专利名称：用于euv波长范围的反射镜，用于该反射镜的基底，包括该反射镜或该基底的用于微光刻 ...的制作方法
用于EUV波长范围的反射镜，用于该反射镜的基底，包括该反射镜或该基底的用于微光刻的投射物镜，及包括该投射物镜的用于微光刻的投射曝光设备本发明涉及用于EUV波长范围的反射镜和用于该反射镜的基底。此外，本发明涉及包括该反射镜或该基底的用于微光刻的投射物镜。而且，本发明涉及包括该投射物镜的用于微光刻的投射曝光设备。用于EUV波长范围的微光刻的投射曝光设备必须依赖用于将掩膜曝光或成像至像平面的反射镜具有高反射率的前提，首先因为单独反射镜的反射率值的乘积确定投射曝光设备的总的透过率，并且其次因为EUV光源的光功率是有限的。为了获得高反射率，有必要避免由杂散光造成的损失，这导致对于使所述反射镜的表面粗糙度在所谓的HSFR范围的严格要求(参见由U. Dinger等的发表于Proc. SPIE Vol. 4146, 2000中的“用于EUV光刻的反射镜基底测量学和光学制造技术的进展(Mirror substrates forEUV-Iithography:progress in metrology and optical fabrication technology)，，)，该严格的要求特别是用于限定表面粗糙度在粗糙度为IOnm至I y m的关于空间波长的HSFR 范围，以及限定表面粗糙度在粗糙度为I Pm至Imm的关于空间波长的MSFR范围。此外，SP使经过多年高强度的EUV光线的连续辐射，所述反射镜必须确保高反射率值和期望的光学成像质量。具有高反射率值的用于在13nm左右的EUV波长范围的反射镜，可从例如DE 10155 711 Al得知。其中所述反射镜包括施加于基底上的并具有单独层的序列的层布置，其中层布置包括多个表面层系统，每一个表面层系统具有形成周期的不同材料的至少两个单独层的周期性序列，其中单独层系统的周期的数量和周期的厚度由基底朝着表面减少。在入射角区间在0°和20°之间的情况下，这种反射镜具有大于30%的反射率。在该情况下，入射角被定义为在光线的入射方向和光线入射到反射镜上的一点处的反射镜的表面的法线之间。在该情况下，入射角区间由在针对反射镜分别考虑的最大和最小入射角之间的角度区间造成。然而，关于上述层不利的是，在确定的入射角区间内，上述层的反射率不是常数，而是变化的。但是，在入射角范围内的反射镜的反射率的变化是不利的，尤其对于在用于微光刻的投射物镜中，在具有大入射角和具有大入射角的变化的位置使用所述反射镜，因为这样的变化导致例如所述投射物镜的光瞳切趾过分大的变化。在该情况下，光瞳切趾为在投射物镜的出瞳上的强度波动的量度。关于上述层的更不利的是上述层传输太多的EUV光线至基底，导致基底长时间曝光于高剂量的EUV光线。然而，在高剂量的EUV光线下，用于EUV反射镜的由例如来自于肖特股份有限公司(Schott AG)的微晶玻璃(Zerodur)或来自于康宁公司(Corning Inc.)的ULE 的材料构成的基底趋向于在体积上被致密化几个百分点的数量级。在反射镜的辐射通常不均匀情况下，所述致密化导致反射镜的表面形状的不均匀的改变，结果，反射镜的光学成像特性在工作期间以不期望的形式改变。因此，本发明的目的是提供用于EUV波长范围，更是在高剂量EUV光线下的反射镜，该反射镜在从几个月到几年的工作期间具有长期稳定的光学特性。根据本发明，该目的依靠包括基底和层布置的用于EUV波长范围的反射镜来实现。其中层布置包括至少一个表面层系统，该表面层系统由单独层的至少两个周期的周期性序列构成，其中周期包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于高折射率层和低折射率层，其中层布置包括具有大于20nm，特别是50nm的厚度的至少一个表面保护层或至少一个表面保护层系统，并且其中通过层布置的EUV辐射的透射率总计小于2%，特别是小于0.2%。该情况下，在EUV波长范围内的术语高折射率和低折射率为相对于关于表面层系统的周期的各自的合作层的术语而言的。在EUV波长范围内，只在作为具有高折射率的层与光学上相对较低折射率的层结合作为表面层系统的周期的主要成分时，表面层系统通常起作用。 根据本发明，已经认识到，为了保护基底免受过分高剂量的EUV光线，足够的是设计反射镜的基底上的层布置，使得只有一小部分EUV光线到达基底。为了该目的，层布置或层布置的表面层系统中的一个可被设置有层的周期的相应的数量，或者设置有表面保护层(SPL)或表面保护层系统(SPLS)，使得在任何情况下，通过层布置到达基底的EUV辐射的透射率总计小于2%，特别是小于0.2%。此外，本发明的目的依靠包括基底和层布置的用于EUV波长范围的反射镜来实现。其中层布置包括至少一个表面层系统，该表面层系统由单独层的至少两个周期的周期性序列构成，其中周期包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于高折射率层和低折射率层，并且其中层布置包括具有大于20nm，特别是50nm的厚度的至少一个表面保护层SPL或至少一个表面保护层系统SPLS，其中表面保护层SPL或表面保护层系统SPLS在EUV辐射下经历小于I %，特别是小于0. 2%的不可逆的体积变化。在该情况下，EUV辐射下的不可逆的体积变化被理解为意味着不是由热膨胀造成的可逆的体积变化，而是由材料中的结构变化(考虑由高剂量的EUV辐射造成的)导致的长期不可逆的体积变化。根据本发明，已经认识到除了基底的保护(20nm厚的表面保护层SPL或20nm厚的表面保护层系统SPLS已经足够(取决于材料的选择))，也必须考虑表面保护层SPL或表面保护层系统SPLS必须保持稳定，即使是在高剂量的EUV辐射下(在光刻设备的使用期限内积累的)。否则，不可逆的体积变化的问题从基底仅仅分别转移到表面保护层或表面保护层系统。此外，本发明的目的依靠包括基底和层布置的用于EUV波长范围的反射镜来实现，其中层布置包括至少一个表面层系统，该表面层系统由单独层的至少两个周期的周期性序列构成，其中周期包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于高折射率层和低折射率层。而且，该情况中的层布置包括具有大于20nm，特别是大于50nm的厚度的至少一个表面保护层或至少一个表面保护层系统，其中表面保护层或表面保护层系统被设置用于避免在EUV辐射下的在所述基底的辐射区域中的位置上的垂直方向测量的所述基底的表面相对于在辐射区域之外的位置上的同一方向测量的所述基底的表面的不可逆的改变大于0. lnm，并且同时用于施加张应力，以补偿层布置中的层应力。根据本发明，在该情况下，必须认识到除了基底的保护(20nm厚的表面保护层SPL或20nm厚的表面保护层系统SPLS已经足够(取决于材料的选择))，也必须考虑表面保护层SPL或表面保护层系统SPLS同时适合于补偿层布置中的层应力，这是因为否则的话基底会由于层应力而不被允许地弯曲。因此，特别是在表面保护层系统的设计中，在优化中必须同时考虑造成的层应力。此外，在表面保护层SPL的情况下和在表面保护层系统SPLS的情况下通过材料的选择，必须确保表面保护层SPL和表面保护层系统SPLS在高剂量的EUV辐射的情况下不会改变，因为高剂量的EUV辐射不可避免地带来层应力的改变和因此表面形状的改变。在一实施例中，反射镜的层布置包括至少一个层，该层由以下组的材料形成或为由以下组的材料构成的化合物镍、碳、碳化硼、钴、铍、硅、二氧化硅。这些材料单独地或与另一种材料结合地适用于表面保护层SPL或表面保护层系统SPLS。从本申请的意义上来说，甚至如镍-硼、镍-硅、镍-钥、镍-钒、镍-硅-硼的合金为化合物，其可被用作表面保护层SPL或其可与硅、钥或铬结合在表面保护层系统SPLS中。为了使通过层布置至基底的EUV辐射的透射率少于0. 2%，对于由提及的材料构成的表面保护层SPL或表面保护层系统SPLS，大于200nm的厚度可充分地确保该透射率，而不用考虑反射镜的其他表面层系统的 透射作用。在进一步的实施例中，根据本发明的反射镜的层布置包括至少三个表面层系统，其中位于最接近基底的表面层系统的周期的数量比离基底最远的表面层系统的周期的数量大，并且/或者比离基底第二远的表面层系统的周期的数量大。这些方法促进反射镜的反射特性与位于层布置之下的层或基底解耦，使得在反射镜的层布置之下可使用具有其他功能特性的其他的层或其他的基底材料。首先，因此可避免位于层布置下的层的或基底的对反射镜的光学特性的干扰效应，并在该情况下特别是对反射率的干扰效应。并且其次，除了上述方法之外，因此可保护位于层布置下的层或基底免受EUV辐射。在该情况下，应考虑层布置的反射率、透射率和吸收率的特性关于层布置的周期的数量为非线性的；特别地，反射率关于层布置的周期的数量呈现逼近极限值的饱和状态。上述表面保护层SPL或上述表面保护层系统SPLS也可因此被使用以得到以下效果为了保护位于层布置下的层或基底免受EUV辐射，所需的层布置的周期的数量不允许无限制的增大，而是被限制于实现反射率特性的所需的周期的数量。在另一实施例中，层布置包括非晶层，特别是至少包括具有大于lOOnm，特别是大于2 y m的厚度的硅或石英的非晶层，该硅或石英通过化学气相沉积方法，特别是等离子体脉冲化学气相沉积、等离子体辅助化学气相沉积、或等离子体增强化学气相沉积的方法沉积。该层在EUV光线下呈现长期的稳定性，并可被很好地抛光(即使是在非晶层下的表面保护层系统SPLS或基底具有高表面粗糙度的情况下)。在一实施例中，层布置包括非晶层，其中该层具有小于0. 5nm rms HSFR，特别是小于0.2nm rms HSFR的表面粗糙度。如介绍中提及的，这种层首先导致反射镜的低杂散光损失，并且其次可被用于为通常很难抛光的基底材料提供可很好地抛光的表面层。进一步地，可结合该非晶层使用例如因钢(Invar)(可经受相当高剂量的EUV辐射)的其他的基底材料。这种非晶层可机械地抛光或通过离子轰击抛光。在进一步的实施例中，层布置包括至少一个表面保护层系统SPLS，该表面保护层系统SPLS由单独层的至少两个周期的周期性序列构成，该周期包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于高折射率层和低折射率层，其中形成周期的两个单独层的材料为镍和硅或为钴和铍。与单独的表面保护层SPL相比，关于该表面层系统SPLS有利的是尽管对于吸收效应，表面层系统SPLS的吸收层的总厚度对应于单独的表面保护层SPL的厚度，但是所述吸收层与所述表面保护层相比，被由其他材料构成的其他层中断，导致在表面保护层系统SPLS的层中的晶体生长与在表面保护层SPL中的晶体生长相比被中断。这使得可提供非常平滑的表面而不会有高杂散光损失，或在涂层工艺期间依靠例如辅助离子轰击的方法制造所述表面。在另一实施例中，表面保护层系统SPLS的单独层通过至少一个阻挡层被分开，并且构成阻挡层的材料由选自以下材料组或为由以下材料组构成的化合物碳化硼、碳、氮化硅、碳化硅、硼化硅、氮化钥、碳化钥、硼化钥、氮化钌、碳化钌和硼化钌。这些提及的材料防止SPLS的单独层的相互扩散。在进一步的实施例中，层布置包括至少一个表面保护层系统SPLS，该表面保护层系统SPLS由单独层的至少两个周期的周期性序列构成，其中周期包括两个由不同的材料 构成的单独层，该不同的材料用于低折射率层和阻挡层。该表面保护层系统SPLS在结构上非常简单，因为已经省略了高折射率层或隔离体(spacer)。在另一实施例中，层布置包括至少一个表面保护层系统SPLS，该表面保护层系统SPLS由单独层的至少两个周期的周期性序列构成，其中周期包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于低折射率层和阻挡层，并且其中用于低折射率层的材料包括镍，而用于阻挡层的材料选自以下材料组或为由以下材料组构成的化合物碳化硼、碳、氮化硅、碳化硅、硼化硅、氮化钥、碳化钥、硼化钥、氮化钌、碳化钌和硼化钌。该表面保护层系统SPLS构成了简单的表面保护层系统SPLS的优选的材料组合。在进一步的实施例中，至少一个表面保护层系统SPLS包括具有小于0. 5nm HSFR，特别是小于0.2nm HSFR的表面粗糙度的层。如介绍中提及的，该层导致低杂散光损失，并且可在涂层工艺期间依靠例如辅助离子轰击的方法制造。在一实施例中，用于EUV波长范围的反射镜包括基底和层布置，其中层布置包括多个表面层系统。在该情况下，每一个表面层系统由单独层的至少两个周期的周期性序列构成。在该情况下，周期包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于高折射率层和低折射率层，并且在每一个表面层系统中周期具有不变的厚度，该厚度与相邻的表面层系统的周期的厚度偏离。在该情况下，离基底第二远的表面层系统具有周期的序列，使得离基底最远的表面层系统的第一高折射率层直接接在离基底第二远的表面层系统的最后的高折射率层之后，并且/或者离基底最远的表面层系统的周期的数量大于离基底第二远的表面层系统的周期的数量。在这种情况下，根据本发明的反射镜的层布置的表面层系统直接地一个接着一个，并且不会通过另一层系统分离。此外，在本发明的情况下，即使在高和低折射率层之间的周期的同样分配的情况下，若大于0. Inm的偏差作为相邻的表面层系统的周期的厚度的偏差，则可将表面层系统与相邻的表面层系统区分开，这是因为从0. Inm的偏差开始，在高和低折射率层之间的周期的相同分配的情况下，可呈现表面层系统的不同的光学效应。已认识到，为了在大入射角区间内实现高且均匀的反射率，离基底最远的表面层系统的周期的数量必须大于离基底第二远的表面层系统的周期的数量。此外，已认识到，为了在大入射角区间内实现高且均匀的反射率，作为上述方法的替换的或附加的方法，离基底最远的表面层系统的第一高折射率层应该直接接在离基底第二远的表面层系统的最后的高折射率层之后。在进一步的实施例中，用于EUV波长范围的反射镜包括基底和层布置，其中层布置包括多个表面层系统。在这种情况下，每一个表面层系统由单独层的至少两个周期的周期性序列构成。在该情况下，周期包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于高折射率层和低折射率层，并且在每一个表面层系统中的周期具有不变的厚度，该厚度与相邻的表面层系统的周期的厚度偏离。在这种情况下，离基底第二远的表面层系统具有周期的序列，使得离基底最远的表面层系统的第一高折射率层直接接在离基底第二远的表面层系统的最后的高折射率层之后。已认识到，为了在大入射角区间内实现高且均匀的反射率，应该减少位于层布置下的层的或基底的影响。这主要对于以下的层布置是必要的，在该层布置中，离基底第二远的表面层系统具有周期的序列，使得使得离基底最远的表面层系统的第一高折射率层直接接在离基底第二远的表面层系统的最后的高折射率层之后。用于减少位于层布置下的层的 或基底的影响的一个简单的可能性在于设计层布置，使得层布置传输尽可能小的EUV辐射至位于层布置之下的层。这提供了所述位于层布置或基底之下的层对反射镜的反射率特性有重要贡献的可能性。在一实施例中,在这种情况下，表面层系统由同样的材料构造，该同样的材料用于高和低折射率层，这是因为这简化了反射镜的制造。其中离基底最远的表面层系统的周期的数量对应于在9和16之间的值的用于EUV波长范围的反射镜，并且其中离基底第二远的表面层系统的周期的数量对应于在2和12之间的值的用于EUV波长范围的反射镜，导致反射镜总共所需的层的限制，以及因此导致在反射镜制造期间的复杂度和风险的减少。此外，已认识到，在小数量的表面层系统的情况下，对于层布置可实现特别高的折射率值，若在该情况下，离基底最远的表面层系统的周期具有的高折射率层的厚度总计大于离基底第二远的表面层系统的周期的高折射率层的厚度的120%，特别是大于离基底第二远的表面层系统的周期的高折射率层的厚度的两倍。同样地，在进一步的实施例中的小数量的表面层系统的情况下，对于层布置可实现特别高的折射率值，若离基底最远的表面层系统的周期具有低折射率层的厚度小于离基底第二远的表面层系统的周期的低折射率层的厚度的80%，特别是小于离基底第二远的表面层系统的周期的低折射率层的厚度的三分之二。在进一步的实施例中，对于离基底第二远的表面层系统，用于EUV波长范围的反射镜具有的周期的低折射率层的厚度大于4nm，特别是大于5nm。由此，层的设计可不仅就反射率本身而言被适配，而且与所涉及的入射角区间上就S-偏振光的反射率而言和就P-偏振光的反射率而言被适配。主要对于只由两个表面层系统组成的层布置，因此提供了执行偏振适配(polarization adaptation)的可能性,尽管表面层系统的有限数量导致的有限的自由度。在另一实施例中，用于EUV波长范围的反射镜具有用于离基底最远的表面层系统的周期的厚度，其在7. 2nm和7. 7nm之间。因此对于大入射角区间可实现高均匀的反射率值。此外，进一步的实施例在反射镜的层布置和基底之间具有附加的中间层或附加的中间层布置，用作层布置的应力补偿。通过依靠该应力补偿，可避免在施加层期间的反射镜的变形。在根据本发明的反射镜的另一实施例中，形成周期的两个单独层由材料钥(Mo)和硅(Si)构成或由材料钌(Ru)和硅(Si)构成。因此可实现特别高的反射率值，并且同时实现生产工程优势，因为只有两种不同的材料被用于制造反射镜的层布置的表面层系统。在这种情况下，在进一步的实施例中，所述单独层通过至少一个阻挡层分开，其中 构成阻挡层的材料选自以下材料组或为由以下材料组构成的化合物碳化硼、碳、氮化硅、碳化硅、硼化硅、氮化钥、碳化钥、硼化钥、氮化钌、碳化钌和硼化钌。该阻挡层抑制在周期的两个单独层之间的相互扩散，因此增加两个单独层的过渡中的光学对比度。通过使用材料钥和硅用于周期的两个单独层，在硅层上的一阻挡层(从基底上面观察)是足够的，从而提供充分的对比。在Mo层上的第二阻挡层在该情况中可省略。关于这点，应提供至少一阻挡层，用于分离周期的两个单独层，其中至少一阻挡层可由多个上述材料或其中的化合物很好地构造，并且在这种情况下，可呈现不同的材料或化合物的分层结构。阻挡层包括材料碳化硼，并具有在0. 35nm和0. 8nm之间，优选地在0. 4nm和
0.6nm之间的厚度，该阻挡层导致实际中的层布置的高反射率值。特别地，在表面层系统由钌和娃构成的情况下,对于阻挡层的厚度为在0. 4nm和0. 6nm之间的值，由碳化硼构成的阻挡层呈现反射率的最大值。这在由钌和硅构成的单个层堆(mono-stack)的情况中尤其如此，此时表面层系统提供EUV反射镜的反射率。在进一步的实施例中，根据本发明的反射镜包括覆盖层系统，该覆盖层系统包括至少一个由化学上惰性的材料构成的层，并且作为反射镜的层布置的端层。反射镜因此被保护免受外界影响。在另一实施例中，根据本发明的反射镜具有的沿着反射镜表面的层布置的厚度因子为在0.9和I. 05之间的值，特别是在0.933和I. 018之间的值。因此反射镜表面的不同位置可能以更具针对性的方式适配于出现在该位置的不同的入射角度。在这种情况下，厚度因子也可包括表面保护层SPL或表面保护层系统SPLS，以及用于应力补偿的上述附加的中间层或上述附加的中间层布置。在这种情况下，厚度因子为一因子，采用该因子，在基底的位置上以相乘的方式实现指定层设计的层的所有的厚度。厚度因子I因此对应于标准(nominal)的层设计。作为进一步的自由度的厚度因子使反射镜的不同位置可能以更具针对性的方式适配出现在该位置的不同的入射角区间，而不用必须改变反射镜的层设计本身，结果是反射镜最终对于在反射镜上的不同位置上的较大的入射角区间，产生比具有固定的厚度因子I关联的层设计本身所允许的更高的反射率值。通过适配厚度因子，因此也可除了确保高入射角度以外，还实现根据本发明的反射镜的反射率的变化的在多个入射角上的进一步减少。在进一步的实施例中，在反射镜表面的位置的层布置的厚度因子与出现在该处的最大入射角相关，因为，对于较高的最大入射角，对于适配而言，较高的厚度因子是有用的。
此外，本发明的目的通过用于EUV波长范围的反射镜的基底实现，其中具有大于20nm，特别是50nm的厚度的至少一个表面保护层SPL或至少一个表面保护层系统SPLS，保护基底免受在EUV辐射下的不可逆的体积变化，或保护基底免受入射的EUV辐射，使得到达基底的入射的EUV辐射小于2%，特别是小于0. 2%。根据本发明已认识到，为了保护基底，20nm厚的表面保护层SPL或20nm厚的表面保护层系统SPLS已经足够(取决于材料的选择)，用于防止在高剂量的EUV辐射情况中的基底的不可逆的体积的变化。此外，本发明的目的通过用于EUV波长范围的反射镜的基底实现，其中具有大于20nm，特别是大于50nm的厚度的至少一个表面保护层SPL或至少一个表面保护层系统SPLS被设置在基底上，以避免在EUV辐射下的在所述基底的辐射区域中的位置上的垂直方向测量的所述基底的表面相对于在辐射区域之外的位置上的同一方向测量的所述基底的表面的不可逆的改变大于0. Inm,并且同时用于施加张应力，以补偿在基底上施加的另外的层的层应力。 在这种情况下，根据本发明已认识到，除了基底的保护(为此，20nm厚的表面保护层SPL或20nm厚的表面保护层系统SPLS已经足够(取决于材料的选择))，也应考虑到表面保护层SPL或表面保护层系统SPLS同时适于补偿将被施加在基底上的另外的层的层应力，因为否则的话，基底会由于层应力而不允许地弯曲。因此，特别是在表面保护层系统的设计中，在所有的被施加的层的优化中必须同时考虑所得的层应力。此外，在表面保护层SPL的情况下和在表面保护层系统SPLS的情况下通过材料的选择，必须注意确保表面保护层SPL和表面保护层系统SPLS在高剂量的EUV辐射的情况下不会改变，因为高剂量的EUV辐射不可避免地带来层应力的改变和因此表面形状的改变。在一实施例中，用于EUV波长范围的反射镜的基底具有至少一个表面保护层SPL或至少一个表面保护层系统SPLS。该至少一个表面保护层SPL或至少一个表面保护层系统SPLS由以下组的材料形成或为由以下组的材料构成的化合物镍、碳、碳化硼、钴、铍、硅、
二氧化硅。此外，本发明的目通过投射物镜实现，该投射物镜包括至少一个根据本发明的反射镜或根据本发明的基底。而且，本发明的目的通过根据本发明的投射曝光设备实现，该投射曝光设备用于微光刻，包括该投射物镜。根据参考示出了本发明必需细节的图的本发明的示例实施例的以下描述，以及权利要求，本发明的进一步的特征和优势会变得显而易见。各单独的特征可分别通过自身单独地实现或作为本发明的变形中的任意期望的多个特征的组合实现。参考图，以下详细解释本发明的示例实施例，其中图I示出了根据本发明的第一反射镜的示意图；图Ia示出了根据本发明的具有表面保护层SPL的第一反射镜的示意图；图2示出了根据本发明的第二反射镜的示意图；图2a示出了根据本发明的具有表面保护层系统SPLS的第二反射镜的示意图；图3示出了根据本发明的第三反射镜的示意图；图3a示出了根据本发明的具有表面保护层系统SPLS的第三反射镜的示意图4示出了根据本发明的用于微光刻的投射曝光设备的投射物镜的示意图；图5示出了投射物镜的像场的示意图；图6示出了根据本发明的关于投射物镜中的光轴的最大入射角和入射角区间的区间长度相对于反射镜的位置的距离的实施例图；图7示出了根据本发明的反射镜的基底上的光学利用区域的示意图；图8示出了图I的根据本发明的第一反射镜的相对于入射角的一些反射率值的示意图；图9示出了图I的根据本发明的第一反射镜的相对于入射角的进一步的反射率值的不意图；
图10示出了图2的根据本发明的第二反射镜的相对于入射角的一些反射率值的 示意图；图11示出了图2的根据本发明的第二反射镜的相对于入射角的进一步的反射率值的示意图；图12示出了图3的根据本发明的第三反射镜的相对于入射角的一些反射率值的示意图；图13示出了图3的根据本发明的第三反射镜的相对于入射角的进一步的反射率值的示意图；图14示出了根据本发明的第四反射镜的相对于入射角的一些反射率值的示意图；以及图15示出了根据本发明的第四反射镜的相对于入射角的进一步的反射率值的示意图。参考图1,1a，2，2a，3和3a，以下描述根据本发明的各个反射镜la，la’，lb, lb’，lc，和lc’，反射镜的对应的特征在图中具有相同的参考标记。此外，对于图I至3a，以下总结说明根据本发明的这些反射镜的对应的特征或特性(在关于图3a的描述之后)。图I示出了根据本发明的用于EUV波长范围的包括基底S和层布置的反射镜Ia的示意图。在这种情况下，层布置包括多个表面层系统P’，P”和P”’，每一个表面层系统由单独层的至少两个周期P1, P2和P3的周期性序列构成，其中周期P1, P2和P3包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于高折射率层H’，H”和H”’以及低折射率层L’，L”和L”’，并且周期P1, P2和P3在每一个表面层系统P’，P”和P”’中具有不变的厚度屯，d2，和d3(与邻近的表面层系统的周期的厚度偏离)。在这种情况下，离基底最远的表面层系统P”’具有的周期P3的数量N3,大于离基底第二远的表面层系统P”具有的周期P2的数量N2。另外，离基底第二远的表面层系统P”具有周期P2的序列，使得离基底最远的表面层系统P”’的第一高折射率层H”’直接接在离基底第二远的表面层系统P”的最后的高折射率层H”之后。因此，在图I中，在离基底第二远的表面层系统P”的周期P2中的高H”和低折射率L”层的顺序，相对于在其他的表面层系统P’，P”’的其他的周期P1, P3中的高H’，H”’和低折射率L’，L”’层的顺序是相反的，使得离基底第二远的表面层系统P”的第一低折射率层L”也光学有效地(optically actively)接在位于最接近基底的表面层系统P’的最后的低折射率层L’之后。因此，图I中离基底第二远的表面层系统P”与以下描述的图2和3中所有其他的表面层系统在层的顺序上也不同。图Ia示出了根据本发明的反射镜la’，所述反射镜实质上对应于图I中根据本发明的反射镜la。这些反射镜之间的区别仅仅为在反射镜la’的情况中，具有厚度dp的表面保护层SPL位于上面的三个表面层系统P’，P”和P”’与基底S之间。该表面保护层SPL用于保护基底免受过量的高剂量EUV光线的影响，因为由例如ZeraduA或构成的反射镜基底在高剂量EUV光线下呈现体积的几个百分点的数量级的不可逆的致密化。在这种情况下，具有大约50 至IOOnm的厚度的由例如镍(Ni)的金属构成的反射镜表面保护层SPL，具有足够的吸收，使得只有很少的EUV光线穿透直到下面的基底S。因此基底被充分地保护，即使是在微光刻设备的多年工作期间处于高剂量的EUV光线的状况下。因此可避免反射镜的光学成像性质由于在基底的表面中的不可逆的变化，在仅仅几个月或几年后，不再满足微光刻设备的工作的情况。在具有高表面粗糙度的如镍的材料的情况下，可使用表面保护层SPL上的如石英或硅的IOOnm至5 y m厚的非晶层，以通过抛光非晶层减少该粗糙度。通过化学气相沉积，特别是离子脉冲化学气相沉积、等离子体辅助化学气相沉积、或等离子体增强化学气相沉积的方法，该非晶层应该被施加于表面保护层SPL上或基底上，因为这些提及的涂层方法导致非常致密的层，即使在EUV辐射下，该层是稳定的且不呈现不可逆的致密化。提及的金属层(例如镍)在EUV辐射下同样是稳定的且不呈现不可逆的致密化。关于对比基底材料(即使基底材料同样基于基础材料石英)石英层在高剂量EUV辐射下是稳定的原因，大概在于制造基底材料的工艺，该工艺发生在高温下。因此，推测而言，热力学中间状态在基底材料中被固定，该状态在高剂量EUV辐射下经历转换至热力学基态，致使基底材料更致密。相反地，在低温下通过提及的方法施加石英层，致使材料的热力学基态从一开始就实现，并且由于高剂量的EUV辐射所述状态不能转变为在热力学的更低水平的进一步的基态。作为单个表面保护层SPL的替换，也可设计图I的反射镜Ia的表面层系统P’，使得由于表面层系统P’的吸收，其为下面的基底提供充足的保护。为了这个目的，表面层系统应该具有相应的层的数量。特别地，表面层系统P’具有的周期的数量超过用于EUV反射镜的层布置的表面层系统P”和P”’的周期的数量对于这个目的是合适的。在这种情况下，在层布置的每一次全局优化期间，同时考虑所有层的反射特性，透射特性和应力特性。以下参考图2a和3a讨论的特定的表面保护层系统SPLS，同样适合用于充分地保护图I中的反射镜Ia的基底免受EUV辐射。图2示出了根据本发明的用于EUV波长范围的反射镜Ib的示意图，该反射镜Ib包括基底S和层布置。在这种情况下，层布置包括多个表面层系统P’，P”和P”’，每一个表面层系统由单独层的至少两个周期P1, P2和P3的周期性序列构成，其中周期P1, P2和P3包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于高折射率层H’，H”和H”’以及低折射率层L’，L”和L”’，并且周期P1, P2和P3在每一个表面层系统P’，P”和P”’中具有不变的厚度Clpd2^Pd3 (与邻近的表面层系统的周期的厚度偏尚)。在这种情况下，尚基底最远的表面层系统P”’具有的周期P3的数量N3,大于离基底第二远的表面层系统P”具有的周期P2的数量N2。在这种情况下，与关于图I的的示例实施例的情况不同，离基底第二远的表面层系统P”具有与其他表面层系统P’和P”’的周期P1和P3的序列相应的周期P2的序列，使得离基底最远的表面层系统P”’的第一高折射率层H”’光学有效地(optically actively)接在离基底第二远的表面层系统P”的最后的低折射率层L”之后。图2a示出了与图2中根据本发明的反射镜Ib相应的根据本发明的反射镜lb’，反射镜lb’的第一表面层系统P’被设计为表面保护层系统SPLS。在这种情况下，表面保护层系统SPLS包括高折射率层Hp、低折射率层Lp和两个阻挡层B的多个周期。在这种情况下，低折射率层由例如镍或钴的金属构成，并且相应地具有对EUV辐射的高吸收性，见于表2a。在这种情况下，表面保护层系统SPLS的层Lp的总厚度大致对应于图Ia的根据本发明的根据反射镜la’的表面保护层SPL的厚度。不言而喻，根据图Ia中的示例实施例la’的表面保护层SPL可用于反射镜Ib的层布置和基底之间，或作为图2a中的反射镜lb’的表面保护层系统SPLS的替代。与单独的表面保护层SPL相比，表面保护层系统SPLS的优势在于可能的金属层的晶体生长通过高折射率层被避免。该晶体生长导致金属层的粗糙表面，并且继而导致不期望的杂散光的损失(在介绍中已提及)。作为周期的高折射率层的材料的硅适合于金属镍，而作为高折射率层的铍适合于金属钴。为了避免提及的这些层的相互扩散，可使用阻挡层B，例如结合在本申请的情况下的其他的高和低折射率层进一步讨论的。图3示出了根据本发明的用于EUV波长范围的另一反射镜Ic的示意图，该反射镜Ic包括基底S和层布置。在这种情况下，层布置包括多个表面层系统P”和P”’，每一个表面层系统由单独层的至少两个周期P2和P3的周期性序列构成，其中周期P2和P3包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于高折射率层H”和H”’以及低折射率层L”和L”’，并且周期P2和P3在每一个表面层系统P”和P”’中具有不变的厚度d2和d3 (与邻近的表面层系统的周期的厚度偏离)。在这种情况下，在根据关于图14和15的描述的第四示例实施例中，离基底最远的表面层系统P”’具有的周期P3的数量N3，大于离基底第二远的表面层系统P”具有的周期P2的数量N2。第四示例实施例作为关于对应于反射镜Ia的图3中的反射镜Ic的例子的变形，也包括离基底S第二远的表面层系统P”中的层的相反的顺序，使得该第四示例实施例也具有离基底最远的表面层系统P”’的第一高折射率层H”’光学有效地(optically actively)接在离基底第二远的表面层系统P”的最后的低折射率层L”之后的特征。特别地，在小数量的表面层系统(例如只有两个表面层系统)的情况下，，如果离基底最远的表面层系统P”’的周期P3具有的高折射率层H”’的厚度达到大于离基底第二远的表面层系统P”的周期P2的高折射率层H”的厚度的120%，特别是大于该厚度的两倍的话，则发现获得高反射率值。图3a示出了根据本发明的另一反射镜lc’的示意图，所述反射镜与图3中的反射镜的不同之处在于位于最接近基底的表面层系统P”被实现为表面保护层系统SPLS。图3a中，所述表面保护层系统SPLS仅由被阻挡层B打断的层Lp构成。如上面关于图2a所讨论的，阻挡层B用于打断层Lp的晶体生长。不言而喻，图3a所示的表面保护层系统SPLS可被结合图Ia和2a论述的其他的表面保护层SPL或其他的表面保护层系统SPLS替代。在 这种情况下，通过与图2a所示的表面保护层系统相比较，图3a所示的表面保护层系统SPLS仅代表简化的表面保护层系统SPLS，其中已省略了高折射率层Hp。因此，图3a中的表面保护层系统SPLS，对应于图Ia中的表面保护层SPL，被纯粹限制为用于基底(S)的保护作用(通过吸收)，并因此关于其他的表面层系统的光学特性，只具有少量的相互作用。通过对比，图2a中的表面保护层系统具有双重作用，原因在于由于表面保护层系统的吸收特性，其设置用于基底的保护，并且由于表面保护层系统的反射特性，其对反射率有贡献以及因此对反射镜的光学性能有贡献。由层布置的表面保护层系统SPLS至表面层系统P’，P”或P”’的层系统的标记的转换在此是流畅的，因为如上面结合图Ia所论述的，反射镜Ia的表面层系统P’，在具有多个周期的相应的设计的情况下，由于多个周期的增加的吸收，也不仅对反射镜的反射效应有贡献，并且承担关于基底的保护作用。与反射率不同，在考虑层设计的层应力时，必须将层布置的所有的层考虑在内。关于图1、2和3的根据本发明的反射镜的层布置的表面层系统直接一个接着一个，并且不会通过另一层系统分离。然而，表面层系统的通过单独的中间层的分离对于相互适配表面层系统或对于优化层布置的光学特性是可行的。然而，这最后一条不会应用于关于图I的第一示例实施例和关于图3的作为变形的第四示例实施例的两个表面层系统P”和P”’，因为通过在层P”的相反的序列，不期望的光学效果会因此被避免。图I至3a中由H，Hp，H’，H”和H”’标记的层为由材料构成的层，该材料在EUV波长范围内，与同一表面层系统中的标记为L，Lp, L’，L”和L”’的层相比，可标记为高折射率层，见于表2和表2a中的材料的复数折射率。相反地，图I至3a中由L，Lp, L’，L”和L”’标记的层为由材料构成的层，该材料在EUV波长范围内，与同一表面层系统中的标记为H,Hp, H’，H”和H”’的层相比，可标记为低折射率层。因此，EUV波长范围内的术语高折射率和低折射率为关于表面层系统的周期中的各个合作层的相对的术语。通常只有当作用为光学上具有高折射率的层和与其相对的作用为光学上具有低折射率的层组合，作为表面层系统的周期的主要要素时，表面层系统才在EUV波长范围内起作用。材料硅通常用于高折射率层。与硅结合时，材料钥和钌应该被标记为低折射率层，见于表2中的材料的复数折射率。图I至3a中，在每一情况中，阻挡层位于周期的单独层之间，组成所述阻挡层的材料选自以下材料组或为由以下材料组构成的化合物碳化硼、碳、氮化硅、碳化硅、硼化硅、氮化钥、碳化钥、硼化钥、氮化钌、碳化钌和硼化钌。该阻挡层抑制在周期的两个单独层之间的相互扩散，因此增加两个单独层的过渡中的光学对比度。将材料钥和硅用于周期的两个单独层时，硅层上的阻挡层(从基底上面看)足以提供充足的对比度。在该情况下，可省略钥层上的第二阻挡层。关于此点，应该提供至少一个阻挡层，用于分离一周期的两个单独层，其中至少一个阻挡层完全可由上述的材料的不同材料构造，或其化合物构造，并且在该情况下也可呈现不同材料或化合物的分层的构造。包括材料碳化硼并且具有在0. 35nm和0. 8nm之间，优选地在0. 4nm和0. 6nm之间
的厚度的阻挡层，在实际中致使层布置的高反射率值。特别地，在由钌和硅构成的表面层系统的情况下，由碳化硼构成的阻挡层在阻挡层的厚度为在0. 4nm和0. 6nm之间的值的情况 下呈现反射率的最大值。在根据本发明的反射镜la, la’，lb, lb’，lc,和lc’的情况下，表面层系统SPLS,P’，P”和P”’的周期Pp，P1, P2,和P3的数量Np，N1, N2,和N3在每一情况中可包括高达100个周期的单独周，和P3 (图I至3a所示)。此外，在图I至3a中所示的层布置和基底S之间，可设置附加的中间层或附加的中间层布置，用作相对于基底的层布置的应力补
\-ZX O用于层布置本身的相同的序列中的相同的材料可用作用于应力补偿的附加的中间层或附加的中间层布置的材料。然而，在中间层布置的情况下，可省略在单独层之间的阻挡层，因为中间层或中间层布置通常产生对反射镜的反射率可忽略的贡献，并且因此通过阻挡层增加对比度的问题在该情形是不重要的。由交替的铬和钪层或者非结晶的钥或钌层构成的多层布置同样可设想作为用于应力补偿的附加的中间层或附加的中间层布置。所述附加的中间层或附加的中间层布置将同样地按照它们的厚度(例如大于20nm)被选择，使得下面的基底被充分地保护免受EUV辐射。在这种情况下，附加的中间层或附加的中间层布置将同样地分别作为表面保护层SPL或作为表面保护层系统SPLS，并保护基底免受EUV辐射。
根据本发明的反射镜la，la’，lb, lb’，lc，和lc’的层布置在图I至3a中以覆盖层系统C作为端层，该覆盖层系统C包括至少一个由化学上惰性的材料(如铑、钼、钌、钯、金、二氧化硅等)构成的层，其作为端层M。因此，所述端层M避免由于外界影响造成的反射镜的表面的化学改变。图I至3a中的覆盖层系统C除了端层M，还有高折射率层H、低折射率层L以及阻挡层B。图I至3a的周期PyP1,P2，和P3中的一个周期的厚度由相应周期的单独层的厚度的总和得到，即由高折射率层的厚度、低折射率层的厚度以及两个阻挡层的厚度的总和得至IJ。因此，图1至3&中的表面层系统5 1^，？’，？”和？”’(考虑同样的材料选择)，可由于它们的周期PyP1, P2，和P3具有不同的厚度屯，d2，和d3的事实而彼此区分。因此，在本发明的情况下，在同样的材料选择的情况下，不同的表面层系统SPLS，P’，P”和P”’被理解为表面层系统的周期PyP1, P2，和P3在它们的厚度Clpd2，和d3上的区别大于0. Inm,因为在高和低折射率层之间的周期的其他方面的相同分配的情况下，在区别为0. Inm之下时，不再能认为表面层系统有不同的光学效应。此外，本质相同的表面层系统的周期厚度在不同的制造设备上的制造过程中可在该绝对值附近波动。在表面层系统SPLS，P’，P”和P”’具有由钥和硅构成的周期的情况下，如上所述，也可省略周期匕七七，和P3中的第二阻挡层，使得在该情况下，周期Pp，P1, P2，和P3的厚度由高折射率层的厚度、低折射率层的厚度以及阻挡层的厚度得到。图4示出了根据本发明的用于微光刻的投射曝光设备的投射物镜2的示意图，该投射物镜2具有六个反射镜1、11，包括至少一个反射镜1，该反射镜I在关于示例实施例(关于图8至15)的根据本发明的反射镜la，la’，lb, lb’，lc，和lc’的基础上构造。用于微光刻的投射曝光设备的任务是将掩模(也被称为掩模母版(reticle))的结构光刻地成像至像平面中的所谓的晶片。为了该目的，图4中的根据本发明的投射物镜2将物场3(布置在物平面5中)成像至像场(像平面7中)中。承载结构的掩模(为了清楚起见并未在图中示出)可布置在物平面5中的物场3的位置处。为了定位的目的，图4示出了笛卡尔坐标(Cartesian coordinates),它的x_轴指向图的平面内。在这种情况下,x_y坐标平面与物平面5重合，Z-轴垂直于物平面5并指向下。投射物镜具有光轴9，其不会穿过物场3。投射物镜2的反射镜1，11具有关于光轴旋转对称的设计表面。在这种情况下，所述设计表面必须不与完成的反射镜的物理表面混淆，因为为了保证光通路通过反射镜，物理表面相对于设计表面剪裁。在该示例实施例中，孔径光阑13在由物平面5到像平面7的光路中被布置在第二反射镜11上。在三条光线的帮助下，示出了投射物镜2的效果，该三条光线为主光线15和两个孔径边缘光线17及19，且所有三条光线都始于物场3的中心。主光线15 (以相对于物平面的垂线的6°的角度行进)在孔径光阑13的平面中与光轴9相交。从物平面5看，主光线15在入瞳面21中出现与光轴相交。这在图4中由主光线15的穿过第一反射镜11的虚线延伸表示。因此,孔径光阑13的虚像、入瞳，位于入瞳面21中。投射物镜的出瞳可同样具有从像平面7开始的主光线15的相反延伸的相同结构。然而在像面7中主光线15与光轴9平行，并且由此得出，这两者的反向投射在投射物镜2之前的无限远处产生交点，且因此投射物镜2的出瞳在无限远处。因此，投射物镜2为所谓的像方远心的物镜。物场3的中心在离光轴9的距离R处，并且像场7的中心在离光轴9的距离r处，以使在投射物镜的反射结构的情况下不会发生自物场出现的辐射的不期望的渐晕。图5示出了在图4示出的投射物镜2中出现的弓形的像场7a的俯视图，以及笛卡尔坐标(Cartesian coordinates)系统,笛卡尔坐标系统的轴对应于图4的轴。像场7a为 环面的一部分，其中心由光轴9与物面的交点给出。在所示的情况中，平均半径!■为34nm。场在y-方向的宽度这里为2mm。像场7a的中心场点被标记为像场7a中的小圆圈。作为替代，弯曲的像场也可由具有相同半径且在y-方向彼此相对移动的两个圆弧定界。若投射曝光设备作为扫描仪工作，此时扫描方向在物场的较短范围的方向上，即在y_方向的方向。图6示出了在由图4的投射物镜2的物平面5至像平面7的光路中的倒数第二个反射镜I的、相对于以单位(_)表示的不同的半径和距离(反射镜表面和光轴的位置之间)的、单位为度(° )的最大入射角(矩形)和入射角区间的区间长度(圆形)的实施例图。在具有六个反射镜1、11的用于EUV波长范围的微光刻的投射物镜2的情况中，所述反射镜I通常为必须确保最大的入射角，以及最大的入射角区间或最大的入射角变化的反射镜。在本发明的情况下，作为入射角变化的量度的入射角区间的区间长度被理解为，对于考虑了光学设计要求的距光轴的给定距离，反射镜的涂层所必须确保的、在最大和最小入射角之间的角范围(以度为单位)的角的度数的数量。入射角区间也可缩写为AOI区间。根据表I的投射物镜的光学数据可应用于反射镜I (图6基于该反射镜)的情况中。在这种情况下，光学设计的反射镜1，11的非球面被指定为旋转对称的表面，该非球面由非球面点相对于在非球面顶点处的切平面的垂直距离z(h)表示，该垂直距离Z(h)为非球面点相对于在非球面顶点处的法线的垂直距离h的函数，根据以下非球面等式Z (h) = (rho*h2) / (l+[l-(l+ky)*(rho*h)2]。.5) ++c1*h4+c2*h6+c3*h8+c4*h10+c5*h12+c6*h14其中，反射镜的半径R=l/rho和系数ky, C1, C2, c3, c4, C5和C6的单位为[mm]。在这种情况下，所述系数cn关于单位[mm]根据[l/mm2n+2]标准化，从而导致为距离h的函数的非球面Z (h)的单位也为[mm]。
权利要求
1.用于EUV波长范围的反射镜(la;la，；lb ;lb，；lc ;lc’)，包括基底(S)和层布置，其中所述层布置包括至少ー个表面层系统(P”’)，该表面层系统(P”’)由单独层的至少两个周期(P3)的周期性序列构成，其中所述周期(P3)包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于高折射率层(H”’ )和低折射率层(L”’)， 其特征在于所述层布置包括至少ー个表面保护层(SPL，Lp)或至少ー个表面保护层系统(SPLS)，其具有大于20nm，特别是50nm的厚度，其中通过所述层布置的EUV辐射的透射率总计小于2%，特别是小于O. 2%。
2.用于EUV波长范围的反射镜(la;la’ ；lb ;lb，；lc ;lc’)，包括基底(S)和层布置，其中所述层布置包括至少ー个表面层系统(P”’)，该表面层系统(P”’)由单独层的至少两个 周期(P3)的周期性序列构成，其中所述周期(P3)包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于高折射率层(H”’ )和低折射率层(L”’)， 其特征在于所述层布置包括至少ー个表面保护层(SPL，Lp)或至少ー个表面保护层系统(SPLS)，其具有大于20nm，特别是50nm的厚度，其中所述表面保护层(SPL，Lp)或所述表面保护层系统(SPLS)在EUV辐射下经历小于1%，特别是小于O. 2%的不可逆的体积变化。
3.用于EUV波长范围的反射镜(la;la，；lb ;lb，；lc ;lc’)，包括基底(S)和层布置，其中所述层布置包括至少ー个表面层系统(P”’)，该表面层系统(P”’)由单独层的至少两个周期(P3)的周期性序列构成，其中所述周期(P3)包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于高折射率层(H”’ )和低折射率层(L”’)， 其特征在于所述层布置包括至少ー个表面保护层(SPL，Lp)或至少ー个表面保护层系统(SPLS)，其具有大于20nm，特别是大于50nm的厚度，其中所述表面保护层(SPL，Lp)或所述表面保护层系统(SPLS)被设置用于避免在EUV辐射下的在所述基底(S)的辐射区域中的位置上的垂直方向测量的所述基底(S)的表面相对于在辐射区域之外的位置上的同一方向测量的所述基底(S)的表面的不可逆的改变大于O. lnm，并且同时用于施加张应カ以补偿所述层布置中的层应力。
4.根据权利要求1、2或3所述的用于EUV波长范围的反射镜(la;la’ ；lb ;lb’ ；lc ；lc’)，其中所述层布置包括至少ー层，该层由以下组的材料形成或为以下组的材料构成的化合物镍、碳、碳化硼、钴、铍、硅、ニ氧化硅。
5.根据权利要求1、2或3所述的用于EUV波长范围的反射镜(la;la’ ；lb;lb’)，其中所述层布置包括至少三个表面层系统(SPL，P’，P”，P”’)，且位于最靠近所述基底(S)的所述表面层系统(SPL，P’)的周期(Pp ^1)的数量(Np A1)大于离所述基底(S)最远的所述表面层系统(P”’ )的周期的数量，并且/或者大于离所述基底(S)第二远的所述表面层系统(P”)的周期的数量。
6.根据权利要求l、2或3所述的用于EUV波长范围的反射镜(la;la’；lb;lC)，其中所述层布置包括非晶层，该非晶层特别地至少包括具有大于lOOnm，特别是大于2μπι的厚度的石英或硅，该石英或硅通过化学气相沉积方法，特别是等离子体脉冲化学气相沉积、等离子体辅助化学气相沉积、或等离子体增强化学气相沉积的方法沉积。
7.根据权利要求6所述的用于EUV波长范围的反射镜(la;la’;lb ;lc)，其中所述非晶层具有小于0.5nm rms HSFR,特别是小于O. 2nm rms HSFR的表面粗糙度。
8.根据权利要求l、2或3所述的用于EUV波长范围的反射镜(la;la’;lb’;lC)，其中所述层布置包括至少ー个表面保护层系统(SPLS)，该表面保护层系统(SPLS)由单独层的至少两个周期(Pp)的周期性序列构成，所述周期(Pp)包括两个由不同的材料构成的単独层，该不同的材料用于高折射率层(Hp)和低折射率层(1^)，其中形成所述周期(Pp)的所述两个单独层(Lp，Hp)的材料为镍和硅，或为钴和铍。
9.根据权利要求1、2或3所述的用于EUV波长范围的反射镜(la;la’ ；lb ;lb’ ；lc ；lc’)，其中形成所述周期(P2，P3)的两个单独层(L”，H”，L”，，H”’)的材料为钥和硅或为钌和硅，并且其中覆盖层系统(C)包括至少ー个由化学惰性材料构成并且位于所述反射镜的层布置端部的层(M)。
10.根据权利要求8或9所述的用于EUV波长范围的反射镜(la;la’；lb ;lb’；lc ;lc’)，其中所述单独层通过至少ー个阻挡层(B)分开，并且构成阻挡层(B)的材料选自以下材料组或为由以下材料组构成的化合物碳化硼、碳、氮化硅、碳化硅、硼化硅、氮化钥、碳化钥、硼化钥、氮化钌、碳化钌和硼化钌。
11.根据权利要求1、2或3所述的用于EUV波长范围的反射镜(la;lb ；lc ;lc’)，其中所述层布置包括至少ー个表面保护层系统(SPLS)，该表面保护层系统(SPLS)由单独层的至少两个周期(Pp)的周期性序列构成，其中所述周期(Pp)包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于低折射率层(Lp)和阻挡层(B)。
12.根据权利要求11所述的用于EUV波长范围的反射镜(la;lb ;lc ;lc’)，其中用于所述低折射率层(Lp)的所述材料由镍构成，并且用于所述阻挡层(B)的所述材料选自以下材料组或为由以下材料组构成的化合物碳化硼、碳、氮化硅、碳化硅、硼化硅、氮化钥、碳化钥、硼化钥、氮化钌、碳化钌和硼化钌。
13.根据权利要求8或11所述的用于EUV波长范围的反射镜(la;lb ;lb’；lc ;lc’)，其中所述至少ー个表面保护层系统(SPLS)包括具有小于O. 5nm HSFR，特别是小于O. 2nm HSFR的表面粗糙度的层。
14.根据权利要求1、2或3所述的用于EUV波长范围的反射镜(la;lb ;lc)，其中沿着所述反射镜表面的所述层布置的厚度因子采用在O. 9和I. 05之间的值，特别是在O. 933和I.018之间的值，并且在所述反射镜表面的位置与在该位置所确保的最大入射角相关。
15.用于EUV波长范围的反射镜(la;la，；lb ;lb，；lc ;lc’)的基底(S)，其特征在于具有大于20nm，特别是50nm的厚度的至少ー个表面保护层(SPL，Lp)或至少ー个表面保护层系统(SPLS)，保护所述基底(S)免受入射的EUV辐射，使得到达所述基底(S)的所述入射的EUV辐射小于2%，特别是小于O. 2°ん
16.用于EUV波长范围的反射镜(la;la，；lb ;lb，；lc ;lc’)的基底(S)，其特征在于具有大于20nm，特别是50nm的厚度的至少ー个表面保护层(SPL，Lp)或至少ー个表面保护层系统(SPLS)，保护所述基底(S)免受在EUV辐射下的不可逆的体积变化。
17.用于EUV波长范围的反射镜(la;la，；lb ;lb，；lc ;lc’)的基底(S)，其特征在于具有大于20nm，特别是大于50nm的厚度的至少ー个表面保护层(SPL，Lp)或至少ー个表面保护层系统(SPLS)，被设置在所述基底(S)上，以避免在EUV辐射下的在所述基底(S)的辐射区域中的位置上的垂直方向测量的所述基底(S)的表面相对于在辐射区域之外的位置上的同一方向测量的所述基底(S)的表面的不可逆的改变大于O. lnm，并且同时用于施加张应力，以补偿在所述基底上施加的另外的层的层应力。
18.根据权利要求15，16或17所述的用于EUV波长范围的反射镜(la;la’ ；lb ;lb’ ；lc;lc’)的基底(S)，其中所述至少ー个表面保护层(SPL，Lp)或所述至少ー个表面保护层系统(SPLS)的至少ー个层，由以下组的材料形成或为由以下组的材料构成的化合物镍、碳、碳化硼、钴、铍、硅、ニ氧化硅。
19.用于微光刻的投射物镜，包括根据权利要求I至14中的任一项所述的反射镜(Ia；la’ ；lb ;lb’ ；lc ;lc’)或根据权利要求15至18中的任一项所述的基底(S)。
20.用于微光刻的投射曝光设备，包括根据权利要求19所述的投射物镜。
全文摘要
本发明涉及用于EUV波长范围的反射镜(la；la'；lb；lb'；lc；lc')，该反射镜包含基底(S)和层布置，其中该层布置包括至少一个表面层系统(P''')，该表面层系统(P''')由单独层的至少两个周期(P3)的周期性序列构成，其中周期(P3)包括两个由不同的材料构成的单独层，该不同的材料用于高折射率层(H''')和低折射率层(L''')；其中该层布置包括至少一个基底表面保护层(SPL，Lp)或至少一个表面保护层系统(SPLS)，其在基底和单独层的至少两个周期的周期性序列之间，具有大于20nm，特别是50nm的厚度。
文档编号G02B5/08GK102713690SQ201080056967
公开日2012年10月3日 申请日期2010年11月8日 优先权日2009年12月15日
发明者A.多多克, C.扎克泽克, G.布朗, G.范布兰肯哈根, H-J.保罗, J.韦伯, R.勒歇尔, S.米古拉, S.马伦德, W.克劳斯 申请人:卡尔蔡司Smt有限责任公司