专利名称：Tft-lcd显示面板及显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种TFT-IXD显示面板结构及显示装置。
技术背景
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,简称 TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射、制造成本相对较低等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。TFT-IXD阵列基板是TFT-IXD的重要部件之一，其结构如图I所示，主要包括作为衬底的基板，形成在基板上的栅电极和栅线10，同时形成公共电极线30，其中， 栅电极可以位于栅线10上，通过栅线信号控制薄膜晶体管I的开关，公共电极线信号为阵列基板提供基准电压。形成在栅电极和栅线10上并覆盖整个基板的栅绝缘层50，在公共电极线30的上方开设有栅绝缘层过孔7，如图2所示。在栅电极上方形成半导体层(未示出)、 掺杂半导体层(未示出)，以及薄膜晶体管I的源电极2和漏电极3，同时形成与栅线10垂直交叉的数据线20，其中，源电极2和数据线20电连接。再用钝化层(未示出)覆盖整个基板，位于漏电极3的上方开设有钝化层过孔4，在钝化层过孔4上方形成像素电极5，其中， 像素电极5形成在栅线10和数据线20限定的像素区域，通过钝化层过孔4与漏电极3电连接。此外，图I所示的阵列基板上还包括位于栅线10上方通过栅绝缘层过孔7与位于该栅线10两侧的公共电极线30电连接的连接电极6，该连接电极6可以是与像素电极5同层制作。
TFT-IXD的显示原理为以薄膜晶体管作为开关对液晶施加驱动电场来控制液晶的旋转，从而控制TFT-LCD的显示过程。其中，驱动电场由像素电极和透明公共电极产生。根据驱动电场的方向将TFT-IXD分为以横向电场作为驱动电场的TFT-IXD (如IPS型 TFT-LCD)、以纵向电场作为驱动电场的TFT-LCD (如TN型TFT-LCD和ITN型TFT-LCD)、以及以多维电场作为驱动电场的TFT-LCD (如ADS型TFT-LCD)。
其中，ADS(或称 AD-SDS, ADvanced Super Dimension Switch,高级超维场转换技术)主要是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够广生旋转，从而提闻了液晶工作效率并增大了透光效率。闻级超维场转换技术可以提闻 TFT-IXD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。
对于以横向电场或多维电场作为驱动电场的TFT-LCD，其透明公共电极和公共电极线均形成在阵列基板上，透明公共电极和公共电极线相连接，共同形成公共电极阻抗网络。
从现有技术中的TFT阵列基板结构可以看出，用于电连接位于栅线10两侧的公共电极线30的连接电极6与栅线10之间有很大的交叠，扩展到整个阵列基板就会有 1920*1080 (以1920*1080像素的显示屏为例，还可以是其他像素值)个像素的交叠，这对公共电压信号以及栅线信号都会产生很大的干扰，影响公共电压的均一分布。并且连接电极6与数据线20距离也很近，且它们之间只有一层钝化层，存在侧向电容，也会对公共电压信号以及数据线信号产生干扰。发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明提供一种TFT-IXD显示面板结构及显示装置，用以减少阵列基板上公共电极线与栅线之间以及公共电极线与数据线之间存在信号干扰，提高显示装置的显示质量。
(二)技术方案
为了解决上述技术问题，本发明提供一种TFT-IXD显示面板，包括相对设置成盒的阵列基板和彩膜基板，及设置在所述阵列基板和彩膜基板之间的柱状隔垫物，其中，位于同一栅线两侧的公共电极线通过至少一个连接电极进行电连接；所述连接电极设在所述彩膜基板上并覆盖位于所述栅线两侧的两个柱状隔垫物，位于所述柱状隔垫物底端处的所述连接电极与所述阵列基板上的公共电极线电连接。
如上所述的TFT-IXD显示面板，优选的是，所述TFT-IXD显示面板结构的透明公共电极形成在所述彩膜基板上；且所述连接电极与所述透明公共电极电连接。
如上所述的TFT-LCD显示面板，优选的是，所述连接电极与所述透明公共电极同层制作。
如上所述的TFT-IXD显示面板,优选的是,所述TFT-IXD显示面板的透明公共电极形成在所述阵列基板上。
如上所述的TFT-LCD显示面板结构，优选的是，所述连接电极为覆盖所述栅线两侧的两个柱状隔垫物的透明导电金属层。
如上所述的TFT-IXD显示面板结构，优选的是，所述透明导电金属层采用透明金属氧化物。
本发明还提供一种TFT-IXD显示装置，采用如上所述的TFT-IXD显示面板。
(三)有益效果
本发明所提供的TFT-IXD显示面板及显示装置，该显示面板上位于同一栅线两侧的相邻两像素区域中的公共电极线通过至少一个连接电极进行电连接，该连接电极设在彩膜基板上并覆盖位于该栅线两侧的两个柱状隔垫物，且位于柱状隔垫物底端处的连接电极与阵列基板上的公共电极线电连接，从而在彩膜基板上实现同一栅线两侧公共电极线的电连接，大大增加了公共电极线与栅线和数据线的距离，减少了公共电极线与栅线之间以及公共电极线与数据线之间的信号干扰，实现阵列基板上公共电压信号的均一分布，也减少了阵列基板上公共电极线的电阻。同时，对于以纵向电场作为驱动电场的TFT-LCD显示面板，由于增加了阵列基板和彩膜基板之间的导通点，实现了彩膜基板上公共电压信号的均一分布，克服了公共电压信号从四周加进去导致信号到达彩膜基板中间的信号延迟。采用上述显示面板可以提高显示装置的显示质量。
图I为现有技术中TFT-IXD显示面板阵列基板的结构示意图2为图I沿A-A方向的剖视图3为本发明实施例中TFT-IXD显示面板阵列基板的结构示意图4为本发明实施例中TFT-IXD显示面板沿图3中A-A方向的剖视其中，I :薄膜晶体管；2 :源电极；3 :漏电极；4 :钝化层过孔；5 :像素电极；6、40 连接电极；7 :栅绝缘层过孔；8 :柱状隔垫物；10 :栅线；20 :数据线；30 :公共电极线；50 :栅绝缘层；60 :透明公共电极；100 :阵列基板；101 :彩膜基板。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式
作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
实施例一
图3所示为本发明实施例中TFT-LCD显示面板阵列基板的结构示意图。如图3所示，本发明实施例中的TFT-LCD显示面板阵列基板100包括形成在阵列基板100上的栅线 10、数据线20、像素电极5和薄膜晶体管1，交叉设置的栅线10、数据线20限定了像素区域， 像素电极5形成在像素区域内。薄膜晶体管I包括与栅线10连接的栅电极、与数据线20 连接的源电极2和通过钝化层过孔4与像素电极5连接的漏电极3。阵列基板100上还包括公共电极线30，为基板提供基准电压。本实施例中阵列基板100上位于同一栅线10两侧的公共电极线30通过至少一个连接电极40进行电连接，其中，结合图4所示，连接电极 40设在彩膜基板101上并覆盖位于该栅线10两侧的两个柱状隔垫物8，位于柱状隔垫物8 底端处的连接电极40与阵列基板100上的公共电极线30电连接，从而在彩膜基板101上实现同一栅线10两侧公共电极线30的电连接，大大增加了公共电极线30与栅线10和数据线20的距离，减少了公共电极线30与栅线10之间以及公共电极线30与数据线20之间的信号干扰；同时由于公共电极线30与透明公共电极60直接搭接，利用连接电极40将相邻行的公共电极线30进行串接后，可以进一步实现阵列基板100上公共电压信号的均一分布，也减少了阵列基板100上公共电极线30的电阻。
如图4所示，对于以纵向电场作为驱动电场的TFT-IXD显示面板，其透明公共电极 (图中未示出)形成在彩膜基板101上，则在彩膜基板101上形成有透明导电金属层；柱状隔垫物8作为阵列基板100和彩膜基板101之间的导通点，其上也形成有透明导电金属层，在实际制作工艺中，只需将柱状隔垫物8设置在同一栅线10两侧公共电极线30的栅绝缘层过孔7上，就可以在彩膜基板101上实现同一栅线10两侧公共电极线30的电连接。其中， 连接电极40与透明公共电极电连接，两者可以同层制作。同时，由于增加了阵列基板100和彩膜基板101之间的导通点，相对于现有技术中从彩膜基板101四周加入公共电压信号，实现了彩膜基板101上公共电压信号的均一分布，克服了公共电压信号到达彩膜基板101中间的信号延迟。
同时，对于以纵向电场作为驱动电场的TFT-LCD显示面板，由于增加了阵列基板 100和彩膜基板101之间的导通点(即柱状隔垫物8的个数)，实现了彩膜基板101上公共电压信号的均一分布，克服了公共电压信号从四周加进去导致信号到达彩膜基板101中间的信号延迟，提高显示质量。
而对于以横向电场或多维电场作为驱动电场的TFT-LCD显示面板，由于其透明公共电极60 (如图4所示)和公共电极线30均形成在阵列基板100上，在实际制作工艺中，为了在彩膜基板101上实现同一栅线10两侧公共电极线30的电连接，需要采用等离子体增强化学气相沉积、涂敷、溅射等方法在彩膜基板101相对阵列基板100侧的表面上形成透明导电金属层，该透明导电金属层也覆盖位于该栅线10两侧的两个柱状隔垫物8，以形成连接电极40，从而在彩膜基板101上实现同一栅线10两侧公共电极线30的电连接。其中，本实施例中的连接电极40可以为覆盖整个彩膜基板101和栅线10两侧的两个柱状隔垫物8 的透明导电金属层，也可以为形成在栅线10两侧公共电极线30之间的区域相对应的表面区域上并覆盖栅线10两侧的柱状隔垫物8的透明导电金属层。
其中，透明导电金属层采用氧化铟锡或氧化铟锌等透明金属氧化物，不影响显示面板的透光性。
实施例二
本发明还提供一种TFT-IXD显示装置，该TFT-IXD显示装置采用实施例一中的 TFT-IXD显示面板结构,提高了显示质量。
由以上实施例可以看出，本发明所提供的TFT-IXD显示面板及显示装置，该显示面板上位于同一栅线两侧的公共电极线通过至少一个连接电极进行电连接，该连接电极设在彩膜基板上并覆盖位于该栅线两侧的两个柱状隔垫物，且位于柱状隔垫物底端处的连接电极与阵列基板上的公共电极线电连接，从而在彩膜基板上实现同一栅线两侧公共电极线的电连接，大大增加了公共电极线与栅线和数据线的距离，减少了公共电极线与栅线之间以及公共电极线与数据线之间的信号干扰，实现阵列基板上公共电压信号的均一分布，也减少了阵列基板上公共电极线的电阻。同时，对于以纵向电场作为驱动电场的TFT-LCD显示面板，由于增加了阵列基板和彩膜基板之间的导通点，实现了彩膜基板上公共电压信号的均一分布，克服了公共电压信号从四周加进去导致信号到达彩膜基板中间的信号延迟。 采用上述显示面板可以提高显示装置的显示质量。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。
权利要求
1.一种TFT-LCD显示面板，包括相对设置成盒的阵列基板和彩膜基板，及设置在所述阵列基板和彩膜基板之间的柱状隔垫物，其特征在于，位于同一栅线两侧的公共电极线通过至少一个连接电极进行电连接；所述连接电极设在所述彩膜基板上并覆盖位于所述栅线两侧的两个柱状隔垫物，位于所述柱状隔垫物底端处的所述连接电极与所述阵列基板上的公共电极线电连接。
2.根据权利要求I所述的TFT-IXD显示面板，其特征在于，所述TFT-IXD显示面板的透明公共电极形成在所述彩膜基板上；且所述连接电极与所述透明公共电极电连接。
3.根据权利要求2所述的TFT-IXD显示面板，其特征在于，所述连接电极与所述透明公共电极同层制作。
4.根据权利要求I所述的TFT-IXD显示面板，其特征在于，所述TFT-IXD显示面板的透明公共电极形成在所述阵列基板上。
5.根据权利要求4所述的TFT-LCD显示面板，其特征在于，所述连接电极为覆盖所述栅线两侧的两个柱状隔垫物的透明导电金属层。
6.根据权利要求I至5中任一项所述的TFT-IXD显示面板，其特征在于，所述透明导电金属层采用透明金属氧化物。
7.一种TFT-IXD显示装置，其特征在于，采用权利要求1-6任一所述的TFT-IXD显示面板。
全文摘要
本发明属于显示技术领域，公开了一种TFT-LCD显示面板及显示装置，该显示面板上位于同一栅线两侧的公共电极线通过至少一个连接电极进行电连接，该连接电极设在彩膜基板上并覆盖位于该栅线两侧的两个柱状隔垫物，且位于柱状隔垫物底端处的连接电极与阵列基板上的公共电极线电连接，从而在彩膜基板上实现同一栅线两侧公共电极线的电连接，大大增加了公共电极线与栅线和数据线的距离，减少了公共电极线与栅线以及公共电极线与数据线之间的信号干扰，实现阵列基板上公共电压信号的均一分布，也减少了阵列基板上公共电极线的电阻，提高了显示装置的显示质量。
文档编号G02F1/1362GK102981337SQ20121052619
公开日2013年3月20日 申请日期2012年12月7日 优先权日2012年12月7日
发明者马禹 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司