专利名称：薄膜晶体管基板结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及薄膜晶体管液晶显示器，特别涉及一种薄膜晶体管液晶显 示器的薄膜晶体管基板结构。
背景技术：
TFT LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管 液晶显示器)具有功耗小、成本低和无辐射等特点，目前在显示器市场占据主 导地位。TFT LCD的制作过程主要有三个阶段ARRAY (阵列)制程、CELL (面 板)制程和MODULE (模组)制程。ARRAY制程是在玻璃基板上采用薄膜沉积、曝 光、显影、刻蚀和剥膜等构图工序，形成TFT (薄膜晶体管)基板；CELL制程是 将ARRAY制程得到的TFT基板与一个带有彩色滤光片的玻璃基板结合，在该两层 玻璃基板中注入液晶，然后切割，形成液晶面板；MODULE制程是将液晶面板与 驱动IC (芯片)、软性电路板、PCB (Printed Circuit Board,印刷电路板)、 背光源和外框等组件进行组装，形成最后的LCD (液晶显示器)。
在上述的MODULE制程中，需要将液晶面板中TFT基板的PAD引线(周边引线) 与驱动IC和软性电3各板连接，目前的方法是采用ACF (Anisotropic Conductive Film,各向异性导电薄膜)进行连接。以栅极扫描线PAD引线区为例，如图l和 頃2所示，PAD引线区的底层为设置在玻璃基板9上的金属层3 (该金属层3即为栅 极扫描线PAD引线)，金属层3上设有栅极绝缘层薄膜10和钝化层5，栅极绝缘层 薄膜10和钝化层5上设有过孔1;像素电极层薄膜2通过过孔1与金属层3连接。ACF 设置在像素电极层薄膜2上，用于使金属层3与驱动IC和软性电路板连接。
TFT基板的PAD引线区一般采用大孔结构，即在引线区上均匀形成多个大孔
(该步骤在ARRAY制程中完成)。该大孔结构是由过孔l的形状而导致像素电极层 薄膜2所产生的孔状结构。采用大孔结构后，引线与ACF接触不够紧密，连接效 果差，因此为了有更好的接触效果，PAD引线区常采用小孔结构。采用小孔结构 后的栅极扫描线PAD引线区如图3和图4所示。
在上述的CELL制程后，还有一个工艺对液晶面板进行测试，以确定其基 本显示功能是否正常，如果正常的话，进行后续的MODULE制程。在该工艺中， 测试设备对TFT基板的PAD引线的特定区域进行测试，测试时采用单点PIN(管脚) 与PAD引线接触进^f亍信号的传输。图1和图3中4为测试时PIN接触的特定区域。此 时，PAD引线已经被设置成小孔结构。由于ARRAY制程中涉及成膜、曝光、刻蚀 等工艺，小孔结构很容易受到PARTICLE (微粒)、膜残留、光刻胶残留等工艺不 良的影响，使PAD引线局部形成断裂、绝缘的情况，进而引起测试设备的单点PIN 与PAD引线接触不良，但是并不表明液晶面板的基本显示功能异常，也不影响后 续工艺中各i^异性导电薄膜与PAD引线的接触。所以PAD引线区采用小孔结构容 易使测试设备出现误判，造成损失。
实用新型内容
本实用新型提供一种薄膜晶体管基板结构，该结构能够实现较好的测试设 备管脚接触，避免出现误判，同时使各向异性导电薄膜与引线之间紧密接触。 为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案为
一种薄膜晶体管基板结构，该薄膜晶体管基板上设置有引线区，所述引线 区包括大孔结构区和小孔结构区，其中， 所述大孔结构区用于与测试设备接触。
由上可知，本实用新型在引线区中用于与测试设备接触的区域采用大孔结 构，其它区域采用小孔结构。大孔结构能够避免工艺影响而产生的测试设备管
脚接触不良，从而避免测试设备出现误判，减少损失；小孔结构能够使各向异
性导电薄膜与引线之间有较好的接触。
图1为现有技术中TFT基板的PAD引线区采用大孔结构的俯视结构示意图； 图2为图1中A-A截面示意图3为现有技术中TFT基板的PAD引线区采用小孔结构的俯视结构示意图； 图4为图3中B-B截面示意图5为本实用新型中TFT基^反的PAD引线区的俯^L结构示意图； 图6为图5中C-C截面示意图(PAD引线为栅极扫描线PAD引线时)； 图7为图5中C-C截面示意图(PAD引线为数据扫描线PAD引线时)； 图8为现有技术中TFT基板的俯视结构示意其中，1、过孔，2、像素电极层薄膜，3、金属层，4、测试时PIN接触点， 5、钝化层，6、像素区，7、非像素区，8、 PAD引线区，9、玻璃基板，10、栅 极绝缘层薄膜。
具体实施方式
为解决现有技术中，PAD引线区采用大孔结构与ACF接触效果差，采用小孔 结构容易使测试设备产生误判的问题，本实用新型提供一种薄膜晶体管基板结 构，该结构根据PAD引线区的特点，采用了大孔结构和小孔结构的结合，从而解 决了所述问题。
以下结合附图对本实用新型作详细说明。
如图8所示，TFT基板分为像素区6和非像素区7， TFT形成在像素区6，同时 在非像素区7的部分区域形成PAD引线区8。下面结合采用5-Mask工艺的TFT基板 制造过程介绍一下PAD引线区的形成。
对于栅极扫描线PAD引线，如图6所示首先，使用磁控';贱射方法，在玻璃
基板9上制备一层厚度在1000A至7000A的栅金属薄膜。栅金属材料通常使用
钼、铝、铝镍合金、钼鴒合金、铬、或铜等金属。接着，使用栅极掩模版通过
曝光和化学腐蚀等构图工艺，形成栅极扫描线、栅电极等，同时在玻璃基板9的 非像素区上形成栅极扫描线PAD引线，该层引线对应图5和图6中的金属层3。然 后，利用化学汽相沉积的方法在玻璃基板9上连续淀积1000A到6000A的栅极绝
缘层薄膜io和ioooA到60ooA的非晶硅薄膜，用有源层的掩模版进行曝光后对 非晶硅进行刻蚀，形成像素区半导体有源层沟道。接下来采用和栅金属薄膜类 似的制备方法，在玻璃基板上淀积一层厚度在ioooA到700oA金属薄膜，通常
使用钼、铝、铝镍合金、钼鴒合金、铬、或铜等金属。再通过源、漏极的掩模 版通过曝光和化学腐蚀等构图工艺，形成数据信号线和源、漏电极。接下来用
和制备栅极绝缘层以及有源层相类似的方法，在整个玻璃基板9上沉积一层厚度 在1000A到6000A的钝化层5，其材料通常是氮化硅。通过钝化层的掩模版，利 用曝光和刻蚀等构图工艺形成像素TFT漏极过孔和本实用新型的过孔1。最后使
用磁控賊射方法形成透明电极，常用的透明电极为氧化铟锡等，厚度在iooA至
IOOOA之间。再通过掩模、光刻和化学腐蚀等构图工艺，形成PAD引线区的像素 电极层薄膜2。由此制造工艺可知，过孔1设置在钝化层5和栅极绝缘层薄膜10上， 像素电极层薄膜2通过过孔1与金属层3 (即栅极扫描线PAD引线)连接。
对于数据扫描线PAD引线，如图7所示与所述4册;f及扫描线PAD引线的制作流 禪大体相同，不同之处在于，不形成所述栅极扫描线PAD引线，而是在形成数据 信号线和源、漏电极的同时，在玻璃基板9的非像素区上形成数据扫描线PAD引 线，该层引线对应图5和图7中的金属层3。与此制造工艺相对应，过孔l设置在 钝化层5上，像素电极层薄膜2通过过孔1与金属层3 (即数据扫描线PAD引线)连 接。
本实用新型的技术方案中，PAD引线区的金属层既可以是栅极扫描线PAD引 线，也可以是数据扫描线PAD引线，还可以是为了降低传输电阻而采用该双层引 线，均不影响本技术方案的实施。
本实用新型中，TFT基板的PAD引线区包括大孔结构区和小孔结构区，其中， 所述大孔结构区用于与测试设备接触。由上可知，PAD引线区中用于与测试设备 接触的区域采用大孔结构，其它区域采用小孔结构。大孔结构能够避免工艺影 响而产生的测试设备PIN接触不良，从而避免测试设备出现误判，减少损失； 小孔结构能够使ACF与引线之间有较好的接触。
其中，所述大孔结构和/或小孔结构优选为至少一个方孔，或者为至少一个 圓孔，或者为至少一个方孔和至少一个圓孔。为了有较好的接触效果，方孔和/ 或圆孔应均匀布满在PAD引线区上，且所述小孔结构中，方孔的边长小于5微 米，圓孔的直径小于5微米；所述大孔结构中，方孔的边长大于15微米，小于 所述引线区的宽度，圆孔的直径大于15微米，小于所述引线区的宽度。
本实用新型的TFT基板PAD引线区，根据PAD引线区的特点，采用了大孔 结构和小孔结构的结合，从而能够实现较好的测试设备PIN接触，同时兼顾了 ACF与引线之间的接触。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在 本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包 含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1、一种薄膜晶体管基板结构，其特征在于，该薄膜晶体管基板上设置有引线区，所述引线区包括大孔结构区和小孔结构区，其中，所述大孔结构区用于与测试设备接触。
2、 根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板结构，其特征在于，所述引线区 的引线为栅极扫描线引线和/或数据扫描线引线。
3、 根据权利要求l所述的薄膜晶体管基板结构，其特征在于，所述大孔结 构和/或小孔结构为至少一个方孔。
4、 根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板结构，其特征在于，所述大孔结 构和/或小孔结构为至少一个圆孔。
5、 根据权利要求l所述的薄膜晶体管基板结构，其特征在于，所述大孔结 构和/或小孔结构为至少一个方孔和至少一个圓孔。
6、 根据权利要求3或5所述的薄膜晶体管基板结构，其特征在于，所述小 孔结构的方孔的边长小于5微米。
7、 根据权利要求3或5所述的薄膜晶体管基板结构，其特征在于，所述大 孔结构的方孔的边长大于15微米，小于所述引线区的宽度。
8、 根据权利要求4或5所述的薄膜晶体管基板结构，其特征在于，所述小 孔结构的圆孔的直径小于5微米。
9、 -根据权利要求4或5所述的薄膜晶体管基板结构，其特征在于，所述大 孔结构的圓孔的直径大于15微米，小于所述引线区的宽度。
专利摘要本实用新型公开了一种薄膜晶体管液晶显示器的薄膜晶体管基板结构，属于薄膜晶体管液晶显示器技术领域，为解决现有技术中，基板的PAD引线区采用大孔结构与各向异性导电薄膜接触效果差，采用小孔结构容易使测试设备产生误判的问题而设计；本实用新型在薄膜晶体管基板上设置有引线区，所述引线区包括大孔结构区和小孔结构区，其中，所述大孔结构区用于与测试设备接触。本实用新型适用于薄膜晶体管基板。
文档编号G02F1/1362GK201188422SQ20082007977
公开日2009年1月28日 申请日期2008年4月7日 优先权日2008年4月7日
发明者彭志龙 申请人:北京京东方光电科技有限公司