光电转换装置、焦点检测装置和图像拾取系统的制作方法

文档序号:2759073阅读:128来源:国知局
专利名称:光电转换装置、焦点检测装置和图像拾取系统的制作方法
技术领域
本发明涉及光电转换装置,更特别地,涉及包含被配置为检测最大值和最小值的 电路的光电转换装置。
背景技术
AF(自动聚焦)传感器被已知为使用这样的光电转换装置,该光电转换装置 被配置为输出从光电转换单元的阵列输出的信号的最大值和最小值。日本专利公开 No. 2000-180706公开了具有允许降噪的信号处理装置的AF传感器。可能存在进一步提高AF传感器的精度的需要。为了满足该需要,AF传感器趋于 具有数量更多的像素。但是,在日本专利公开No. 2000-180706公开的技术中,如果像素的 数量增大,那么结果是与共用输出线连接的MOS晶体管的数量增大并且用于驱动共用输出 线的电流增大。当检测最大值或最小值时,由于由与共用输出线连接的每个MOS晶体管的电阻和 驱动共用输出线的电流导致的电压降,使得会出现像素之间的误差。更具体而言,在日本专 利公开No. 2000-180706的图1中公开的配置中,来自各光电转换单元的图像信号经由最小 值检测差分放大器11被输出。最小值检测差分放大器11以电压跟随器的形式被配置,并 且,其输出端子经由设置在差分放大器和共用输出线之间的晶体管13与共用输出线连接。 当从最小值检测差分放大器11向共用输出线输出信号时,经由设置在差分放大器和共用 输出线之间的晶体管13出现电压降。如果由于制造工艺的变动导致在晶体管13之间存在 特性的差异,那么出现电压降的变动,这会产生误差。误差随着驱动共用输出线的电流的增 大而增大。

发明内容
根据本发明的一个方面,提供一种装置,该装置包括多个单位像素,所述多个单 位像素中的每个单位像素被配置为输出通过光电转换产生的信号;输出线,所述输出线针 对多个单位像素共同地被设置并且被配置为传送从单位像素输出的信号;以及多个电路 块,所述多个电路块中的每一个针对单位像素之一被设置并且被连接在所述单位像素之一 和共用输出线之间,其中,电路块中的每一个包含差分放大器电路和第一开关,差分放大器 电路具有被施加从相应的单位像素输出的信号的非反相输入端子,差分放大器电路具有与 第一开关的第一端子连接的输出端子,并且,第一开关的第二端子与共用输出线和差分放 大器电路的反相输入端子连接。参照附图阅读示例性实施例的以下描述,本发明的其它特征将变得清晰。


图1是示意性地示出根据本发明的实施例的用于相位差自动聚焦操作中的光电 转换装置的成像面的示图。
图2包括图2A 2C,图2A 2C是示出根据本发明的实施例的光电转换装置的配 置的例子的电路图。图3是与根据本发明的实施例的操作相关的时序图。图4是示出根据本发明的实施例的信号的状态的表。图5是示出根据本发明的实施例的光电转换装置的配置的电路图。图6是与根据本发明的实施例的操作相关的时序图。图7是示出根据本发明的实施例的信号的状态的表。图8是示出根据本发明的实施例的图像拾取系统的配置的例子的框图。
具体实施例方式第一实施例以下参照附图描述本发明的第一实施例。在第一实施例中,光电转换装置被配置 为用作相位差自动聚焦(AF)检测器。图1是示意性地示出用于相位差自动聚焦操作中的光电转换装置的成像面的示
图。在该成像面中,形成一对线传感器单元LlA和LIB、一对线传感器单元L2A和L2B.....
以及一对线传感器单元LNA和LNB。使用这些对线传感器单元来检测成像面的特定区域中 的被摄体的图像的散焦量(从对焦点的偏差)。多对线传感器单元的设置使得能够检测多 个点处的散焦量,由此变得能够实现AF精度的提高。每个线传感器单元包含单位像素100、 101 等。图2A是示出一个线传感器单元的配置的细节的电路图。为了简化说明,假定线传 感器单元包含三个单位像素。单位像素101和102的配置与单位像素100类似,电路块104 和105的配置与电路块103类似,电路块107和108的配置与电路块106类似,由此该图以 简化的方式被示出。共用输出线8和共用输出线9中的每一个被多个单位像素共同使用, 使得经由共用输出线8和共用输出线9传送从单位像素输出的信号。单位像素100包含用作光电转换单元的光电二极管(PD) 1、用作像素放大单元的 运算放大器2以及用作像素复位单元的复位MOS晶体管3,所述像素复位单元用于将PD 1 的阳极和运算放大器2的非反相输入端子复位。PD 1的阴极与电源电压VDD连接,PD 1的 阳极与复位MOS晶体管3的主电极中的一个和运算放大器2的非反相输入端子连接。运算 放大器2被配置为用作其输出端子与其反相输入端子连接的电压跟随器,并且,来自单位 像素的信号从运算放大器2的输出端子被输出。复位MOS晶体管3的主电极中的另一个与 电源电压VRES连接。单位像素100的输出端子与最大值检测单元PK和最小值检测单元BTM连接。最 大值检测单元PK包含电路块103 105和恒流源10。最小值检测单元BTM包含电路块 106 108和恒流源11。电路块103包含差分放大器电路4和MOS晶体管5。差分放大器电路4的非反相 输入端子与单位像素的输出端子连接,并且,差分放大器电路4的输出端子与用作第一开 关的MOS晶体管5的主电极中的一个连接。MOS晶体管5的主电极中的另一个与共用输出 线8和差分放大器电路4的反相输入端子连接。MOS晶体管5响应于向MOS晶体管5的控 制电极供给的信号PAGC而导通或关断。注意,作为MOS晶体管5的替代,可以使用CMOS开关等。通过MOS晶体管5或CMOS开关实现的这种开关统称为最大值输出开关。电路块106包含差分放大器电路6和MOS晶体管7。差分放大器电路6的非反相 输入端子与单位像素的输出端子连接。差分放大器电路6的输出端子经由用作第一开关的 MOS晶体管7与差分放大器电路6的反相输入端子连接。MOS晶体管7响应于从OR门12 输出的信号而导通或关断。更具体而言,当信号PAGC或从扫描电路13供给的信号PHl处 于高电平时,MOS晶体管7导通。类似地,当信号PH2或信号PH3处于高电平时,设置在电路 块107或108中的相应的MOS晶体管导通。注意,作为MOS晶体管7的替代,可以使用CMOS 开关等。通过MOS晶体管7或CMOS开关实现的这种开关统称为最小值输出开关。图2B是示出差分放大器电路4的进一步的详细配置的例子的电路图。差分放大 器电路4包含PMOS晶体管41 43和NMOS晶体管44 47。差分放大器电路4被分成两 级,即,差分输入级和缓冲级。在包含MOS晶体管41 45的差分输入级中,MOS晶体管42 用作非反相输入端子,而MOS晶体管43用作反相输入端子。流经差分输入级的电流根据被 信号BPl控制的MOS晶体管41的导通状态而改变。缓冲级包含形成源极跟随器的MOS晶 体管46和47。如果用作第一恒流源的MOS晶体管47响应于信号Bm而导通,那么在端子 OUT处获得差分放大器电路4的输出。图2C是示出差分放大器电路6的进一步的详细配置的例子的电路图。差分放大 器电路6包含PMOS晶体管61 63、PMOS晶体管66和67、以及NMOS晶体管64和65。差 分放大器电路6被分成两级,即,差分输入级和缓冲级。在包含MOS晶体管61 65的差分 输入级中,MOS晶体管62用作非反相输入端子,而MOS晶体管63用作反相输入端子。流经 差分输入级的电流根据被信号BP2控制的MOS晶体管61的导通状态而改变。缓冲级包含 形成源极跟随器的MOS晶体管66和67。如果用作第一恒流源的MOS晶体管67响应于信号 BP3而导通,那么在端子OUT处获得差分放大器电路6的输出。下面,参照图3所示的时序图和图4所示的信号状态表来描述根据本实施例的光 电转换装置的操作。图3示出图2A所示的信号的电平。当这些信号中的一个信号处于高 电平时,相应的MOS晶体管导通,而当一个信号处于低电平时,相应的MOS晶体管关断。图 4示出图2A、图2B和图2C所示的信号的状态。更具体而言,“BIAS ON” ( “偏置接通”)表 明相应的MOS晶体管处于ON(接通)状态中,“⑶T 0FF”(截止)表明相应的MOS晶体管处 于OFF(断开)状态或者流经该MOS晶体管的电流与在“BIAS ON”状态中流经该MOS晶体 管的电流相比受限的状态中。如图3所示,该操作被分成三个时段,即,复位时段、AGC时段和信号读取时段。首先,在时间TO处开始的复位时段中,信号PRES被切换到高电平,以使PD 1和运 算放大器2的非反相输入端子初始化。在复位时段中,信号BPl BP3、BN1、BN_AGC和BP_ AGC可处于任意状态中。但是,如果这些信号均处于“⑶T OFF”状态,那么功耗的降低被实 现。在AF传感器中,执行被称为自动增益控制(AGC)操作的操作。在AGC操作中,监 视从线传感器单元输出的信号,并且根据该信号的大小来控制对于该信号的增益。在时间 TlO处开始的AGC时段中,为了执行AGC操作,通过信号处理单元(未示出)监视从单位像 素输出的信号。更具体而言,监视从输出端子POUT输出的最大值信号和从输出端子BOUT 输出的最小值信号之间的差值,并且,根据该差值的大小来控制信号的增益。
当信号PRES在时间TlO处被切换为低电平时,从单位像素输出与入射到PD 1上 的光的量对应的信号。在AGC时段中,信号Bm和BP3处于“CUT OFF,,状态中,而信号BP1、BP2、BN_AGC 和BP_AGC处于“BIAS ON”状态中。在该时段中,不是通过MOS晶体管47而是通过用作第 二恒流源的MOS晶体管10提供设置在电路块103 105中的每一个中的缓冲级中的恒流 源。因此,当信号PAGC在时间Tll处被切换到高电平时,在最大值检测单元PK的输出端子 POUT处获得来自所有电路块之中具有输入到MOS晶体管46的控制电极的最大信号的电路 块的输出。不是通过MOS晶体管67而是通过用作第二恒流源的MOS晶体管11提供设置在 电路块106 108中的每一个中的缓冲级中的恒流源。因此,在最小值检测单元BTM的输 出端子BOUT处获得来自所有电路块之中具有输入到MOS晶体管66的控制电极的最小信号 的电路块的输出。也就是说,在AGC时段中从单位像素输出的多个信号的最大值和最小值 被检测,并且,从最大值和最小值之间的差值获得被摄体的对比度。在AGC时段中,根据从输出端子POUT输出的最大值信号和从输出端子BOUT输出 的最小值信号之间的差值来检测被摄体的对比度,并且,在预定的时间段中设定对于这些 信号的增益,以便获得足够高的对比度。可根据应用或目的等来设定预定的时间段。通过 将该时间段设定为更短,能够减少在信号的增益被改变之前所花费的时间。当信号PAGC在时间T12处被切换到低电平时,AGC时段结束,信号读取时段开始。在信号读取时段中,响应于从扫描电路13供给的信号PHI、PH2、...等,从输出端 子BOUT读出来自单位像素的信号。出于这种目的,只有设置在电路块106 108中的恒流 源61和67处于“BIAS0N”状态中,而信号BPl、BNl、BN_AGC和BP_AGC被设定为处于“⑶T OFF”状态中,由此,位于电路块103 108中的MOS晶体管47和66用作各电路块中的缓冲 级的恒流源。在以上参照图2A 2C和图3描述的配置中,共用输出线8与差分放大器电路4 的反相输入端子连接,共用输出线9与差分放大器电路6的反相输入端子连接,由此产生虚 地(virtual ground),因此,共用输出线8或9的电势变得等于差分放大器电路4或6的非 反相输入端子的电势。这导致由MOS晶体管5或7引起的电压降对于从输出端子POUT或 BOUT输出的信号的影响减小。因此,根据本发明的本实施例的光电转换装置具有由MOS晶 体管5或7导致的更小误差。换句话说,实现高的精度。第二实施例以下,参照图5 7描述本发明的第二实施例。在前一个实施例中,就图像信号方面讨论了电路配置及其操作,忽略了由于PD 1 的初始化而出现的噪声和差分放大器电路4、6的偏移。但是,实际的光电转换装置具有当 PD 1被复位时出现的噪声(因此,这种类型的噪声被称为复位噪声),并且还在差分放大器 电路4和6中具有偏移。通过减少这些影响,能够提高光电转换装置的精度。图5是示出一个线传感器单元的配置的例子的电路图。为了简化说明,假定线传 感器单元包含三个单位像素。该配置与根据第一实施例的配置的不同之处在于,线传感器 单元另外包含偏移消除单元200,最大值检测单元PK另外包含MOS晶体管27和28,最小值 检测单元BTM另外包含MOS晶体管29和30。在图5中,用类似的附图标记表示与第一实施 例中的单元、元件、信号等类似的单元、元件、信号等。
偏移消除单元200包含MOS晶体管21、22、23、25和26以及箝位电容器24。MOS晶 体管21的主电极之一和MOS晶体管22的主电极之一均与单位像素100的输出端子连接。 MOS晶体管21的主电极中的另一个与MOS晶体管26的主电极之一和差分放大器电路4的 非反相输入端子连接。MOS晶体管22的主电极中的另一个与MOS晶体管23的主电极之一 和箝位电容器24的端子之一连接。MOS晶体管23的主电极中的另一个与差分放大器电路 4的反相输入端子连接。箝位电容器24的电极中的另一个与MOS晶体管25的主电极之一 和MOS晶体管26的主电极中的另一个连接。MOS晶体管25的主电极中的另一个与电源电 压VGR连接。MOS晶体管21、22、23、25和26响应于向它们的控制电极施加的信号PTNU PTS1、PTN2、PGR和PS2而导通或关断。偏移消除单元201和202以及偏移消除单元206 208的结构与偏移消除单元200的类似。在最大值检测单元PK的电路块203中,用作第二开关的MOS晶体管28的主电极 之一与差分放大器电路4的反相输入端子和MOS晶体管27的主电极之一连接,而MOS晶体 管28的主电极中的另一个与MOS晶体管5的主电极中的另一个和共用输出线8连接。另 一方面,用作第三开关的MOS晶体管27的主电极之一与差分放大器电路4的反相输入端子 连接,并且,MOS晶体管27的主电极中的另一个与用作第一开关的MOS晶体管5的主电极之 一连接。MOS晶体管27响应于信号POFC而导通或关断。MOS晶体管28和MOS晶体管5均 响应于被共同地施加给这两个MOS晶体管28和5的信号PAGC而导通或关断。电路块204 和205的配置与电路块203的类似。在最小值检测单元BTM的电路块209中,用作第二开关的MOS晶体管30的主电极 之一与差分放大器电路6的反相输入端子和MOS晶体管29的主电极之一连接,而MOS晶体 管30的主电极中的另一个与MOS晶体管7的主电极中的另一个和共用输出线8连接。用 作第三开关的MOS晶体管29的主电极之一与差分放大器电路6的反相输入端子连接,并 且,MOS晶体管29的主电极中的另一个与用作第一开关的MOS晶体管7的主电极之一连接。 MOS晶体管29响应于信号POFC而导通或关断。MOS晶体管30和MOS晶体管7响应于从OR 门12供给的信号而导通或关断。当信号PAGC或从扫描电路13供给的信号PHI、PH2等中 的一个处于高电平时,OR门12的输出电平变高。电路块210和211的配置与电路块209的 类似。下面,参照图6所示的时序图和图7所示的信号状态表描述根据本实施例的光电 转换装置的操作。图6示出图5所示的信号的电平。当这些信号中的一个信号处于高电平 时,与该信号对应的MOS晶体管导通,而当一个信号处于低电平时,与该信号对应的MOS晶 体管关断。图7示出图5所示的信号的状态。更具体而言,“BIAS ON”表明相应的MOS晶 体管处于ON状态中,"CUT OFF”表明相应的MOS晶体管处于OFF状态或者流经该MOS晶体 管的电流与在“BIAS ON”状态中流经该MOS晶体管的电流相比受限的状态中。如图6所示,该操作被分成四个时段。与上面描述的AGC时段跟随在复位时段之 后的第一实施例不同,在本实施例中,在AGC时段之前执行偏移消除时段的操作。首先,在时间TO处开始的复位时段中,信号PRES被切换到高电平,以使PD 1和运 算放大器2的非反相输入端子初始化。在复位时段中,信号BPl BP3、BN1、BN_AGC和BP_ AGC可处于任意状态中。但是,如果这些信号均处于“⑶T OFF”状态,那么功耗的降低被实 现。
在时间Tl处开始的偏移消除时段中,信号BPl BP3和Bm被设为处于“BIAS ON” 状态,而信号BN_AGC和BP_AGC被设为处于“CUT OFF”状态。当信号PRES在时间Tl处被切换为低电平时,从单位像素输出与入射到PD 1上的 光的量对应的信号。另一方面,在时间Tl处,信号POFC被切换到高电平,以使差分放大器 电路4的输出端子与差分放大器电路4的反相输入端子电连接,从而使得差分放大器电路 4操作为电压跟随器。当信号PTm、PTN2和PGR在时间T2处被切换到高电平时,单位像素100的输出端 子与差分放大器电路4的非反相输入端子电连接,并且,差分放大器电路4的输出端子与箝 位电容器的电极之一连接。作为结果,在紧接在初始化之后的时间处的单位像素100的电 压电平加上差分放大器电路4的偏移电压被施加到箝位电容器24的端子之一。在该状态 下,由于MOS晶体管25处于ON状态,因此,箝位电容器的端子中的另一个与电源电压VGR 连接。当信号PTN2在时间T3处被切换到低电平时,差分放大器电路4的输出端子与箝 位电容器24的电极之一断开电连接。当信号PTm在时间T4处被切换到低电平时,单位像素100的输出端子与差分放 大器电路4的非反相输入端子断开电连接。当信号PTS2在时间T5处被切换到高电平时,差分放大器电路4的非反相输入端 子与箝位电容器24的电极中的另一个和电源电压VGR连接,由此,差分放大器电路4的非 反相输入端子的电压和箝位电容器24的电极中的另一个的电压变得等于电源电压VGR。随后,当信号PGR在时间T6处被切换到低电平时,差分放大器电路4的非反相输 入端子和箝位电容器24的电极中的另一个进入浮置状态。作为结果,在箝位电容器24的 两个端子之间保持相对于VGR的、紧接在初始化之后的时间处的单位像素100的电压电平 加上差分放大器电路4的偏移电压。随后,在时间T7处,偏移消除时段结束,AGC时段开始。在AGC时段中,信号BPl、 BP2、BN_AGC和BP_AGC处于“BIAS ON”状态,信号Bm和BP3处于“CUT OFF”状态。因此,不 是通过MOS晶体管47而是通过用作第二恒流源的MOS晶体管10提供设置在电路块203 205中的每一个中的缓冲级中的恒流源。因此,当信号PAGC在时间T8处被切换到高电平 时,在最大值检测单元PK的输出端子POUT处获得来自所有电路块之中具有输入到MOS晶 体管46的控制电极的最大信号的电路块的输出。另一方面,不是通过MOS晶体管67而是 通过用作第二恒流源的MOS晶体管11提供设置在电路块209 211中的每一个中的缓冲 级中的恒流源。因此,在最小值检测单元BTM的输出端子BOUT处获得来自所有电路块之中 具有输入到MOS晶体管66的控制电极的最小信号的电路块的输出。在AGC时段中,信号POFC处于低电平,由此,差分放大器电路4的输出端子与差分 放大器电路4的反相输入端子断开电连接。此外,信号PTSl被切换到高电平,由此,单位像 素100的输出端子与箝位电容器24的端子之一电连接。因此,如果单位像素100的输出响 应于入射光的量而改变,那么向差分放大器电路4的非反相输入端子施加与差值对应的电 压。在这种情况下,由于MOS晶体管5和28均处于“BIAS ON”状态,因此,差分放大器电路 4的非反相输入端子虚拟接地,并且,共用输出线8的电势变得等于差分放大器电路4的非 反相输入端子的电势。这导致经由MOS晶体管5引起的电压降的影响减小。在后续的偏移消除时段中,单位像素100的复位噪声和差分放大器电路4的偏移通过箝位电容器24被箝 位,由此,在从电路块203 205和电路块209 211输出的信号中,噪声和偏移被减小。在AGC时段中,根据从输出端子POUT输出的最大值信号和从输出端子BOUT输出 的最小值信号之间的差值来检测被摄体的对比度,并且,在预定的时间段中设定这些信号 的增益,以便获得足够高的对比度。可根据应用或目的等来设定预定的时间段。通过将该 时间段设定为更短,能够减少在改变信号的增益之前所花费的时间。当信号PAGC在时间T9 处被切换到低电平时,AGC时段结束。在信号读取时段中,响应于从扫描电路13供给的信号PH1、PH2、...等,通过输出 端子BOUT读取来自单位像素的信号。出于这种目的,只有设置在电路块209 211中的每 一个中的恒流源61和67处于“BIAS ON”状态,而信号BP1、BN1、BN_AGC和BP_AGC被设为 处于“⑶T OFF”状态,由此,位于电路块209 211中的每一个中的MOS晶体管47和66用 作各电路块中的缓冲级的恒流源。当信号PHl上升到高电平时,OR门12的输出也上升到高电平,由此MOS晶体管7 和30导通。作为结果,如上述的第一实施例中那样,共用输出线9的电势变得等于差分放 大器电路6的虚拟接地点。这导致通过MOS晶体管7引起的电压降对于从输出端子BOUT 输出的信号的影响减小。此外,在本实施例中,偏移消除单元的设置使得能够减少单位像素 的复位噪声和差分放大器电路的偏移。如上所述,除了在第一实施例中实现的益处以外,根据本发明的本实施例的光电 转换装置还提供下述益处减少在单位像素中产生的复位噪声和在差分放大器电路中产生 的偏移的影响。虽然在前面的实施例中是经由最小值检测单元输出来自单位像素的信号的,但 是,可经由最大值检测单元输出信号。第三实施例以下参照图8描述本发明的第三实施例。图8是示出根据本发明的第三实施例的 图像拾取系统的配置的例子的框图。挡板(barrier) 801保护透镜802。透镜802在固态图像拾取装置804上形成被摄 体的光学图像。使用孔径803来调整光通过透镜802之后的光量。固态图像拾取装置804 获取与由透镜形成的被摄体的光学图像对应的图像信号。使用根据上述的任意实施例的光 电转换装置实现AF传感器805。模拟信号处理装置806处理从固态图像拾取装置804和AF传感器805输出的信 号。模数转换器807对于从该信号处理装置806输出的信号执行模数转换。数字信号处理 单元808对于从模数转换器807输出的图像数据执行各种校正和/或数据压缩。存储器809暂时存储图像数据。外部I/F单元810用作用于与诸如外部计算机之 类的外部装置通信的接口。定时发生器811向数字信号处理单元808和其它单元输出各种 定时信号。通用控制/运算单元812执行各种计算并控制整个照相机。附图标记813表示 存储介质控制I/F单元。存储介质814是用于存储和读取图像数据的诸如半导体存储器之 类的可去除存储介质。附图标记815表示外部计算机。可使用AF传感器805、透镜802、定 时发生器811和通用控制/运算单元812实现焦点检测装置。当拍摄图像时,图像拾取系统操作如下。当打开挡板801并且从AF传感器805输出信号时,通用控制/运算单元812基于相位差检测来计算到被摄体的距离。随后,基于计 算的结果,通用控制/运算单元812驱动透镜802来试图实现聚焦。然后,就是否实现了对 焦状态进行确定。如果确定还没有实现聚焦,那么透镜802被再次驱动直到实现聚焦。在 实现聚焦之后,固态图像拾取装置804开始蓄积操作。如果完成了固态图像拾取装置804 的蓄积操作,那么图像信号从固态图像拾取装置804被输出并且通过模数转换器807从模 拟形式被转换成数字形式。在通用控制/运算单元812的控制下,得到的数字数据被数字 信号处理单元808处理并被写到存储器809中。在通用控制/运算单元812的控制下,存 储在存储器809中的数据然后经由存储介质控制I/F单元813被存储在存储介质814中。 存储在存储器809中的数据可经由外部I/F单元810被直接输入到计算机等中。
虽然已参照示例性实施例描述了本发明,但应理解,本发明不限于所公开的示例 性实施例。所附权利要求的范围应被赋予最宽的解释以包含所有这样的变更方式以及等同 的结构和功能。
权利要求
1.一种光电转换装置,包括多个单位像素,所述多个单位像素中的每一个单位像素被配置为输出通过光电转换产 生的信号;输出线,所述输出线针对所述多个单位像素而被设置并且被配置为传送从单位像素输 出的信号;以及多个电路块,所述多个电路块中的每一个电路块针对单位像素中的一个单位像素被设 置并且被连接在单位像素中的所述一个单位像素和所述输出线之间,其中,所述电路块中的每一个电路块包含差分放大器电路和第一开关,所述差分放大器电路具有被施加从相应的单位像素输出的信号的非反相输入端子,所述差分放大器电路具有与所述第一开关的第一端子连接的输出端子,以及所述第一开关的第二端子与所述输出线和所述差分放大器电路的反相输入端子连接。
2.根据权利要求1的光电转换装置,其中,所述差分放大器电路包含差分输入级和缓 冲级。
3.根据权利要求2的光电转换装置,其中,所述缓冲级包含源极跟随器。
4.根据权利要求3的光电转换装置,其中,所述源极跟随器包含第一恒流源。
5.根据权利要求4的光电转换装置,还包括针对所述多个电路块设置的第二恒流源,其中,所述源极跟随器以第一恒流源或第二恒流源进行操作。
6.根据权利要求1 5中的任一项的光电转换装置,其中,所述第一开关的第二端子经 由第二开关与所述差分放大器电路的反相输入端子连接。
7.根据权利要求1 5中的任一项的光电转换装置,还包括偏移消除单元,所述偏移消 除单元被配置为减少在电路块中产生的偏移。
8.根据权利要求7的光电转换装置,其中,所述偏移消除单元包含箝位电容器,所述箝 位电容器用于对所述差分放大器电路的偏移进行箝位。
9.根据权利要求8的光电转换装置,其中,包含在电路块中的第一开关中的每一个的第一端子经由第三开关与所述差分放大器 电路的反相输入端子连接,以及其中,所述第三开关在所述差分放大器电路的偏移被所述箝位电容器保持的时段 中处于导通状态。
10.一种包括根据权利要求1 9中的任一项的光电转换装置的焦点检测装置。
11.一种包括根据权利要求10的焦点检测装置的图像拾取系统。
全文摘要
本发明涉及光电转换装置、焦点检测装置和图像拾取系统。在光电转换装置中,由于经MOS晶体管引起的电压降而会出现误差。在光电转换装置中,为了减少误差,设置在单位像素和输出线之间的电路块包含差分放大器电路和开关,所述开关被设置在差分放大器电路的反馈路径中。
文档编号G03B13/34GK102143317SQ201010587460
公开日2011年8月3日 申请日期2010年12月13日 优先权日2009年12月16日
发明者衣笠友寿, 齐藤和宏 申请人:佳能株式会社
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