一种电极结构、阵列基板及显示设备的制作方法

文档序号:2676946阅读:140来源:国知局
专利名称:一种电极结构、阵列基板及显示设备的制作方法
技术领域
本实用新型涉及电子技术,尤其涉及一种电极结构、阵列基板及显示设备。
背景技术
目前,在制作电容式接触电极时,由于X方向和Y方向各包括两个菱形电极,并且X 方向的两个菱形电极相互导通,Y方向的两个菱形电极相互导通,为实现电极的良好导通, 有如下两种实现方式一种实现方式是将X方向的电极和Y方向的电极制作在不同的层中,如图la、图 Ib和图Ic所示,图Ia中为X方向的两个菱形电极,在图Ib中,覆盖了一层绝缘层,在图Ic 中,制作了 Y方向的两个菱形电极。这样既可以保证X方向的两个菱形电极相互导通,Y方向的两个菱形电极相互导通,也能够保证X方向的两个菱形电极与Y方向的两个菱形电极之间绝缘良好。但是,通过这种方式制作电极时,需要分别为X方向电极和Y方向电极镀两层ΙΤ0,增加了制作和工艺的复杂性,制作成本也较高。另一种实现方式是在一层中制作X方向的电极和Y方向的电极,如图2a、图2b和图2c所示,在图加中,制作了 X方向的电极和Y方向的电极,其中X方向的电极已经相互导通,Y方向的两个电极未连接,在图2b中,沉积一层绝缘层,在图2c中,制作金属桥连接Y 方向的两个电极,金属桥与X方向的电极之间通过绝缘层绝缘。通过这种方式制作电极,不再需要分别为X方向电极和Y方向电极镀两层ΙΤ0,但是,由于绝缘层具有一定厚度,所以由于厚度断差的缘故,在绝缘层边缘处的金属桥容易发生断线,导致Y方向的电极接触不良, 同时,在制作金属桥与X方向电极之间的绝缘层的时候,由于所保留的绝缘层面积很小,所以工艺难度也较大。
实用新型内容本实用新型实施例提供一种电极结构、阵列基板及显示设备,以实现电极间的连接,提高产品的良率。本实用新型实施例提供一种电极结构,包括基板,设置在所述基板上的绝缘层、 设置在所述绝缘层上的电极层,所述电极层包括至少两个相互连接的第一方向电极和至少两个未连接的第二方向电极;其中,所述电极结构还包括连接桥,设置在所述电极层的相邻电路层中,所述至少两个第二方向电极分别通过导通孔和所述连接桥连接。本实用新型实施例还提供一种阵列基板,包括本实用新型实施例提供的电极结构。本实用新型实施例还提供一种显示设备,包括本实用新型实施例提供的电极结构。本实用新型实施例提供一种电极结构、阵列基板及显示设备,通过导通孔的方式连接电极和连接桥,从而避免在绝缘层边缘处连接桥发生断线的问题,进而实现需要连接的电极间的良好接触,提高了产品的良率,同时由于仅需要去除导通孔处的绝缘层,也便于工艺实现。
图Ia-图Ic为现有技术中电极结构示意图之一;图加-图2c为现有技术中电极结构示意图之二 ;图3a和图北为本实用新型实施例提供的电极结构示意图;图4为本实用新型实施例提供的另一种电极结构示意图;图5为本实用新型实施例提供的电极制作方法流程图;图6a-图6d为本实用新型实施例提供的电极制作过程中的状态示意图。
具体实施方式
本实用新型实施例提供一种电极结构、阵列基板及显示设备,通过导通孔的方式连接电极和连接桥,从而避免在绝缘层边缘处连接桥发生断线的问题,进而实现需要连接的电极间的良好接触,提高了产品的良率,同时由于仅需要去除导通孔处的绝缘层,也便于工艺实现。参照图3a和图北,其中,图北为图3a在AA方向的截面图,本实用新型实施例提供的电极结构包括基板301,设置在基板301上的绝缘层302、设置在绝缘层302上的电极层,电极层包括至少两个相互连接的第一方向电极303和至少两个未连接的第二方向电极304 ;该电极结构还包括连接桥305,设置在电极层的相邻电路层中,至少两个第二方向电极304分别通过导通孔306和连接桥305连接。在第一方向电极303和第二方向电极304垂直时,可以将第一方向电极303称为X 方向电极303,将第二方向电极304称为Y方向电极304,本实用新型实施例以二者垂直为例进行说明,本领域技术人员可以将本实用新型实施例提供的技术方案扩展至二者不垂直的情况中进行应用。由于该连接桥305是设置在电极层的相邻电路层中,并通过导通孔306连接Y方向电极304,而不需要连接桥305进行弯曲,所以既实现了将X方向电极303和Y方向电极 304设置在同一层中,又解决了连接桥305由于绝缘层边缘的断差问题导致的接触不良,提高了产品的良率。其中,本实用新型实施例中的X方向电极303和Y方向电极304可以采用氧化铟锡电极,基板301可以采用玻璃基板。本实用新型实施例中所说的电极层的相邻电路层,是指与电极层相离最近的电路层,该电路层通常情况下与电极层绝缘。在该电极结构上,还可以根据实际需要进行进一步的加工制作,例如覆盖钝化层 307。具体实施时,可以在制作电极层后,在需要搭桥的地方制作绝缘层,再在该绝缘层上制作连接桥305,再通过导通孔306的方式将连接桥305和Y方向电极304连接起来,其具体结构如图4所示。进一步的,为了减小工艺复杂度,连接桥305可以设置在绝缘层与基板之间,即设置在该电极结构的最底层,由于Metal Trace(金属线)就设置在这一层,所以,若使用金属材料制作连接桥305,可以在制作Metal Trace的同时制作出连接桥305。连接桥305可以使用金属制作,也可以使用氧化铟锡制作,在本实用新型实施例中,将金属制作的连接桥305称为金属桥,将氧化铟锡制作的连接桥305称为氧化铟锡桥。为了保证Y方向电极304与连接桥305的接触良好,导通孔306以及连接桥的大小在不影响外观视觉效果的前提下,尽量制作的较大,从而保证Y方向电极304与连接桥305 的接触良好。通常,当连接桥为金属桥时,导通孔的直径可以设置为5um-15um,当设置为IOum 左右时较佳;当连接桥为氧化铟锡桥时,导通孔的直径为20um-100um较佳。为进一步保证Y方向电极304与连接桥305的接触良好,可以适当选取合适的电极的厚度,即在制作X方向电极和Y方向电极时,使得X方向电极和Y方向电极的厚度大于或等于150埃,这样能够在保证Y方向电极304与连接桥305接触良好的同时这样能够将电极结构做得很薄,也利于做小尺寸的Touch Sensor (触摸传感器),并有利于通过导通孔 306使得Y方向电极304与连接桥305导通。在本实用新型实施例中,绝缘层可以采用氧化硅、氮化硅或树脂来制作,即,绝缘层具体为氧化硅层、氮化硅层或树脂层。如图5所示,本实用新型实施例提供的电极结构的实现方法包括如下步骤步骤S501、在基板制作金属桥,该金属桥可以与Metal Trace设置在同一层,如图 6a所示;步骤S502、在基板上覆盖绝缘层,如图6b所示,所覆盖的绝缘层的厚度可以根据所需电容的大小来设定;步骤S503、在金属桥上的相应位置制作导通孔,如图6c所示;步骤S504、制作两个相互连接的X方向电极和两个未连接的Y方向电极,Y方向电极均通过导通孔连接金属桥,如图6d所示; 步骤S505、覆盖钝化层。本实用新型实施例还提供一种阵列基板,该阵列基板包括本实用新型实施例提供的电极结构。本实用新型实施例还提供一种显示设备,该显示设备包括本实用新型实施例提供的电极结构。本实用新型实施例提供一种电极结构、阵列基板及显示设备,通过导通孔的方式连接电极和连接桥,从而避免在绝缘层边缘处连接桥发生断线的问题,进而实现需要连接的电极间的良好接触,提高了产品的良率,同时由于仅需要去除导通孔处的绝缘层,也便于工艺实现。显然,本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样,倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内,则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求1.一种电极结构,包括基板,设置在所述基板上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的电极层,所述电极层包括至少两个相互连接的第一方向电极和至少两个未连接的第二方向电极;其特征在于,所述电极结构还包括连接桥,设置在所述电极层的相邻电路层中,所述至少两个第二方向电极分别通过导通孔和所述连接桥连接。
2.如权利要求1所述的电极结构,其特征在于,所述连接桥设置在所述绝缘层与所述基板之间。
3.如权利要求1所述的电极结构,其特征在于,所述连接桥具体为金属桥或氧化铟锡桥。
4.如权利要求3所述的电极结构,其特征在于,当所述连接桥为金属桥时,所述导通孔的直径为5um-15um。
5.如权利要求3所述的电极结构,其特征在于,当所述连接桥为氧化铟锡桥时,所述导通孔的直径为20um-100um。
6.如权利要求1所述的电极结构,其特征在于,所述第一方向电极和所述第二方向电极的厚度大于或等于150埃。
7.如权利要求1所述的电极结构,其特征在于,所述绝缘层为氧化硅层、氮化硅层或树月旨层。
8.如权利要求1所述的电极结构,其特征在于,所述第一方向电极和所述第二方向电极均为氧化铟锡电极。
9.一种阵列基板,其特征在于,包括如权利要求1-8任一所述的电极结构。
10.一种显示设备,其特征在于,包括如权利要求1-8任一所述的电极结构。
专利摘要本实用新型公开了一种电极结构、阵列基板及显示设备,涉及电子技术,该电极结构包括基板,设置在所述基板上的绝缘层、设置在所述绝缘层上的电极层,所述电极层包括至少两个相互连接的第一方向电极和至少两个未连接的第二方向电极;该电极结构还包括连接桥,设置在所述电极层的相邻电路层中,所述至少两个第二方向电极分别通过导通孔和所述连接桥连接。由于通过导通孔的方式连接电极和连接桥,从而避免在绝缘层边缘处连接桥发生断线的问题,进而实现需要连接的电极间的良好接触,提高了产品的良率,同时由于仅需要去除导通孔处的绝缘层,也便于工艺实现。
文档编号G02F1/1343GK202093286SQ20112019014
公开日2011年12月28日 申请日期2011年6月8日 优先权日2011年6月8日
发明者王海生, 胡明 申请人:北京京东方光电科技有限公司
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