专利名称：一种薄膜晶体管阵列基板与液晶显示面板及液晶显示器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及液晶显示器技术，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板与液晶显示面板及液晶显示器。
背景技术：
目前，关于防止隔垫物错位的设计，主要有三类第一类，通过设计隔垫物的形状， 使隔垫物具有防止错位的功能，主要把隔垫物设计成特殊形状，比如凹状结构，使凹状结构正好对应于薄膜晶体管阵列基板的某个凸起位置，形成一种卡扣结构；第二类，通过刻蚀或其他工艺，在薄膜晶体管阵列基板上形成凹槽，使隔垫物卡在凹槽里面，也可形成一种卡扣结构；第三类，在薄膜晶体管阵列基板上形成一卡位结构，一般是圆形，利用栅电极或者源漏电极形成。图1给出了现有技术中的一种有源驱动薄膜晶体管阵列基板的结构示意图，图2 为图1的A-A方向的剖视结构示意图，图3为图1的B-B方向的剖视结构示意图。有源驱动薄膜晶体管阵列基板，包括玻璃基板1，公共电极2，栅电极3、栅极绝缘层4、有源层5、 N型半导体层6、源漏电极和数据线7、钝化层8、像素电极9、隔垫物10。在玻璃基板1上设有公共电极2及栅电极3，在玻璃基板1及公共电极2和栅电极3上设有栅极绝缘层4，在栅极绝缘层4上沉积半导体层及掺杂半导体层，通过掩膜和刻蚀工艺形成有源层5及N型半导体层6，在形成有源层5及N型半导体层6的基础上沉积源漏金属层，通过掩膜和刻蚀工艺形成源漏电极和数据线7，然后在前一基础上沉积钝化层8，通过掩膜和刻蚀工艺，对沟道等进行保护，最后沉积像素电极9层，隔垫物10设置于所述钝化层8上，与所述钝化层 8上的某个凸起位置形成卡扣结构。现有的防止隔垫物错位的技术存在以下缺点第一类，要设计特定形状的隔垫物，工艺比较复杂，例如设计成“倒凹”形状，需要特殊的工艺形成。另外，隔垫物的尺寸也会增加一倍左右，开口率受到影响；第二类，凹状结构也需要复杂工艺，比如在钝化层上形成凹槽，同样需要灰阶掩模技术；第三类，通过源漏电极金属形成圆形结构会降低有效显示面积，降低开口率。
实用新型内容针对现有技术存在的上述技术问题，本实用新型提供一种在不增加工艺复杂性以及不影响产品开口率的情况下，有效防止由于隔垫物受到外力作用而产生错位的薄膜晶体管阵列基板与液晶显示面板及液晶显示器。本实用新型提供一种防止隔垫物错位的薄膜晶体管阵列基板，包括，基板以及设置于所述基板上的隔垫物，还包括设置于基板上，并位于所述隔垫物周围的突起部，所述突起部的高度大于放置所述隔垫物的对应位置的高度。[0011]本实用新型还提供一种液晶显示面板，包括所述的薄膜晶体管阵列基板。本实用新型还提供一种液晶显示器，包括所述的液晶显示面板。本实用新型提供的一种防止隔垫物错位的薄膜晶体管阵列基板与液晶显示面板及液晶显示器，现有技术基础上，在薄膜晶体管阵列基板增加了突起部，限制了隔垫物在受到外力作用时而产生错位，从而提高了产品的稳定性。
[0014]图1为现有技术有源驱动TFT阵列基板的结构示意图；[0015]图2为图1的A-A方向的剖视结构示意图；[0016]图3为图1的B-B方向的剖视结构示意图；[0017]图4为本实用新型实施例一的结构示意图；[0018]图5为图4的A-A方向的剖视结构示意图；[0019]图6为图4的B-B方向的剖视结构示意图；[0020]图7为本实用新型生产工艺过程中形成栅电极和栅金属条的结构示意图；[0021]图8为本实用新型生产工艺过程中形成半导体层及源漏金属条的结构示意图[0022]图9为本实用新型实施例二的结构示意图。
具体实施方式
本实用新型提供一种薄膜晶体管阵列基板与液晶显示面板及液晶显示器，该薄膜晶体管阵列基板在不增加工艺复杂性以及不影响产品开口率的情况下，有效防止PS(Post Spacer，柱状隔垫物)由于受到外力作用而产生错位的问题，提高了产品的稳定性。本实用新型提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板以及设置于所述基板上的隔垫物，还包括设置于基板上，并位于所述隔垫物周围的突起部，所述突起部的高度大于放置所述隔垫物的对应位置的高度。在所述隔垫物的两侧设置有所述突起部。所述突起部的形状为条形结构或“L”形结构。所述突起部由栅金属条、半导体层及源漏金属条构成。所述栅金属条设置于所述基板的沉积栅金属层上。所述半导体层位于所述基板的栅极绝缘层上，所述源漏金属条设置于源漏金属层上。所述半导体层的厚度为2000A 3000A，所述源漏金属条的厚度为2000A 4000A。本实用新型还提供一种液晶显示面板，包括所述的薄膜晶体管阵列基板。本实用新型还提供一种液晶显示器，包括所述的液晶显示面板。如图4所示，为本实用新型实施例一的结构示意图，图5及图6分别为图4在A-A 与B-B方向的剖视结构示意图，包括玻璃基板1、公共电极2、栅极3、栅极绝缘层4、有源层 5、N型半导体层6、源漏金属层7、钝化层8、像素电极9、隔垫物10以及由栅金属条111、半导体层112及源漏金属条113构成的突起部11，突起部为条状结构，栅金属条111设置于基
4板的沉积栅金属层上。本实用新型实施例一的制作工艺过程步骤1，在玻璃基板1上沉积栅金属层，通过掩膜和刻蚀工艺，形成栅极3、公共电极2及栅金属条111 ；步骤2，在完成步骤1的玻璃基板1上连续沉积栅极绝缘层4 ；步骤3，在完成步骤2的玻璃基板1上，通过掩膜与刻蚀工艺，在所述栅极绝缘层4 上形成有源层5与N型半导体层6，源漏电极和数据线7，半导体层112位于所述栅极绝缘层 4上，同时在栅线与公共电极间形成非晶硅挡板层及金属挡板层，在非晶硅挡板层及金属挡板层开设穿孔，穿孔与栅线凹孔对应，源漏金属条113设置于上半导体层112。步骤4，完成步骤3的玻璃基板1上，沉积钝化层8和过孔。步骤5，完成步骤4的玻璃基板1上，形成像素电极9，像素电极9通过过孔连接源漏电极和数据线7。栅极绝缘层4具体为51队工10!￡或SiOxNy的单层膜，或者为SiNx、SiOx或SiOxNy之一或任意组合所构成的复合膜；源漏电极和数据线7具体为Mo、MoW或Cr的单层膜，或者为 Mo、MoW或Cr之一或任意组合所构成的复合膜。如图7所示，为本实用新型生产工艺过程中形成半导体层及源漏金属条的结构示意图，在玻璃基板1上沉积栅金属层，通过掩膜和刻蚀工艺，形成共电极2，栅电极3和构成突起部11的栅金属条111。如图8所示，为本实用新型生产工艺过程中形成半导体层及源漏金属条的结构示意图，在完成上述工艺的基板上沉积栅绝缘层4，有源层5和欧姆接触层6及源漏金属层 7，通过掩膜和刻蚀工艺，形成数据线和源漏电极、构成突起部11的半导体层112、源漏金属条 113。如图9所示，是本实用新型实施例二的结构示意图，其一侧突起部的形状不相同， 采用的是“L”型结构，其余与上述方案相同。本实用新型提供的一种防止隔垫物错位的薄膜晶体管阵列基板，在现有技术基础上，增加了突起部，使得隔垫物在受到外力作用下不会产生错位，提高了产品的稳定性。显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板以及设置于所述基板上的隔垫物，其特征在于，还包括设置于基板上，并位于所述隔垫物周围的突起部，所述突起部的高度大于放置所述隔垫物的对应位置的高度。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，在所述隔垫物的两侧设置有所述突起部。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述突起部的形状为条状结构或“L”形结构。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述突起部由栅金属条、半导体层及源漏金属条构成。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述栅金属条设置于所述基板的沉积栅金属层上。
6.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述半导体层位于所述基板的栅极绝缘层上，所述源漏金属条设置于源漏金属层上。
7.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述半导体层的厚度为 2000A 3000A，所述源漏金属条的厚度为2000A 4000A。
8.一种液晶显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-7中任一所述的薄膜晶体管阵列基板。
9.一种液晶显示器，其特征在于，包括如权利要求8所述的液晶显示面板。
专利摘要一种薄膜晶体管阵列基板与液晶显示面板及液晶显示器，包括基板以及设置于所述基板上的隔垫物和设置于基板上并位于所述隔垫物周围的突起部，所述突起部的高度大于放置所述隔垫物的对应位置的高度。本实用新型提供一种在不增加工艺复杂性以及不影响产品开口率的情况下，有效防止隔垫物由于受到外力作用而产生错位，提高了产品的稳定性。
文档编号G02F1/1362GK202141876SQ201120234159
公开日2012年2月8日 申请日期2011年7月5日 优先权日2011年7月5日
发明者谢振宇 申请人:北京京东方光电科技有限公司