专利名称：制造显示单元的方法以及显示单元的制作方法
技术领域：
本发明涉及使用有机发光装置或者液晶的显示单元的制造方法以及显示单元。
背景技术：
近年来，在显示单元的领域中，正在积极开发下一代显示器，并且要求省空间、高亮度和低功耗等。作为这样的显示单元，使用有机发光装置的有机EL(电致发光)显示单元引起人们的注意。有机EL显示单元具有如下特点。也就是，因为有机EL显示单元为自发光型，所以视角很宽。因为有机EL显示单元不需要背光，所以可以期待节省电功率，其响应很高，并且单元自身的厚度可以期待降低。此外，因为塑料基板用作有机EL显示单元的基板以便利用有机发光材料固有的柔性，所以有机EL显示单元作为具有柔性的单元引起人们的注意。关于有机EL显示单元中的驱动系统，使用薄膜晶体管(TFT)作为驱动元件的有源矩阵系统比无源矩阵系统具有更好的响应和更好的分辨率。因此，有源矩阵系统被看作特别适合具有前述优点的有机EL显示单元的驱动系统。有源矩阵有机EL显示单元具有驱动面板，驱动面板提供有有机发光装置(有机EL 装置)和驱动有机发光装置的驱动元件(薄膜晶体管)，有机发光装置包括在第一电极和第二电极之间的由有机发光材料制作的发光层。驱动面板和密封面板用其间的粘合层结合起来，从而将有机发光装置夹设在其间。在有机EL显示单元中，有底部发光型和顶部发光型，在底部发光型中光从每个有机发光装置发射到前述的驱动面板侧，在顶部发光类型中这样的光相反地发射到前述的密封面板侧。后者的类型能够更大地增加开口比，并且后者的类型是发展的主流。在顶发射型有机EL显示单元中，对于下层侧即驱动元件侧的第一电极，使用具有相对较大的功函数的材料，例如，诸如ITO(氧化铟锡)的氧化物导电材料，使空穴易于注入发光层中。然而，氧化物导电材料的电阻率比通常的配线金属材料等的电阻率高两到三个数量级，因此除了第一电极外，氧化物导电材料没能用于配线等的材料。此外，向下发射的光可能不能有效利用，这是一个缺点。因此，例如，日本未审查专利申请公开No. 2003-115393揭示了具有高反射率和低电阻率的金属膜，形成为诸如ITO的透明导电膜的下层，从而用作配线等。
发明内容
在日本未审查专利申请公开No. 2003-115393的构造中，通过溅射等形成透明导电膜。然而，诸如ITO的氧化物电导体的溅射靶比金属靶更硬且更脆。因此，为了在一侧大于1米的大玻璃基板上执行膜形成，目标应当分成几个部分。结果，微粒易于粘合到对应于分开部分的位置。该微粒渗入后续形成的有机层，这导致第二电极和第一电极之间的层间短路的缺陷，以致产生发光缺陷(暗点像素缺陷)。此外，作为金属膜，例如，已经使用银、铝或者它们的合金。然而，这样的材料易于造成产生表面氧化膜。因此，存在增加金属膜和透明导电膜之间的接触电阻的可能性，并且发光性能下降。考虑到前述的缺点，在本发明中，所希望的是提供这样的制造显示单元的方法和显示单元，其在第一电极具有包括金属和氧化物电导体的层叠结构的情况下，能够减少由氧化物电导体的溅射靶引起的微粒，且在金属和氧化物电导体之间获得适当导电性。根据本发明的实施例，提供在第一电极和第二电极之间具有显示层的显示单元的制造方法，其中形成第一电极的步骤包括下面的步骤A和B A、在基板上形成层叠结构的步骤，该层叠结构依次包括由金属制作的第一层和由氧化物显示导电性的金属制作的第二层；以及B、在形成层叠结构后提供表面氧化处理的步骤，由此在该第二层的厚度方向上的至少部分中形成氧化物电导体膜。根据本发明的实施例，提供的第一显示单元在第一电极和第二电极之间具有显示层。通过在基板上形成依次包括由金属制作的第一层和由氧化物显示导电性的金属制作的第二层的层叠结构来形成第一电极，然后提供表面氧化处理，由此在第二层的厚度方向上的至少部分中形成氧化物电导体膜。根据本发明的实施例，所提供的第二显示单元在第一电极和第二电极之间具有显示层。第一电极具有第一层和第二层组成的层叠结构，第一层由金属制作，在第一电极上提供覆盖部分的第二层的平面形状的的绝缘膜，从第二层的绝缘膜暴露的表面暴露部分在厚度方向上至少部分是氧化物电导体膜，并且覆盖有第二层的绝缘膜的表面涂覆部分是由氧化物显示导电性的金属制作的金属膜。在本发明实施例的第一显示单元中，通过在基板上形成依次包括由金属制作的第一层和由氧化物显示导电性的金属制作的第二层而形成第一电极，然后提供表面氧化处理且由此在第二层的厚度方向上的至少部分中形成氧化物电导体膜。因此，减少了在形成第二层中由溅射靶引起的微粒。从而，抑制了因层间短路缺陷引起的暗点缺陷。在本发明实施例的第二显示单元中，第一电极具有包括第一层和第二层的层叠结构，第一层由金属制作。从第二层的绝缘膜暴露的表面暴露部分在厚度方向上至少部分是氧化物电导体膜。同样，覆盖有第二层的绝缘膜的表面涂覆部分是由氧化物显示导电性的金属制作的金属膜。因此，即使在第一层的表面层中形成氧化物膜，第一层也通过低接触电阻的金属膜连接到氧化物电导体膜，并且在第一层和第二层之间可获得有利的导电率。根据制造本发明实施例的显示单元或者本发明实施例的第一显示单元的方法，通过在基板上形成层叠结构来形成第一电极，该层叠结构依次包括由金属制作的第一层和由氧化物显示导电性的金属制作的第二层，然后提供表面氧化处理，由此在第二层的厚度方向上的至少部分中形成氧化物电导体膜。因此，减少了在形成第二层中由溅射靶引起的微粒。从而，可以防止因层间短路缺陷引起的暗点缺陷。根据本发明实施例的第二显示单元，第一电极具有包括第一层和第二层的层叠结构，第一层由金属制作。从第二层的绝缘膜暴露的表面暴露部分在厚度方向上至少部分是氧化物电导体膜。同样，涂覆有第二层的绝缘膜的表面涂覆部分是由氧化物显示导电性的金属制作的金属膜。因此，即使在第一层的表面层中形成氧化物膜，第一层也通过低接触电阻的金属膜连接到氧化物电导体膜，且在第一层和第二层之间可获得有利的导电率。本发明的其它和进一步的目标、特征和优点将通过下面的描述显见。
图1的示意解了根据本发明实施例的显示单元的构造；图2的等效电路图解了图1所示的像素驱动电路的示例；图3的截面解了图1所示的显示区域的构造；图4的截面解了图3所示的第一电极的结构；图5A至5C的截面解了制造图1至图4所示的显示单元的方法的依次步骤；图6A和6B的截面解了图5A至5C的后续步骤；图7A和7B的截面解了图6A和6B的后续步骤；图8的截面解了图7A和7B的后续步骤；图9的示意图用于说明图3所示的第一电极的操作；图10的示意解了本发明的修改；图11的平面解了包括前述实施例的显示单元的模块的示意性构造；图12的透视解了前述实施例的显示单元的第一应用示例的外观；图13A的透视解了第二应用示例从前侧看的外观，而图13B的透视解了第二应用示例从后侧看的外观。
图14的透视解了第三应用示例的外观；图15的透视解了第四应用示例的外观；并且图16A是第五应用示例非闭合状态下的主视图，图16B是其侧视图，图16C是第五应用示例闭合状态下的主视图，图16D是其左侧视图，图16E是其右侧视图，图16F是其俯视图，而图16G是其仰视图。
具体实施例方式下面，将参考附图详细描述本发明的实施例。图1图解了根据本发明实施例的显示单元的构造。该显示单元用作超薄有机发光彩色显示单元等。在该显示单元中，例如，稍后描述的多个有机发光装置10RU0G和IOB设置为矩阵状态的显示区域110形成在例如由玻璃、硅(Si)晶片或者树脂等制作的基板11 上。作为用于显示图像的驱动器的信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130形成在显示区域110的周边上。在显示区域110中，形成像素驱动电路140。图2图解了像素驱动电路140的示例。像素驱动电路140形成在稍后描述的第一电极13的下层中。像素驱动电路140是有源驱动电路，具有驱动晶体管Trl、写入晶体管Tr2、驱动晶体管Trl和写入晶体管Tr2之间的电容器(保持电容)Cs以及串联连接到第一电源线(Vcc)和第二电源线(GND)之间的驱动晶体管Trl的有机发光装置10R(或10GU0B)。驱动晶体管Trl和写入晶体管Tr2由通常的薄膜晶体管(TFT)组成。其构造不作特别限定，并且可以是例如反相交错结构(所谓的底栅型)或者交错结构(顶栅型)。在像素驱动电路140中，多个信号线120A设置在列方向上，并且多个扫描线130A 设置在行方向上。每个信号线120A和每个扫描线130A之间的每个交叉部分对应于有机发光装置10RU0G和IOB(子像素)之一。每个信号线120A连接到信号线驱动电路120。图像信号从信号线驱动电路120通过信号线120A提供给写入晶体管Tr2的源极电极。每个扫描线130A连接到扫描线驱动电路130。扫描信号从扫描线驱动电路130通过扫描线130A 依次提供给写入晶体管Tr2的栅极电极。图3图解了显示区域110的截面构造。在显示区域110中，产生红光的有机发光装置10R、产生绿光的有机发光装置IOG和产生蓝光的有机发光装置IOB总体上以矩阵的状态依次形成。有机发光装置10RU0G和IOB具有簧片状的平面形状，并且彼此相邻的有机发光装置10RU0G和IOB的组合组成一个像素。在有机发光装置10RU0G和IOB中，从基板11侧开始，依次层叠前述像素驱动电路140的驱动晶体管Trl、平坦化层12、作为阳极的第一电极13、绝缘膜14、包括稍后描述的发光层的有机层15和作为阴极的第二电极16。如上的有机发光装置10RU0G和IOB根据需要涂覆有保护膜17，保护膜17由氮化硅(SiN)或氧化硅(SiO)等组成。此外，由玻璃等制作的密封基板31用粘合层20粘合到保护膜17的整个区域，其间的粘合层20由热固树脂或者紫外线固化树脂等制作，由此密封有机发光装置10RU0G和10B。密封基板31可以根据需要提供有滤色器32和作为黑矩阵的遮光膜(未示出)。驱动晶体管Trl通过提供在平坦化层12中的连接孔12A电连接到第一电极13。平坦化层12旨在平坦化提供有像素驱动电路140的基板11的前面。因为在平坦化层12中形成精细的连接孔12A，所以平坦化层12优选由具有有利的图案精度的材料制作。平坦化层12的材料示例包括诸如聚酰亚胺的有机材料和诸如氧化硅(SiO2)的无机材料等。第一电极13形成为对应于各有机发光装置10RU0G和10B。第一电极13例如具有层叠结构，依次包括第一层13A和第二层13B，第一层13A由金属制作。第一电极13可以具有在第一层13A和平坦化层12之间的第三层13C。第一层13A具有反射电极的功能，以反射发光层中产生的光，并且希望具有尽可能高的反射率，以改善发光效率。第一电极13A例如为IOOnm至IOOOnm(包括该二者)的厚度，具体地约为200nm厚，并且由高反射率的电导体组成，具体为铝(Al)或铝(Al)合金， 或者银(Ag)或银(Ag)合金。作为铝合金，针对于蚀刻步骤、清洁步骤或抗蚀剂分离步骤等会发生的腐蚀的防止措施，标准电极电位接近铟合金的合金是优选的。铝合金的示例包括铝镍合金和铝钼合金等。第二层13B也具有功函数调整层的功能，以增加电子空穴注入有机层15的效率， 并且优选由功函数高于第一层13A的材料制作。此外，如图4所示，绝缘膜14提供在第一电极13上。部分的第二层13B的平面形状涂覆有绝缘膜14。第二层13B的从绝缘膜14暴露的表面暴露部分13D为氧化物电导体膜13B1。同样，第二层13B的涂覆有绝缘膜14的表面涂覆部分13E是金属膜i:3B2，由氧化物显示导电性的金属制作，如铟(In)、锡(Sn)、锌 (Zn)和镉(Cd)。因此，在显示单元中，在后述制造工艺中减少了由溅射靶引起的微粒，并且在第一层13A和第二层1 之间获得有利的导电性。优选氧化物电导体膜13B1具体地由氧化物电导体制作，该氧化物电导体至少包含选自由铟an)、锡(Sn)、锌(Zn)和镉(Cd)组成的组的一种元素。其示例包括选自由包含铟an)、锡(Sn)和氧化物(0)的化合物(ΙΤ0 (氧化铟锡))，包含铟( )、锌(Zn)和氧化物(0)的化合物(ΙΖ0(氧化铟锌))，氧化铟(In2O3),氧化锡(SnO2),氧化锌(ZnO)以及氧化镉(CdO)组成的组中的至少一种。第二层13B的厚度优选为例如0. 5nm(5 A )至3nm(30 A ),包含该二者。如果厚度小于0. 5nm，则不能获得空穴注入效率的改善效果。同时，如果厚度大于3nm，则变得难于通过后述制造工艺中的表面氧化处理来形成具有足够透明度的氧化物电导体膜13B1。为了防止第一层13A与平坦化层12分离，减少与源漏电极层201的接触电阻，有利于图案化第一电极13中的形状控制等，插设第三层13C。第三层13C例如为5nm至200nm 的厚度且包含该二者，并且优选为IOnm至50nm的厚度且包含该二者，并且由铟(h)、锡 (Sn)、锌(Zn)或镉(Cd)组成。此外，第三层13C可以由氧化物电导体制作，该氧化物电导体包含选自由铟an)、锡(Sn)、锌(Zn)和镉(Cd)组成的组的至少一种元素。其具体示例包括选自由ΙΤ0、ΙΖ0、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)以及氧化镉(CdO)组成的组中的至少一个。第三层13C不必由与第二层1 相同的材料制作，或者不必由第二层 13B的材料的氧化物制作。此外，不必提供第三层13C。如稍后所描述，这样的第一电极13通过在基板11上形成依次包括第三层13C、第一层13A和第二层1 的层叠结构来形成，然后执行表面氧化处理，由此将第二层1 的表面暴露部分13D变为氧化物电导体膜13B1。绝缘膜14要保证第一电极13和第二电极16之间的绝缘特性，并且精确地获得发光区域所希望的形状。优选绝缘膜14由不导电且抗氧化的材料制作。因此，能够防止绝缘膜14被后述制造工艺中的表面氧化处理灰化。其具体示例包括诸如光敏丙烯酸树脂 (acryl)、聚酰亚胺和聚苯并ρ恶唑(polybenzoxazole)的有机材料，诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机材料，及其合成膜。绝缘膜14提供在第一电极13上，并且具有对应于第一电极13的发光区域的开口 14A。开口 14A中的区域对应于第二层1 的表面暴露部分13D， 即氧化物电导体膜13B1。有机层15和第二电极16不仅可以提供在发光区域中，而且可以连续地提供在绝缘膜14上。然而，光仅在绝缘膜14的开口 14A中发射。有机层15例如具有这样的结构，其中从第一电极13侧开始依次层叠空穴注入层、 空穴输运层、发光层和电子输运层(所有的元件均未示出)。对于前述各层，除了发光层的各层可以根据需要提供。此外，根据有机发光装置10RU0G和IOB的发光颜色，有机层15 可以具有不同的结构。空穴注入层旨在改善空穴注入效率并起缓冲层的作用来防止泄露。 空穴输运层旨在改善输运空穴到发光层的效率。发光层旨在通过施加电场而使电子空穴复合以产生光。电子输运层旨在改善输运电子到发光层的效率。由LIF或者Li2O等组成的电子注入层(未示出)可以提供在电子输运层和第二电极16之间。有机发光装置IOR的空穴注入层的材料示例包括4，4'，4〃 -三(3_甲基苯基苯基氨基)三苯基胺(!11-|01^1幻或者4，4'，4〃 -三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺 (2-TNATA)。有机发光装置IOR的空穴输运层的材料示例包括双[(N-萘基)-N-苯基]联苯胺(a -NPD)。有机发光装置IOR的发光层的材料示例包括40%体积的2，6_双甲氧基苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1，5-二腈(BSN-BCN)与8-羟基喹啉铝络合物 (Alq3)混合的材料。有机发光装置IOR的电子输运层的材料示例包括Alq3。有机发光装置IOG的空穴注入层的材料示例包括m-MTDATA和2-TNATA。有机发光装置IOG的空穴输运层的材料示例包括α -NPD0有机发光装置IOG的发光层的材料示例包括3%体积的香豆素6与Ah3混合的材料。有机发光装置IOG的电子输运层的材料示例包括 Alq3。有机发光装置IOB的空穴注入层的材料示例包括m-MTDATA和2-TNATA。有机发光装置IOB的空穴输运层的材料示例包括α -NPD0有机发光装置IOB的发光层的材料示例包括spiro 6Φ。有机发光装置IOB的电子输运层的材料示例包括5nm至300nm(包含该二者)厚的材料，例如Alq3。第二电极16形成为有机发光装置10RU0G和IOB公共的电极。第二电极16为例如5nm至50nm(包含该二者)厚，并且由金属元素的简单物质或者合金制作，金属元素诸如为铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)和钠(Na)0具体地，优选镁和银的合金(MgiVg合金)或者铝(Al)和锂(Li)的合金(AlLi合金)。此外，第二电极16可以由选自由ΙΤ0、ΙΖ0、氧化铟 (In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(SiO)和氧化镉(CdO)组成的组中的至少一个制作。显示单元例如可以制造如下。图5Α至图8图解了制造显示单元方法的依次步骤。首先，如图5Α所示，包括驱动晶体管Trl的像素驱动电路140形成在由前述材料制作的基板11上。接下来，还是如图5Α 所示，例如，通过用光敏树脂涂覆基板11的整个区域且提供曝光和显影来形成平坦化层12 和连接孔12Α，并且焙烧。随后，还是如图5Α所示，由具有前述厚度的前述材料制作的第三层13C例如通过溅射法形成。其后，如图5Β所示，由具有前述厚度的前述材料制作的第一层13Α例如通过溅射法形成。在形成第一层13Α后，如图5C所示，例如，通过溅射形成具有前述厚度的由氧化物显示导电性的金属制作的第二层13Β，该金属例如为铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)和镉(Cd)。此时，作为溅射靶，可以使用金属靶，如铟an)、锡(Sn)、锌(Zn)和镉(Cd)。因此，能够使用不需分开的完整的大的靶形成带有很少微粒的膜。结果，防止了引起发光缺陷的层间短路缺陷。在形成第三层13C或者第二层1 中，可以使用反应溅射，其中使用诸如铟(In)、 锡(Sn)、锌(Zn)和镉(Cd)的金属靶，并且在进行溅射的同时，除了诸如氩(Ar)的溅射气体外，还使用氧气进行氧化。在此情况下，第三层13C或者第二层13B由氧化物电导体制作， 其包括选自由铟an)、锡(Sn)、锌(Zn)和镉(Cd)组成的组中的至少一种元素。其具体示例包括选择由ΙΤ0、ΙΖ0、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(SiO)和氧化镉(CdO)组成的组中的至少一个。在反应溅射中，尽管担心会少量地增加微粒，但是与使用独立的氧化物电导体靶的情况相比，通过使用金属靶抑制了微粒的影响。形成第二层1 后，如图6Α所示，在第二层1 上形成光致抗蚀剂制作的掩模41， 并且通过使用例如光刻技术来提供曝光和显影，以提供预定形状的图案。随后，如图6B所示，使用掩模41蚀刻第二层13B、第一层13A和第三层13C。其后，如图7A所示，去除掩模41。其后，基板11的整个区域覆盖有光敏树脂，提供曝光和显影处理，并将产物焙烧。 因此，如图7B所示，具有开口 14A的绝缘膜14形成在包括第三层13C、第一层13A和第二层 13B的层叠结构上。开口 14A中的区域是表面暴露部分13D，第二层1 在此从绝缘膜14暴露。形成绝缘膜14后，对表面暴露部分13D提供表面氧化处理。这样，如图8所示，在表面暴露部分13D中形成由前述材料制作的氧化物电导体膜13B1。同时，第二层13B的涂覆有绝缘膜14的表面涂覆部分13E是不提供表面氧化处理的区域，并且保留由前述材料制作的金属膜13B2。对于表面氧化处理，例如，可以使用高浓度臭氧水/氧(或者N20)等离子体处理、氧气环境下的热退火或者它们的混合工艺。该步骤可以与之前的焙烧步骤一起进行，或者可以在形成第二层13B后的任何步骤中进行。事实上，仅氧化第二层I3B的氧化控制是困难的。如果氧化很弱，则在第二层1 的表面暴露部分13D中，仅有厚度方向上的一部分变为氧化物电导体膜 :3Β1，没有氧化的金属膜保留在厚度方向上其余的表面暴露部分13D中，因此会降低第一电极13的反射率。 然而，即使保留约Inm厚的金属膜，光就能够通过金属膜，并且对光利用效率的影响会很小。因此，氧化物电导体膜13B1形成在第二层13B的厚度方向上至少一部分中是足够的。同时，在强氧化的条件下，如图9所示，在某些情况下，由有利的绝缘体制作的氧化膜13A1形成在第一层13A的表面层中，即与第二层13B的界面中。然而，在第二层1 中涂覆有绝缘膜14的表面涂覆部分13E中，保留金属膜13B2。因此，第一层13A通过低接触电阻的金属膜13B2连接到第二层1 的氧化物电导体膜13B1，并且能够实现有利的导电特性。其后，例如，通过蒸发法形成由前述材料制作的有机层15和第二电极16。因此， 形成了有机发光装置10RU0G和10B。随后，有机发光装置10RU0G和IOB涂覆由前述材料制作的保护膜17。在保护膜17上，形成粘合层20。随后，制备提供有滤色器32且由前述材料制作的密封基板31。提供有有机发光装置10RU0G和IOB的基板11和密封基板31 用其间的粘合层20结合起来。因此，完成了图1至图4所示的显示单元。在显示单元中，扫描信号从扫描线驱动电路130通过写入晶体管Tr2的栅极电极提供给每个像素。来自信号驱动电路120的图像信号通过写入晶体管Tr2保持在保持电容 Cs中。就是说，根据保持在保持电容Cs中的信号导通/截止控制驱动晶体管Trl。因此， 驱动电流Id注入各有机发光装置10RU0G和IOB中。结果，发生电子空穴复合，并且由此而发光。通过第二电极16、滤色器32和密封基板31提取光。在该实施例中，通过在基板 11上形成层叠结构来形成第一电极13，该层叠结构依次包括由金属制作的第一层13A和由氧化物显示导电性的金属制作的第二层13B，然后执行表面氧化处理，由此在第二层13B的厚度方向上的至少部分中形成氧化物电导体膜13B1。因此，在形成第二层13B中由溅射靶引起的微粒减少。从而，防止了由层间短路缺陷引起的暗点缺陷，并且改善显示质量。此外，在第二层13B中，从绝缘膜14暴露的表面暴露部分13D是氧化物电导体膜 13B1，并且涂覆有绝缘膜14的表面涂覆部分13E是由氧化物显示导电性的金属制作的金属膜13B2。因此，即使氧化物膜13A1形成在第一层13A的表面层中，第一层13A也由通过金属膜13B2的通道P连接到氧化物电导体膜13B1并且接触电阻低，并且在第一层13A和第二层13B之间可获得有利的导电特性。如上所述，在该实施例中，在形成第一电极13的步骤中，在基板11上形成层叠结构，该层叠结构依次包括由金属制作的第一层13A和由氧化物显示导电性的金属制作的第二层13B，然后执行表面氧化处理，由此在第二层13B的厚度方向上的至少部分中形成氧化物电导体膜13B1。因此，在第二层1 的膜形成中由溅射靶引起的微粒可以减少。从而，能防止因层间短路缺陷而造成的暗点缺陷。此外，在第二层13B中，从绝缘膜14暴露的表面暴露部分13D的厚度方向上的至少部分是氧化物电导体膜13B1，涂覆有绝缘膜14的表面涂覆部分13E是由氧化物显示导电性的金属制作的金属膜13B2。因此，即使氧化物电导体膜13B1形成在第一层13A的表面层中，第一层13A也由通过金属膜13B2的通道P连接到氧化物电导体膜13B1并且接触电阻低，并且在第一层13A和第二层1 之间可获得有利的导电特性。此外，在前述的实施例中，描述了本发明应用于有机EL显示单元的情况。然而，本发明可应用于反射式液晶显示单元，例如，如图10所示。在反射式液晶显示单元中，例如， 在由玻璃制作的基板61上形成TFT 62、平坦化层63、作为像素电极的前述第一电极13和配向膜64 ；在由玻璃制作的基板71上形成公共电极72和配向膜73，并且液晶层80提供在其间。在液晶显示单元的情况下，例如，第二层13B也具有保护层的功能，以防止液晶被包含在第一层13A中的铝等污染。在液晶显示单元的情况下，对第二层13B的整个平面形状进行表面氧化处理，由此形成氧化物电导体膜13B1。就是说，不必像前述实施例中那样，在第二层1 的部分平面形状中形成表面暴露部分13D并且仅对表面暴露部分13D进行表面氧化处理。此外，在液晶显示单元的情况下，在第一层13A的表面上可以形成氧化物膜13A1。 在液晶显示单元的情况下，为了控制液晶层80的电场的目的而使用像素电极(第一电极 13)，并且因此不需要从像素电极的表面注入空穴的效果。模块和应用示例下面将会描述前述实施例所述的显示单元的应用示例。前述实施例的显示单元可应用于任何领域的电子装置的显示单元，用于将从外部输入的图片信号或者内部产生的图片信号显示为图像或者图片，例如电视机、数字相机、笔记本个人计算机、诸如移动电话的便携式终端装置和摄像机。模块前述实施例的显示单元与诸如后述第一至第五应用示例的各种电子装置结合作为例如图11的模块。在该模块中，例如，从密封基板31和粘合层20暴露的区域210提供在基板11的一侧，并且通过延伸信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130的配线在暴露区域210中形成外部连接端子(未示出)。外部连接端子可以提供有用于输入和输出信号的柔性印刷电路(FPC) 220。第一应用示例图12是应用前述实施例的显示单元的电视机的外观。该电视机具有例如图片显示屏部分300，包括前面板310和滤光玻璃320。图片显示屏部分300由根据前述实施例的显示单元组成。第二应用示例
图13A和1 是应用前述实施例的显示单元的数字相机的外观。该数字相机具有例如闪光灯410的发光部分、显示部分420、菜单开关430和快门按钮440。显示部分420 由根据前述实施例的显示单元组成。第三应用示例图14是应用前述实施例的显示单元的笔记本个人计算机的外观。该笔记本个人计算机具有例如主体510、用于输入字符等操作的键盘520和用于显示图像的显示部分 530。该显示部分530由根据前述实施例的显示单元组成。第四应用示例图15是应用前述实施例的显示单元的摄像机的外观。该摄像机具有例如主体 610、提供在主体610的前侧面上用于摄取目标的镜头620和显示部分640。显示部分640 由根据前述实施例的显示单元组成。第五应用示例图16A至16G是应用前述实施例的显示单元的移动电话的外观。在该移动电话中， 例如，上壳体710和下壳体720由连接部分(铰链部分)730连接。该移动电话具有显示器 740、副显示器750、图片光源760和相机770。显示器740或者子显示器750由根据前述实施例的显示单元组成。尽管本发明已经参考实施例进行了描述，但是本发明不限于前述的实施例，而是可以进行各种修改。例如，每个层的材料、厚度、膜形成方法和膜形成条件等不限于前述实施例中所描述的那些，而是可以使用其它的材料、其它的厚度、其它的膜形成方法和其它的膜形成条件。例如，在前述实施例中，第二层13B的部分平面形状涂覆有绝缘膜14，以进行表面氧化处理。然而，第二层13B的部分平面形状可以覆盖有掩模而取代绝缘膜14。另外，在前述实施例中，描述中已经具体地给出了有机发光装置10R、IOG和IOB的结构。然而，不必提供所有的层，并且还可以提供其它的层。例如，在前述实施例中，描述中已经给出了第一电极13形成在位于像素驱动电路140上面的层中且其间具有平坦化层12 的情况。然而，第一电极13可以形成在与像素驱动电路140相同的层中。其次，TFT的源极电极/漏极电极和第一电极13可以构造为公共电极。另外，在前述实施例中，描述中已经给出了有源矩阵显示单元。然而，本发明也可应用于无源矩阵显示单元。另外，在前述实施例中，描述中已经给出了顶部发光型电极的电极形成方法，其中从第二电极16侧提取发光层中产生的光。然而，本发明也可应用于底部发光型的电极形成，其中从第一电极13侧提取发光层中产生的光。此外，用于驱动有源矩阵的像素驱动电路的构造不限于前述实施例中描述的构造。如果需要，可以增加电容器件或者晶体管。在此情况下，根据像素驱动电路的改变，除了前述的信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130外，可以增加必要的驱动电路。此外，本发明不仅可应用于前述实施例中描述的有机EL显示单元或者液晶显示单元，而且可应用于其它的显示单元，如无机EL显示单元。本申请包含2008年6月9日提交日本专利局的日本优先权专利申请 JP2008-150567中揭示的相关主题事项，因此其全部内容一并作为参考。本领域的技术人员应当理解的是，在如所附权利要求或其等同方案的范围内，根据设计需要和其它因素，可以进行各种修改、结合、部分结合和替换。
权利要求
1.一种制造显示单元的方法，该显示单元在第一电极和第二电极之间具有显示层，其中形成该第一电极的步骤包括下面的步骤在基板上形成层叠结构，该层叠结构依次包括由金属制作的第一层和由氧化物显示导电性的金属制作的第二层；在所述第二层上形成绝缘膜，该绝缘膜覆盖该第二层的平面形状的一部分；并且在形成该层叠结构及该绝缘膜后对该第二层的从该绝缘膜暴露的表面暴露部分提供表面氧化处理，由此在该第二层的该表面暴露部分中的厚度方向上的至少部分中形成氧化物电导体膜。
2.根据权利要求1所述的制造显示单元的方法，其中作为氧化物显示导电性的金属， 使用选自由铟、锡、锌和镉组成的组中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的制造显示单元的方法，其中所述第一电极的第二层由功函数高于所述第一层的材料制作。
4.根据权利要求1所述的制造显示单元的方法，其中所述第一电极形成为对应于所述显示单元的各有机发光装置。
5.根据权利要求1所述的制造显示单元的方法，其中所述第一电极形成在平坦化层上，所述第一电极在所述第一层和所述平坦化层之间具有第三层。
6.根据权利要求1所述的制造显示单元的方法，其中该第一层具有反射该显示层发出的光的反射电极的功能。
7.根据权利要求1或6所述的制造显示单元的方法，其中所述第一层具有IOOnm至 IOOOnm的厚度。
8.根据权利要求7所述的制造显示单元的方法，其中所述第一层的厚度为200nm。
9.根据权利要求1所述的制造显示单元的方法，其中该第一层由高反射率电导体制作，该高反射率电导体由铝或包含铝的合金、或者银或包含银的合金制作。
10.根据权利要求9所述的制造显示单元的方法，其中所述铝合金与铟合金的标准电极电位相近。
11.一种显示单元，在第一电极和第二电极之间具有显示层，其中该第一电极具有由第一层和第二层构成的层叠结构，该第一层由金属制作，覆盖部分的该第二层的平面形状的绝缘膜设置在该第一电极上，该第二层的从该绝缘膜暴露的表面暴露部分在厚度方向上至少部分是氧化物电导体膜，该氧化物电导体膜是通过对氧化物显示导电性的金属提供表面氧化处理而形成，并且该第二层的覆盖有该绝缘膜的表面涂覆部分是由氧化物显示导电性的金属制作的金属膜。
12.根据权利要求11所述的显示单元，其中作为氧化物显示导电性的金属，使用选自由铟、锡、锌和镉组成的组中的至少一个。
13.根据权利要求11所述的显示单元，其中所述第一电极的第二层由功函数高于所述第一层的材料制作。
14.根据权利要求11所述的显示单元，其中所述第一电极形成为对应于所述显示单元的各有机发光装置。
15.根据权利要求11所述的显示单元，其中所述第一电极形成在平坦化层上，所述第一电极在所述第一层和所述平坦化层之间具有第三层。
16.根据权利要求11所述的显示单元，其中该第一层具有反射该显示层发出的光的反射电极的功能。
17.根据权利要求11或16所述的显示单元，其中所述第一层具有IOOnm至IOOOnm的厚度。
18.根据权利要求17所述的显示单元，其中所述第一层的厚度为200nm。
19.根据权利要求11所述的显示单元，其中该第一层由高反射率电导体制作，该高反射率电导体由铝或包含铝的合金、或者银或包含银的合金制作。
20.根据权利要求19所述的显示单元，其中所述铝合金与铟合金的标准电极电位相近。
全文摘要
本发明提供制造显示单元的方法以及显示单元，在第一电极具有包括金属和氧化物电导体的层叠结构的情况下，能够减少氧化物电导体的由溅射靶引起的微粒，且在金属和氧化物电导体之间获得有利的导电性。制造在第一电极和第二电极之间具有显示层的显示单元的方法，其中形成第一电极的步骤包括这样的步骤在基板上形成层叠结构，该层叠结构依次包括有金属制作的第一层和由氧化物显示导电性的金属制作的第二层；以及在形成层叠结构后提供表面氧化处理，由此在第二层的厚度方向上的至少部分中形成氧化物电导体膜。
文档编号G02F1/133GK102339957SQ20111033692
公开日2012年2月1日 申请日期2009年6月9日 优先权日2008年6月9日
发明者荒井俊明 申请人:索尼株式会社