TFT‑LCD阵列基板及其制造方法与流程

TFT-LCD阵列基板及其制造方法技术领域本发明涉及液晶显示器技术领域，特别涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。

背景技术：
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)具有低电压、微功耗、显示信息量大、易于彩色化等优点，在当前的显示器市场占据了主导地位。其已被广泛应用于电子计算机、电子记事本、移动电话、摄像机、高清电视机等电子设备中。薄膜晶体管液晶显示器包括对盒而成的阵列基板和彩膜基板，以及充满在阵列基板和彩膜基板之间的间隙内的液晶层。所述薄膜晶体管液晶显示器显示图像的基本原理是：通过在所述阵列基板和彩膜基板上施加作用于液晶层上的电场，控制所述液晶层分子的取向，从而控制穿透过液晶层分子的照射光线的多少，即达到调制通过液晶层的光强的目的。在半导体器件中，静电放电(ElectroStaticDischarge，ESD)是一种常见的现象，静电放电会导致绝缘介质的击穿，从而引起各种损伤。而薄膜晶体管液晶显示器由于其阵列基板及彩膜基板均是绝缘的玻璃，从而在制造过程中产生的静电电荷极易聚集在玻璃的阵列基板及彩膜基板上，并且，静电电荷能够施加到各膜层上，从而产生严重的静电放电损害，造成薄膜晶体管的失效；传输线的短路、断路等问题，影响产品的生产良率。现有的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板上交叉设置有数据线及修复线，其中所述数据线向薄膜晶体管提供预设的电压数据，用以控制薄膜晶体管液晶显示器各像素的液晶偏转程度等；而所述修复线在阵列基板出现断线等情况时，用以修复断线，提高阵列基板产品的良率。所述修复线与阵列基板上的栅极线同一层形成，其与数据线之间通过栅绝缘层隔离。修复线上易于聚集大量静电电荷，由于静电放电现象的存在，所述数据线与修复线的交叉位置极易发生击穿，从而导致数据线和修复线短路，降低了薄膜晶体管液晶显示器的可靠性及良率。

技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，以解决现有的TFT-LCD阵列基板中修复线上易于聚集大量静电电荷，数据线与修复线的交叉位置极易由于静电放电现象而发生击穿，导致数据线和修复线短路，降低了薄膜晶体管液晶显示器的可靠性及良率的问题。为解决上述技术问题，本发明提供一种TFT-LCD阵列基板，包括：梳形修复线及梳形公共电极线；所述梳形修复线的梳齿与所述梳形公共电极线的梳齿相对设置，且末端均成尖锐状；其中，所述梳形修复线与所述梳形公共电极线位于第一金属层。可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，还包括：非晶硅片，所述非晶硅片分别与所述梳形修复线的梳齿及所述梳形公共电极线的梳齿部分重叠。可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，所述非晶硅片位于所述第一金属层之上的非晶硅层。可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，所述第一金属层及所述非晶硅层之间形成有栅绝缘层，所述栅绝缘层上设置有开口，所述开口露出所述梳形修复线的梳齿及所述梳形公共电极线的梳齿，通过所述开口，所述非晶硅片分别与所述梳形修复线的梳齿及所述梳形公共电极线的梳齿部分重叠。可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，所述梳形修复线的梳齿与所述梳形公共电极线的梳齿末端间的距离为3微米～5微米。可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，所述梳形修复线的梳齿与所述梳形公共电极线的梳齿的数量为多个。可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，还包括：栅极线，所述栅极线与所述梳形修复线及梳形公共电极线平行设置，且所述栅极线位于第一金属层；数据线，所述数据线与所述梳形修复线及梳形公共电极线交叉设置，且所述数据线位于第二金属层。可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，所述梳形修复线的梳齿与所述梳形公共电极线的梳齿正对所述数据线。本发明还提供一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，包括：提供一玻璃基板；在所述玻璃基板上形成第一金属层，通过所述第一金属层形成梳形修复线及梳形公共电极线，所述梳形修复线的梳齿与所述梳形公共电极线的梳齿相对设置，且末端均成尖锐状。可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法中，还包括：在所述第一金属层之上形成非晶硅层，通过所述非晶硅层形成非晶硅片，所述非晶硅片与所述梳形修复线的梳齿及所述梳形公共电极线的梳齿连接。可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法中，在所述第一金属层之上形成非晶硅层之前，还包括：在所述第一金属层上形成栅绝缘层，所述栅绝缘层上形成开口，所述开口露出所述梳形修复线的梳齿及所述梳形公共电极线的梳齿。可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法中，还包括：在所述非晶硅层上形成第二金属层，通过所述第二金属层形成数据线，所述数据线与所述梳形修复线及梳形公共电极线交叉设置。在本发明提供的一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法中，通过梳形修复线的梳齿与梳形公共电极线的梳齿相对设置，且末端均成尖锐状，利用尖端放电效应，消除修复线上的静电电荷，即避免了修复线上由于静电电荷聚集过多，击穿与数据线隔离的栅绝缘层，导致数据线和修复线短路的问题，提高了薄膜晶体管液晶显示器的可靠性及良率。特别的，将聚集在修复线上的静电电荷导入到公共电极线上，利用公共电极线与固定电位连接，有效消除聚集的静电电荷。进一步的，还包括：非晶硅片，所述非晶硅片与所述梳形修复线的梳齿及所述梳形公共电极线的梳齿连接。通过所述非晶硅片的雪崩放电效应，提高修复线上的静电电荷释放的数量与速度。进一步提高薄膜晶体管液晶显示器的可靠性及良率。附图说明图1是本发明实施例一的TFT-LCD阵列基板局部结构示意图；图2是图1所示的TFT-LCD阵列基板沿AA’的剖面示意图；图3是本发明实施例二的TFT-LCD阵列基板局部结构示意图；图4是图3所述的TFT-LCD阵列基板沿BB’的剖面示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本发明提供的TFT-LCD阵列基板及其制造方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。本发明的核心思想在于，提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，通过梳形修复线的梳齿与梳形公共电极线的梳齿相对设置，且末端均成尖锐状，利用尖端放电效应，消除修复线上的静电电荷，即避免了修复线上由于静电电荷聚集过多，击穿与数据线隔离的栅绝缘层，导致数据线和修复线短路的问题，提高了薄膜晶体管液晶显示器的可靠性及良率。特别的，将聚集在修复线上的静电电荷导入到公共电极线上，利用公共电极线与固定电位连接，有效消除聚集的静电电荷。实施利一请参考图1和图2，其中，图1为本发明实施例一的TFT-LCD阵列基板局部结构示意图；图2为图1所示的TFT-LCD阵列基板沿AA’的剖面示意图。如图1所示，TFT-LCD阵列基板1包括：梳形修复线11及梳形公共电极线12；所述梳形修复线11的梳齿112与所述梳形公共电极线12的梳齿122相对设置，且末端均成尖锐状；其中，所述梳形修复线11与所述梳形公共电极线12位于第一金属层。具体的，所述梳形修复线11包括梳体111及梳齿112，所述梳体111与梳齿112一体连接；所述梳形公共电极线12包括梳体121及梳齿122，所述梳体121与梳齿122一体连接。为了描述的方便及使得梳形修复线的梳体、梳齿与梳形公共电极线的梳体、梳齿相区别，在下文的描述中，将梳形修复线11的梳体111及梳齿112称为修复线梳体111及修复线梳齿112；将梳形公共电极线12的梳体121及梳齿122称为公共线梳体121及公共线梳齿122。通过修复线梳齿112与公共线梳齿122相对设置，且修复线梳齿112末端112a及公共线梳齿122末端122a均成尖锐状，利用尖端放电效应，消除修复线上的静电电荷，即避免了修复线上由于静电电荷聚集过多，击穿与数据线隔离的栅绝缘层，导致数据线和修复线短路的问题，提高了薄膜晶体管液晶显示器的可靠性及良率。特别的，将聚集在修复线上的静电电荷导入到公共电极线上，利用公共电极线与固定电位连接，有效消除聚集的静电电荷。在本实施例中，所述TFT-LCD阵列基板1还包括：数据线13，所述数据线13与所述梳形修复线11及梳形公共电极线12交叉设置，且所述数据线13位于第二金属层；栅极线(图1中未示出)，所述栅极线与所述梳形修复线11及梳形公共电极线12平行设置，且所述栅极线位于第一金属层。此外，在所述栅极线、梳形修复线11、梳形公共电极线12与所述数据线13之间还设置有栅绝缘层，用以将所述栅极线、梳形修复线11、梳形公共电极线12与所述数据线13隔离。优选的，所述修复线梳齿112末端112a与公共线梳齿122末端122a间的距离为3微米～5微米，从而有效利用尖端放电效应，提高修复线上的静电电荷释放的数量与速度。进一步提高薄膜晶体管液晶显示器的可靠性及良率。在本实施例中，所述修复线梳齿112及公共线梳齿122的数量为多个。进一步的，所述修复线梳齿112及公共线梳齿122正对所述数据线13，在此指所述修复线梳齿112及公共线梳齿122在玻璃基板上的投影与所述数据线13在玻璃基板上的投影重叠或部分重叠。通过多个修复线梳齿112及公共线梳齿122间的放电效应，可提高修复线上的静电电荷释放的数量与速度。同时，将所述修复线梳齿112及公共线梳齿122设置于正对所述数据线13的位置，可进一步提高梳形修复线11与数据线13交叉处的修复线上的静电电荷的释放数量与速度，从而进一步提高薄膜晶体管液晶显示器的可靠性及良率。相应的，本发明还提供一种上述TFT-LCD阵列基板的制造方法，在此，可参考图1及图2。所述TFT-LCD阵列基板的制造方法包括：提供一玻璃基板10；在所述玻璃基板10上形成第一金属层(图中未示出)，通过所述第一金属层形成梳形修复线11及梳形公共电极线12，所述梳形修复线11的梳齿112与所述梳形公共电极线12的梳齿122相对设置，且末端112a、122a均成尖锐状。在此，通过所述第一金属层形成梳形修复线11及梳形公共电极线12包括：在所述第一金属层上形成光阻层；对所述光阻层进行曝光及显影工艺，形成图案化光阻层；刻蚀第一金属层，去除图案化光阻层未遮盖的部分第一金属层，形成梳形修复线11及梳形公共电极线12。当然，利用该第一金属层还可同时形成栅极线及与所述栅极线连接的栅极，所述栅极线与所述梳形修复线11及梳形公共电极线12平行设置。即所述梳形修复线11及梳形公共电极线12的形成，利用了现有的TFT-LCD阵列基板的制程，从而在实现消除修复线上的静电电荷的同时，也可简化制造工艺，降低制造成本。接着，可在所述第一金属层上形成栅绝缘层，用以将栅极线、梳形修复线、梳形公共电极线与后续形成的数据线隔离；在所述栅绝缘层上形成非晶硅层，用以形成薄膜晶体管的功能结构PN结；在所述栅绝缘层上形成第二金属层，用以形成数据线及与所述数据线连接的源极、漏极。实施例二请参考图3和图4，其中，图3为本发明实施例二的TFT-LCD阵列基板局部结构示意图；图4为图3所示的TFT-LCD阵列基板沿BB’的剖面示意图。如图3所示，TFT-LCD阵列基板2包括：梳形修复线21及梳形公共电极线22；所述梳形修复线21的梳齿212与所述梳形公共电极线22的梳齿222相对设置，且末端均成尖锐状；其中，所述梳形修复线21与所述梳形公共电极线22位于第一金属层；非晶硅片24，所述非晶硅片24与所述梳形修复线21的梳齿212及所述梳形公共电极线22的梳齿222部分重叠。本实施例与实施例一的差别在于，还包括：非晶硅片24，所述非晶硅片24与所述梳形修复线21的梳齿212及所述梳形公共电极线22的梳齿222部分重叠。通过所述非晶硅片24的雪崩放电效应，提高修复线上的静电电荷释放的数量与速度。进一步提高薄膜晶体管液晶显示器的可靠性及良率。在本实施例中，所述非晶硅片24位于所述第一金属层之上的非晶硅层。此处，用语“之上”指代，相邻的上层或者非相邻的上层。相应的，本发明还提供一种上述TFT-LCD阵列基板的制造方法，在此，可参考图3及图4。所述TFT-LCD阵列基板的制造方法包括：提供一玻璃基板20；在所述玻璃基板20上形成第一金属层(图中未示出)，通过所述第一金属层形成梳形修复线21及梳形公共电极线22，所述梳形修复线21的梳齿212与所述梳形公共电极线22的梳齿222相对设置，且末端212a、222a均成尖锐状；在所述第一金属层之上形成非晶硅层(图中未示出)，通过所述非晶硅层形成非晶硅片24，所述非晶硅片24与所述梳形修复线21的梳齿212及所述梳形公共电极线22的梳齿222连接。在本实施例中，所述非晶硅片24的制程利用现有的TFT-LCD阵列基板的制程。特别的，利用在栅绝缘层上形成非晶硅层，用以形成薄膜晶体管的功能结构PN结这一现有的TFT-LCD阵列基板制程，光刻及刻蚀该非晶硅层形成非晶硅片24，从而可简化制造工艺，降低制造成本。请参考图4，其中，为了使得所述非晶硅片24与修复线梳齿212及公共线梳齿222连接，需在栅绝缘层25上形成栅绝缘层开口25a，所述开口25a露出部分或者全部的所述修复线梳齿212及公共线梳齿222，通过该栅绝缘层开口25a，所述非晶硅片24便可与修复线梳齿212及公共线梳齿222连接。在本发明的其他实施例中，也可不利用现有的TFT-LCD阵列基板制程中的该非晶硅层，例如，在紧邻所述第一金属层的上一层或者下一层单独形成一非晶硅层，以形成非晶硅片24。上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。