光刻装置和器件制造方法

专利名称：光刻装置和器件制造方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻装置和器件制造方法。
背景技术：
光刻装置是一种将所需图案应用于基底靶部上的装置。光刻装置可以用于例如集 成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件，如掩模可用于产生对应于IC一个单独层的 电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(例如硅晶片)的 靶部上(例如包括一部分，一个或者多个管芯)。一般地，单一的基底将包含相继曝光的相 邻靶部的网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器，其中通过将整个图案一次曝光到靶部 上而辐射每一靶部，已知的光刻装置还包括所谓的扫描器，通过在投射光束下沿给定的方 向(“扫描”方向)扫描所述图案，并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底 来辐射每一靶部。用于照射带有污染物(它可能是由例如基底上的光致抗蚀剂层的除气作用以及 由进入光刻装置的周围空气引入的)的基底的辐射可能导致投影系统中的光学元件如透 镜退化，这会导致损失光束的总透射和损失基底照射的一致性。为了解决这个问题，已经开发出多种净化系统。净化系统如净化罩(purge hood) 的作用是防止或减少投影系统和/或照射系统中某些元件的化学污染。通常这可以通过 在投影系统中沿外表面或元件的表面吹送气体实现，从而在曝光狭缝处按照例如通常大于 1000的因子稀释不需要的制剂的浓度。然而，根据例如光刻装置的类型、系统说明书和气体 性质等等，稀释因子可以在100至1000之间变化。在净化系统中，当对投影系统和照射系统中的内部元件进行令人满意地净化时， 由于它们布置在封闭的隔室中，所以退化仍然是一个问题，它是由污染物特别是在投影系 统的第一和最后的光学元件(即当投射光束通过投影系统时经过的第一光学元件和最后 光学元件)表面上产生的污染物导致的。光学元件中可能导致光学元件性能退化的污染物 包括例如在光学元件表面上生长的星状结晶盐体结构。例如，光学元件经受一段时间(通 常是几年)的强辐射后，就会变得被盐体结构污染。因此，常规的净化罩通常定位成沿外底 的表面和顶部透镜表面提供清洁的气体。常规的净化罩安装在固定位置，例如，固定到投影 系统或参考构架(例如计量框架)。如上所述，净化罩的性能通常用稀释因子表示，稀释因 子是净化容积内部和外部的污染物比，通常在1000量级。然而，常规的净化罩可能具有多种缺点。特别地，净化罩的性能可能会受净化罩和 基底之间和/或净化罩和基底保持架之间的间隙的负面影响。因此，净化罩的性能取决于 基底保持架的位置，并且它还受提供用来调节光刻装置中的干涉测量部件的气体簇射的影 响。例如，当没有提供基底保持架时，例如当变换基底时，用稀释法测量的性能可能很低。此 外，由净化罩导致的动态干扰(如流动引起的振动)可能会影响投影系统的性能。常规的 稀释因子可能不足以将在光学元件表面上的湿度水平减小到远小于百万分之十(PPm)(对 应于小于一个单层，已经发现这有助于防止盐体结构的形成)。
此外，由于基底台和投影系统之间的容差，可能不能在基底和净化罩之间得到令 人满意的微小间隙。类似的情况还可能在浸没光刻装置中遇到，其中要在供液系统和基底 之间获得一微小间隙，至少部分间隙填充了一种液体。此外，当失去伺服控制时基底台可能 向上移动，从而当基底和净化罩或供液系统之间的间隙变小时会损坏基底。在照射器和支撑结构之间也可能产生类似的问题。

发明内容
本发明的一个方面是解决例如在常规的净化罩中遇到的上述问题，或者是在光刻 装置可利用的非常有限的空间解决浸没光刻法的供液系统中遇到的上述问题。根据本发明的一个方面，提供一种光刻装置，其包括一配置成调节辐射光束的照 射系统，和一配置成支撑构图部件的支撑结构，该构图部件在辐射光束的横截面将图案赋 予给辐射光束。该装置还包括一配置成保持基底的基底台，一配置成将带图案的光束投影 到基底的靶部上的投影系统，以及一配置成将流体提供给一容积的流体供给系统。该容积 包括至少一部分投影系统和/或至少一部分照射系统。该装置还包括一配置成将流体供给 系统连接到基底台、基底、支撑结构、构图部件、或其任何组合的连接部件。通过这种方式， 可以减小在投影系统和照射系统的至少一个中由流动引起的噪声所产生的干扰。在一个实施方案中，流体供给系统包括一配置成提供气体给净化容积的气体净化 系统，该净化容积包括至少一部分投影系统、至少一部分照射系统，或者上述两者。通过这 种方式，可以减小在气体净化系统中由流动引起的噪声导致的干扰。在一个实施方案中，流体供给系统包括一配置成将液体提供到投影系统和基底的 局部区域之间的空间的供液系统。通过这种方式，可以减小在流体供给系统中由流动引起 的噪声导致的干扰。在一个实施方案中，基底台、基底、支撑结构、构图部件或其任何组合布置在一个 由第一和第二不同方向限定的区域中，其中流体供给系统沿第三方向与基底台、基底、支撑 结构、构图部件或其任何组合连接，该第三方向与上述区域成一角度延伸。此外，第一、第二和第三方向大体上相互垂直。在另一个实施方案中，在使用中流 体供给系统沿第三方向、围绕第一方向的旋转方向和围绕第二方向的旋转方向与基底台、 基底、支撑结构、构图部件或其任何组合挠性地连接。通过这种方式，流体供给系统可以布 置成沿第三方向紧跟基底/构图部件。此外，可以提供保护装置以便防止基底台、基底、支 撑结构、构图部件或其任何组合和流体供给系统之间的碰撞。在一个实施方案中，在使用中流体供给系统沿第一方向、第二方向和围绕第三方 向的旋转方向与投影系统、照射系统、参考构架或其任何组合刚性地连接。通过这种方式， 流体供给系统可以牢固地安装同时减小了对投影系统、照射系统或这两者的干扰，还在第 三方向允许一定程度的挠性。在一个实施方案中，连接部件包括一气体轴承。通过这种方式，可以在流体供给系 统和基底台、基底、支撑结构、构图部件或其任何组合之间获得稳定的间隙，而不需要高的 容差。此外，气体轴承可以允许流体供给系统定位得非常靠近基底台、基底、支撑结构、构图 部件或其任何组合，且没有碰撞的危险，从而在光刻装置的其它区域如在围绕投影系统和 照射系统的区域中提供更大的空间。
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在一个实施方案中，气体轴承配置成提供一密封，以便防止流体溢出流体供给系 统，或者防止周围气体进入到流体供给系统中。通过这种方式，可以在流体供给系统和基底 台、基底、支撑结构、构图部件或其任何组合之间获得最小间隙，从而提供增大的稀释因子， 例如大于10000的稀释因子。此外，在流体供给系统包括气体净化系统的情况中，一密封可以确保气体簇射在 容积内没有干扰。此外，该密封允许使用一封闭板来增加基底台交换过程中的稀释因子。高 的稀释因子可以使湿气远离投影系统和照射系统的光学元件，并在常规的“干”光刻系统中 保持足够低的水平，例如百万分之几(ppm)。这样可以改进在这种光刻系统中的净化系统的效率。在一个实施方案中，气体轴承配置成提供一大体上封闭的流体隔室。通过这种方 式，可以进一步提高稀释因子。在一个实施方案中，基底台、支撑结构或者上述两者都具有一配置成分别容纳基 底和构图部件的凹座。此外，该凹座具有一深度，其大体上分别等于基底和构图部件中至少 一个的厚度。此外，在使用中，布置成接收带图案的光束的基底表面大体上与基底台的表面 齐平。通过这种方式，在构图部件的曝光过程中，流体供给系统能够在基底台和基底上同样 好地移动，而不必对连接部件进行任何调节。另外，在使用中，布置成接收辐射光束的构图 部件的表面基本上与支撑结构的表面齐平。以这种方式，在构图部件的曝光过程中，流体供 给系统能够在支撑结构和构图部件上同样好地移动，而不必对连接部件进行任何调节。在一个实施方案中，在使用中气体轴承可在布置成接收带图案的光束的基底表面 和流体供给系统之间提供至少一个稳定和微小的间隙。通过这种方式，可以改进流体供给 系统和特别是基底之间的碰撞概率。通过提供微小且稳定的间隙，可以更容易地进行有效 的流体供给。在一个实施方案中，在使用中气体轴承可在布置成接收辐射光束的构图部件表面 和流体供给系统之间提供至少一个稳定和微小的间隙。通过这种方式，可以改进流体供给 系统和特别是构图部件之间的碰撞概率。通过提供微小且稳定的间隙，可以更容易地进行 有效的流体供给。在一个实施方案中，气体轴承包括一配置成调节气体流量和/或压力的控制元 件，以便控制布置成接收投射光束的基底表面和流体供给系统之间的间隙尺寸。通过这种 方式，可以改进即减小了流体供给系统和特别是基底之间的碰撞概率。在一个实施方案中，气体轴承包括一配置成调节气体流量和/或压力的控制元 件，以便控制布置成接收辐射光束的构图部件表面和流体供给系统之间的间隙尺寸。通过 这种方式，可以改进即减小了流体供给系统和特别是基底之间的碰撞概率。在一个实施方案中，气体轴承包括一配置成提供气体给气体轴承的气体供给，配 置成从气体轴承去除气体的至少部分真空，以及一配置成控制气体供给和至少部分真空的 控制元件，使得流体供给系统沿与一区域成一角度延伸的第三方向浮动在具有足够硬度的 基底、基底台或两者的表面上，所述区域由第一方向和第二方向限定，其中布置有基底台。 通过这种方式，可以在流体供给系统和基底台、基底或上述两者之间提供稳定的连接，而不 需要很大的调节，以及不会很大地增加装置的复杂程度。在一个实施方案中，气体轴承包括一配置成提供气体给气体轴承的气体供给，配
7置成从气体轴承去除气体的至少部分真空，以及一配置成控制气体供给和至少部分真空的 控制元件，使得净化系统沿与一区域成一角度延伸的第三方向浮动至少在构图部件和具有 足够硬度的支撑结构的表面上，所述区域由第一方向和第二方向限定，其中布置有支撑结 构。通过这种方式，可以在流体供给系统和支撑结构、构图部件或上述两者之间提供稳定的 连接，而不需要很大的调节，以及不会很大地增加装置的复杂程度。在一个实施方案中，净化系统包括一净化罩，气体轴承包括一配置成沿第三方向 提升净化罩的致动装置，其中第三方向沿与一区域成一角度的方向延伸，在该区域中布置 了基底台、支撑结构或两者。通过这种方式，当需要时，例如当进行基底台或基底交换时，可 以便利地提升净化罩。在一个实施方案中，净化系统包括一净化罩，该装置还包括一结合连接部件布置 的致动装置，从而沿第三方向提升净化罩，其中第三方向沿与一区域成一角度的方向延伸， 在该区域中布置了基底台、支撑结构或上述两者。通过这种方式，可以便利地提升净化罩， 而不会很大地增加装置的复杂程度。在一个实施方案中，致动装置使用磁体来提升净化罩。在一个实施方案中，第一、第二和第三方向分别对应于X、Y和Z方向。此外，Y方 向可以是扫描方向，X方向和Y方向可以限定一个平面，其中布置了基底台、基底或上述两 者。在使用中，Z方向沿大体上与该平面垂直的方向延伸。在一个实施方案中，净化系统包括一净化罩，其中连接部件配置成将净化罩与基 底台或支撑结构连接，使得净化罩紧跟基底台和基底或者支撑结构和构图部件分别沿第三 方向的移动，该第三方向沿与一区域成一角度的方向延伸，在该区域中分别布置了基底台 和支撑结构。通过这种方式，可以避免碰撞。在一个实施方案中，气体轴承包括一气体出口，通过该气体出口能够提供加压气 体给连接区域。通过这种方式，可以实现充分的连接。在一个实施方案中，气体轴承包括一部分真空，通过该部分真空能够从连接区域 去除加压气体。通过这种方式，可以实现充分的连接。在一个实施方案中，连接部件包括一气体轴承，以及提供一控制元件，以便在基底 台、基底、支撑结构、构图部件或其任何组合和净化系统之间提供一最小间隙，从而使净化 容积与周围环境隔离。通过这种方式，防止净化容积污染周围环境以及周围环境污染净化 容积。在一个实施方案中，供液系统包括一配置成至少减少从投影系统下方泄露的流体 的密封元件。在一个实施方案中，该密封元件与基底台、基底、支撑结构、构图部件或其任何 组合连接。根据本发明的一个方面，提供一种器件制造方法，其包括使用光刻装置的投影系 统将带图案的辐射光束投影到基底的靶部；以及使用一流体供给系统提供流体给一容积。 该容积包括至少一部分投影系统、至少一部分照射系统或者上述两者。该方法还包括将流 体供给系统与基底、保持基底的基底台、用于形成带图案的光束的构图部件、保持构图部件 的支撑结构或其任何组合连接。尽管在本申请中，可以具体参考将光刻装置用于制造IC，但是应该理解这里描述 的光刻装置可能具有其它应用，例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导 和检测图案、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，这里任何术语“晶片”或者“管芯”的使用应认为分别与更普通的术语“基底”或 “靶部”同义。在曝光之前或之后，可以在例如轨迹器(通常将抗蚀剂层作用于基底并将已 曝光的抗蚀剂显影的一种工具)或者计量工具或检验工具对这里提到的基底进行各种处 理。在可应用的地方，这里的公开可应用于这种和其他基底处理工具。另外，例如为了形成 多层IC，可以对基底进行多次处理，因此这里所用的术语基底也可以指已经包含多个已处 理的层的基底。这里使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射 (例如具有365，248，193，157或者126nm的波长)和远紫外(EUV)辐射(例如具有5_20nm 范围内的波长)，以及离子束，例如离子束或电子束。这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给投射光束在其截面赋予图案 的装置，从而在基底的靶部中形成图案。应该注意，赋予投射光束的图案可以不与基底靶部 中的所需图案精确一致。一般地，赋予投射光束的图案与在靶部中形成的器件如集成电路 的特殊功能层相对应。构图部件可以是透射的或者反射的。构图部件的示例包括掩模，可编程反射镜阵 列，以及可编程LCD板。掩模在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相 移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个示例采用了微小反射 镜的矩阵排列，每个反射镜能够独立地倾斜，从而沿不同的方向反射入射的辐射光束；按照 这种方式，对反射的光束进行构图。在构图部件的每一实例中，支撑结构可以是框架或者工 作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的，并且可以确保构图部件例如 相对于投影系统位于期望的位置。这里任何术语“中间掩模版”或者“掩模”的使用可以认 为与更普通的术语“构图部件”同义。这里所用的术语“投影系统”应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括折射 光学系统，反射光学系统，和反折射光学系统，如适合于所用的曝光辐射，或者适合于其他 方面，如使用浸液或使用真空。这里任何术语“透镜”的使用可以认为与更普通的术语“投 影系统”同义。照射系统还可以包括各种类型的光学部件，包括用于引导、整形或者控制辐射投 射光束的折射，反射和反折射光学部件，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“透
^Mi ο光刻装置可以是具有两个(双台)或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模 台)的类型。在这种“多台式”装置中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多 个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。光刻装置还可以是一种类型，其中基底浸没在具有相对高的折射率的液体如水 中，从而填充投影系统的最后一个元件和基底之间的空间。也可以将浸液施加到光刻装置 的其它空间，例如在掩模和投影系统的第一元件之间。浸润技术在本领域是公知的，其用于 增加投影系统的数值孔径。


现在仅仅通过例子的方式，参考随附的示意图描述本发明的实施方案，附图中相 应的参考标记表示相应的部件，其中
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图1示出了根据本发明的一个实施方案的光刻装置；图2示出了根据本发明的一个实施方案包括一气体净化系统的光刻装置；图3示出了根据本发明的另一个实施方案包括一气体净化系统的光刻装置；图4示出了根据本发明的一个实施方案的图2和3的气体净化系统的细节；图5示出了根据本发明的另一个实施方案包括一气体净化系统的光刻装置；图6示出了根据本发明的另一个实施方案包括一气体净化系统的光刻装置；图7示出了根据本发明的另一个实施方案包括一气体净化系统的光刻装置；图8示出了根据本发明的另一个实施方案包括一气体净化系统的光刻装置。
具体实施例方式图1示意性地描述了本发明一具体实施方案的光刻装置。该装置包括照射系统 (照射器)IL，用于提供辐射投射光束PB (例如UV或EUV辐射)；第一支撑结构(例如掩模 台)MT，用于支撑构图部件(例如掩模)MA，并与用于将该构图部件相对于物体PL精确定位 的第一定位装置PM连接；基底台(例如晶片台)WT，用于保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶 片)W，并与用于将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置PW连接；以及投影系统(例 如折射投影透镜)PL，用于将通过构图部件MA赋予给投射光束PB的图案成像在基底W的靶 部C (例如包括一个或多个管芯)上。如这里指出的，该装置属于透射型(例如采用透射掩模)。或者，该装置可以属于 反射型(例如或者采用上面提到的可编程反射镜阵列)。照射器IL接收来自辐射源SO的辐射光束。辐射源和光刻装置可以是独立的机构， 例如当辐射源是受激准分子激光器时。在这种情况下，不认为辐射源构成光刻装置的一部 分，辐射光束借助于光束传输系统BD从源SO传输到照射器IL，所述光束传输系统包括例如 合适的定向反射镜和/或扩束器。在其它情况下，辐射源可以是装置的组成部分，例如当源 是汞灯时。源SO和照射器IL，如果需要的话连同光束输送系统BD可以被称作辐射系统。照射器IL可以包括调节装置AM，用于调节光束的角强度分布。一般地，至少可以 调节在照射器光瞳平面上强度分布的外和/或内径向量(通常分别称为σ-外和ο-内)。 此外，照射器IL 一般包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。照射器提供辐射的调节 光束，称为投射光束PB，该光束在其横截面上具有所需的均勻度和强度分布。投射光束PB入射到保持在掩模台MT上的掩模MA上。在由横过掩模MA后，投射光 束PB通过系统PL，该系统将光束聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置PW和位置传 感器IF (例如干涉测量装置)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，从而例如在光束PB的 光路中定位不同的靶部C。类似地，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可 以使用第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中没有明确示出)将掩模MA相对光束 PB的光路进行精确定位。一般地，借助于长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)， 可以实现目标台MT和WT的移动，其中长行程模块和短行程模块构成定位装置PM和PW的 一部分。可是，在步进器(与扫描装置相对)的情况中，掩模台MT只与短行程致动装置连 接，或者固定。掩模MA与基底W可以使用掩模对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2进行 对准。所示的装置可以按照下面优选的模式使用
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1.步进模式，掩模台MT和基底台WT基本保持不动，赋予投射光束的整个图案被一 次投射到靶部C上(即单次静态曝光)。然后沿X和/或Y方向移动基底台WT，从而可以 曝光不同的靶部C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的靶部 C的尺寸。2.扫描模式，当赋予投射光束的图案被投射到靶部C时(即单次动态曝光)，同步 扫描掩模台MT和基底台WT。晶片台WT相对于掩模台MT的速度和方向通过投影系统PL的 放大(缩小)和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次动态 曝光中靶部的宽度(沿非扫描方向)，而扫描移动的长度确定靶部的高度(沿扫描方向)。3.其他模式，当将赋予投射光束的图案投射到靶部C上时，掩模台MT基本保持不 动地保持可编程构图部件，而此时基底台WT被移动或扫描。在该模式中，一般采用脉冲辐 射源，并且在基底台WT每次移动之后，或者在扫描期间两个相继的辐射脉冲之间根据需要 更新可编程构图部件。这种操作模式可以容易地应用于采用可编程构图部件的无掩模光刻 中，所述可编程构图部件是如上面提到的可编程反射镜阵列型。还可以采用上述所用模式的组合和/或变化，或者采用完全不同的模式。此外在 图1中示出的是一个流体供给系统，例如气体净化系统10或参考图2-8更详细描述的供液 系统。下文中特别地对包括气体净化系统10的常规“干”光刻装置描述本发明的一个或多 个实施方案。然而，本发明的一个或多个实施方案同样可以应用于包括供液系统的浸没光 刻装置。特别地，供液系统可以包括一密封元件，其配置成在投影系统的最后一个元件和基 底之间至少部分包含液体。此外，该密封元件可以与基底台、基底、支撑结构、构图部件或其 任何组合连接。图2示出了一个光刻装置，其包括根据本发明的一个实施方案的气体净化系统 10。特别地，图2示出了如包括净化罩11的净化系统10。该净化系统10布置成在净化容 积20内提供大体上分层的气体的净化流动。净化系统10特别地是净化罩11通过一刚性 连接部件18与投影系统PL刚性地连接，使得净化罩11相对投影系统PL的移动通常限制 在X、Y和Rz方向。在另一个实施方案中，净化罩11可以与光刻装置中的另一个部件刚性 地连接，例如参考或计量框架(未示出)。Z方向如图2所示，它是一个与由X和Y轴限定 的平面垂直的轴。此外，它大体上对应于投射光束传播的通常方向。Rz方向是一个用于表 示围绕Z轴的旋转方向的常用符号。净化系统10还可以通过一挠性连接部件在Z、Rx和Ry 方向与投影系统PL挠性地连接，其中Rx和Ry方向如图2所示，它们分别对应于围绕X和 Y轴的旋转方向的常用符号。在另一个实施方案中，挠性的连接部件16可以与光刻装置中 的另一个部件连接，例如参考或计量框架(未示出)。此外，以气体轴承12的形式或任选地以至少部分真空14的形式实施来提供一连 接部件12、14，以便将净化罩11与基底W、基底台WT、或上述两者连接。如下文中更详细论 述的，在图2示出的实施方案中，气体轴承用参考数字12显示，真空用参考数字14显示。 然而，根据特殊的实施方案，可以交换气体轴承和真空的各自位置。例如，在另一个实施方 案中，通过在净化罩11的净化容积20 —侧上布置真空以及在净化罩11的周围环境25 — 侧上布置气体轴承，可以减少净化气或防止其进入到周围环境25。这是有利的，因为已经 发现进入到光刻装置的环境中的净化气可能影响测量系统，例如在图1中示出的干涉测量 系统IF。在一个实施方案中，提供一真空环，以便密封净化罩的内边缘，该边缘最接近真空
1120。通过这种方式，能够去除净化气同时防止或减少来自气体轴承的气体进入到净化容积 20中。此外，可以提供外部真空环来使净化罩的外边缘与周围环境25密封。通过这种方 式，很少的或者没有净化气或来自气体轴承的气体会进入周围环境25，该环境中设置了敏 感部件，例如干涉测量装置IF。因此，在一个实施方案中，配置成密封净化罩的内边缘的真 空连接部件和配置成密封净化罩的外边缘的真空连接部件布置和构成为真空环。通过气体供给52将气体提供给连接部件12、14，然后从一排气管53排出。连接部 件12、14由控制元件26通常是一调节器控制。控制元件26布置成控制流动到净化系统10 以及任选地从净化系统10流出的气体的流动和/或压力。典型地，控制元件控制净化系统 和基底台、基底、支撑结构、构图部件或其任何组合之间的连接。在一个实施方案中，控制元 件布置成在基底台WT、基底W、支撑结构MT、构图部件MA或其任何组合和净化系统10之间 提供一最小气隙，从而使净化容积与周围环境隔离。此外，控制元件26可以控制气体轴承12，以便通过控制由气体轴承提供给该连接 的气体压力和/或真空，在净化系统10和基底台WT、基底W、支撑结构MT、构图部件MA或其 任何组合之间提供一预定气隙。在一个实施方案中，提供一净化罩11，其中在气体轴承12的任一侧上提供至少一 部分真空或一排气管，也就是说，一第一排气管朝向净化罩11的净化容积20布置，另一个 排气管朝向净化罩11的环境侧25布置，以及在该第一排气管和第二排气管之间提供一气 体轴承12。通过这种方式，可以防止或减少净化气流入环境25，防止气体轴承所用的任何 气体与投影系统的一个或多个光学元件接触。因此，可以不必为气体轴承12使用高度净化 的气体。此外，可以防止或减少环境的影响，如防止污染物进入净化容积20。在一个实施方案中，连接部件12、14在净化罩11和基底W、基底台WT或上述两者 之间沿至少z、Rx和Ry方向中的一个方向提供一挠性的连接。通过提供这种挠性连接，净 化罩11能够跟随基底W或基底台WT沿Z方向的任何移动。换句话说，净化罩11沿Z方向 浮动在具有足够硬度的基底台WT的顶部，能够避免与基底台WT特别是基底W的任何损坏 碰撞。如下面详细描述的，通过使用气体如净化气作为基底W和净化罩11之间的气体轴承， 提供一稳定的间隙22。为了增加挠性连接12、14的刚性，还可以提供一至少部分真空14。 通过这种方式，可以增加连接的稳定性，可以在净化罩和基底W、基底台WT或上述两者之间 获得稳定的间隙22，而不需要高的设计容差。附加地，当净化气不能排放到环境中时，该至 少部分真空14可以用于排出净化气，因为它可能会影响光刻装置中的测量系统，例如在图 1中示出的干涉测量系统IF。在图2中，在投影系统PL的一部分附近的区域中提供净化容积20。投射光束PB 通过投影系统PL的表面21离开投影系统PL，该表面21是投影系统PL的特殊部分，净化气 被提供给它。通过这种方式，可以减小在投影系统PL的出口表面21的区域中可能的污染 物的浓度，从而避免污染投影系统PL。典型地，净化罩11和投影系统Pl之间的自由空间为 几毫米的数量级。如图5进一步详细所示，通过喷嘴52将净化气喷入净化罩11中。图3示出了一种光刻装置，其包括根据本发明的另一个实施方案的气体净化系 统。特别地，在图3中，用其它气体轴承30、31、32、33代替如图2所示的刚性连接18。气 体出口 32可提供加压气体流33以便提供气体轴承。此外，提供一至少部分真空30给排气 31，由此增加由出口 32提供的轴承刚性。因此，刚性的气体轴承30、31、32、33可沿X、Y和Rz方向提供净化罩11与投影系统PL的刚性连接。此外，如下面详细描述的，在净化容积20 和环境25之间提供一密封。还在净化容积20和加压气体33之间提供一密封。这种布置 在实施方案中是有利的，其中加压气体如清洁的干空气(CDA)的清洁度比净化气如净化的 CDA的清洁度低。因此，在该特殊的实施方案中，可以防止或减少较低清洁的加压气体污染 净化容积20。在一个实施方案中，可以根据特殊应用和需要的轴承提供气体通过腔室30， 并从腔室32排出。一气体出口 34可将净化气35提供到净化容积20中。一至少部分真空36可从 净化容积20排出净化气37。而在图2中，气体轴承12、14包括单个气体出口 12和至少部 分真空14，在图3示出的另一个实施方案中，提供了多个气体出口 12和多个至少部分真空 14。通过这种方式，能够进一步控制气体轴承的稳定性和挠性。此外，能够最小化对布置在 净化罩11附近的测量系统的干扰，并且可以保持对用于净化容积20的气体清洁度的控制。 在示出的实施方案中，气体出口 12可将加压气体流13提供到间隙22中，而相邻的至少部 分真空气体入口 14排出至少部分气流15。类似的，随后气体出口 12还提供气流，以及随后 相邻的至少部分真空气体入口 14排出至少部分气流15。在示出的实例中，有两个气体出 口 12和两个气体入口 14，然而，气体轴承12、14可以包括一个或多个气体出口和/或气体 入口。可以优化(多个)出口/(多个)入口的位置，从而防止或减少周围的气体17进入 净化容积20，或者防止气体13进入净化容积20以及被排出到其可能影响测量系统的环境 中。气体轴承12、14可以在用净化气35进行净化的净化容积20和环境25之间形成 一密封44。类似的，气体轴承30、31、32、33还可以在净化容积20和环境25之间提供一密 封。通过这种方式，净化气由于例如其对光刻装置中其它部件的冲击或一般地对环境的冲 击，可能不是一个可行的选择，它可以用作净化气，是因为根据本发明的一个实施方案，净 化容积20被密封了，从而可提供大体上封闭的净化隔室。这些净化气例如可以是有毒的气 体或可能会干扰干涉仪系统IF的性能的气体。任选地，如图3所示，提供附加的真空室36在净化气进入气体轴承真空入口 14之 前去除大部分净化气。此外，可以使排出的气体再循环。在一个实施方案中，不使用分别具有一过压力和真空的一个或两个腔室12、14，使 用具有压力和真空的任意腔室阵列来提供气体轴承的功能，密封和添加/去除净化气。在 一个实施方案中，该阵列可以如此布置使得流动方向相反。特别地，使得流动从净化容积20 的内部朝环境25定向。在一个实施方案中，可以布置流动方向的组合。通过这种方式，根 据选择的流动方向，根据用户的愿望，其例如可以分别由净化气和气体轴承的气体的性质 确定，以及根据环境，可以有效地控制来自环境的气体流向净化环境的密封或来自净化环 境的气体流向环境的密封。腔室还可以用多孔材料区域代替，该多孔材料布置在邻近基底W、基底台WT或上 述两者的净化罩的表面19中，从而提供一致的和稳定的气体流动。典型地，还可以充分地 混合气体流动。通过这种方式，能够进一步控制气体轴承，以及控制轴承的相对刚性和/或 挠性。在一个实施方案中，腔室可以是具有多个小孔的环。这种布置适合用于加压气体。在 一个实施方案中，其中气体轴承30，31，32，33被刚性连接18代替，如图2所示，或者为了进 一步改进净化容积和环境25之间的密封，还可以提供一挠性密封46。
图4示出了根据本发明的一个实施方案的气体净化系统的细节。特别地，图4示 出了如图2所示的净化罩11的表面19，其面对基底W、基底台WT或上述两者。特别地，在 表面19中设置提供加压气体的区域42，以及在该表面中设置提供至少部分真空的区域40。 如图4所示的区域40、42可以为环形。因此，可以提供真空环和气体供给环在期望的位置 分别密封和连接净化罩。如前所述，可以提供真空环40分别密封净化罩的内边缘和外边 缘。气体供给环42在净化罩和基底W、基底台WT或上述两者之间形成一间隙。该环可以中 央布置。在一个实施方案中，将净化气喷入净化容积20，然后通过排气管和/或真空去除。 在一个特殊的实施方案中，最内部的真空环40特别适合作为净化气的排气管。通过这种方 式，防止或减少净化气进入环境。此外，可以提高性能，因为可以根据通过真空环施加的真 空控制流动图案。用于提供加压气体的区域42包括多个气体出口 12 (还可表示为气体腔室12)通 过该气体腔室可提供加压气体。用于提供至少部分真空的区域40包括多个入口 14，还可 表示为真空室14，通过该真空室可从间隙22排出气体。类似地，区域41对应于净化气排 气管，其包括多个入口 36 (还可表示为真空室)通过该真空室可从净化容积20排出气体。 如上所述，区域40、42还可以或者可替换地包括多孔材料的区域。孔隙度的大小取决于期 望的气体轴承。例如供给加压气体的区域42的孔隙度可以大于真空区域40的孔隙度。在 示出的实施方案中，通常气体出口 12具有比气体入口 14更小的截面积。通过这种方式，能 够精确地控制供给的气体压力。类似地，出口 12相对于入口 14的分布还可以变化。例如， 为了控制由轴承供给的气体压力，可以相对于入口 14提供更大密度的出口 12。在示出的 实施方案中，气体出口 12的分布大致与气体入口 14的分布相同。在示出的实施方案中，邻 近基底W、基底台WT或上述两者的净化罩11的表面19大体上是圆形的。然而，表面19的 形状可以根据特殊净化罩11的设计而变化。在表面19中心处提供的是孔45，在投射光束 PB入射到基底W之前投射光束通过该孔。在示出的实施方案中，孔45大体上是圆形的。然 而，例如根据由投影系统PL输送的投射光束和净化罩的设计，孔45可以具有不同的形状。 图4中，示出了在两个腔室之间的区域49。在该区域49中，净化罩11和基底/基底台布置 得靠近在一起，一微小的间隙22使其分开。通过这种方式，可以在该区域中产生高的流速。 该高流速的区域49还可以进一步改进净化罩11和环境25之间的密封效果。图5-8示出了一种光刻装置，其包括一根据本发明的另一个实施方案的气体净化 系统。参考图5-7，例如在扫描期间，使用中的净化罩11可以如此布置使得其部分邻近基底 台WT以及部分邻近基底W。为了解决这个问题，邻近净化罩11的基底台WT的表面51在一 个实施方案中是平坦的。此外，基底台WT表面51的高度在一个实施方案中当其邻近净化罩 11时大体上与基底W的表面54齐平。也就是说，基底台WT的表面高度和基底W的表面高 度大体上相同。这可以通过提供一布置成容纳基底的凹座50，在图5-7中示出的实施方案 中实现，该基底布置在基底台WT中。该凹座50在Z方向上具有大体上与基底W的尺寸相 同的深度，即大体上与基底W的厚度相同。该基底W布置在凹座中。当如此设置凹座50使 得基底W填充了凹座的大部分面积时，基底就不必完全填充凹座50。为了允许具有不同尺 寸的基底容纳在同一凹座50中，围绕基底W的间隙55是允许的。可能在凹座50的侧面和 基底或基底台之间产生泄露。这种泄露可能导致环境空气进入净化容积或者净化气从净化 容积泄露到环境，例如当净化罩11在基底W的边缘上移动时。通过围绕凹座50的侧面提
14供气体入口 /出口阵列可以解决这个问题，其中净化气可以通过围绕凹座50侧面的入口 / 出口阵列吹入或吸出。此外，图5示出了一个气体供给52，通过该气体供给可提供净化气、 气体轴承的气体或上述两者。在示出的实施方案中，净化气和气体轴承气体都是通过同一 供给52提供的。图6示出了另一个实施方案，其中光刻装置在进行扫描和/或曝光操作。当扫描 时，净化罩11在基底W上移动。一旦基底W已经被辐射曝光，就进行基底台WT交换，其中 布置有基底的基底台被其中布置有另一个基底W的另一个基底台WT代替。这个步骤可以 在例如双台式的光刻装置中进行。或者，一旦对一个基底W完成扫描，就从凹座50去除基 底。然后，随后将用于扫描的下一个基底W布置在凹座50中。在图6-8中，示出了基底台WT交换的实例。为了交换基底台WT，视需要地可以去 除净化罩11的真空；然而，这不是必须的。如下文所描述的，对于其中使用了封闭板的实施 方案，通常一直保持真空同时交换基底台WT。此外，或者可替换地，如图6所示，提供一个或 多个致动装置60。通过一连接部件62将致动装置60与投影系统PL连接，以及通过另一个 连接部件64将致动装置与净化罩11连接。当进行基底台WT交换时，致动装置60的致动 能够提升净化罩11。在一个实施方案中，当需要时致动装置可以使用磁体的布置选择地提 升净化罩，而允许基底台WT或基底W交换。图7示出了在进行接收操作的光刻装置，其中基底台WT相对投影系统PL和净化 系统10移动，从而允许进行基底台WT的交换。为了保护投影系统PL在基底台WT交换期 间免受污染，提供一封闭板，用于覆盖净化罩11和投影系统PL之间的孔45。特别地，为了 保持投影系统在基底台WT交换期间湿润，在浸没光刻法中提供一封闭板。利用封闭板，在 基底台WT交换期间能够包含液体例如水或保持其流动。通常在布置于基底台WT的另一个 凹座70中提供该封闭板(CD)。如果使用该封闭板，凹座70具有与封闭板(CD)的厚度大 体上相同的深度，从而当在使用中将封闭板(CD)布置在凹座70中时，基底台WT的表面与 封闭板(CD)的表面齐平。在一个实施方案中，一旦在图6中释放真空，任选地，激活致动装 置60，使基底台WT相对与净化系统10连接的的投影系统PL移动到一个位置，使得投影系 统PL邻近布置在凹座70中的封闭板CD，如图7所示。在一个实施方案中，为了移动到封闭 板，不必释放真空，也不必使用致动装置提升净化罩。特别地，在一个实施方案中，封闭板和 基底布置成与基底台表面齐平，它们仅仅从一侧移动到另一侧。为了拾起封闭板，通常切断 加压气体。通常仍然保持真空，因为这样可以使封闭板夹紧在合适的位置。一旦在相邻封闭板的位置，就启动至少部分真空14，从而导致封闭板(⑶)被吸到 孔45上，如图8所示。该真空用于从盘CD在基底台WT中的存储位置提升盘，并使其保持 固定在净化罩11上。一旦封闭，就去除基底台WT，如图8所示。随后，提供另一个基底台 WT。封闭板(CD)封闭净化罩11，因此当没有提供基底台WT时确保了高的稀释因子。这对 在基底台WT或基底W交换期间保持投影系统清洁和/或干燥是有用的。尽管本发明不限于使用净化气，在上面描述的所有实施方案中，净化气例如可以 包括非常纯的氮气N2，或从组He、Ne、Ar、Kr和Xe中选择的气体，或者是这些气体中任何两 种或多种的混合物。当在相同的温度和压力条件下(例如标准的洁净室条件)进行测量和 使用相同波长的辐射时，所用的气体成分可以对投射光束波长的UV辐射大体上透明，并且 在一个实施方案中，具有大体上与空气相同的折射率。在一个实施方案中，该折射率与在干涉仪位移测量装置IF(如图1所示)中使用的辐射光束的波长下的空气折射率相同。在掩 模和/或基底台中的净化气压力可以是大气压力，或者它可以高于大气压力，使得任何的 泄露只会导致气体流出，而不会由于进入的空气污染系统。气体混合物包括但不限于空气、 滤过的空气、滤过的加压空气、氮气和净化的CDA。气体轴承中使用的气体成分可以和净化气相同或者具有和净化气相似的性质。气 体轴承不必使用相同的气体成分。然而，如果使用相同的气体，可以简化用于净化气和气体 轴承的气体供给，因为不需要单独的用于净化气和气体轴承的气体供给。特别地，对于气体 轴承可以使用任何种类的气体，例如氮气、加压气体或滤过的加压气体。供给气体的压力取 决于间隙22的期望尺寸、净化系统的质量、特别地取决于净化罩和气体出口的面积。通常 气体压力范围是6巴或更小。如果其它因素大体上保持不变，那么通过气体轴承出口供给 的气体压力越高，间隙22的尺寸将越大。提供一调节器来控制通过气体轴承的气体流动， 以便保持间隙22具有足够精确的尺寸。通过这种方式，气体轴承可提供一挠性连接。在一 个实施方案中，增加气体出口前面的气体容积，以便确保压力在每个气体出口的均勻分布， 从而获得更加稳定的支承。间隙22的尺寸通常小于大约100微米。在非浸没光刻中，间隙 沿Z方向的典型尺寸在30-200微米范围内。在浸没光刻中间隙22沿Z方向的典型尺寸在 30微米范围内。特别地，在大约10-50微米之间。然而，使用调节器，间隙的尺寸能够根据 期望的操作条件进行变化，该操作条件例如可以由在一个基底中或在具有不同厚度的基底 之间的基底表面的平面度确定。在常规的空气轴承中，间隙的典型尺寸是8-15微米的数量 级。在一个实施方案中，除气体轴承12、14中的加压气体外，提供了至少部分真空，对 于大约为6巴的气体压力，提供范围大约在-0. 4-0. Sbar的真空。应该理解，需要的真空 取决于特殊的净化罩11和在净化罩和基底台WT、基底W或上述两者之间保持的间隙22所 需的气体轴承。在如附图所示的实施方案中，示出和描述了在基底台附近使用的净化系统。然而， 特别地，本发明的实施方案可应用于中间掩模版MT，也就是说，可应用于构图部件MA的支 撑结构MT。因此，在另一个实施方案中，提供一净化系统10用于提供气体给净化容积，该净 化容积包括至少一部分照射系统IL。可以提供一连接部件，用于连接净化系统10和支撑 结构MT和/或构图部件MA。通过这种方式，给予基底台描述的益处也可以被掩模台MT共 享。在一个实施方案中，支撑结构MT和/或构图部件MA布置在一由第一和第二不同 方向限定的区域中。净化系统10沿第三方向与支撑结构MT和/或构图部件MA连接，该第 三方向与该区域成一角度延伸。在一个实施方案中，净化系统沿第三方向，围绕第一方向的 旋转方向、围绕第二方向的旋转方向或其任何组合与支撑结构MT和/或构图部件MA挠性 连接。在一个实施方案中，净化系统10沿第一方向、第二方向、围绕第三方向的旋转方向或 其任何组合与照射系统IL刚性连接。在一个实施方案中，支撑结构MT具有一布置成容纳构图部件的凹座，其中例如， 该凹座具有一深度，其大体上等于构图部件的厚度。在一个实施方案中，该凹座具有围绕凹 座周围延伸的边缘，该装置还包括一围绕凹座边缘设置的气体入口和/或气体出口阵列， 从而当净化罩在构图部件上移动时，防止气体泄漏到容积中或从容积中泄漏出来。在一个
16实施方案中，布置成接收投射光束的构图部件MA的表面大体上与支撑结构MT的表面齐平。 在一个实施方案中，使用中的气体轴承在布置成接收投射光束的构图部件表面和净化系统 之间提供一稳定的间隙。在一个实施方案中，气体轴承包括一控制元件，通常是一调节器， 用于控制气体的流动和/或压力，从而控制布置成接收投射光束的构图部件表面和净化系 统之间的间隙尺寸。特别地，气体轴承包括一用于提供气体给连接的气体供给、用于从该连 接去除气体的至少部分真空以及一控制元件，该控制元件布置成控制气体供给和至少部分 真空，使得净化系统沿与一区域成一角度延伸的第三方向浮动在具有足够硬度的构图部件 表面、支撑结构或上述两者的表面上，该其中布置有支撑结构的区域由第一方向和第二方 向限定。在一个实施方案中，净化系统包括一净化罩，该净化罩与支撑结构和/或构图部 件连接。在一个实施方案中，净化系统包括一净化罩，气体轴承包括一配置成沿第三方向提 升净化罩的致动装置，其中该第三方向沿与一区域成一角度的方向延伸，在该区域中布置 有支撑结构。装置还可以包括一结合连接部件布置的致动装置，从而沿第三方向提升净化 罩，其中第三方向沿与一区域成一角度的方向延伸，在该区域中布置了支撑结构。致动装置 使用一个或多个磁体来提升净化罩11。还可以提供一控制元件，用于控制净化系统和支撑 结构和/或构图部件之间的连接。特别地，连接部件可以包括一气体轴承和一控制元件，它 们布置成在支撑结构和/或构图部件和净化系统之间提供一最小气隙，从而使净化容积和 周围环境隔离。虽然上面已经描述了本发明的具体实施方案，可以理解可以不同于上面所描述的 实施本发明。说明书不是要限制本发明。
权利要求
一种光刻装置，包括一配置成调节辐射光束的照射系统；一配置成支撑构图部件的支撑结构，该构图部件在辐射光束的横截面将图案赋予给辐射光束；一配置成保持基底的基底台；一配置成将带图案的光束投影到基底的靶部上的投影系统；一配置成将流体提供给一个容积的流体供给系统，该容积包括至少一部分投影系统，至少一部分照射系统，或上述两者；以及一配置成将流体供给系统连接到基底台、基底、支撑结构、构图部件、或其任何组合的连接部件。
2.如权利要求1所述的光刻装置，其中流体供给系统包括一配置成提供气体给净化 容积的气体净化系统，该净化容积包括一部分投影系统、至少一部分照射系统，或者上述两者ο
3.如权利要求1所述的光刻装置，其中流体供给系统包括一配置成将液体提供到投影 系统和基底的局部区域之间的空间的供液系统。
4.如权利要求1所述的光刻装置，其中在使用中，基底台、基底、支撑结构、构图部件或 其任何组合布置在一个由第一和第二不同方向限定的区域中，其中流体供给系统沿第三方 向与基底台、基底、支撑结构、构图部件或其任何组合连接，该第三方向与上述区域成一角 度延伸。
5.如权利要求4所述的光刻装置，其中第一、第二和第三方向大体上相互垂直。
6.如权利要求4所述的光刻装置，其中在使用中流体供给系统沿第三方向、围绕第一 方向的旋转方向和围绕第二方向的旋转方向与基底台、基底、支撑结构、构图部件或其任何 组合挠性地连接。
7.如权利要求4所述的光刻装置，其中在使用中流体供给系统沿第一方向、第二方向 和围绕第三方向的旋转方向与投影系统、照射系统、参考构架或其任何组合刚性地连接。
8.如权利要求1所述的光刻装置，其中连接部件包括一气体轴承。
9.如权利要求8所述的光刻装置，其中气体轴承配置成提供一个密封，以便至少防止 流体溢出流体供给系统。
10.如权利要求8所述的光刻装置，其中气体轴承配置成提供一大体上封闭的流体隔室。
11.如权利要求8所述的光刻装置，其中在使用中，气体轴承在布置成接收带图案的光 束的基底表面和流体供给系统之间提供至少一个稳定和微小的间隙。
12.如权利要求8所述的光刻装置，其中在使用中，气体轴承在布置成接收辐射光束的 构图部件表面和流体供给系统之间提供至少一个稳定和微小的间隙。
13.如权利要求8所述的光刻装置，其中气体轴承包括一配置成调节气体流量和/或 压力的控制元件，以便控制布置成接收投射光束的基底表面和流体供给系统之间的间隙尺 寸。
14.如权利要求8所述的光刻装置，其中气体轴承包括一配置成调节气体流量和/或压 力的控制元件，以便控制布置成接收辐射光束的构图部件表面和流体供给系统之间的间隙尺寸。
15.如权利要求8所述的光刻装置，其还包括一配置成提供气体给气体轴承的气体供 给，配置成从气体轴承去除气体的至少部分真空，以及一配置成控制气体供给和至少部分 真空的控制元件，使得流体供给系统沿与一区域成一角度延伸的第三方向浮动在具有足够 硬度的基底、基底台或上述两者的表面上，所述区域由第一方向和第二方向限定，其中布置有基底台ο
16.如权利要求8所述的光刻装置，其还包括一配置成提供气体给气体轴承的气体供 给，配置成从气体轴承去除气体的至少部分真空，以及一配置成控制气体供给和至少部分 真空的控制元件，使得流体供给系统沿与一区域成一角度延伸的第三方向浮动在具有足够 硬度的至少构图部件、支撑结构或上述两者的表面上，所述区域由第一方向和第二方向限 定，其中布置有支撑结构。
17.如权利要求8所述的光刻装置，其中流体供给系统包括一气体净化系统，其配置成 将气体提供给一净化容积，该净化容积包括至少一部分投影系统、至少一部分照射系统或 上述两者，其中净化系统包括一净化罩，还包括一配置成沿第三方向提升净化罩的致动装 置，该第三方向沿与一区域成一角度的方向延伸，在该区域中布置了基底台、支撑结构或上 述两者。
18.如权利要求17所述的光刻装置，其中在使用中，当使基底台与第二基底台交换时， 致动装置配置成提升净化罩。
19.如权利要求8所述的光刻装置，其中气体轴承包括一气体出口，通过该气体出口能 够提供加压气体给连接区域。
20.如权利要求19所述的光刻装置，其中气体轴承包括一部分真空，通过该部分真空 能够从连接区域去除加压气体。
21.如权利要求8所述的光刻装置，还包括一控制元件，其配置成在流体供给系统和基 底台、基底、支撑结构、构图部件或其任何组合之间控制气体轴承。
22.如权利要求21所述的光刻装置，其中控制元件配置成控制气体轴承，以便通过控 制由气体轴承提供给连接部件的压力、真空或上述两者在流体供给系统和基底台、基底、支 撑结构、构图部件或其任何组合之间提供一预定的气隙。
23.如权利要求21所述的光刻装置，其中控制元件配置成在基底台、基底、支撑结构、 构图部件或其任何组合和流体供给系统之间提供一最小的气隙，从而使容积与周围环境隔 罔。
24.如权利要求1所述的光刻装置，其中基底台、支撑结构或者上述两者都具有一配置 成分别容纳基底和构图部件的凹座。
25.如权利要求24所述的光刻装置，其中凹座具有一深度，该深度大体上分别等于基 底和/或构图部件的厚度。
26.如权利要求24所述的光刻装置，其中凹座具有围绕凹座周围延伸的边缘，该装置 还包括一围绕凹座边缘设置的气体入口和/或气体出口阵列，从而当流体供给系统分别在 基底边缘和/或构图部件上移动时，至少减少流体泄漏到容积中或从容积中泄漏出来。
27.如权利要求24所述的光刻装置，其中在使用中，布置成接收带图案的光束的基底 表面大体上与基底台的表面齐平。
28.如权利要求24所述的光刻装置，其中在使用中，布置成接收辐射光束的构图部件 表面大体上与支撑结构的表面齐平。
29.如权利要求2所述的光刻装置，其中净化系统包括一净化罩，在使用中，它与基底 台、基底、支撑结构、构图部件或其任何组合连接。
30.如权利要求2所述的光刻装置，其中净化系统包括一净化罩，该装置还包括一结合 连接部件布置的致动装置，从而沿第三方向提升净化罩，该第三方向沿与-区域成一角度 的方向延伸，在该区域中布置了基底台、支撑结构或上述两者。
31.如权利要求30所述的光刻装置，其中致动装置使用磁体来提升净化罩。
32.如权利要求4所述的光刻装置，其中第一、第二和第三方向分别对应于X、Y和Z方向。
33.如权利要求32所述的光刻装置，其中流体供给系统包括一配置成提供气体给净化 容积的气体净化系统，该净化容积包括至少一部分投影系统、至少一部分照射系统或上述 两者，其中净化系统包括一净化罩，并且当在使用中的净化罩和基底、基底台、支撑结构、构 图部件或其任何组合沿Z方向的连接是挠性的时候，通过将净化罩刚性地与投影系统、参 考构架或上述两者连接来确定净化罩在X和Y方向的位置及其各自的旋转方向。
34.如权利要求32所述的光刻装置，其中Y方向是扫描方向，X方向和Y方向限定了一 个平面，在使用中，该平面中布置了基底台、基底、构图部件或其任何组合，Z方向沿大体上 与该平面垂直的方向延伸。
35.如权利要求2所述的光刻装置，其中净化系统包括一净化罩，其中连接部件布置成 在使用时将净化罩与基底台或支撑结构连接，使得净化罩跟随基底台和基底或者支撑结构 和构图部件分别沿第三方向的移动，该第三方向沿与一区域成一角度的方向延伸，在该区 域中分别布置了基底台和支撑结构。
36.如权利要求2所述的光刻装置，其中在连接部件的气体轴承中使用净化气用作气 体或者相反。
37.如权利要求3所述的光刻装置，其中供液系统包括一配置成至少减少从投影系统 下方泄露的液体的密封元件。
38.如权利要求37所述的光刻装置，其中密封元件与基底台、基底、支撑结构、构图部 件或其任何组合连接。
39.如权利要求2所述的光刻装置，其中气体净化系统包括一配置成将净化容积的内 部与净化容积的外部环境隔离的密封元件。
40.一种器件制造方法，包括使用光刻装置的投影系统将带图案的辐射光束投影到基底的靶部；使用一流体供给系统提供流体给一容积，该容积包括至少一部分投影系统、至少一部 分照射系统或者上述两者；以及将流体供给系统与基底、保持基底的基底台、用于形成带图案的光束的构图部件、保持 构图部件的支撑结构或其任何组合连接。
全文摘要
本发明公开了一种光刻投影装置。该装置包括一配置成调节辐射光束的照射系统和一配置成支撑构图部件的支撑结构。该构图部件用于在辐射光束的横截面将图案赋予给辐射光束。该装置还包括一配置成保持基底的基底台，一配置成将带图案的光束投影到基底的靶部上的投影系统，以及一配置成将流体提供给一个容积的流体供给系统。该容积包括至少一部分投影系统和/或至少一部分照射系统。该装置还包括一配置成将流体供给系统连接到基底台、基底、支撑结构、构图部件、或其任何组合的连接部件。
文档编号G03F7/20GK101916050SQ20101024979
公开日2010年12月15日 申请日期2005年6月23日 优先权日2004年6月23日
发明者A·J·范德米特, J·C·H·穆肯斯, J·J·S·M·梅坦斯, J·洛夫, M·贝克斯, N·拉勒曼特, R·范德哈姆 申请人:Asml荷兰有限公司