 上抽取浸没液体的液滴和/或用以改善多孔元件上的浸没液体的浸湿性，以 延长多孔元件的可使用的寿命。本发明的还一实施例使用电浸湿以减小在 第一位置形成浸没液体的液滴的可能性，具体地，是在衬底本身或衬底台 上。图10中示意地示出包括局域化的浸没系统的浸没光刻设备。图5到
图6和8示出了一般的浸没系统。如图所示，浸没液体限制在空隙50内， 所述空隙50通过投影系统的表面51、阻挡元件52和可能是衬底的下表面 53、衬底台的表面或两者的结合体来限定。此外，围绕所述空隙50的弯 液面54形成在所述下表面53和与所述下表面53相对的阻挡元件52的表 面52a之间。所述弯液面54形成在浸没液体和围绕它的气体之间。
如图11示意地示出，在曝光处理过程中，衬底相对于投影系统和阻 挡元件52移动。从而，如图所示，在所述下表面53处的弯液面的接触角 由图IO所示的静态接触角改变。具体地，在弯液面54的前进侧54a，弯 液面相对于所述下表面53的接触角增加，并且在弯液面的后退侧54b相 对于所述下表面53，接触角减小。如果在弯液面的后退侧54b的接触角减 小的太多，浸没液体可能流失，导致不希望有的浸没液体液滴遗留在所述 下表面53上，也就是在衬底或衬底台上。典型地，期望在后退侧54b的 接触角不下降到低于对于所述液体的给定角度。例如，当使用水作为浸没 液体，为了充分减少上述液滴遗留发生的可能性，希望控制接触角以不会 降低到20。以下、30°以下、40。以下或50。以下。因而，可以将涂敷层应 用到下表面53的表面，增大所述表面上的浸没液体的静态接触角，以使 衬底和衬底台能够相对于投影系统和阻挡元件52以更高的速度移动，而 不会导致在后退侧54b的接触角变得太小。然而，增加所述下表面53上 的浸没液体的静态接触角的益处受到限制，因为如果所述弯液面的前进侧 54a的接触角变得太大，弯液面会超出限度，引起气泡积留在浸没液体中。 因此，典型地希望能确保前进侧54a弯液面相对于所述下表面53的接触 角不会超过对于正使用的液体的给定角度。例如，当使用水作为浸没液体， 所述接触希望被控制不超过90。、不超过80。或不超过70。。因此，在所述 下表面53上的浸没液体的可用的静态接触角，由此衬底和衬底台相对于 投影系统和阻挡元件52的最大扫描速度受到限制。
本发明实施例，如图12所示，提供一种系统，所述系统可以实现更 快的扫描速度以用于和/或可以减少在后退侧的浸没液体的损失和/或减少 在前进侧弓I起气泡积留的弯液面超出限度的可能性。
如图12所示，第一电极61设置成与所述下表面53电接触，也就是衬底和/或衬底台。第二电极62设置在前进侧弯液面的部分54a的区域内 且在阻挡元件52的所述下表面52a上。如图所示，所述下表面53通过绝 缘涂敷层63与浸没液体电隔离。设置电压控制器64，所述电压控制器在 第一和第二电极61、 62之间提供受控的电压，由此在前进侧弯液面的部 分54a内引发电浸湿效应。因此，通过在第一电极61和第二电极62之间 施加电压差，在前进侧54a处，在所述下表面53上的浸没液体的接触角 被减小，并且因此浸没液体减少。因而，由于接触角能以这种方式减小， 可以将更高的静态接触角和更高的速度结合起来应用，而不会导致前进侧 54a接触角变得不可接受的高的风险，例如引起弯液面的超出限度，跟着 存在气泡积留在浸没液体内的风险。因此，通过获取更高的静态接触角， 是可能帮助确保在后退侧54b的最终的接触角保持足够高，减小在后退侧 的浸没液体的损失的可能性。
衬底和衬底台可以相对于投影系统和阻挡元件在多个不同的方向上 移动。例如，所述设备可以构造成使得衬底可以相对于投影系统在平行于 衬底的主表面的平面的任何方向上移动。因而，如图13所示，该图示出 可以用在图5到6、 8和10到12中示出的任何所述设备的阻挡元件70的 下侧的平面视图，阻挡元件包括多个电极71、 72、 73和74。在这样的系 统中，电压控制器构造成独立地控制位于阻挡元件70上的电极71、 72、 73和74中的每一个和电连接到所述下表面的电极之间的电压差。因此， 当衬底在相对于阻挡元件70和投影系统在特定方向上移动时，电压控制 器在所述下表面53和与弯液面的前进侧相关的电极之间提供电压差，并 且因此在所述下表面53与那部分浸没液体之间提供电压差。同时，在所 述下表面53和其它电极之间不提供或提供更低的电压差，并且因此在所 述下表面53和相应的浸没液体的邻近部分之间不提供或提供更低的电压 差。
所述设备构造成，仅控制针对衬底和衬底台相对于投影系统和阻挡元 件的移动的特别重要的方向(例如扫描方向和/或步进方向)的接触角。
在合适的配置中，所述下表面，也就是衬底和/或衬底台，可以接地并 且电压控制器构造成使得其连接至任何接地电极，对于任何接地电极不需 要相对于所述下表面的电压差。电极71、 72、 73和74可以是任何合适的形状。此外，应该认识到， 在阻挡元件70的表面可以设置任何数量的电极。具体地，可以方便地设 置4、 6或8个电极。如果多于一个电极邻近前进侧的弯液面，电压控制 器可以在所述下表面和多于一个电极之间形成电压差。例如，如果在阻挡 元件上设置相对较大数量的电极，就可以这样做。此外，这些电极应该相 互电绝缘。例如，用绝缘材料涂覆阻挡元件的表面，并且在绝缘材料的表 面上形成电极。
图14示出了阻挡元件80的不同构造的平面视图。如图所示，代替形 成在阻挡元件的表面上的离散的电极，阻挡元件80可以由分离的部分81、 82、 83和84形成，其中每一分离的部分行使电极的功能并且通过非电导 材料85、 86、 87和88彼此电隔离。
图15示出本发明的还一实施例，所述实施例可以例如用于减小形成 液体液滴的可能性。具体地，正如参考图10到14的上述实施例，图15 示出的实施例可以用于通过利用电浸湿效应减小投影系统的前进侧处的 浸没液体的接触角。因而，可以利用具有更高的静态接触角和更高的速度 的液体的结合，而没有导致前进侧处的接触角变得不可接受的高的风险。 例如，由于不可接受的高接触角，可能引起弯液面超出限度并跟着有气泡 积留浸没液体内的风险。同时，确保后退侧的接触角保持足够高，以减小 后退侧处的浸没液体损失的风险。
如图15示出的，第一电极91设置至阻挡元件93，所述阻挡元件部分 地限定其中投影系统94和衬底台95的上表面或衬底96的表面之间设置 有浸没液体的空隙。第一电极91构造成与位于由阻挡元件93部分地限定 的所述空隙内的浸没液体电接触。多个第二电极92设置至衬底台95，并 且多个第二电极92彼此电绝缘以及与浸没液体电绝缘。
如图15所示，所述第二电极92可以彼此相互隔离，并且通过衬底台 95的表面上的电绝缘材料层95a与浸没液体隔离。可选择地或附加地，可 以通过在衬底台95顶部放置衬底96来提供第二电极92与浸没液体的电 隔离。
如图15所示，提供单一的第一电极91与浸没液体电接触就足够了。 然而，附加的第一电极可以设置成与浸没液体电接触。提供电压控制器97并且连接到第一电极91和第二电极92。为了获得 浸没液体的电浸湿，电压控制器97构造成使得它可以在第一电极91和第 二电极92中的每一个之间提供电压差。具体地，电压控制器97可以构造 成使得其可以控制第一电极91和第二电极92的每一个之间的电压差，以 为每个第二电极92或第二电极组92提供不同的电压差。电压控制器可用 于控制哪一个第二电极，以及控制提供电浸湿到什么程度。
例如，电压控制器97可以构造成使得当衬底台95相对于投影系统 94移动时，在第一电极91和一个或多个第二电极92之间在环绕阻挡元件 93和衬底96或衬底台95之间的浸没液体形成的弯液面的在前进侧的区域 中形成电压差。如与前面的实施例相关的详细地解释，在前进侧利用电浸 湿可实现应用具有更高静态接触角和衬底台95相对于投影系统94的更高 的移动速度的浸没液体的结合。这可以实现，而不会有导致前进侧处的接 触角变得不可接受的高的风险，例如，引起弯液面超出限度并跟着有气泡 积留在浸没液体中的风险。通过能够使用具有更高静态接触角的浸没液 体，是可能确保后退侧的接触角保持足够高，以减小后退侧处的浸没液体 损失的风险。
应该认识到，多个第二电极92可以设置成多种不同的形式。但是， 在图16示出的一个实例中，第二电极设置成第二电极92的阵列，以多行 和列覆盖衬底台95的表面。
还应该认识到，电压控制器97可以设置有任何多个系统以控制第一 电极91和每一个第二电极92之间的电压差。
例如，为了在第一电极91和各个第二电极92之间直接提供所需的电 压差，可以在电压控制器97和每个第二电极92之间设置分离的电压线。
附加地或可选择地，如图15示出的，当第二电极连接到公共电压线 99，为了将每个第二电极92选择性地连接到在第一电极91和第二电极92 之间提供电压差的公共的电压线99，每个第二电极92可以结合到开关98， 所述开关由电压控制器97控制。分离的控制线可以设置在每个开关98和 控制器97之间。可选择地或可附加的，为了控制开关98的开关，可以应 用矩阵寻址。
正如上面解释的，虽然已经参考图15示出的实施例使用液体局部供给系统在浸没光刻技术上的应用，对图15所示的实施例进行了描述，但 是它还可以用于具有未限制的液体供给系统的浸没光刻技术。在如图17
示出的配置中，在衬底131的表面和整个或部分衬底台132上遗留相对薄 的浸没液体130层。然而，如图18平面视图示出的，还存在在衬底131 或衬底台132上形成干燥区域133的问题。本实施例的浸没液体控制系统 因此可以用于改善具有未限制的液体供给系统的浸没光刻系统。
具体地，通过在第一电极91，也就是与浸没液体电接触的电极，和在 衬底台上位于发生干燥的区域中的一个或多个第二电极92之间提供电压 差，电浸湿效应可以减小浸没液体的接触角，即减小干燥发生的可能性。 结果，在第一电极和一个或多个第二电极之间的电压差的应用改善了衬底 131、衬底台132或两者表面的浸湿。因此，电压控制系统可以构造成使 得它在第一电极和在衬底和/或衬底台的已知容易干燥的区域中的一个或 多个第二电极之间提供电压差。例如，电压控制系统可以设置有存储器， 所述存储器可以存储衬底或衬底台上的以前发生过干燥的一个或多个位 置。
在上面讨论的每个本发明的实施例中，提到过使用绝缘材料或非电传 导材料。这种材料必须是对电流流动提供足够的电阻，使得能够在该材料 上保持电压差，从而足够引发电浸湿效应的材料。此外，所述材料应该是 在浸没光刻设备中使用时没有任何有害的影响的材料。具体地，它必须是 可以与浸没液体接触的。期望地，将绝缘材料形成为尽可能的薄的同时， 提供足够的电阻。通常，陶瓷和/或聚合物是合适的。尤其适于用作绝缘材 料的材料包括石英和氧化硅。在旨在使衬底覆盖有绝缘层的实施例中，电 绝缘的顶部涂敷层形成在抗蚀剂上。
此外，应该可以认识到，对于上面讨论的每个本发明的实施例，使用 的浸没液体应该是充分电传导的，使得在接触浸没液体的电极与临近隔离 电极的、希望产生电浸湿效应的浸没液体的部分之间不会产生显著的电压 降。例如，可以利用水溶液作为浸没液体，具体地，可以使用通过在水中 溶解二氧化碳形成的稀水溶液。作为另一实例，液体可以是适于高数值孔 径(NA)光刻技术的流体，例如，可以是有机流体。这样的流体包括电 响应添加剂，所述添加剂关于一个或多个生成的电场自我定位。本发明的实施例的电压控制器可以在适当的电极之间提供直流电压 差用以产生电浸湿效应。可选择地，电压控制器可以提供有利诱发磁滞现 象的交流电压差，以更容易引发电浸湿效应。由电压控制器提供的电压差
可以是这些的结合，也就是交流电压差和交流直流偏置(a. d.c. offset)。
在上面所述的几个实施例中，暴露于液体的电极显示位于一个表面上 并且由绝缘材料覆盖的所述电极显示位于另一个表面上。在实施例中，适 当的地方，电极的位置可以在所述表面之间切换。
在实施例中，电极可以与位于表面的亲液性或憎液性材料结合用以给 例如后退侧和前进侧提供所需的接触角。
在运行时，电极会引起与电极结合的表面减小其有效接触角，也就是 变得更加亲液性，例如当充分运行时接近零度。当电极不运行时，所结合 的表面根据其表面性能具有一个接触角(例如具有增液性的涂敷层)。表 面性能和充分运行时的电极确定所结合的表面的最大和最小有效接触角， 也就是所结合的表面的有效接触角的范围。电极的运行允许所结合的表面
实现最小有效接触角，例如当充分运行时的20度、IO度或零度或处在当
电极不运行时所结合表面的有效接触角和当电极充分运行时的所结合表 面的有效接触角之间的有效接触角。控制电极的运行可以允许控制所结合 表面的有效接触角。电极的控制有利于改善在有效表面上的液体的控制， 例如表面的弯液面。
为了确定有效接触角的控制范围，和位于有效表面的液体，所结合表 面可以根据其表面性能选择特定的接触角(也就是电极没有运行)。因此， 为了最大化有效接触角的范围，希望所述表面具有憎液性(所需的高憎液
性)的涂敷层，例如接近180度。充分运行电极将会获得最小接触角，该 接触角可能是零度。具有180度接触角表面性能的所结合的表面能够具有 有效接触角的最大可实现范围。对于一些表面，可能希望限制接触角，例 如某表面根据其表面性能具有90度接触角。这样的表面的有效接触角的 范围可能是0度到90度。
对于浸没系统的表面期望将用于电浸湿的电极和所结合的憎液性的 表面结合起来使用，以能控制或至少改善对浸没液体的移动的控制。这样 的表面包括传感器，与浸没液体接触的透镜的表面；位于衬底台WT表面上的间隙，例如衬底W边缘和衬底台WT之间；和/或位于液体限制结 构的表面上，例如位于液体限制结构的下表面或面向投影系统的液体限制 结构的表面。这种液体限制结构的表面在使用时将会接触浸没液体的弯液 面。
虽然本专利详述了光刻设备在制造ICs中的应用，应该理解到，这里
描述的光刻设备可以有其它的应用，例如制造集成光电系统、磁畴存储器 的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCDS)、薄膜磁头等。本 领域技术人员应该看到，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任 意术语"晶片"或"管芯"分别认为是与更上位的术语"衬底"或"目标 部分"同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨 道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对己曝光的抗蚀剂进行显影 的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述 公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一
次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语"衬底"也可以表
示已经包含多个已处理层的衬底。
这里使用的术语"辐射"和"束"包含全部类型的电磁辐射，包括
紫外(UV)辐射(例如具有约365、 248、 193、 157或126 nm的波长)。
这里使用的术语"透镜"可以认为是一个或多种光学元件的组合体， 包括折射型和反射型光学部件。
上面已经描述了本发明的特定的实施例，但应该理解本发明可以应用 到除上面所述以外的情形。例如，本发明可以具有至少一个包含至少一个 可机读的指令序列的计算机程序描述以上公开的方法，或一个存储所述的 计算机程序的数据存储媒介(例如半导体存储器、磁盘或光盘)，至少一 个控制器用于控制设备。当设置在光刻设备的至少一个组件内的至少一个 计算机处理器读取至少一个计算机程序时，至少一个不同的所述控制器是 可运行的。至少一个处理器构造成和至少一个控制器通信连接；这样控制 器可以根据至少一个计算机程序的可机读的指令进行运行。
本发明的至少一个实施例可以应用到任何浸没光刻设备，尤其是但不 限于上面提到的所述类型光刻设备以及那些以浸入溶池的形式、仅在衬底 的局部表面区域或以非限制状态提供浸没液体的浸没光刻设备。在一非限
31制的配置中，浸没液体可以在所述衬底和/或衬底台的所述表面上流动，使 得整个未覆盖的衬底和/或衬底台的表面都被浸湿。在这种非限制浸没系统 中，液体供给系统不限制浸没液体，或者提供一定比例的浸没液体限制， 但基本上不是完全的浸没液体限制。
这里提到的液体供给系统应该是广义的解释。在某些实施例中，液体 供给系统是一种装置或结构的组合，其提供液体到投影系统和衬底和/或衬 底台之间的空隙。液体供给系统包括至少一个结构、至少一个液体入口、 至少一个气体入口、至少一个气体出口和/或至少一个液体出口的组合，所 述出口将液体提供到所述空隙。在一个实施例中，所述空隙的表面是衬底 和/或衬底台的一部分，或者所述空隙的表面完全覆盖衬底和/或衬底台的 表面，或者所述空隙包围衬底和/或衬底台。液体供给系统可任意地进一步 包括至少一个元件以控制位置、数量、质量、形状、流速或液体的其它任 何特征。浸没系统包括浸没液体限制结构，用于将浸没液体限制在投影 系统和衬底台、投影系统和浸没液体限制结构之间的空隙。提供一种浸没 光刻设备，包括至少周期性地与浸没液体接触的表面；和主动浸没液体 控制系统。主动浸没液体控制系统包括第一电极，第二电极和电压控制 器。第一电极电连接到位于表面被控制的浸没液体。第二电极结合到所述 表面并且与位于所述表面上的浸没液体电隔离。电压控制器构造成在第一 和第二电极之间提供电压差。
所述表面可以是抽取装置的多孔元件的表面。多孔元件的至少一部分 可用作第一或第二电极中的一个。多孔元件包括中心部分，所述中心部 分由形成第二电极的电传导材料形成，和电绝缘材料的涂敷层。涂敷层可 以由石英或氧化硅形成。第一电极可以在多孔元件的通过抽取装置抽取浸 没液体的一侧电连接到浸没液体。
主动浸没液体控制系统包括多个第一电极和多个第二电极。多个第 一电极配置在表面上使得位于所述表面的浸没液体的液滴电连接到至少 一个第一电极。多个第二电极配置在表面上使得任何位于所述表面的浸没 液体的液滴与第二电极电隔离。多个第二电极可以涂敷电绝缘材料。所述 涂敷层可以由石英或氧化硅形成。
所述设备可以构造成在第一电极和第二电极之间提供电压差，以在所述表面上引起与至少一个第一电极接触的浸没液体的液滴的电浸湿，使得 每个液滴在所述表面上展幵。所述设备包括液体抽取系统，其构造成从表 面抽取液体。
主动浸没液体控制系统构造成控制位于至少一个表面上的浸没液体， 所述至少一个表面选自下面的表面浸没光刻设备的投影系统的表面，构
造成将图案化的辐射束投影到衬底上；衬底台的表面，构造成支撑衬底；
和浸没系统的表面，构造成供给浸没液体到投影系统的最终元件和衬底之 间的空隙。
所述设备包括衬底台，构造成保持衬底，衬底台包括第二电极。至 少周期性地接触浸没液体的表面可以是衬底台的表面、衬底的表面(当衬 底由衬底台支撑时)或衬底台和衬底两者的表面。衬底台包括多个第二电 极。第二电极彼此电隔离并且与位于表面的浸没液体电隔离。电压控制器 构造成独立地控制第一电极和每个第二电极之间的电压差。
所述设备还包括投影系统，和阻挡元件。投影系统构造成将图案化 的辐射束投影到衬底上。阻挡元件构造成至少部分地将液体限制在投影系 统和衬底或衬底台之间的空隙，阻挡元件构造成使得阻挡元件和衬底或衬 底台之间存在间隔，在所述间隔中当液体处在所述空隙中时，在液体和包 围的气体之间形成包围所述空隙的弯液面。电压控制器构造成使得，当衬 底台和投影系统之间存在朝向弯液面的区域的相对移动，在第一电极和邻 近弯液面的区域的第二电极之间提供电压差。
阻挡元件包括第一电极。第一电极构造成电连接到投影系统和衬底或 衬底台之间的空隙内的液体。
所述设备构造成使得，在使用时，基本上整个衬底的主表面由浸没液 体覆盖。电压控制器构造成在第一电极和与衬底、衬底台或衬底和衬底台 两者的区域结合的第二电极之间提供电压差，所述区域被认为是存在形成 干燥区域的风险。
第二电极可以位于衬底台的表面并且涂敷电绝缘材料的涂敷层。第二 电极可以是第二电极的阵列的形式，每个第二电极与一个开关结合，所述 开关构造成把所述第二电极连接到电压源以在第二电极和第一电极之间 形成电压差。电压控制器包括开关控制系统，构造成控制通过矩阵结合到第二电极的开关。
浸没液体是电传导的。浸没液体可以是稀的水溶液。电压控制器构造 成在第一电极和第二电极之间提供交流电压。电压控制器构造成在第一电 极和第二电极之间提供直流分量。
提供一种器件制造方法，包括将衬底支撑在衬底台上；利用投影系
统将图案化的辐射束投影到衬底;利用浸没系统供给浸没液体到投影系统 和衬底或衬底台之间的空隙；控制位于至少一个表面的浸没液体，所述至 少一个表面选自下面的表面投影系统的表面、衬底台的表面和浸没系统
的表面，所述控制是通过在电连接到被控制的浸没液体的第一电极和与所 述表面结合并与被控制的浸没液体电隔离的第二电极之间施加受控制的 电压。
提供一种浸没光刻设备，包括衬底台、投影系统、阻挡元件和电压控 制器。衬底台构造成保持衬底，其中衬底、衬底台或衬底和衬底台两者被 涂敷有电绝缘材料层。投影系统构造成将图案化的辐射束投影到衬底。阻 挡元件构造成至少部分地将液体限制在投影系统和衬底或衬底台之间的 空隙，阻挡元件构造成使得在阻挡元件和衬底或衬底台之间存在间隔，在 所述间隔中当液体处在所述空隙中时，在液体和包围的气体之间形成包围 所述空隙的弯液面。电压控制器构造成，当衬底台和投影系统之间存在基 本上朝向弯液面的区域的相对移动，在第一电极和衬底、衬底台或衬底和 衬底台两者之间提供控制的电压差。
阻挡元件包括多个电极，每个与邻近弯液面的各自区域的液体电接 触。电压控制器构造成独立地控制提供到每个电极和衬底、衬底台或衬底 和衬底台两者之间的电压差。阻挡元件包括至少四个、至少六个或至少八 个电极，均匀地分布围绕弯液面。所述电极可以位于阻挡元件的表面与液 体接触，并彼此电隔离。阻挡元件包括多个部分，每个行使各自的一个电 极的功能，并且这些部分彼此电隔离。
衬底台可以覆盖由石英或氧化硅形成的层。衬底可以用非电传导涂敷
层覆盖o
在任何时刻，电压控制器可以构造成在衬底、衬底台或衬底和衬底台 两者与至多一个电极之间提供电压差。所述电极邻近弯液面的、最接近地与弯液面的在那一刻相对运动所指向的部分相对应的各个区域。
在任何时刻，电压控制器可以构造成在衬底、衬底台或衬底和衬底台 两者与至多两个电极之间提供电压差。所述电极邻近弯液面的、最接近地 与弯液面的在那一刻相对运动所指向的部分相对应的各个区域。
衬底、衬底台或衬底和衬底台两者电连接到地。电压控制器构造成独 立地控制每个电极和地之间的电压差。
电压控制器构造成使得，如果不提供电压差到电极和衬底、衬底台或 衬底和衬底台两者之间，电压控制器将电极连接到地。
液体是电传导的。液体可以是稀的水溶液。
电压控制器可以构造成在电极和液体之间提供交流电压。电压控制器
可以构造成在电极和液体之间提供直流分量。
所述设备包括致动器系统，构造成相对于投影系统移动衬底台。 提供一种器件制造方法，包括将衬底支撑在衬底台，其中衬底、衬
底台或衬底和衬底台用电绝缘材料层涂敷；利用投影系统将图案化的辐射
束投影到衬底；供给浸没液体到投影系统和至少部分地由阻挡元件限制的
衬底或衬底台之间的空隙，其中在阻挡元件和衬底、衬底台或衬底和衬底 台两者之间存在空隙，在所述空隙内液体和围绕的气体之间形成围绕所述 空隙的弯液面，并且阻挡元件包括与邻近弯液面的区域的液体电接触的电
极；和，当衬底台和投影系统在基本上朝向弯液面的区域的方向上存在相
对移动时，在电极和衬底、衬底台或衬底和衬底台两者之间提供控制的电 压差。
所述方法包括相对于投影系统移动衬底台。
提供一种浸没光刻设备，包括至少周期性与浸没液体接触的表面；
和主动浸没液体控制系统，构造成控制位于所述表面的浸没液体的接触 角。
主动浸没液体控制系统构造成通过电浸湿的方式控制接触角。
提供一种控制位于表面上的液体的状态的方法，包括控制位于表面
上的液体的接触角。接触角可以通过电浸湿的方式进行控制。
上面描述的内容是例证性的，而不是限定的。因而，应该认识到，本 领域的技术人员在不脱离给出本发明的权利要求的范围，可以对上述本发 明进行更改。
权利要求
1. 一种浸没光刻设备，包括表面，所述表面至少周期地接触浸没液体；和主动浸没液体控制系统，包括第一电极，其电连接到将在所述表面上受控制的浸没液体，第二电极，其与所述表面结合并与位于所述表面上的浸没液体电隔离，和电压控制器，其构造成在第一和第二电极之间提供受控的电压差。
2. 如权利要求1所述的设备，其中所述表面是抽取装置的多孔元件的 表面。
3. 如权利要求2所述的设备，其中所述多孔元件的至少一部分用作所 述第一或第二电极。
4. 如权利要求3所述的设备，其中所述多孔元件包括由形成所述第二 电极的电传导材料形成的中心部分，和电绝缘材料的涂敷层。
5. 如权利要求4所述的设备，其中所述第一电极电连接到位于多孔元 件的侧边的浸没液体，浸没液体通过抽取装置被抽取至多孔元件的所述侧 边。
6. 如任何前述权利要求所述的设备，其中所述主动浸没液体控制系统 包括多个第一电极，配置在所述表面上使得位于所述表面上的浸没液体的 液滴能够电连接到至少一个第一电极；和多个第二电极，配置在所述表面上使得位于所述表面上的浸没液体的 任何液滴与所述第二电极电隔离。
7. 如权利要求6所述的设备，构造成在所述第一电极和所述第二电极 之间提供电压差，所述电压差导致位于所述表面上的浸没液体的液滴的电 浸湿，所述液滴与至少一个所述第一电极接触使得每个液滴在所述表面上 展开。
8. 如权利要求6或7所述的设备，其中所述主动浸没液体控制系统构造成控制位于至少一个表面上的浸没液体，所述表面选自下面的表面浸没光刻设备的投影系统的表面，构造成将图案化的辐射束投影到衬底上； 衬底台的表面，构造成支撑衬底；和浸没系统的表面，构造成供给浸没液 体到投影系统的最终元件和衬底之间的空隙。
9. 如任何前述权利要求所述的设备，还包括 衬底台，其构造成保持衬底，所述衬底台包括所述第二电极，和其中至少周期地接触浸没液体的所述表面是所述衬底台的表 面、当衬底台支撑衬底时衬底的表面，或衬底台和衬底两者的表面。
10. 如权利要求9所述的设备，其中所述衬底台包括多个第二电极，所述第二电极彼此电隔离并且与位于所述表面上的浸 没液体电隔离，和电压控制器，构造成独立地控制位于所述第一电极和每个所述第二电 极之间的电压差。
11. 如权利要求9或10所述的设备，构造成使得在使用时，基本上 所述衬底的整个主表面覆盖有浸没液体，和其中所述电压控制器构造成在 所述第一电极和与所述衬底的、所述衬底台的或所述衬底和所述衬底台两 者的被认为存在形成干燥区域风险的区域结合的第二电极之间提供电压差。
12. 如权利要求9到11中的任何一个所述的设备，其中所述第二电极位于所述衬底台的所述表面上或所述表面处，并涂敷有电绝缘材料的涂敷 层。
13. 如任何前述权利要求所述的设备，其中所述浸没液体是电传导的。
14. 如任何前述权利要求所述的设备，其中所述电压控制器构造成在 所述第一和第二电极之间提供交流电压。
15. —种器件制造方法，包括-将衬底支撑在衬底台上；应用投影系统将图案化的辐射束投影到所述衬底上； 应用浸没系统将浸没液体供给到所述投影系统和所述衬底或衬底台之间的空隙；通过在电连接到将被控制的浸没液体的第一电极和与所述表面结合 并与将被控制的浸没液体电绝缘的第二电极之间施加受控制的电压，控制位于至少一个表面上的浸没液体，所述表面选自下面的表面投影系统的 表面、衬底台的表面和浸没系统的表面。
16. —种浸没光刻设备，包括衬底台，构造成保持衬底，其中衬底、衬底台或衬底和衬底台两者涂 覆有电绝缘材料层；投影系统，构造成将图案化的辐射束投影到衬底上；阻挡元件，构造成至少部分地将液体限制在投影系统和衬底或衬底台 之间的空隙上，所述阻挡元件构造成使得在阻挡元件和衬底或衬底台之间 存在间隔，在所述间隔中当液体处在所述空隙中时，在液体和包围的气体 之间形成包围所述空隙的弯液面，并且阻挡元件包括设置成与邻近弯液面区域的液体电接触的电极；禾口电压控制器，构造成当在衬底台和投影系统之间在基本上朝向所述弯 液面的区域的方向上存在相对移动时，在电极和所述衬底、所述衬底台或 所述衬底和所述衬底台之间提供受控制的电压差。
17. —种器件制造方法，包括支撑衬底在衬底台上，其中所述衬底、衬底台或所述衬底和所述衬底 台两者涂敷有电绝缘材料层；应用投影系统将图案化的辐射束投影到衬底；供给液体到投影系统和衬底或衬底台之间的至少部分地由阻挡元件 限定的空隙，其中，在阻挡元件和衬底、衬底台或衬底和衬底台两者之间 存在空隙，在所述空隙中液体和包围的气体之间形成包围所述空隙的弯液 面，并且所述阻挡元件包括与邻近弯液面的区域的液体电接触的电极；和当在所述衬底台和所述投影系统之间在基本上朝向所述弯液面的区 域的方向上存在相对移动时，在电极和衬底、衬底台或衬底和衬底台两者 之间提供受控制的电压差。
18. —种浸没光刻设备，包括表面，所述表面至少周期地接触浸没液体；和主动浸没液体控制系统，构造成控制位于所述表面上的浸没液体的接 触角。
19. 一种在浸没光刻设备中控制位于表面上的液体的状态的方法，包括控制位于表面上的浸没液体的接触角。
全文摘要
本发明公开了一种光刻设备和器件制造方法。具体地，本发明公开在浸没光刻设备中应用电浸湿控制浸没液体的状态。
文档编号G03F7/20GK101452220SQ20081017976
公开日2009年6月10日 申请日期2008年12月3日 优先权日2007年12月3日
发明者L·H·J·斯迪文斯, M·瑞蓬, N·顿凯特, R·范德汉姆, S·N·L·冬德尔斯 申请人:Asml荷兰有限公司