电子照相感光构件和电子照相设备的制作方法

专利名称：电子照相感光构件和电子照相设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。本发明具体涉及具有由氢化非 晶硅形成的光导电层并具有在所述光导电层上由氢化非晶碳化硅形成的中间层和表面层 二者的电子照相感光构件。下文中，氢化非晶硅也称作"a-Si"，氢化非晶碳化硅也称 作〃 a-SiC"。另夕卜，由"a-SiC"形成的表面层也称作"a_SiC表面层〃。
背景技术：
已知具有在基体上由非晶材料形成的光导电层(感光层)的电子照相感光构件。 特别地，具有用成膜技术如化学气相沉积法(CVD法)和物理气相沉积法(PVD法)在基体 上形成的光导电层的非晶硅电子照相感光构件(下文中也称作"a-Si感光构件")已经 商品化。例如，a-Si感光构件的层结构为如图5中示出的层结构。图5中，电子照相感光 构件5000具有在导电性基体5001上由a-Si形成的光导电层5002(下文中也称作"a_Si 光导电层〃)，和在光导电层5002上形成的a-SiC表面层5005。a_SiC表面层5005是涉 及电子照相性质的重要的层。电子照相感光构件的表面层需要的性质包括耐磨耗性、耐湿 性、电荷保持性和透光性。因为耐磨耗性特别优异和上述其它性质之间的平衡也优异，所以 a-SiC表面层主要用于具有快速处理速度的电子照相设备。然而，当在高湿环境中使用时，常规a-SiC表面层有时引起图像缺失(下文中也称 作"高湿缺失")。高湿缺失是指当根据电子照相法在高湿环境中重复地形成图像并在过 一会之后再次输出图像时发生的文字模糊或者没有被打印导致形成空白区域的图像缺陷。 该现象的一个原因是吸附于电子照相感光构件表面上的水分。通常，为了减少高湿缺失的 发生，总是进行用感光构件用加热器加热电子照相感光构件，并减少或除去吸附于电子照 相感光构件表面上的水分。还提出此类电子照相感光构件，以通过其它方法而不是使用感 光构件用加热器的方法来减少高湿缺失。日本专利3124841公开了以下技术在具有依次形成于基体上的光导电层和 a-SiC表面层的a-Si感光构件中，将a-SiC表面层中硅原子、碳原子、氢原子或氟原子的原 子密度设定为小于预定值的值。日本专利3124841中的技术通过将构成a-SiC表面层的各 原子的原子密度设定为小于预定值的值形成具有比较粗糙的层结构的a-SiC表面层，并使 a-SiC表面层容易在电子照相法的清洁步骤中磨损。日本专利3124841描述了该技术由此 获得总含有很少量吸附水分的新表面，从而能够减少高湿缺失。还提出涉及通过改进a-Si 感光构件中的a-Si光导电层和a-SiC表面层来增强电子照相感光构件特性的技术。日本专利3236692描述了以下技术在具有依次层叠于基体上的载流子注入阻止 层、感光层和表面层的电子照相感光构件中，将各层中非晶态下原子的原子密度设定为小 于预定值的值，并将补偿悬键的原子的原子密度设定为大于预定值的值。日本专利3236692 描述了可将这些层层叠，以具有通过在最表面侧中增加缺陷密度来确保耐磨耗性同时改进 电荷输送性和防止残余电势增加而需要的层厚度。该专利也描述了通过降低光导电层侧中 表面层的缺陷密度能够同时确保电荷保持性。
日本专利公布H05-018471提出在具有依次形成于基体上的a_Si光导电层和 a-SiC表面层的a-SiC感光构件中，将a_SiC表面层两层化的电子照相感光构件。日本专利 公布H05-018471公开了形成a_SiC表面层的技术，该a_SiC表面层中两层表面层中的最表 面侧中表面层的缺陷密度高于光导电层侧中表面层的缺陷密度。日本专利公布H05-018471 描述了能够形成此类表面层以具有确保耐久性必要的层厚度，这是因为通过增加最表面侧 中的缺陷密度能够降低残余电势的增加。日本专利公布H05-018471还描述了 结果，通过 由此制作a-SiC表面层作为具有高缺陷密度和比较粗糙的层结构，能够生产具有优异的电 子性质的电子照相感光构件。日本专利315^08描述了以下技术当使用具有预定波长以下的波长的图像曝光 光源时，将用于构成光导电层骨架的非晶态下原子的原子密度设定为大于预定值的值，并 将补偿悬键的原子的原子密度设定为小的值。通过由此将用于构成光导电层骨架的非晶态 下原子的原子密度设定为预定值以上，缩短各键合原子之间的距离，因此能够获得需要的 带隙。另外，通过将补偿悬键的原子的原子密度设定为小的值，能够产生相对于具有图像曝 光用预定波长以下的高能光的光量超过带隙的光载流子，能够通过产生的载流子的带传导 以高迁移率传导载流子。日本专利3152808描述了 结果，带电性增加，曝光电势降低、且可 以生产能够减少残像(afterimage)发生的电子照相感光构件。近年来，从环境考虑同时满足高速化、高图像品质化和长寿命化的要求的观点，电 子照相法也需要满足省电性。换句话说，期望进一步改进电子照相感光构件。例如，就耐湿 性而言，如果高湿缺失发生，图像品质降低。因此，需要即使在高湿环境中也不引起高湿缺 失并能够保持高图像品质的电子照相感光构件。此处，当安装上述感光构件用加热器以在 高湿环境下保持高图像品质时，即使当电子照相设备不操作时也需要相应于待机电力的电 力，这使得难以改进省电性。另外，即使当采用日本专利3124841中公布的技术时，电子照相感光构件表面也 需要以一定磨耗速度刮削，因此，特别地，具有快速处理速度的电子照相设备有时不能充分 地确保电子照相感光构件的耐久性。除上述表面的磨耗以外，不能充分确保电子照相感光 构件的耐久性的因素还包括层剥落。当a-SiC表面层的层厚度增加至能够应付长寿命的需 要的程度时，表面层的内部应力增加。当表面层的内部应力增加时，存在如下情况当发生 环境突变(温度和湿度等的突变)时，在光导电层和a-SiC表面层之间的界面附近引起层 剥落。其中发生此类环境突变的情况的一个实例包括通过航空器输送电子照相感光构件。认为在光导电层和a-SiC表面层之间的界面附近引起层剥落的原因是，因为当 a-SiC表面层的内部应力增加时，光导电层和a-SiC表面层之间内部应力的差扩大，并且应 力在两层之间的界面附近集中。通过在光导电层和a-SiC表面层之间设置中间层，可减轻 在光导电层和a-SiC表面层之间的界面附近的应力集中，以致减少在光导电层和a-SiC表 面层之间的界面附近的层剥落。然而，当使用具有大内部应力的表面层时，即使设置上述中 间层，也存在如下情况其中光导电层和中间层之间的界面不能承受来自于表面层的高应 力，并在界面附近发生层剥落。另外，即使通过设置中间层来减少在光导电层和a-SiC表面层之间的界面附近的 层剥落，也存在如下情况当发生环境突变时，由于光导电层的断裂引起层剥落。认为由光 导电层的断裂引起层剥落的原因是，因为通过设置中间层来减少在光导电层和a-SiC表面
5层之间的界面附近层剥落的发生，由此来自于表面层的应力集中于光导电层本身上。

发明内容
本发明的目的是提供具有优异的耐高湿缺失性、耐磨耗性和耐层剥落性的电子照 相感光构件，和具有该电子照相感光构件的电子照相设备。本发明提供电子照相感光构件，其包括基体；在基体上由氢化非晶硅形成的光 导电层；在光导电层上由氢化非晶碳化硅形成的中间层；和在中间层上由氢化非晶碳化硅 形成的表面层，其中当在表面层中的碳原子数(C)相对于在表面层中的硅原子数(Si)和碳 原子数(C)的总和之比(C/ (Si+C))由Cs表示时，Cs为0. 61以上至0. 75以下，当在表面层中 的氢原子数(H)相对于在表面层中的硅原子数(Si)、碳原子数(C)和氢原子数(H)的总和 之比(H/(Si+C+H))由Hs表示时，Hs为0.20以上至0. 45以下，和表面层的层厚度为0. 2 μ m 以上至3.0μπι以下；当在中间层中的碳原子数(C)相对于在中间层中的硅原子数(Si)和 碳原子数(C)的总和之比(C/(Si+C))由Cm表示时，Cm为0.25以上至0.9XCs以下，当在中 间层中的氢原子数(H)相对于在中间层中的硅原子数(Si)、碳原子数(C)和氢原子数(H) 的总和之比(H/(Si+C+H))由Hm表示时，Hm为0.20以上至0. 45以下，和中间层的层厚度为 0. Ιμπι以上至Ι.Ομπι以下；当在表面层中的硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的总 和由DsX 原子/cm3表示时，Ds为6. 60以上，当在中间层中的硅原子的原子密度和碳原 子的原子密度的总和由DmX IO22原子/cm3表示时，Dm小于6. 60，和当在光导电层中的硅原 子的原子密度由DpX 原子/cm3表示时，Dp为4. 20以上至4. 80以下；和当在光导电层 中沿层厚度方向的氢量分布中的氢原子数(H)相对于在所述分布中硅原子数(Si)和氢原 子数(H)的总和之比(H/(Si+H))的最大值由Hftiax表示时，DjPHftiax满足下列表达式(2)， 和当从光导电层沿层厚度方向的中间位置的中间层侧的氢原子数(H)相对于在中间层侧 的硅原子数(Si)和氢原子数(H)的总和之比(H/(Si+H))由Hp2表示时，Ds和Hp2满足下列 表达式(1)。Hp2 彡 0. 07 X Ds-O. 38...表达式(1)Hpmax ( -0. 04XDs+0. 60. · ·表达式(2)本发明能够提供具有优异的耐高湿缺失性、耐磨耗性和耐层剥落性的电子照相感 光构件，和具有该电子照相感光构件的电子照相设备。从示例性实施方案的以下描述并参照附图，本发明的进一步特征将变得显而易 见。


图IA为示出根据本发明电子照相感光构件的层结构实例的图。图IB为示出根据本发明电子照相感光构件的层结构实例的图。图2A为描述在光导电层中沿层厚度方向氢原子数相对于在光导电层中硅原子数 和氢原子数的总和之比的图。图2B为描述在光导电层中沿层厚度方向氢原子数相对于在光导电层中硅原子数 和氢原子数的总和之比的图。图2C为描述在光导电层中沿层厚度方向氢原子数相对于在光导电层中硅原子数和氢原子数的总和之比的图。图2D为描述在光导电层中沿层厚度方向氢原子数相对于在光导电层中硅原子数 和氢原子数的总和之比的图。图2E为描述在光导电层中沿层厚度方向氢原子数相对于在光导电层中硅原子数 和氢原子数的总和之比的图。图2F为描述在光导电层中沿层厚度方向氢原子数相对于在光导电层中硅原子数 和氢原子数的总和之比的图。图3为示出要用于根据本发明的电子照相感光构件的生产中的等离子体CVD设备 的实例的图。图4为用于实施例中的电子照相设备的示意性截面图。图5为示出常规电子照相感光构件的层结构的一个实例的图。图6为用于实施例中重影评价的测试图。图7为描述Hpi和Hp2的计算方法的图。
具体实施例方式
现在将根据附图详细描述本发明的优选实施方案。根据本发明的电子照相感光构件包括基体、在基体上由氢化非晶硅形成的光导电 层、在光导电层上由氢化非晶碳化硅形成的中间层和在中间层上由氢化非晶碳化硅形成的 表面层。图IA和IB为示出根据本发明电子照相感光构件的层结构实例的图。具有图IA中 示出的层结构的电子照相感光构件1000具有由铝等制成的圆筒状导电性基体1001，和依 次层叠于基体1001上的电荷注入阻止层1005、光导电层1004、中间层1003和表面层1002。 具有图IB中示出的层结构的电子照相感光构件1000具有基体1001，和依次层叠于基体 1001上的粘合层1006、电荷注入阻止层1005、光导电层1004、中间层1003和表面层1002。 下文中，将碳原子数(C)相对于硅原子数(Si)和碳原子数(C)的总和之比(C/(Si+C))也 简称为"C/(Si+C)“。下文中，氢原子数(H)相对于硅原子数(Si)、碳原子数(C)和氢原 子数(H)的总和之比(H/(Si+C+H))也简称为"H/(Si+C+H)“。下文中，氢原子数(H)相对 于硅原子数(Si)和氢原子数(H)的总和之比(H/(Si+H))也简称为"H/(Si+H)〃。另外， 下文中，表面层中C/(Si+C)也称作"Cs"，中间层中C/(Si+C)也称作"C/。另外，下文 中，硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的总和也称作"Si+C原子密度"，硅原子的原 子密度也称作"Si原子密度"，碳原子的原子密度也称作"C原子密度"。另外，下文中， 表面层中的H/(Si+C+H)也称作"Hs"，中间层中的H/(Si+C+H)也称作"H/。另外，下 文中，从光导电层沿层厚度方向的中间位置位于基体侧的光导电层也称作"第一光导电区 域"，从光导电层沿层厚度方向的中间位置位于中间层侧的光导电层也称作"第二光导电 区域〃。此外，下文中，由〃 a-SiC〃形成的中间层也称作〃 a-SiC中间层〃，由〃 a_Si" 形成的光导电层也称作"a-Si光导电层"。根据本发明电子照相感光构件的表面层是由a-SiC(氢化非晶碳化硅)形成的层。 当a-SiC表面层中的Si+C原子密度由Ds X IO22原子/cm3表示时，根据本发明电子照相感光 构件的表面层中的Ds为6. 60以上。从而，电子照相感光构件的耐磨耗性提高，此外，耐湿性
7提高，这也由此提高耐高湿缺失性。以下将详细描述设定Ds为6. 60以上的效果。高湿缺失 的一个原因是如上所述的电子照相感光构件表面上水分的吸附，但水分的吸附量在电子照 相感光构件使用初期时少，几乎不发生图像缺失。而当电子照相感光构件使用一段时间时， 主要由于在电子照相设备中充电步骤中臭氧的影响导致表面层被氧化，在电子照相感光构 件表面上形成氧化层并累积。认为该氧化层在电子照相感光构件表面上形成极性基团，从 而水分的吸附量增加。认为如果进一步连续地使用电子照相感光构件，氧化层不断地在电 子照相感光构件表面上累积，从而水分的吸附量也增加，并因此达到引起高湿缺失的水分 吸附量。因此，为了减少高湿缺失，需要除去该氧化层或需要抑制该氧化层的形成。本发明中，抑制该氧化层的形成，这减少水分的吸附量和减少高湿缺失。推测根据 本发明电子照相感光构件的a-SiC表面层结构能够抑制氧化层形成的原因如下。具体地， 推测由于通过具有如臭氧对a-SiC的氧化作用的材料的作用引起的硅原子(Si)和碳原子 (C)之间的键断裂、随之游离的碳原子(C)以及氧原子(0)与硅原子(Si)之间的新键合，导 致发生a-SiC表面层的氧化。认为根据本发明电子照相感光构件增加作为a-SiC的骨架构 成原子的硅原子和碳原子的原子密度，从而缩短原子之间的平均距离并且也降低空间率， 从而抑制上述由游离的碳原子(C)引起的a-SiC表面层的氧化。还推测具有增加的原子密 度的此类a-SiC也增强骨架构成原子之间的键合力，这导致a-SiC表面层的高度硬化，而且 也提高电子照相感光构件的耐磨耗性。本发明中，如上所述抑制电子照相感光构件表面上氧化层的形成，因此，为了除去 氧化层，不必需使电子照相感光构件表面容易地刮削。因此，电子照相感光构件也能够增强 耐高湿缺失性，同时增强其耐磨耗性。出于上述原因，a-SiC表面层中Si+C原子密度能够 更高，Ds可以为6.81以上。此外，本发明的电子照相感光构件包括当在电子照相感光构件的a-Si光导电层 中沿层厚度方向的氢量分布中(H/(Si+H))的最大值由Hftiax表示时，Ds和Hpmax满足下列表 达式O)。该电子照相感光构件也包括当在第二光导电区域中(H/(Si+H))由Hp2表示时， Ds和Hp2满足下列表达式(1)。Hp2 彡 0. 07 X Ds-O. 38. · ·表达式(1)Hpmax ( -0. 04XDs+0. 60. · ·表达式(2)当Ds和Hp2满足上述表达式(1)时，即使当采用其中Si+C原子密度高的a-SiC表 面层时，也能够减少由于环境突变引起的在a-Si光导电层和a-SiC中间层之间的界面附近 的层剥落。此外，当Ds和Hftiax满足上述表达式O)时，也能够减少由于环境突变由a-Si光 导电层的断裂引起的层剥落。然而，当DjPHp2满足上述表达式(1)时和当DjnHftiax满足上述表达式(2)时，仅 在其中a-Si光导电层、a-SiC中间层和a-SiC表面层满足下列条件的情况下，本发明人确 认能够减少上述层剥落。首先，a-SiC表面层中，Cs为0.61以上至0.75以下，Hs为0.20以 上至0.45以下，和层厚度为0.2μπι以上至3. Oym以下。下文中，这些范围也称作〃 a_SiC 表面层的满足条件〃。第二，a-SiC中间层中，当a-SiC中间层中Si+C原子密度由DmX IO22 原子/cm3表示时，Dm小于6. 60，Cm为0. 25以上至0. 9 X Cs以下，Hm为0. 20以上至0. 45以 下，层厚度为Ο. μπι以上至Ι.Ομπι以下。下文中，这些范围也称作〃 a-SiC中间层的满足 条件〃。第三，a-Si光导电层中，当Si原子密度由DPXl(f2原子/cm3表示时，Dp为4. 20以上至4.80以下。下文中，这些范围也称作"a-Si光导电层的满足条件"。以下将详细描述满足上述表达式(1)的Ds和Hp2的效果。首先，以下将描述a-SiC 表面层内部应力的趋势。推测根据上述a-SiC表面层的满足条件，随着a-SiC表面层中Si+C 原子密度增加，内部应力也增加。然后，发现当a-SiC表面层的层厚度保持恒定并改变Ds 时，随着Ds增加，a-SiC表面层的内部应力也增加。在Si+C原子密度高的a-SiC表面层中产生的高应力集中于从a_SiC表面层的基 体侧存在的各层中或各层之间的界面中内部应力差最大的区域。当采用如根据本发明电子 照相感光构件中的层结构时，应力容易集中于a-SiC表面层与a-SiC中间层之间的界面附 近上、a-SiC中间层与a-Si光导电层之间的界面附近上以及a-Si光导电层与a_Si光导电 层的基体侧的层或基体之间的界面附近上。上述界面中，由于层结构之间的差异，在分别由 a-Si和a-SiC形成的a-Si光导电层和a_SiC中间层之间的界面中内部应力的差比在二者 均由a-SiC形成的a-SiC表面层和a-SiC中间层之间的界面中更大。因此，认为在如根据 本发明电子照相感光构件中的层结构中，在上述a-SiC中间层的满足条件的范围中，来自 于a-SiC表面层的高应力集中在a-Si光导电层和a-SiC中间层之间的界面附近。认为在上述a-Si光导电层的满足条件的范围中，a-Si光导电层中H/(Si+H)越 大，a-Si光导电层越能够减轻从a-SiC表面层接受的高应力。推测该原因是因为当a-Si 含有许多氢原子时，硅原子之间键的自由度增加。因此，因为通过增加与a-SiC中间层接触 的第二光导电区域中为H/(Si+H)的Hp2，硅原子之间键的自由度增加，即使当发生环境突变 时，第二光导电区域也能够减轻从a-SiC表面层接受的高应力。从以上描述，通过控制决定 a-SiC表面层应力的Ds和决定减轻从a-SiC表面层接受的高应力的能力的HP2，即使当发生 环境突变时，电子照相感光构件也能够减少在a-Si光导电层和a-SiC中间层之间的界面附 近的层剥落。本发明人进行研究，结果，发现随着a-SiC表面层中Si+C原子密度增加，a_SiC表 面层中内部应力也增加，为了减轻应力，伴随着内部应力的增加增大Hp2是有效的。此外，发 现在规定能够减少在a-Si光导电层和a-SiC中间层之间的界面附近的层剥落的范围的边 界中込和Hp2各值之间存在正相关性。通过实验还确认通过设定Ds和Hp2以使这些值满足上述表达式(1)，电子照相感 光构件能够减少由于环境突变在a-Si光导电层和a-SiC中间层之间的界面附近的层剥落。 还可确认通过设定Ds和Hp2以使这些值满足下述表达式( ，电子照相感光构件能够减少 由于进一步环境突变在a-Si光导电层和a-SiC中间层之间的界面附近的层剥落Hp2 彡 0. 08 X Ds-O. 41...表达式(3)。接下来，以下将详细描述设定Ds和Hrmx以使这些值满足上述表达式( 的操作效 果。a-SiC表面层中内部应力的趋势如上所述。如上所述，通过增加HP2，a-Si光导电层能 够减轻从a-SiC表面层接受的高应力，因此能够减少在a-Si光导电层和a-SiC中间层之间 的界面附近的层剥落。然而，当过分增加a-Si光导电层中的H/(Si+H)时，a-Si本身有时 变为非致密层。因此，其中a-Si光导电层中H/(Si+H)大的区域有时不能承受由环境突变 引起的从a-SiC表面层接受的高应力以致断裂，并有时在a-Si光导电层中间发生层剥落。从以上描述，当减少在a-Si光导电层和a-SiC中间层之间的界面附近的层剥落 时，通过进一步控制决定a-SiC表面层应力的Ds和决定a-Si光导电层致密性的Hftiax，电子照相感光构件能够减少由于环境突变通过a-Si光导电层断裂引起的层剥落。本发明人进 行深入研究，结果，发现随着增大a-SiC表面层密度，a-SiC表面层的内部应力增加，为了使 a-Si光导电层承受应力且不引起上述层剥落，伴随着内部应力的增加降低Hftiax是有效的。 此外，发现在规定能够减少层剥落的范围的边界中Ds和Hpmax各值之间存在负相关性。通过实验还确认通过设定DjnHftiax以使这些值满足上述表达式(2)，电子照相感 光构件能够减少由于a-Si光导电层的断裂引起的层剥落。还确认通过设定Hrmx为0. 31 以下，获得减少由于进一步环境突变通过a-Si光导电层的断裂引起的层剥落的巨大效果。 如上所述，本发明中，重要的是设定Ds为6. 60以上并设定Ds、HP2与Hrmx以满足上述表达式 (1)与上述表达式O)。由此，本发明能够提供即使当使用具有高密度的a-SiC表面层时也 能够减少层剥落并具有优异的耐湿性和耐久性的电子照相感光构件。以下将详细描述各层 和基体的结构。(a-Si光导电层)本发明中，Dp满足4. 20以上至4. 80以下的范围，Ds和Hp2满足上述表达式(1)，且 Ds和Hpmax满足上述表达式O)。以下将参照图2描述Hpi和印2。在该描述中，第一光 导电区域中的H/(Si+H)，Hp2为第二光导电区域中的H/(Si+H)，Hpmax为在a-Si光导电层中 沿层厚度方向的H/(Si+H)分布中的最大值。更具体地，Hpi为第一光导电区域中H/(Si+H) 的平均值，Hp2为第二光导电区域中H/(Si+H)的平均值。以下将参照图7描述Hpi和Hp2的 计算方法。图7示出在a-Si光导电层中沿层厚度方向的H/(Si+H)分布。图7中示出的点 a为在a-Si光导电层中最接近于a-SiC中间层侧上的H/(Si+H)，点b为在a_Si光导电层 的层厚度的中点的H/(Si+H)，点c为在a-Si光导电层中最接近于基体侧上的H/(Si+H)。首先，以下将描述计算Hpi的方法。将第一光导电区域中沿层厚度方向的H/(Si+H) 的任意点定义为q。画直线以经过q并平行于横坐标轴，将该直线和光导电层厚度的中间 位置的交叉点定义为g，将该直线和a-Si光导电层在最接近于基体侧的位置的交叉点定义 为h (其中H/(Si+H)在g、h和q处的值是相同的)。当由通过上述操作获得的线段ch、线 段hq和线段qc包围的区域的面积变得等于由线段bg、线段gq和线段qb包围的区域的面 积时确定该q，将此时q的H/(Si+H)定义为HP1。对于Hp2也进行类似计算。换句换说，将第二光导电区域中沿层厚度方向的H/ (Si+H)的任意点定义为p，画直线以经过ρ并平行于横坐标轴，将该直线和光导电层厚度的 中间位置、以及该直线和a-Si光导电层在最接近于a-SiC中间层侧的位置的交叉点分别定 义为f和e (其中H/(Si+H)在e、f和ρ处的值是相同的)。当由通过上述操作获得的线段 ae、线段印和线段pa包围的区域的面积变得等于由线段bf、线段fp和线段pb包围的区域 的面积时确定该P，将此时P的H/(Si+H)定义为HP2。以与图7类似的方式，图2A、2B、2C、2D、2E和2F也示出在a_Si光导电层中沿层厚 度方向的H/(Si+H)分布。如图2A中所示，当在a-Si光导电层中沿层厚度方向的H/(Si+H) 分布均勻时，HP1、HP2和Hpmax导致为相同值。如图2B中所示，当沿层厚度方向所述分布中的 H/(Si+H)从基体侧向a-SiC中间层侧线性降低时，Hpi和Hp2变为分别在第一光导电区域和 第二光导电区域中的H/(Si+H)的平均值，Hpmax变为a-Si光导电层中在最接近于基体侧的 H/(Si+H)的值。如图2C中所示，当在a-Si光导电层中沿层厚度方向的H/(Si+H)分布与 图2B中的分布相反时，计算Hpi和Hp2的方法类似于图2B中的方法，Hpmax变为a_Si光导电层中在最接近于a-SiC中间层侧的H/(Si+H)的值。图2D、2E和2F中计算HpdPHp2的方法 也类似于图2B中的方法。然而，Hftiax变为存在于a-Si光导电层中基体侧上的区域中的H/ (Si+H)的值，其中H/(Si+H)在图2D中是均勻的，在图2E中变为与Hpi相同的值，和在图2F 中变为a-Si光导电层中最接近于基体侧上的H/(Si+H)的值。在以上描述中，Hp2为第二光导电区域中H/(Si+H)的平均值。推测用于减少在a-Si 光导电层和a-SiC中间层之间的界面附近的层剥落的重要参数不是H/(Si+H)的最大值或 最小值而是平均值的原因是由于下列原因。首先，由于从a-SiC表面层接受的高应力集中 于界面附近上的现象，发生在a-Si光导电层和a-SiC中间层之间的界面附近的层剥落。认 为发生该层剥落的原因是，因为即使a-SiC中间层设置于a-Si光导电层和a-SiC表面层之 间，整个a-SiC中间层也不能充分吸收从a-SiC表面层接受的高应力。因此，为了减少上述 层剥落，与a-SiC中间层接触的在a-SiC中间层侧上的a_Si光导电层的区域变得需要吸收 尚未在a-SiC中间层中被吸收的从a-SiC表面层接受的应力，从而减轻从a_SiC表面层接 受的应力。从以上描述，为了减少上述层剥落，变得需要控制a-SiC中间层侧上的a-Si光 导电层中的H/ (Si+H)，换句话说，控制第二光导电区域中H/ (Si+H)的平均值，这有助于减 轻从a-SiC表面层接受的应力。因此，根据上述a-Si光导电层的满足条件、a-SiC中间层的满足条件和a-SiC表面 层的满足条件，通过控制有助于减轻从a-SiC表面层接受的应力的Hp2和决定a-SiC表面层 的内部应力的Ds，即使当发生环境突变时，也能够减少在a-SiC中间层和a-Si光导电层之 间的界面附近的层剥落。如上所述，电子照相感光构件使a-SiC中间层侧上的a-Si光导电 层吸收从a-SiC表面层接受的应力，因此即使当第二光导电区域的一个区域中的H/ (Si+H) 偏离上述表达式(1)和上述表达式O)时，只要第二光导电区域中H/(Si+H)的平均值Hp2 满足上述表达式(1)和上述表达式O)，就能够减少在a-Si光导电层和a-SiC中间层之间 的界面附近的层剥落。因此，如图2F中所示，即使当第二光导电区域中的一部分小于预定 的H/(Si+H)时，只要整个第二光导电区域中H/(Si+H)的平均值满足预定值，电子照相感光 构件就减轻从a-SiC表面层接受的高应力，并能够减少在a-Si光导电层和a-SiC中间层之 间的界面附近的层剥落。另外，Hftiax为整个a-Si光导电层中H/(Si+H)的最大值。推测减少由于a_Si光导 电层的断裂引起的层剥落的重要参数为H/(Si+H)的最大值的原因是因为下列原因。如上 所述，通过借助于增大Hp2增加硅原子之间键的自由度，第二光导电区域和a-SiC中间层减 轻从a-SiC表面层接受的高应力，从而减少在a-Si光导电层和a-SiC中间层之间的界面附 近的层剥落。然而，如果过分增加a-Si光导电层中的H/(Si+H)，有时导致降低a_Si的致密性。 如果将从a-SiC表面层接受的应力施加至此类具有低致密性的a-Si，a-Si本身有时断裂 而不能承受应力。因此，认为如果具有低致密性的区域存在于其中不发生在a-Si光导电层 和a-SiC中间层之间的界面附近的层剥落的电子照相感光构件的a-Si光导电层中，当接受 来自a-SiC表面层的应力时该区域中的a-Si断裂并发生层剥落。从以上描述，为了减少由 a-Si光导电层的断裂引起的层剥落，需要a-Si在整个a-Si光导电层中具有预定致密性。 因此，在决定a-Si光导电层的致密性的H/(Si+H)中，需要控制a-Si光导电层中沿层厚度 方向的H/(Si+H)的最大值1 。从以上描述，Hp2为第二光导电区域中H/(Si+H)的平均值，Hftiax为a-Si光导电层中沿层厚度方向的H/ (Si+H)分布中的最大值，各Hp2和Hftiax变为极大 影响层剥落的物理性质。本发明中，如图2B、2D、2E和2F中所示，为获得足够的电子照相感光构件的特性， 印2可以小于HP1。a-Si中，如果减少H/(Si+H)，则能够减少a-Si中的缺陷，并且通过图像 曝光产生的光载流子变得难以在a-Si光导电层中的缺陷处被捕获。因此，通过降低H/ (Si+H)，换句话说，通过降低通过图像曝光产生光载流子的第二光导电区域中的Hp2，通过 图像曝光产生的载流子变得难以在缺陷处被捕获，并能够减少图像曝光重影。反之，当H/ (Si+H)增加时，光学带隙加宽，从而带电特性增强。因此，通过控制不利于通过图像曝光产 生光载流子的第一光导电区域中的H/ (Si+H)，换句话说，使Hpi大于HP2，带电特性增强，并且 在高速电子照相法中也能够维持足够的带电特性。本发明中，Hpi为第一光导电区域中H/(Si+H)的平均值，该Hpi为极大影响带电特 性的物理性质值。以下将描述该原因。如上所述，a-Si光导电层的带电特性的变化通过由 于H/(Si+H)中的变化引起的光学带隙的变化来确定。因此，因为第一光导电区域中的带电 特性通过整个第一光导电区域的Hp的平均值来确定，所以变得需要控制第一光导电区域中 H/(Si+H)的平均值HP1。本发明中，如果需要，a-Si光导电层可以含有控制传导性的原子。 此时，控制传导性的原子可以以均勻分布的状态包含于a-Si光导电层中，并且还可以存在 其中沿层厚度方向以非均勻分布的状态包含所述原子的部分。通过实验确认只要控制传导性的原子的含量相对于硅原子含量为0原子ppm (其 为基本上不使用控制传导性的原子形成a-Si光导电层的情况)以上至1 X IO4原子ppm以 下，该原子就不影响本发明中上述表达式(1)和上述表达式O)的关系。控制传导性的原 子包括半导体领域中所谓的杂质。具体地，可用的原子包括赋予P-型传导性并属于周期 表第13族的原子(下文中也简称为"第13族原子")，或赋予η-型传导性并属于周期表 第15族的原子(下文中也简称为"第15族原子")。第13族原子具体地包括硼(B)、铝 (Al)、镓(Ga)、铟(In)和铊(Tl)。它们中，可以使用Β、Α1和(ia。第15族原子具体地包括 磷(P)、砷(As)、锑(Sb)和铋(Bi)。它们中，可以使用P和As。本发明中，从电子照相感光构件特性的观点，a-Si光导电层的层厚度可控制为 10 μ m以上。此外，层厚度可控制为40 μ m以上。由此，能够生产即使在高速电子照相法中 也具有降低的静电容量和足够的带电特性的电子照相感光构件。本发明中，可将硅烷类如 硅烷(SiH4)和乙硅烷(Si2H6)用作供给硅原子的原料气体。也可以将氢气(H2)与上述气体 一起使用。可通过方法例如等离子体CVD法、真空气相沉积法、溅射法和离子电镀法形成 a-Si光导电层。它们中，因为能够容易地获得原料，可以使用等离子体CVD法。为了增加 a-Si光导电层的DP，可以沿减少待供给至反应容器的Si-供给原料气体的方向、沿增加高 频电力的方向、沿降低反应容器中压力的方向和沿升高基体温度的方向设定a-Si光导电 层的形成条件。另外，为了增加a-Si光导电层的H/(Si+H)，可以沿增加待供给至反应容器 的Si-供给原料气体的方向、沿降低反应容器中压力的方向、沿降低高频电力的方向和沿 降低基体温度的方向设定a-Si光导电层的形成条件。当形成a-Si光导电层时，可以适当 组合的同时设定这些条件。(a-SiC 中间层)
将根据本发明a-SiC中间层定义为由以下将描述的边界确定的区域。首先，将 a-Si光导电层和a-SiC中间层之间的边界定义为沿C/(Si+C)分布的层厚度方向从a_Si光 导电层到a-SiC表面层侧的区域中实质上检测到碳原子的位置。另外，如下定义a-SiC表 面层和a-SiC中间层之间的边界。边界为沿Si+C原子密度分布的从电子照相感光构件的 最外表面侧向基体方向的层厚度方向，Si+C原子密度小于6. 60 X IO22原子/cm3的位置中， 位于电子照相感光构件的最外表面侧的位置。根据本发明的a-SiC中间层包括在a-Si光 导电层和a-SiC表面层之间形成的所有层。因此，a-SiC中间层可以包括多个层。本发明中，a-SiC中间层满足上述表达式(1)和上述表达式(2)。Cm为0. 25以上 至0.9 X Cs以下，Hm为0.20以上至0.45以下，并且Dm小于6. 60。以上描述中，Hm为a_SiC 中间层中的H/(Si+H)，Cm为a-SiC中间层中的C/(Si+C)。更具体地，Hm为沿a_SiC中间层 的层厚度方向的H/(Si+H)分布的平均值，Cm为沿a-SiC中间层的层厚度方向的C/(Si+C) 分布的平均值。获得本发明的效果的重要参数不是H/(Si+H)的最大值或最小值而是H/ (Si+H)的平均值的原因是因为整个a-SiC中间层吸收从a-SiC表面层接受的应力，类似于 上述情况。获得本发明的效果的重要参数不是C/(Si+C)的最大值或最小值而 是C/(Si+C)的平均值的原因也是因为整个a-SiC中间层减轻从a-SiC表面层接受的应力 的能力是重要的，类似于上述4的情况。另外，能够通过控制a-SiC中间层中Si+C原子密度为5. 50以上来减少压伤。当 与具有高密度的a-SiC表面层组合时，a-SiC中间层具有提高a_SiC表面层的粘合性、减少 层剥落以及还保护a-Si光导电层免于机械应力以防止压伤的作用。认为压伤由电子照相 感光构件表面接受的机械应力引起。然而，伤痕不是必需发生于电子照相感光构件表面上。 另外，还观察到以下情况当发生一次压伤的电子照相感光构件例如在200°C下加热1小时 时，压伤有时消失。出于此原因，认为当过量应力通过a-SiC表面层施加于其上时，压伤不 是发生于电子照相感光构件表面本身中而是发生在a-Si光导电层中。本发明中，推测通过 使a-SiC中间层中的Si+C原子密度小于a-SiC表面层中的Si+C原子密度，a_SiC中间层能 够更有效地减轻施加于a-SiC表面层的机械应力。为了获得上述效果，需要使根据本发明 电子照相感光构件的a-SiC中间层的Dm小于a-SiC表面层的Ds，但是如果Dm变得过分小， 防止压伤的效果减弱。因此，本发明中，a-SiC中间层的Dm的范围能够控制为5. 50以上，相 对于其中确认该效果的上述a-SiC表面层的Ds的范围。另外，根据本发明人的研究，关于a-SiC中间层对透光率的影响，Cm和Dm是支配的， 几乎看不到对&的依赖性。认为这是因为Si+C原子密度在a-SiC中间层中小于在a-SiC 表面层中，因此，透光率对H/(Si+C+H)的依赖性小。本发明中，a-SiC中间层能够通过采用 与当形成上述a-SiC表面层时采用的方法相同的方法形成，层形成条件(成膜条件)可以 通过适当的调节来设定。(a-SiC 表面层)本发明中，a-SiC表面层满足上述表达式(1)和上述表达式( 。Cs为0. 61以上 至0. 75以下，&为0. 20以上至0.45以下，层厚度为0. 2 μ m以上至3. 0 μ m以下。在a_SiC 表面层的Cs和Hs的上述范围中，推测随着a-SiC表面层的层厚度增加，a-SiC表面层的内 部应力增加。然而，能够确认当a-SiC表面层的层厚度在0. 2 μ m以上至3. 0 μ m以下的范 围中时，只要a-SiC表面层满足上述表达式(1)和上述表达式O)，就不发生上述两种层剥
13落。当a-SiC表面层的层厚度变得过薄时，有时难以充分地确保电子照相法中a-SiC表面 层的磨耗量，因此层厚度将控制为0. 2 μ m以上。在以上描述中，Hs为a-SiC表面层中的H/(Si+C+H)，Cs为a_SiC表面层中的C/ (Si+C)。更具体地，Hs为沿a-SiC表面层的层厚度方向的H/(Si+C+H)分布的平均值，Cs为 沿a-SiC表面层的层厚度方向的C/(Si+C)分布的平均值。所述值不是最大值或最小值而 是平均值的原因是，因为a-SiC表面层中发生的应力通过整个a-SiC表面层的影响来确定。 通过设定&为0. 30以上，根据本发明电子照相感光构件能够进一步提高其感光度同时维 持高湿缺失和耐磨耗性。该原因是因为光学带隙通过设定a-SiC表面层中&为0. 30以上 来加宽。由此，能够提高感光度。因此，本发明中，在Hs的上述范围中能够将Hs进一步控制 为0. 30以上。例如，可用如等离子体CVD法、真空气相沉积法、溅射法和离子电镀法的方法形成 本发明的a-SiC表面层。它们中，因为可容易地获得原材料，所以可以使用等离子体CVD 法。当选择等离子体CVD法作为形成a-SiC表面层的方法时，形成a-SiC表面层的方法如 下。将供给硅原子的原料气体和供给碳原子的原料气体以期望的气体状态引入至能使内部 减压的反应容器中，在反应容器中产生辉光放电。可以通过分解如此引入的原料气体来形 成由a-SiC形成的层。本发明中，可将硅烷类如硅烷(SiH4)和乙硅烷(Si2H6)用作供给硅原子的原料气 体。另外，可将烃类气体如甲烷(CH4)和乙炔(C2H2)用作供给碳原子的原料气体。另外，出 于调节H/(Si+C+H)的目的，也可以将氢气(H2)与上述气体一起使用。为了增大a-SiC表面 层的Ds，可以沿减少待供给至反应容器的所有原料气体的流量的方向、沿增加高频电力的 方向、沿增加反应容器中压力的方向和沿升高基体温度的方向设定a-SiC表面层的形成条 件。另外，为了增大a-SiC表面层的Cs，可以沿减少待供给至反应容器的所有原料气体的流 量的方向、沿减少供给硅原子的原料气体的方向、沿增加供给碳原子的原料气体的方向和 沿增加高频电力的方向设定a-SiC表面层的形成条件。此外，为了降低a-SiC表面层的Hs， 可以沿降低待供给至反应容器的所有原料气体的流量的方向、沿减少供给硅原子的原料气 体的方向、沿减少供给碳原子的原料气体的方向和沿增加高频电力的方向设定a-SiC表面 层的形成条件。当形成a-SiC表面层时，可以适当组合的同时设定这些条件。(电荷注入阻止层和粘合层)根据本发明，如图IA中所示，由a-Si形成且含有碳原子(C)、氮原子(N)和氧原子 (0)中至少一种原子的电荷注入阻止层1005可以设置于基体1001和a-Si光导电层1004 之间。由此，能够减少在制造电子照相感光构件1000期间源自制造设备中构件的层剥落， 并能够减少图像缺陷。包含于电荷注入阻止层1005中的C、N和0中至少一种原子可以以 均勻分布的状态包含于其中，或者可选择地存在其中沿层厚度方向以非均勻分布的状态包 含所述原子的部分。从电子照相特性和经济效果等的观点，电荷注入阻止层1005的层厚度可以为 0. 1 μ m-10 μ m，特别可以为0. 3 μ m-5 μ m，进一步特别可以为0. 5 μ m_3 μ m。如果需要，可以 将其组成从一层连续地桥接至另一层的所谓变化层设置于电荷注入阻止层1005和a-Si光 导电层1004之间。本发明中，为了进一步减少源自在电子照相感光构件1000的制造设备中 构件的层剥落和进一步减少图像缺陷，如图IB中所示，在基体1001和电荷注入阻止层1005之间可以形成由氢化非晶氮化硅(下文中也称作"a-SiN")形成的粘合层1006。另外， 在其中不设置电荷注入阻止层1005的层结构的情况下，在基体1001和光导电层1004之间 可以形成由a-SiN形成的粘合层1006。(基体)基体的可用材料包括例如铜、铝、镍、钴、铁、铬、钼、钛和这些元素的合金。它们中， 从加工性和制造成本的观点，可以使用铝。当采用铝时，可以使用Al-Mg类合金或Al-Mn类 合金。接下来，在用等离子体CVD法制造构件作为实例的情况下，以下将参照附图详细描述 根据本发明电子照相感光构件的制造过程。图3为示意性示出用将RF带用作电源频率的高频等离子体CVD法制造电子照相 感光构件的设备的一个实例的结构图。该制造设备由大致分类的形成沉积层用设备3100、 原料气体供给装置3200和使反应容器3110内部减压的排气装置(未示出)形成。形成沉 积层用设备3100包括绝缘体3121和阴极3111，并将高频电源3120通过高频匹配箱3115 连接至阴极3111。另外，反应容器3110具有全部安装其中的其上承载圆筒状基体3112的 承载台3123、加热基体用加热器3113和原料气体导入管3114。将反应容器3110通过排气 阀3118连接至排气装置(未示出)，并可抽真空。原料气体供给装置3200包括原料气体 的储气罐 3221、3222、3223、3224 和 3225，阀 3231、3232、3233、3234 和 3235，阀 3241、3242、 3243,3244 和 3245，阀 3251、3252、3253、3254 和 3255，压力调节器 3261、3262、3263、3264 和3265和质量流量控制器3211、3212、3213、3214和3215。将各原料气体的储气罐通过阀 3260和气体管3116连接至反应容器3110中的气体导入管3114。例如在下列过程中，通过使用该制造设备形成沉积层。首先，将基体3112设置于 反应容器3110中，并将反应容器3110内部例如通过排气装置(未示出)如真空泵排气。随 后，将基体3112的温度通过加热基体用加热器3113控制为200°C _350°C的预定温度。接 下来，将形成沉积层的原料气体也从控制流量的气体供给装置3200引入至反应容器3110 中。然后，操作员通过操作排气阀3118同时检查真空计3119的显示，将反应容器中的压力 设定为预定压力。在以上述方式完成沉积的准备之后，根据下列过程形成各层。当压力变得稳定时，将高频电源3120控制为期望的电力，将高频电力通过高频匹 配箱3115供给至阴极3111，产生高频辉光放电。该放电能量分解已引入至反应容器3110 的各原料气体，并在基体3112上形成含有预定硅原子作为主成分的沉积层。在形成具有期 望厚度的层之后，停止高频电力的供给，关闭气体供给装置3200的各阀以停止各原料气体 流入至反应容器3110中，沉积层的形成结束。具有期望多层结构的电子照相感光构件通过 多次重复类似操作同时改变条件如原料气体的流量、压力和高频电力来制造。此时，为形成 均勻沉积层，形成层的同时用驱动装置(未示出)以预定的速度旋转基体3112是有效的。 在全部层的形成结束之后，打开泄漏阀3117，反应容器3110内的压力恢复至大气压，取出 基体3112。参照图4，描述如何借助于利用a-Si电子照相感光构件的电子照相设备形成图像。首先，旋转电子照相感光构件4001以使电子照相感光构件4001的表面用一次充 电器4002更加均勻地充电。其后，将电子照相感光构件4001的表面通过静电潜像形成装 置(图像曝光装置)4006暴露于图像曝光光中以在电子照相感光构件4001的表面上形成
15静电潜像，其后该潜像用由显影组件4012进给的调色剂来显影。结果，在电子照相感光构 件4001的表面上形成调色剂图像。然后，将该调色剂图像借助于转印充电器4004转印至 转印材料4010，并在将调色剂图像通过定影装置(未示出)定影至转印材料4010之后，将 该转印材料4010借助于分离充电器4005从电子照相感光构件4001分离。同时，残留在已将调色剂图像从其转印至转印材料4010的电子照相感光构件 4001的表面上的调色剂用清洁器4009来除去，其后将电子照相感光构件4001的表面曝光 以消除在电子照相感光构件4001上形成静电潜像期间产生的任何残留载流子。重复一系列上述过程以连续形成图像。附图标记4003表示电荷清除器；4007，磁 辊；4008，清洁刮板；4011，输送装置。[实施例]现将参照实施例和比较例进一步详细描述本发明，但不限于这些。<实验例1>通过使用利用由图3中示出的使用RF带的高频电源的等离子体处理设备，在圆筒 状基体(由铝制成的圆筒状基体，其具有直径为80mm，长度为358mm和厚度为3mm，并已进 行镜面精加工)上形成各层来生产电子照相感光构件样品。此时电荷注入阻止层的形成 条件示于下表1中，光导电层的形成条件示于下表2中，中间层的形成条件示于下表3中， 表面层的形成条件示于下表4中，生产的电子照相感光构件样品中的层叠条件示于下表5 中。关于示于下表5中电子照相感光构件的层结构，通过改变高频电源、SiH4流量、CH4流 量和内压来形成各层，以使电荷注入阻止层和光导电层之间、光导电层和中间层之间以及 中间层和表面层之间的层厚度基本上变为0 μ m。此外，表2中示出的光导电层的层形成条 件No. P12通过使用40MHz频率的高频电源来形成，光导电层的层形成条件No. P13通过使 用400KHZ频率的高频电源来形成。在电子照相感光构件样品的生产中，通过使用具有RF 带的高频电源来制备电荷注入阻止层，然后在转换高频电力之后形成光导电层。[表1]
权利要求
1.一种电子照相感光构件，其包含基体、在所述基体上由氢化非晶硅形成的光导电层、 在所述光导电层上由氢化非晶碳化硅形成的中间层和在所述中间层上由氢化非晶碳化硅 形成的表面层，其中当在所述表面层中的碳原子数(C)相对于在所述表面层中的硅原子数(Si)和碳原子 数(C)的总和之比(C/(Si+C))由Cs表示时，所述Cs为0. 61以上至0. 75以下，当在所述表面层中的氢原子数(H)相对于在所述表面层中的硅原子数(Si)、碳原子数 (C)和氢原子数(H)的总和之比(H/(Si+C+H))由Hs表示时，所述Hs为0. 20以上至0. 45以 下，和所述表面层的层厚度为0. 2 μ m以上至3. 0 μ m以下；当在所述中间层中的碳原子数(C)相对于在所述中间层中的硅原子数(Si)和碳原子 数(C)的总和之比(C/(Si+C))由Cm表示时，所述Cm为0.25以上至0.9 X Cs以下，当在所述中间层中的氢原子数(H)相对于在所述中间层中的硅原子数(Si)、碳原子数 (C)和氢原子数(H)的总和之比(H/(Si+C+H))由Hm表示时，所述Hm为0. 20以上至0. 45以 下，和所述中间层的层厚度为0. 1 μ m以上至1. 0 μ m以下；当在所述表面层中的硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的总和由AX 原子/ cm3表示时，所述Ds为6. 60以上，当在所述中间层中的硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的总和由DmX 原子/ cm3表示时，所述Dm小于6. 60，和当在所述光导电层中的硅原子的原子密度由DpX IO22原子/cm3表示时，所述Dp为4. 20 以上至4. 80以下；和当在所述光导电层中沿层厚度方向的氢量分布中氢原子数(H)相对于在所述分布中 硅原子数(Si)和氢原子数(H)的总和之比(H/(Si+H))的最大值由Hpmax表示时，所述Ds和 所述Hpmax满足下列表达式O)，和当从所述光导电层沿层厚度方向的中间位置的中间层侧中的氢原子数(H)相对于在 所述中间层侧的硅原子数(Si)和氢原子数(H)的总和之比(H/(Si+H))由Hp2表示时，所述 Ds和所述Hp2满足下列表达式(1)Hp2 彡 0. 07 X Ds-O. 38...表达式(1) Hpmax 彡-0. 04XDs+0. 60. · ·表达式(2)。
2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述Hpmax为0.31以下。
3.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述Ds和所述Hp2满足下列表达式⑶Hp2 彡 0. 08 X Ds-O. 41...表达式(3)。
4.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述Ds为6.81以上。
5.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中当从所述光导电层沿层厚度方向的 中间位置的基体侧中的氢原子数(H)相对于在所述基体侧中的硅原子数(Si)和氢原子数 (H)的总和之比由Hpi表示时，所述Hp2小于所述HP1。
6.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述光导电层的层厚度为40μπι以上。
7.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其进一步包括在所述基体和所述光导电 层之间由氢化非晶硅形成的电荷注入阻止层，其中所述电荷注入阻止层含有碳原子、氮原 子和氧原子中的至少一种原子。
8.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其进一步包括在所述基体上由氢化非晶 氮化硅形成的粘合层。
9.一种电子照相设备，其包含根据权利要求1所述的电子照相感光构件、主充电器、 图像曝光光源和显影设备。
全文摘要
本发明涉及电子照相感光构件和电子照相设备。本发明提供电子照相感光构件和具有该电子照相感光构件的电子照相设备，所述电子照相感光构件具有光导电层、中间层和表面层，其中当所述表面层中的Si+C原子密度由DS×1022原子/cm3表示时，该DS为6.60以上，和当在所述光导电层中沿层厚度方向氢量分布中H/(Si+H)的最大值由HPmax表示，第二光导电区域中H/(Si+H)的平均值由HP2表示时，DS和HP2满足下列表达式(1)以及DS和HPmax满足下列表达式(2)HP2≥0.07×DS-0.38...表达式(1)HPmax≤-0.04×DS+0.60...表达式(2)。
文档编号G03G5/14GK102063027SQ20101054817
公开日2011年5月18日 申请日期2010年11月16日 优先权日2009年11月17日
发明者小泽智仁, 田泽大介, 秋山和敬, 西村悠 申请人:佳能株式会社