专利名称：光刻蚀方法、光罩组合及曝光系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体制作领域，特别是涉及一种光刻蚀方法、光罩组合及曝光系统。
背景技术：
光刻蚀加工是对薄膜表面或金属进行精密、微小和复杂图形加工的技术，尤其在半导体制造工业中，更是一项极为重要的制造技术。光刻蚀工艺流程是一个较为复杂的过程，其中曝光是光刻蚀技术中最重要的工艺环节。曝光需要光罩、光源和基底等材料。对于半导体制作工艺来说，光刻蚀是一种多步骤的图案转移过程，首先是在光罩上形成所需要的图案，之后通过光刻工艺把所需要的图案转移到晶圆表面的每一层。具体为，首先，图案被转移到光刻胶层，即光致抗蚀剂层。光刻胶层经过一次光罩曝光后自身性质和结构发生变化，即由原来的可溶性物质变为非可溶性物质，或者相反。再通过化学溶剂把可以溶解的部分去掉，形成与光罩图案对应的镂空结构，至此，光罩的图案就转移到光刻胶层。其次，把图案从光刻胶层转移到晶圆上。主要是通过不同的刻蚀方法把晶圆上没有被光刻胶保护的部分的薄膜层去掉，这时图案转移就彻底完成。在现有的半导体制造工艺中，每次的曝光工艺通常只使用一个光罩进行曝光，使用完这一次曝光的光罩后，因为曝光图案的不同，下一次曝光通常需要换一个新的光罩。然而，若下一次曝光的光罩上的图案相对于前次曝光的光罩上的图案只是增加或减少，也只能重新换一个新的光罩或制作一个新的光罩，对于上述情况，不仅费时，且大大提高制造成本。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种光刻蚀方法、光罩组合及曝光系统，能够降低光罩的重新制作机率，节约成本。为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是提供一种光刻蚀方法，方法包括在基底上形成待图案化的材料层；在材料层上形成光致抗蚀剂层；使用叠加的至少两光罩对光致抗蚀剂层进行曝光，每个光罩上设有相应图案，至少两光罩上的相应图案叠加结合而形成新图案；对曝光后的光致抗蚀剂层进行处理而得到对应新图案的镂空结构； 利用镂空结构对材料层进行刻蚀，以形成图案化的材料层。其中，相应图案叠加结合而形成一个新图案的光罩为一套光罩，每套光罩包括主光罩和辅光罩，至少两套光罩中的主光罩为相同光罩，而辅光罩为不同光罩。其中，新图案中对应一光罩上相应图案的至少一线条位于对应另一光罩上相应图案的两相邻线条之间的位置。其中，新图案中对应一光罩上相应图案的至少一线条位于对应另一光罩上相应图案的两相邻线条之间的中间位置。其中，新图案中对应一光罩上相应图案的每一线条均位于对应另一光罩上相应图案的两相邻线条之间的中间位置。
其中，形成图案化的材料层的步骤之后包括去除镂空结构的光致抗蚀剂层。为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是提供一种光罩组合，光罩组合包括第一光罩，第一光罩上设有第一图案；第二光罩，第二光罩上设有第二图案；其中， 在使用时第一光罩和第二光罩叠加在一起，使第一图案和第二图案叠加结合而形成第三图案。其中，第三图案是液晶显示面板中阵列基板的半导体制作图案。其中，相应图案叠加结合而形成一个新图案的光罩为一套光罩，每套光罩包括主光罩和辅光罩，至少两套光罩中的主光罩为相同光罩，而辅光罩为不同光罩，并且新图案中对应主光罩上相应图案的至少一线条位于对应辅光罩上相应图案的两相邻线条之间的位置。为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是提供一种曝光系统，曝光系统包括光源；第一光罩，第一光罩上设有第一图案；第二光罩，第二光罩上设有第二图案； 其中，在使用时第一光罩和第二光罩叠加在一起，使第一图案和第二图案叠加结合而形成第三图案，光源发出的光透过第三图案。本发明的有益效果是区别于现有技术使用一个光罩进行曝光的情况，本发明通过光罩分层叠加的方式进行曝光，对于相对于原始光罩只是增加或减少某些图案的新光罩而言，无需重新再制作一个包含完整图案的新光罩，减少重新制作光罩的机率，节约成本。
图I是本发明光刻蚀方法一实施例的流程示意图；图2是本发明光刻蚀方法另一实施例中主光罩的立体示意图；图3是本发明光刻蚀方法另一实施例中辅光罩的立体示意图；图4是本发明光刻蚀方法另一实施例中主光罩和辅光罩叠加后的立体示意图；图5是图4所不主光罩和辅光罩置加后的等效不意图；图6是本发明光刻蚀方法又一实施例中光罩叠加后的立体示意图；图7是本发明图6所示光罩叠加后的等效示意图。
具体实施例方式下面结合附图和实施例对本发明进行详细说明。请参阅图1，图I是本发明光刻蚀方法一实施例的流程示意图，如图所示，所述方法包括以下步骤步骤101，在基底上形成待图案化的材料层；光刻蚀技术是化合物半导体器件制作中最常用的技术，在平面器件和集成电路的生产中得到广泛的应用，比如在平面晶体管和集成电路生产中，要进行多次光刻，以实现选择性扩散和金属膜布线的目的。其中，基底为晶圆，是硅半导体集成电路制作中所用的硅晶片。材料层包括金属层、多晶硅层或非晶硅层等介质材料。步骤102，在材料层上形成光致抗蚀剂层；光刻蚀技术主要是先将光罩上的图案转移到基底表面的光致抗蚀剂层，为下一步进行刻蚀或者离子注入做准备。因此，在材料层上先形成一光致抗蚀剂层，以便对材料层进行刻蚀。步骤103，使用叠加的至少两光罩对光致抗蚀剂层进行曝光，每个光罩上设有相应图案，至少两光罩上的相应图案叠加结合而形成新图案；光罩，也称掩膜板，利用曝光技术可以将光罩上的图案转移到材料层上而形成材料层上的图案。在本发明中，当需要光罩进行光刻时，若本次曝光需要的光罩图案与已有的其他部分光罩的图案相比，只是增加或删除某些图案，而这些增加或删除的图案又是已有的另一部分光罩的图案，那么可以使用已有的多个光罩分层叠加的方式组合成一个需要的图案，利用组合后的多层光罩进行曝光。上述多层光罩是指两层或两层以上光罩。其中，曝光的光源为电子束、离子束、X射线或极紫外线等。需要指出的是，在曝光过程中，需要将光罩与基底进行精确的投影定位，以保证在基底上形成的图案的精确性。步骤104，对曝光后的光致抗蚀剂层进行处理而得到对应新图案的镂空结构；根据光致抗蚀剂的特性，可以保留光致抗蚀剂层被曝光的部分，也可保留光致抗蚀剂层未被曝光的部分，从而形成与新图案对应的镂空结构。此时，至少两光罩叠加形成的新图案传递到光致抗蚀剂层。步骤105，利用镂空结构对材料层进行刻蚀，以形成图案化的材料层。经过步骤103的光刻蚀，至少两光罩叠加形成的新图案已传递到光致抗蚀剂层， 然后利用镂空结构的光致抗蚀剂层对材料层上没有被光致抗蚀剂层保护的部分进行刻蚀， 形成图案化的材料层。如在集成电路的制造过程中，利用化学或物理的刻蚀方法，将电路图案传递到单晶表面或介质层上，形成有效的图案窗口或功能图案。形成需要的图案化的材料层后，去除镂空结构的光致抗蚀剂层。下面对光罩叠加进行详细说明，以两个光罩为例，如图2、图3、图4以及图5所示图2是本发明光刻蚀方法另一实施例中主光罩的立体示意图，如图2所示，主光罩 20上的图案为一 T字型21。若光罩的图案是由不透光的区域决定的，称其为亮场光罩，上述主光罩20为亮场光罩，T字型21区域为不透光区域。图3是本发明光刻蚀方法另一实施例中辅光罩的立体示意图，如图3所示，辅光罩 30上的图案为一圆形31。辅光罩30为亮场光罩，圆形31区域为不透光区域。主光罩20和辅光罩30叠加后的立体示意图如图4所示。如图5所不，图5是主光罩20和辅光罩30叠加后的等效不意图，主光罩20和辅光罩30叠加后形成新的图案，新图案相当于在一个光罩上同时具有T字型21图案和圆形 31图案。如上所述，相应图案叠加结合而形成一个新图案的光罩为一套光罩，每套光罩包括主光罩和辅光罩，至少两套光罩中的主光罩为相同光罩，而辅光罩为不同光罩。其中，主光罩上的图案可以与一个或一个以上的辅光罩上的相应图案叠加结合而形成新图案。上面实施例描述的是若本次曝光需要的光罩图案与已有的其他部分光罩的图案相比只是增加某些图案的情况；对于若本次曝光需要的光罩图案与已有的其他部分光罩的图案相比只是删除某些图案的情况，可以采用如下技术方案来实现仍然使用叠加的至少两光罩对光致抗蚀剂层进行曝光，其中叠加的光罩包括主光罩和辅光罩。辅光罩的图案包括在主光罩的图案内。若主光罩为暗场光罩，辅光罩为亮场光罩，则主光罩和辅光罩叠加后进行曝光，在材料层上形成的图案为主光罩上去除对应辅光罩的图案剩下的图案。通过上述方式，不需要重新制作光罩，只利用已有的光罩灵活搭配，即可形成需要的光罩图案。在实际操作中，以构成为线条的光罩图案为例，若要求的精度越高，在光罩上线条之间的距离要求越小，则成本越大。若采用本发明的方法，利用多个光罩叠加的方式，可以较为容易地实现高精度曝光的要求，使材料层上形成的图案的线条之间的距离减小，避免重新制作高精度的光罩的工序，降低成本，节省时间。如不同光罩叠加，其相应的图案叠加结合而形成一个新图案，新图案中对应一光罩上相应图案的至少一线条位于对应另一光罩上相应图案的两相邻线条之间的位置，具体可以是新图案中对应一光罩上相应图案的至少一线条位于对应另一光罩上相应图案的两相邻线条之间的中间位置，或新图案中对应一光罩上相应图案的每一线条均位于对应另一光罩上相应图案的两相邻线条之间的中间位置。通过对新图案进行曝光，即能实现采用低精度图案的光罩来实现高精度曝光的要求。下面以光罩图案是直线为例进行详细说明。如图6所示，图6是本发明光刻蚀方法又一实施例中光罩叠加后的立体示意图。在图6中，光罩包括第一光罩61和第二光罩62。第一光罩61上设有至少两平行间隔设置的直线，如直线611和直线612，间隔设置的距离为第一预定距离；第二光罩62上设有至少两平行间隔设置的直线，如直线621、直线622和直线623，间隔设置的距离为第二预定距离。第一光罩61和第二光罩62上的直线图案平行叠加结合而形成新图案。直线611位于直线622和直线623之间，直线612位于直线621和直线622之间。如图7所不，图7是图6所不光罩置加后的等效不意图，置加后形成的新图案上的相邻直线之间的距离相对于第一光罩61或第二光罩62上相邻直线之间的距离变小。其中，第一光罩61或第二光罩62上还可以只设置一条直线，但不可同时仅设置为一条直线。其中，第一预定距离可以与第二预定距离相等，相当于使用两个相同图案精度的光罩进行叠加，即第一光罩61和第二光罩62上的直线图案平行地、不重叠地叠加结合而形成新图案，通过上述方式以实现采用低精度图案的光罩来实现高精度曝光的目的。当然，为了得到更高的精度，还可以采用三个或以上光罩进行分层叠加的方式。为了实施图I所示的光刻蚀方法，本发明提供一种光罩组合实施例。仍然以图6 中显示的光罩组合为例进行说明，其中光罩组合包括第一光罩61和第二光罩62。第一光罩 61上设有第一图案(如直线611和直线612)。第二光罩62上设有第二图案(如直线621、 直线622和直线623)。在使用时将第一光罩61和第二光罩62叠加在一起，使第一图案和第二图案叠加结合而形成第三图案(如图7显示的等效示意图)。在本实施例中，第三图案是液晶显示面板中阵列基板的半导体制作图案。当然，第三图案还可以是其他产品制程中的制作图案。
其中，相应图案叠加结合而形成一个新图案的光罩为一套光罩，如第一光罩61和第二光罩62。每套光罩包括主光罩和辅光罩，如将第一光罩61作为主光罩，第二光罩62作为辅光罩。在具备多套光罩的情况下，其中至少两套光罩中的主光罩为相同光罩，而辅光罩为不同光罩，以实现节约光罩数量的目的。并且，新图案中对应主光罩上相应图案的至少一线条位于对应辅光罩上相应图案的两相邻线条之间的位置，以实现采用低精度图案的光罩来实现高精度曝光的目的。为了实施图I所示的光刻蚀方法，本发明还提供一种曝光系统实施例。仍然以图 6中显不的光罩组合为例进行说明，其中曝光系统包括光源、第一光罩61及第二光罩62。 第一光罩61上设有第一图案(如直线611和直线612)。第二光罩62上设有第二图案(如直线621、直线622和直线623)。在使用时将第一光罩61和第二光罩62叠加在一起，使第一图案和第二图案叠加结合而形成第三图案(如图7显示的等效示意图)，光源发出的光透过第三图案。本发明采用组合式的光罩曝光方式，利用已有的光罩灵活搭配，分层叠加，即可形成需要的光罩图案，减少光罩的重新制作机率，节约成本。以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
权利要求
1.一种光刻蚀方法，其特征在于，包括在基底上形成待图案化的材料层；在所述材料层上形成光致抗蚀剂层；使用叠加的至少两光罩对所述光致抗蚀剂层进行曝光，每个光罩上设有相应图案，所述至少两光罩上的相应图案叠加结合而形成新图案；对所述曝光后的光致抗蚀剂层进行处理而得到对应新图案的镂空结构；利用所述镂空结构对材料层进行刻蚀，以形成图案化的材料层。
2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，所述相应图案叠加结合而形成一个新图案的光罩为一套光罩，每套所述光罩包括主光罩和辅光罩，至少两套光罩中的主光罩为相同光罩，而辅光罩为不同光罩。
3.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，所述新图案中对应一光罩上相应图案的至少一线条位于对应另一光罩上相应图案的两相邻线条之间的位置。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述新图案中对应一光罩上相应图案的至少一线条位于对应另一光罩上相应图案的两相邻线条之间的中间位置。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述新图案中对应一光罩上相应图案的每一线条均位于对应另一光罩上相应图案的两相邻线条之间的中间位置。
6.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，所述形成图案化的材料层的步骤之后包括去除所述镂空结构的光致抗蚀剂层。
7.一种光罩组合，其特征在于，包括第一光罩，所述第一光罩上设有第一图案；第二光罩，所述第二光罩上设有第二图案；其中，在使用时所述第一光罩和第二光罩叠加在一起，使所述第一图案和第二图案叠加结合而形成第三图案。
8.根据权利要求7所述的光罩组合，其特征在于，所述第三图案是液晶显示面板中阵列基板的半导体制作图案。
9.根据权利要求7所述的光罩组合，其特征在于，所述相应图案叠加结合而形成一个新图案的光罩为一套光罩，每套所述光罩包括主光罩和辅光罩，至少两套光罩中的主光罩为相同光罩，而辅光罩为不同光罩，并且所述新图案中对应主光罩上相应图案的至少一线条位于对应辅光罩上相应图案的两相邻线条之间的位置。
10.一种曝光系统,其特征在于,包括光源；第一光罩，所述第一光罩上设有第一图案；第二光罩，所述第二光罩上设有第二图案；其中，在使用时所述第一光罩和第二光罩叠加在一起，使所述第一图案和第二图案叠加结合而形成第三图案，所述光源发出的光透过第三图案。
全文摘要
本发明公开了一种光刻蚀方法，所述方法包括在基底上形成待图案化的材料层；在所述材料层上形成光致抗蚀剂层；使用叠加的至少两光罩对所述光致抗蚀剂层进行曝光，每个光罩上设有相应图案，所述至少两光罩上的相应图案叠加结合而形成新图案；对所述曝光后的光致抗蚀剂层进行处理而得到对应新图案的镂空结构；利用所述镂空结构对材料层进行刻蚀，以形成图案化的材料层。本发明还公开了一种光罩组合和一种光罩系统。通过上述方式，本发明能够降低光罩的重新制作机率，节约成本。
文档编号G03F1/80GK102608860SQ20121008294
公开日2012年7月25日 申请日期2012年3月26日 优先权日2012年3月26日
发明者郑文达 申请人:深圳市华星光电技术有限公司