专利名称：一种阵列基板及其接触端子区电极结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及液晶显示面板领域，尤其涉及一种阵列基板及其接触端子(PAD) 区电极结构。
背景技术：
随着现代科技的发展，近年来电子显示产品得到迅猛发展，先进的平板显示产品层出不穷，尺寸由小到大，小到手机、PDA产品，大到电视及平面广告媒体机。平板显示产品包括等离子电视、液晶电视、笔记本、提款机、手机、PDA、PSP、信息查询机、媒体广告播放机等，因此用于平板显示产品的平面显示面板的需求也在不断增加，平面显示面板包括液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)、等离子显示面板(PDP)、以及有机发光二极管(OLED)等等，其中薄膜场效应晶体管液晶显示面板(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display, TFT-IXD)在大批量生产工艺、操作方便的驱动方式、以及容易实现高质量等方面获得广泛认可。现有TFT-LCD的阵列基板包括薄膜晶体管、栅极扫描线、数据信号扫描线、像素电极；其中，薄膜晶体管的栅极与栅极扫描线相连，源极与数据信号扫描线相连，漏极与像素电极相连；所述延伸至液晶盒外的PAD区域的栅极扫描线即为PAD区的栅极扫描电极，延伸至液晶盒外的PAD区域的数据信号扫描线即为PAD区的数据信号扫描电极；这里，位于TFT-IXD液晶盒外的PAD区的结构具体参照图1，PAD区是连接液晶盒内的栅极扫描线与盒外薄膜集成芯片(C0F)9的区域，PAD区包括基板6、金属层(栅极扫描电极或数据信号扫描电极)1、钝化层2，其中，由于栅极扫描电极与数据信号电极相互垂直，因此，图1的截面中仅示出了 PAD区的栅极扫描电极，这里，栅极扫描电极和数据信号电极在基板6上通过镀膜、涂胶、曝光、显影、刻蚀等工艺形成的，然后通过各向异性导电胶 (ACF)S与COF 9连接，实现导通，同时为了保护电极区，在彩膜7和COF 9之间的狭缝处涂覆硅胶10。现有的PAD区的电极结构多为大孔设计，具体可参考图2和图3，如图2所示，所述 PAD区的金属层1上设置有钝化层2，在金属层1上方的钝化层2刻蚀形成一个大的过孔3， 然后制作像素电极4，其中，图2中沿A-A’线的截面示意图如图3，图3中，金属层1上附着有钝化层2，通过过孔3与像素电极4连通，由于PAD区电极的过孔设计，再结合硅胶涂覆情况、COF切割精度等因素影响，会使PAD区电极部分暴露出来，尤其当在潮湿环境下工作时发生电极腐蚀等现象时，腐蚀从一点开始发生后，很容易扩散到周围，使得整个电极因腐蚀而断裂，严重影响现有用户终端市场的产品质量。
实用新型内容有鉴于此，本实用新型的主要目的在于提供一种阵列基板及其PAD区电极结构， 能够有效解决PAD区电极腐蚀的问题。为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的[0008]一种阵列基板接触端子PAD区电极结构，所述电极采用叉形结构，每个电极包含有至少两个子电极，同一电极的子电极相互连通。其中，所述电极为PAD区的栅极扫描电极、和/或PAD区的数据信号扫描电极。其中，所述构成PAD区的栅极扫描电极的金属层为栅极的金属层、和/或源漏极的
金属层。其中，所述构成PAD区的数据信号扫描电极的金属层为栅极的金属层、和/或源漏极的金属层。进一步地，所述每个电极包含有三个子电极。一种阵列基板，所述阵列基板延伸至PAD区的栅极扫描线，采用如上所述的PAD区电极结构；和/或，所述阵列基板延伸至PAD区的数据信号扫描线，采用如上所述的PAD区电极结构。本实用新型通过对PAD区电极结构采用叉形设计，每个电极包含多个子电极，同一电极的子电极相互连通，如此，当腐蚀发生在一个子电极的情况下，当腐蚀向四周扩散时，会遇到钝化层而无法继续腐蚀其他子电极，这样，当被腐蚀的子电极断裂后，其他子电极仍能起到连通的作用，避免了整个电极因腐蚀而断裂，很好地提高了现有用户终端市场 (Field端)的产品质量。
图1为现有PAD区的截面示意图；图2为现有阵列基板的PAD区的电极结构示意图；图3为图2示出的电极结构沿A-A’的截面示意图；图4为本实用新型阵列基板的PAD区的电极结构示意图；图5为图4示出的电极结构沿B-B’的截面示意图。附图标记说明1-金属层；2-钝化层；3-过孔；4-像素电极；5-子电极；6_基板； 7-彩膜；8-ACF ；9-C0F ； 10-硅胶。
具体实施方式
本实用新型的基本思想为将阵列基板PAD区电极结构设置为叉形结构，每个电极包含有至少两个子电极，且同一 PAD区电极的多个子电极相互连通；这里，具体子电极的个数根据设计要求和生产设备精度决定。为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下举实施例并参照附图，对本实用新型进一步详细说明。本实用新型提供的PAD区电极的结构采用叉形结构，每个电极由多个子电极组成，多个子电极之间通过钝化层进行保护，且同一 PAD区电极的多个子电极相互连通；这里，具体子电极的个数根据设计要求和生产设备精度决定。图4示出了每个电极包含有三个子电极的情况，其中，图5为图4所示结构中PAD 电极结构沿B-B’线的截面示意。由图4和图5可以看出，由金属层1构成的PAD区的电极采用叉形结构，每个电极包含有三个子电极5，多个子电极5之间通过钝化层2进行保护，在每个子电极5的金属层1上方的钝化层2刻蚀形成小的过孔3，子电极5的金属层1通过该过孔3与像素电极4连
ο下面，具体介绍上述PAD区电极结构的实施细节。PAD区的栅极扫描电极的制作过程包括首先可通过使用磁控溅射方法，在基板6 上制备一层金属层1 ；栅极金属层的材料通常使用钼、铝、钕铝合金、钼钨合金、铬等金属。 使用栅电极层的掩模板通过曝光工艺和刻蚀工艺，制作阵列基板的栅极扫描电极，同时在 PAD区的金属层1形成如上所述的栅极扫描电极的结构；然后，利用化学汽相沉积(PECVD)的方法在阵列基板上连续沉积栅极绝缘层薄膜和非晶硅薄膜，使用有源层的掩模板进行曝光后对非晶硅进行刻蚀，形成像素区半导体有源层沟道；接下来，采用与PAD区的栅极扫描电极相同的制备方法，在阵列基板上沉积一层约为栅极厚度的金属薄膜，通常使用钼、铝、钕铝合金、钼钨合金、铬等金属；使用源漏极的掩模板通过曝光工艺和刻蚀工艺，形成源、漏电极和数据信号电极；接着仍利用PECVD方法，在整个阵列基板上沉积一层钝化层2，其材料通常是氮化硅；使用钝化层2的掩模板，通过曝光和刻蚀工艺形成像素TFT漏极过孔和上述的钝化层过孔3，如图5所示；最后，利用磁控溅射方法淀积透明导电薄膜形成透明电极，常用的透明电极材料为氧化铟锡等；使用像素电极的掩模板光刻后进行刻蚀，形成如上所述的PAD区的像素电极4。对于PAD区的数据扫描电极，制作工艺与上述PAD区的栅极扫描电极大体相同；区别在于本实用新型PAD区的栅极扫描电极结构是利用栅电极层的掩模板，通过曝光工艺和刻蚀工艺形成的；而PAD区的数据扫描电极结构是利用源漏极的掩模板，通过曝光工艺和刻蚀工艺形成。需要说明的是，构成PAD区的栅极扫描电极和数据扫描电极的金属层，既可采用栅极的金属层，也可采用源漏极层的金属，也可以是为了降低传输电阻，采用双层金属，但是并不影响本实用新型的PAD区的电极结构。本实用新型还提供了一种利用上述PAD区的电极结构的阵列基板，所述阵列基板的延伸至液晶盒外的PAD区的栅极扫描线，采用如上所述的PAD区电极结构；和/或所述阵列基板延伸至液晶盒外的PAD区的数据信号扫描线，采用如上所述的PAD 区电极结构。以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用于限定本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种阵列基板接触端子PAD区电极结构，其特征在于，所述电极采用叉形结构，每个电极包含有至少两个子电极，同一电极的子电极相互连通。
2.根据权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述电极为PAD区的栅极扫描电极、 和/或PAD区的数据信号扫描电极。
3.根据权利要求2所述的电极结构，其特征在于，所述构成PAD区的栅极扫描电极的金属层为栅极的金属层、和/或源漏极的金属层。
4.根据权利要求2所述的电极结构，其特征在于，所述构成PAD区的数据信号扫描电极的金属层为栅极的金属层、和/或源漏极的金属层。
5.根据权利要求1至4任一项所述的电极结构，其特征在于，所述每个电极包含有三个子电极。
6.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板延伸至PAD区的栅极扫描线，采用如权利要求1至5任一项所述的PAD区电极结构；和/或，所述阵列基板延伸至PAD区的数据信号扫描线，采用如权利要求1至5任一项所述的 PAD区电极结构。
专利摘要本实用新型提供了一种阵列基板及其接触端子区电极结构，所述电极采用叉形结构，每个电极包含有至少两个子电极，同一电极的子电极相互连通。本实用新型通过对PAD区电极结构采用叉形设计，每个电极包含有至少两个子电极，同一电极的子电极是相互连通的，如此，当腐蚀发生在一个子电极的情况下，当腐蚀向四周扩散时，会遇到钝化层而无法继续腐蚀其他子电极，这样，当被腐蚀的子电极断裂后，其他子电极仍能起到连通的作用，避免了整个电极因腐蚀而断裂，很好地提高了现有用户终端市场的产品质量。
文档编号G02F1/13GK202171704SQ201120201999
公开日2012年3月21日 申请日期2011年6月15日 优先权日2011年6月15日
发明者战戈 申请人:北京京东方光电科技有限公司