吸盘及使用该吸盘的承片台和硅片吸附方法
【专利摘要】本发明提出一种吸盘及使用该吸盘的承片台，所述吸盘上表面包括：环绕设置于吸盘上表面的边缘密封边缘凸起环；若干个设置于密封边缘凸起环所围设的区域之内，并与密封边缘凸起环共圆心，每组环形凸起组包括若干环形凸起以及位于两个相邻环形凸起之间的环形真空槽；至少一个沿所述吸盘的半径或直径的设置于所有环形凸起组底部的径向通孔；若干设置于所述环形真空槽底部真空通孔和若干设置于径向通孔所在半径上的两相邻环形凸起组之间的真空吸附区。本发明还提出一种硅片吸附方法，通过控制上表面设置有若干个共心的封闭环形真空吸附区域的真空吸盘，由中心向四周或由四周向中心逐个封闭环形真空吸附区吸附硅片。
【专利说明】吸盘及使用该吸盘的承片台和硅片吸附方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，且特别涉及一种用于光刻设备中的吸盘及使用该吸盘的承片台和硅片吸附方法。
【背景技术】
[0002]光刻设备主要用于集成电路IC或其它微型器件的制造。通过光刻设备，具有不同掩模图案的多层掩模在精确对准下依次曝光成像在涂覆有光刻胶的硅片上，例如半导体硅片、IXD液晶面板。
[0003]光刻设备是一种将掩膜版图案曝光成像到硅片上的设备。不论哪种光刻设备，需具有相应的装置作为掩模版和硅片的载体，装载有掩模版/硅片的载体产生精确的相互运动来满足光刻需要。上述掩模版的载体被称之为承版台，硅片的载体被称之为承片台。承版台和承片台分别位于光刻设备的掩模台分系统和工件台分系统中，为上述分系统的核心模块。在承版台和承片台的相互运动中，须保证掩模版和硅片始终被可靠地定位，也即上述掩模版和硅片的六个自由度皆被限制住。
[0004]在承片台中，用于吸附固定硅片的装置称之为吸盘，吸盘又被定位且吸附在承片台的核心部件基座上表面，保证光刻过程中硅片能随工件台分系统的移动，按照预定的路线和速度到达正确的位置，由于硅片的表面需要涂覆光刻胶，多采用吸附式，基座由一系列驱动器驱动，可产生多个自由度的运动，从而完成对承片台的位置调整，使硅片完成调平调焦的要求。吸盘的精度对光刻设备的焦深(focus)和套刻精度(overlay)有很大的影响,体现在其上下表面的面型精度，以及自身的夹持变形量。
[0005]硅片的吸附主要包括静电吸附和真空吸附，静电吸附流程复杂，成本高，而真空吸附利用真空进行接触式吸附，实现容易，成本低，是目前半导体光刻设备中常用的硅片吸附方式。
[0006]随着娃穿孔(Through Silicon Vias)技术的发展,娃片的不断减薄,娃片自身存在不确定的翘曲，在硅片翘曲处和吸盘的盘体形成了间隙，当吸盘的环形真空槽打开真空时漏气，无法满足正常情况下的真空阈值，而降低真空阈值则会导致硅片吸附的可靠性降低，导致现有的真空吸盘不能理想地吸附翘曲硅片。
[0007]美国专利US6257564B1及中国专利200510113862.6A中均有提出采用真空吸附的方式使硅片定位在吸盘上表面，提出了吸盘上表面若干形态的分布，以优化在真空吸附时对硅片产生的变形、热应力等影响；中国专利201010128748.1采用了具有径向空腔的径向凸起，能使真空快速地建立至吸盘的大部分面积，以使吸附晶片的吸附效果更具均匀性，有利于更精确可靠地定位晶片，但对于优化吸盘上表面结构以更加精确可靠地定位硅片未有明确描述。
【发明内容】
[0008]本发明提供一种吸盘及使用该吸盘的承片台和硅片吸附方法，使得硅片更牢靠地吸附在吸盘表面上，以更精确可靠地定位硅片。
[0009]为了实现上述目的，本发明提供一种吸盘，其位于设备的承片台中，所述吸盘具有上表面与下表面，所述吸盘的上表面用于承载硅片，所述吸盘的下表面吸附固定于承载所述吸盘的基座上，其中所述吸盘的上表面包括:
[0010]密封边缘凸起环，所述密封边缘凸起环环绕设置于所述吸盘上表面的边缘；
[0011]若干环形凸起组，所述环形凸起组设置于所述密封边缘凸起环所围设的区域之内，并与所述密封边缘凸起环共圆心，每组环形凸起组包括若干环形凸起以及位于两个相邻环形凸起之间的环形真空槽，所述环形真空槽未贯穿所述吸盘的上下表面；
[0012]至少一个径向通孔，所述径向通孔沿吸盘的半径或直径设置于所有环形凸起组底部;
[0013]若干真空通孔，所述真空通孔设置于所述环形真空槽底部，并连通所述环形真空槽与所述径向通孔；
[0014]若干密封隔片，所述密封隔片设置于径向通孔所在半径上的两相邻环形凸起组之间，用于将每个环形凸起组隔离成独立封闭的真空吸附区。
[0015]进一步地，所述吸盘的材质采用热膨胀系数在25°C至500°C时小于5X10_6/°C的材料。
[0016]进一步地，所述吸盘的材质为碳化硅陶瓷或微晶玻璃。
[0017]进一步地，所述真空吸附区为4到7个。
[0018]进一步地，所述吸盘的厚度为5至14mm。
[0019]进一步地，作为优选，所述密封边缘凸起环的高度与所述环形凸起的高度相同；或者，所述密封边缘凸起环的高度低于所述环形凸起的高度，二者的高度差为所述环形凸起高度的1/20至1/100。
[0020]进一步地，所述环形真空槽的槽宽为I至3mm。
[0021]进一步地，所述环形凸起的间距为1.5至4.5mm。
[0022]进一步地，所述环形凸起的高度为0.1至0.5mm。
[0023]进一步地，所述下表面设有与所述径向通孔连通的真空通道，所述真空通道与所述各真空吸附区对应设置。
[0024]进一步地，不同真空吸附区的真空通道之间相对独立。
[0025]进一步地，所述真空吸附区对应的真空通道为一个或多个。
[0026]本发明还提供一种承片台，其中，使用上述本发明的吸盘。
[0027]进一步地，所述吸盘中央设置有若干个第一预留孔，所述承片台还包括:基座，所述基座中心设置有若干个与所述第一预留孔匹配的第二预留孔，以及与所述吸盘各真空吸附区对应的真空检测器和通断控制阀。
[0028]本发明还提供上述吸盘的硅片吸附方法，包括以下步骤:
[0029]提供真空吸盘，所述真空吸盘的上表面设置有若干个共心的封闭环形真空吸附区域；
[0030]将硅片放置于所述真 空吸盘的上表面；
[0031 ] 控制所述真空吸盘的上表面由中心向四周或由四周向中心逐个封闭环形真空吸附区吸附硅片。[0032]与现有技术相比，本发明所述的吸盘及使用该吸盘的承片台和硅片吸附方法的有益效果主要表现在:通过控制真空吸盘的上表面由中心向四周或由四周向中心逐个封闭环形真空吸附区吸附硅片，有效减少了待吸附硅片的翘曲度而带来的吸附不牢靠，从而更精确地定位娃片。
【专利附图】
【附图说明】
[0033]图
[0034]图
[0035]图
[0036]图
[0037]图
[0038]图1a为现有技术中承片台承载娃片的结构不意图；Ib为图1a中承片台的分解不意图；
2a为本发明吸盘的上表面的结构示意图；
2b为图2a中上表面中环形凸起组的结构示意图3为图2a中上表面沿A-A剖视图；
4为本发明吸盘吸附硅片的流程示意图。
【具体实施方式】
[0039]为了更好地表达本发明的技术方案与技术内容，先对现有技术中的承片台模块结构进行描述，以更好地了解本发明的技术背景。
[0040]图1a为现有技术中承片台承载娃片的结构不意图。图1b为图1a中承片台的分解示意图。
[0041]请参考图1a,承片台主要包括吸盘I和基座2,其中吸盘I上承载娃片3,吸盘I为圆形，其下表面由真空、静电吸附或其他固定方式吸附固定于基座2上。基座2 —般由方镜直接构成，基座2的上表面主要用于承载吸盘I以及硅片3，其下表面设置有多自由度调整装置(图中未示出)，从而完成对硅片3的定位。
[0042]请参考图lb，吸盘I的中心处还包括第一预留孔101，第一预留孔101纵向贯穿吸盘I。在第一预留孔101对应位置的基座2上设置有第二预留孔201。在硅片定位过程中，基座2下方设置的硅片交接装置(图中未示出)的针状接收装置(pin)通过自第一预留孔101和第二预留孔201所预留出的通道进行垂直运动，将硅片接收放置于吸盘I上。硅片交接装置(图中未示出)的针状接收装置(Pin)的个数与第一预留孔101和第二预留孔201的个数相匹配，一般较常用的为3至6个。
[0043]下面结合附图对本发明的技术方法与技术内容进行具体描述。
[0044]请参考图1a和图lb，同样地，本发明的承片台主要包括吸盘I和基座2，其中吸盘I上承载硅片3，所述吸盘I的下表面吸附固定于承载所述吸盘的基座2上，基座2上表面主要用于承载吸盘I以及硅片3，其下表面设置有多自由度调整装置(图中未示出)，从而完成对硅片3的定位，基座2可以由方镜直接构成，也可以根据应用需要单独设置，后种情况需要在基座2上的正交方向固定条形测量镜作为方镜。
[0045]请参考图2a、图2b和图3，图2a为本发明吸盘的上表面的结构示意图，图2b为图2a中上表面中环形凸起组的结构示意图，图3为图2a中上表面沿A-A剖视图。
[0046]进一步地，吸盘I的上表面中心设置有第一预留孔101，其与图1b所示的基座2上的第二预留孔201匹配设置，在吸盘I上表面的边缘设置有密封边缘凸起环102，密封边缘凸起环102内所围设的区域内设置有若干个环形凸起组103，每个环形凸起组103由若干个环形凸起106构成，相邻的两个环形凸起106之间形成环形真空槽108，环形真空槽108并未贯穿吸盘I的上下表面。径向通孔104沿吸盘I的半径或直径设置于所有环形凸起组103底部，径向通孔104的纵向设置于环形真空槽108的下部，径向通孔104的数量并不限定，可根据需要设置多组间隔角度相同或不同的径向通孔104 (图2a中只设置了一个径向通孔104)。
[0047]在径向通孔104与每个环形凸起组103垂直重合的环形真空槽108底部设置有贯穿环形真空槽108和径向通孔104的真空通孔107。在径向通孔104所在半径(或直径)上相邻的两个环形凸起组103之间，设置有密封隔片105，密封隔片105的底部暴露于吸盘I的下表面，相邻的密封隔片105将环形凸起组103隔离成独立封闭的真空吸附区An，图2a所示为5个真空吸附区，由内向外依次为第一真空吸附区Al、第二真空吸附区A2、第三真空吸附区A3、第四真空吸附区A4和第五真空吸附区A5。
[0048]请参考图3，从吸盘I的A-A剖视图来看，真空吸附区An为径向通孔104通过对应环形凸起组103的真空通孔107贯穿环形真空槽108所形成的区域。
[0049]为了给上述真空吸附区An进行抽真空，在吸盘I的下表面处设置有连同径向通孔104的真空通道109。与真空通道109相对应的基座2处依次设置有真空检测器(图中未示出)和通断控制阀(图中未示出)，且每个真空吸附区An的真空检测器与通断控制阀均为独立设置。
[0050]吸盘I的材质采用热膨胀系数在25°C至500°C时小于5 X 10_6/°C的材料，例如为碳化硅陶瓷或微晶玻璃， 其厚度为5至14_。
[0051]吸盘I的密封边缘凸起环102的高度可以与环形凸起组103的环形凸起106的高度相同，优选的，高度范围为0.1至0.5mm ;吸盘I上的密封边缘凸起环102的高度也可以与环形凸起组103的环形凸起106的高度不同，其二者的高度差优选为环形凸起106的高度的1/20至1/100，环形凸起106的高度范围为0.1至0.5mm。
[0052]每个环形凸起组103的环形凸起106之间的间距为1.5至4.5mm。
[0053]每个环形凸起组103的环形凸起106之间的环形真空槽108的宽度为I至3mm，环形真空槽108的深度优选为环形凸起106的高度，即深度范围为0.1至0.5mm。
[0054]环形凸起组103的个数为4至7个，真空吸附区An由内向外以此为第一真空吸附区Al、第二真空吸附区A2、…、第η真空吸附区An。
[0055]下面结合具体实施例对本发明的技术方案进行描述。
[0056]实施例1
[0057]吸盘I的材质为碳化娃陶瓷,其厚度为10mm。
[0058]吸盘I上的密封边缘凸起环102的高度与环形凸起组103的环形凸起106的高度相同，高度为0.1mm ；
[0059]每个环形凸起组103的环形凸起106之间的间距为1.5mm ；
[0060]每个环形凸起组103的环形凸起106之间的环形真空槽108的1mm，环形真空槽108的深度即为环形凸起106的高度，即深度为0.1mm ；
[0061]环形凸起组103的个数为5个，真空吸附区An由内向外以此为第一真空吸附区Al、第二真空吸附区A2、第三真空吸附区A3、第四真空吸附区A4和第五真空吸附区A5。
[0062]本实施例中，待吸附硅片3承载至吸盘I的上表面，待吸附硅片3边缘上翘呈凹型，使用上述的吸盘实现待吸附硅片3吸附的过程，如下:
[0063]打开第一真空吸附区Al的第一通断控制阀开始对第一真空吸附区Al抽真空，当第一真空检测器检测到第一真空吸附区Al内的真空度Tl达到预设真空度TO时，第一真空吸附区Al上的待吸附硅片3部分被吸附成功，临近的第二吸附真空区A2内的待吸附硅片翘曲度减小；
[0064]打开第二真空吸附区A2的第二通断控制阀开始对第二真空吸附区A2抽真空，当第二真空检测器检测到第二真空吸附区A2内的真空度T2达到预设真空度TO时，第二真空吸附区A2上的待吸附硅片3部分被吸附成功，临近的第三吸附真空区A3内的待吸附硅片翘曲度减小；
[0065]打开第三真空吸附区A3的第三通断控制阀开始对第三真空吸附区A3抽真空，当第三真空检测器检测到第三真空吸附区A3内的真空度T3达到预设真空度TO时，第三真空吸附区A3上的待吸附硅片3部分被吸附成功，临近的第四吸附真空区A4内的待吸附硅片翘曲度减小；
[0066]打开第四真空吸附区A4的第四通断控制阀开始对第四真空吸附区A4抽真空，当第四真空检测器检测到第四真空吸附区A4内的真空度T4达到预设真空度TO时，第四真空吸附区A4上的待吸附硅片3部分被吸附成功，临近的第五吸附真空区A5内的待吸附硅片翘曲度减小；
[0067]打开第五真空吸附区A5的第五通断控制阀开始对第五真空吸附区A5抽真空，当第五真空检测器检测到第五真空吸附区A5内的真空度T5达到预设真空度TO时，第五真空吸附区A5上的待吸附硅片3部分被吸附成功；
[0068]待测硅片3被吸盘I吸附。
[0069]本实施例中提供的吸盘设置有5个由内向外的封闭环形真空吸附区，当待吸附硅片承载至吸盘上表面后其边缘呈翘曲形状时，按由内向外顺序，从第一真空吸附区开始，逐个真空吸附区吸附硅片，最终消除硅片边缘翘曲，使硅片牢靠地贴附于吸盘表面。
[0070]实施例2
[0071]吸盘I的材质为碳化硅陶瓷，其厚度为14_。
[0072]吸盘I上的密封边缘凸起环的高度与环形凸起组103的环形凸起106的高度相同，高度范围为0.5mm；
[0073]每个环形凸起组103的环形凸起106之间的间距为4.5mm ；
[0074]每个环形凸起组103的环形凸起106之间的环形真空槽108的3mm，环形真空槽108的深度即为环形凸起106的高度，即深度为0.5mm ；
[0075]环形凸起组103的个数为5个，真空吸附区An由内向外以此为第一真空吸附区Al、第二真空吸附区A2、第三真空吸附区A3、第四真空吸附区A4和第五真空吸附区A5。
[0076]本实施例中，待吸附硅片3承载至吸盘I的上表面，待吸附硅片3边缘上翘呈凸型，使用上述的吸盘实现待吸附硅片3吸附的过程，如下:
[0077]打开第五真空吸附区A5的第五通断控制阀开始对第五真空吸附区A5抽真空，当第五真空检测器检测到第五真空吸附区A5内的真空度T5达到预设真空度TO时，第五真空吸附区A5上的待吸附硅片3部分被吸附成功，临近的第四吸附真空区A4内的待吸附硅片翘曲度减小；[0078]打开第四真空吸附区A4的第四通断控制阀开始对第四真空吸附区A4抽真空，当第四真空检测器检测到第四真空吸附区A4内的真空度T4达到预设真空度TO时，第四真空吸附区A4上的待吸附硅片3部分被吸附成功，临近的第三吸附真空区A3内的待吸附硅片翘曲度减小；
[0079]打开第三真空吸附区A3的第三通断控制阀开始对第三真空吸附区A3抽真空，当第三真空检测器检测到第三真空吸附区A3内的真空度T3达到预设真空度TO时，第三真空吸附区A3上的待吸附硅片3部分被吸附成功，临近的第二吸附真空区A2内的待吸附硅片翘曲度减小；
[0080]打开第二真空吸附区A2的第二通断控制阀开始对第二真空吸附区A2抽真空，当第二真空检测器检测到第二真空吸附区A2内的真空度T2达到预设真空度TO时，第二真空吸附区A2上的待吸附硅片3部分被吸附成功，临近的第一吸附真空区Al内的待吸附硅片翘曲度减小；
[0081]打开第一真空吸附区Al的第一通断控制阀开始对第一真空吸附区Al抽真空，当第一真空检测器检测到第一真空吸附区A —内的真空度Tl达到预设真空度TO时，第一真空吸附区Al上的待吸附硅片3部分被吸附成功；
[0082]待测硅片3被吸盘I吸附。
[0083]本实施例中提供的吸盘设置有5个由内向外的封闭环形真空吸附区，当待吸附硅片承载至吸盘上表面后其边缘呈翘曲形状时，按由外向内顺序，从第五真空吸附区开始，逐个真空吸附区吸附硅片，最终消除硅片边缘翘曲，使硅片牢靠地贴附于吸盘表面。
[0084]实施例3
[0085]吸盘I的材质为碳化娃陶瓷,其厚度为7mm。
[0086]吸盘I上的密封边缘凸起环的高度与环形凸起组103的环形凸起106的高度相同，高度为0.3mm ；
[0087]每个环形凸起组103的环形凸起106之间的间距为3mm ；
[0088]每个环形凸起组103的环形凸起106之间的环形真空槽108的2mm，环形真空槽108的深度即为环形凸起106的高度，即深度为0.3mm ；
[0089]环形凸起组103的个数为7个，真空吸附区An由内向外以此为第一真空吸附区Al、第二真空吸附区A2、第三真空吸附区A3、第四真空吸附区A4、第五真空吸附区A5、第六真空吸附区A6和第七真空吸附区A7。
[0090]本实施例中，待吸附硅片3承载至吸盘I的上表面，待吸附硅片3边缘上翘呈凹型，使用上述的吸盘实现待吸附硅片3吸附的过程，如下:
[0091]打开第一真空吸附区Al的第一通断控制阀开始对第一真空吸附区Al抽真空，当第一真空检测器检测到第一真空吸附区Al内的真空度Tl达到预设真空度TO时，第一真空吸附区Al上的待吸附硅片3部分被吸附成功，临近的第二吸附真空区A2内的待吸附硅片翘曲度减小；
[0092]打开第二真空吸附区A2的第二通断控制阀开始对第二真空吸附区A2抽真空，当第二真空检测器检测到第二真空吸附区A2内的真空度T2达到预设真空度TO时，第二真空吸附区A2上的待吸附硅片3部分被吸附成功，临近的第三吸附真空区A3内的待吸附硅片翘曲度减小；[0093]打开第三真空吸附区A3的第三通断控制阀开始对第三真空吸附区A3抽真空，当第三真空检测器检测到第三真空吸附区A3内的真空度T3达到预设真空度TO时，第三真空吸附区A3上的待吸附硅片3部分被吸附成功，临近的第四吸附真空区A4内的待吸附硅片翘曲度减小；
[0094]打开第四真空吸附区A4的第四通断控制阀开始对第四真空吸附区A4抽真空，当第四真空检测器检测到第四真空吸附区A4内的真空度T4达到预设真空度TO时，第四真空吸附区A4上的待吸附硅片3部分被吸附成功，临近的第五吸附真空区A5内的待吸附硅片翘曲度减小；
[0095]打开第五真空吸附区A5的第五通断控制阀开始对第五真空吸附区A5抽真空，当第五真空检测器检测到第五真空吸附区A5内的真空度T5达到预设真空度TO时，第五真空吸附区A5上的待吸附硅片3部分被吸附成功，临近的第六吸附真空区A6内的待吸附硅片翘曲度减小；
[0096]打开第六真空吸附区A6的第六通断控制阀开始对第六真空吸附区A6抽真空，当第六真空检测器检测到第六真空吸附区A6内的真空度T6达到预设真空度TO时，第六真空吸附区A6上的待吸附硅片3部分被吸附成功，临近的第七吸附真空区A7内的待吸附硅片翘曲度减小；
[0097]打开第七真空吸附区A7的第七通断控制阀开始对第七真空吸附区A7抽真空，当第七真空检测器检测到第七真空吸附区A7内的真空度T7达到预设真空度TO时，第七真空吸附区A7上的待吸附硅片3部分被吸附成功；
[0098]待测硅片3被吸盘I吸附。
[0099]本实施例中提供的吸盘设置有7个由内向外的封闭环形真空吸附区，当待吸附硅片承载至吸盘上表面后其边缘呈翘曲形状时，按由内向外顺序，从第一真空吸附区开始，逐个真空吸附区吸附硅片，最终消除硅片边缘翘曲，使硅片牢靠地贴附于吸盘表面。
[0100]实施例4
[0101]吸盘I的材质为碳化娃陶瓷,其厚度为10mm。
[0102]吸盘I上的密封边缘凸起环的高度与环形凸起组103的环形凸起106的高度不同，其二者的高度差为环形凸起106的高度的1/100，环形凸起的高度为0.5mm，密封边缘凸起环的高度为0.495mm。；
[0103]每个环形凸起组103的环形凸起106之间的间距为4.5mm ；
[0104]每个环形凸起组103的环形凸起106之间的环形真空槽108的2mm，环形真空槽108的深度即为环形凸起106的高度，即深度为0.5mm ；
[0105]环形凸起组103的个数为4个，真空吸附区An由内向外以此为第一真空吸附区Al、第二真空吸附区A2、第三真空吸附区A3和第四真空吸附区A4。
[0106]本实施例中，待吸附硅片3承载至吸盘I的上表面，待吸附硅片3边缘上翘呈凹型，使用上述的吸盘实现待吸附硅片3吸附的过程，如下:
[0107]打开第一真空吸附区Al的第一通断控制阀开始对第一真空吸附区Al抽真空，当第一真空检测器检测到第一真空吸附区Al内的真空度Tl达到预设真空度TO时，第一真空吸附区Al上的待吸附硅片3部分被吸附成功，临近的第二吸附真空区内的待吸附硅片翘曲度减小；[0108]打开第二真空吸附区A2的第二通断控制阀开始对第二真空吸附区A2抽真空，当第二真空检测器检测到第二真空吸附区A2内的真空度T2达到预设真空度TO时，第二真空吸附区A2上的待吸附硅片3部分被吸附成功，临近的第三吸附真空区内的待吸附硅片翘曲度减小；
[0109]打开第三真空吸附区A3的第三通断控制阀开始对第三真空吸附区A3抽真空，当第三真空检测器检测到第三真空吸附区A3内的真空度T3达到预设真空度TO时，第三真空吸附区A3上的待吸附硅片3部分被吸附成功，临近的第四吸附真空区内的待吸附硅片翘曲度减小；
[0110]打开第四真空吸附区A4的第四通断控制阀开始对第四真空吸附区A4抽真空，当第四真空检测器检测到第四真空吸附区A4内的真空度T4达到预设真空度TO时，第四真空吸附区A4上的待吸附硅片3部分被吸附成功；
[0111]待测娃片3被吸盘I吸附。
[0112]本实施例中提供的吸盘设置有7个由内向外的封闭环形真空吸附区，当待吸附硅片承载至吸盘上表面后其边缘呈翘曲形状时，按由向外内顺序，从第一真空吸附区开始，逐个真空吸附区吸附硅片，最终消除硅片边缘翘曲，使硅片牢靠地贴附于吸盘表面。
[0113]在实际生产中，吸盘可以应用于承载硅片的承片台中，因此，本发明还可以提供一种使用本发明的吸盘的承片台。
[0114]进一步地，所述吸盘中央设置有若干个第一预留孔，所述承片台还包括:基座，所述基座中心设置有若干个与所述第一预留孔匹配的第二预留孔，以及与所述吸盘各真空吸附区对应的真空检测器和通断控制阀。
[0115]在实际生产中，由于诸多其他因素的存在，在硅片吸附过程中，并不能将所有真空吸附区完成对硅片的吸附。因此，本发明还提供一种适用于本发明的吸盘的硅片吸附流程，参考图4所示，包括步骤如下:
[0116]提供真空吸附区An的预设真空度TO ；
[0117]将硅片放置于所述真空吸盘的上表面；
[0118]打开第一真空吸附区Al的第一通断控制阀，开始第一真空吸附区Al对应的硅片进行吸附，第一真空检测器检测第一真空度Tl，若第一真空度Tl〈预设真空度TC，则第一真空吸附区Al对应的硅片未建立吸附，先关闭第一通断控制阀；打开第二真空吸附区Α2的第二通断控制阀，开始第二真空吸附区Α2对应的硅片进行吸附，第二真空检测器检测第二真空度Τ2，若第二真空度Τ2〈预设真空度Τ0，则第二真空吸附区Α2对应的硅片未建立吸附，先关闭第二通断控制阀；…；打开第η真空吸附区An的第η通断控制阀，开始第η真空吸附区An对应的硅片进行吸附，第η真空检测器检测第η真空度Τη，若第η真空度Τη〈预设真空度Τ0，则第η真空吸附区An对应的硅片未建立吸附，先关闭第η通断控制阀。将已建立吸附的真空吸附区个数与真空吸附区的个数η比较，若已建立吸附的真空吸附区个数大于真空吸附区个数的1/2，则吸盘完成对硅片的吸附；若已建立吸附的真空吸附区个数小于真空吸附区个数的1/2，则吸盘未完成对硅片的吸附，重复上述步骤，直至已建立吸附的真空吸附区个数大于真空吸附区个数的1/2，吸盘完成对硅片的吸附。
[0119]综上所述，本发明提供的吸盘及使用该吸盘的承片台和硅片吸附方法，通过逐一建立翘曲硅片的真空吸附区，减少临近区域内的硅片的翘曲度，有效减少了待吸附硅片的翘曲度而带来的吸附不牢靠，从而更精确地定位硅片。
[0120]综上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明做任何限制。任何所述【技术领域】的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍落在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种吸盘，其位于设备的承片台中，所述吸盘具有上表面与下表面，所述吸盘的上表面用于承载硅片，所述吸盘的下表面吸附固定于承载所述吸盘的基座上，其特征在于，所述吸盘的上表面包括:密封边缘凸起环，所述密封边缘凸起环环绕设置于所述吸盘上表面的边缘；若干环形凸起组，所述环形凸起组设置于所述密封边缘凸起环所围设的区域之内，并与所述密封边缘凸起环共圆心，每组环形凸起组包括若干环形凸起以及位于两个相邻环形凸起之间的环形真空槽，所述环形真空槽未贯穿所述吸盘的上下表面；至少一个径向通孔，所述径向通孔沿吸盘的半径或直径设置于所有环形凸起组底部；若干真空通孔，所述真空通孔设置于所述环形真空槽底部，并连通所述环形真空槽与所述径向通孔；若干密封隔片，所述密封隔片设置于径向通孔所在半径上的两相邻环形凸起组之间，用于将每个环形凸起组隔离成独立封闭的真空吸附区。
2.如权利要求1所述的吸盘，其特征在于:所述吸盘的材质采用热膨胀系数在25°C至°〇的材料。或2所述的吸盘，其特征在于:所述吸盘的材质为碳化硅陶瓷或微晶所述的吸盘，其特征在于:所述真空吸附区为4到7个。 所述的吸盘，其特征在于:所述吸盘的厚度为5至14mm。 所述的吸盘，其特征在于:所述密封边缘凸起环的高度与所述环形凸500°C时小于 5Χ10-6/
3.如权利要求1玻璃。
4.如权利要求1
5.如权利要求1
6.如权利要求1起的高度相同。
7.如权利要求1所述的吸盘，其特征在于:所述密封边缘凸起环的高度低于所述环形凸起的高度，二者的高度差为所述环形凸起高度的1/20至1/100。
8.如权利要求1所述的吸盘，其特征在于:所述环形真空槽的槽宽为I至3mm。
9.如权利要求1所述的吸盘，其特征在于:所述环形凸起的间距为1.5至4.5_。
10.如权利要求6或7所述的吸盘，其特征在于:所述环形凸起的高度为0.1至0.5mm。
11.如权利要求1所述的吸盘，其特征在于:所述吸盘下表面设有与所述径向通孔连通的真空通道，所述真空通道与所述各真空吸附区对应设置。
12.如权利要求11所述的吸盘，其特征在于:不同真空吸附区的真空通道之间相对独立。
13.如权利要求11所述的吸盘，其特征在于:所述真空吸附区对应的真空通道为一个或多个。
14.一种承片台,其特征在于:使用如权利要求1至13中任一项所述的吸盘。
15.如权利要求14所述的承片台，其特征在于，所述吸盘中央设置有若干个第一预留孔，所述的承片台还包括:基座，所述基座中心设置有若干个与所述第一预留孔匹配的第二预留孔，以及与所述吸盘各真空吸附区对应的真空检测器和通断控制阀。
16.一种使用权利要求1所述吸盘的硅片吸附方法，其特征在于，包括:提供真空吸盘，所述真空吸盘的上表面设置有若干个共心的封闭环形真空吸附区域；将硅片放置于所述真空吸盘的上表面；控制所述真空吸盘的上表面由中心向四周或由四周向中心逐个封闭环形真空吸附区吸附硅片。
【文档编号】G03F7/20GK103531511SQ201210230374
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2012年7月4日 优先权日:2012年7月4日
【发明者】王鑫鑫, 杨晓燕 申请人:上海微电子装备有限公司