偏振分离元件的制作方法与工艺

文档序号:12557229阅读:来源:国知局
偏振分离元件的制作方法与工艺

技术特征:
1.一种紫外线偏振分离元件,包括:基底;和凹凸结构,该凹凸结构在所述基底上形成并包括含有硅的凸部和存在介电材料的凹部,以及具有通过下面等式1计算的从0.74至10的a和从0.5至10的b,并且其中所述凸部具有50nm至150nm的间距,50nm至80nm的宽度和200nm至280nm的高度,其中所述凸部的宽度W与所述凸部的间距P的比W/P在0.4到0.7的范围内,其中,由下面等式3计算的所述紫外线偏振分离元件的偏振度D在0.9至0.98的范围内,并且其中,由下面等式4计算的所述紫外线偏振分离元件的消光比R在100至2000的范围内:[等式1](a+bi)2=n12x(1-W/P)+n22xW/P其中,在等式1中,i表示虚数单位,n1表示介电材料对波长为300nm的光的折射率,n2表示凸部对波长为300nm的光的折射率,W表示凸部的宽度,P表示凸部的间距,[等式3]D=(Tc-Tp)/(Tc+Tp),[等式4]R=Tc/Tp其中,在等式3和4中,Tc表示在垂直于凸部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于偏振分离元件的透过率,Tp表示在平行于凸部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于偏振分离元件的透过率。2.一种紫外线偏振分离元件,包括:基底;和凹凸结构,该凹凸结构在所述基底上形成并包括含有硅的凸部和存在介电材料的凹部,以及具有通过下面等式2计算的从1.3至10的c和从0.013至0.1的d,并且其中所述凸部具有50nm至150nm的间距,50nm至80nm的宽度和200nm至280nm的高度,其中所述凸部的宽度W与所述凸部的间距P的比W/P在0.4到0.7的范围内,其中,由下面等式3计算的所述紫外线偏振分离元件的偏振度D在0.9至0.98的范围内,并且其中,由下面等式4计算的所述紫外线偏振分离元件的消光比R在100至2000的范围内:[等式2](c+di)2=n12xn22/((1-W/P)xn22+Wxn12/P)其中,在等式2中,i表示虚数单位,n1表示介电材料对波长为300nm的光的折射率,n2表示凸部对波长为300nm的光的折射率,W表示凸部的宽度,P表示凸部的间距,[等式3]D=(Tc-Tp)/(Tc+Tp),[等式4]R=Tc/Tp其中,在等式3和4中,Tc表示在垂直于凸部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于偏振分离元件的透过率,Tp表示在平行于凸部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于偏振分离元件的透过率。3.一种紫外线偏振分离元件,包括:基底;和凹凸结构,该凹凸结构在所述基底上形成并包括含有硅的凸部和存在介电材料的凹部,以及具有通过下面等式1计算的从0.74至10的a和从0.5至10的b,通过下面等式2计算的从1.3至10的c和从0.013至0.1的d,并且其中所述凸部具有50nm至150nm的间距,50nm至80nm的宽度和200nm至280nm的高度,其中所述凸部的宽度W与所述凸部的间距P的比W/P在0.4到0.7的范围内,其中,由下面等式3计算的所述紫外线偏振分离元件的偏振度D在0.9至0.98的范围内,并且其中,由下面等式4计算的所述紫外线偏振分离元件的消光比R在100至2000的范围内:[等式1](a+bi)2=n12x(1-W/P)+n22xW/P[等式2](c+di)2=n12xn22/((1-W/P)xn22+Wxn12/P)其中,在等式1和2中,i表示虚数单位,n1表示介电材料对波长为300nm的光的折射率,n2表示凸部对波长为300nm的光的折射率,W表示凸部的宽度,P表示凸部的间距,[等式3]D=(Tc-Tp)/(Tc+Tp),[等式4]R=Tc/Tp其中,在等式3和4中,Tc表示在垂直于凸部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于偏振分离元件的透过率,Tp表示在平行于凸部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于偏振分离元件的透过率。4.根据权利要求1至3中任一项所述的紫外线偏振分离元件,其中,所述介电材料对波长250nm至350nm的光的折射率在1至3的范围内。5.根据权利要求1至3中任一项所述的紫外线偏振分离元件,其中,所述凸部对波长250nm至350nm的光的折射率在1至10的范围内。6.根据权利要求1至3中任一项所述的紫外线偏振分离元件,其中,所述凸部具有消光系数为0.5至10的光吸收特性。7.根据权利要求1至3中任一项所述的紫外线偏振分离元件,其中,所述凸部用选自硼、碳、氮、铝、磷、镓、锗、砷、铬和镍中的一种或多种掺杂。8.一种制造权利要求1至3中任一项所述的紫外线偏振分离元件的方法,所述方法包括:通过在基底上用硅形成凸部并将介电材料引入由于形成凸部而形成的凹部中来形成凹凸结构。9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述凸部通过在基底上沉积硅来形成。10.一种光照射器件,包括:用于安装照射目标对象的装置;和权利要求1至3中任一项所述的紫外线偏振分离元件。11.根据权利要求10所述的光照射器件,还包括:在所述用于安装照射目标对象的装置和所述偏振分离元件之间的光配向掩模。12.根据权利要求11所述的光照射器件,还包括:被配置以向所述掩模照射线性偏振光的光源。13.一种使用权利要求11所述的光照射器件向照射目标对象照射光的方法,所述方法包括:将所述照射目标对象安装在所述用于安装照射目标对象的装置上;以及经由所述偏振分离元件和所述掩模向所述照射目标对象照射光。14.一种使用权利要求11所述的光照射器件向光配向膜照射线性偏振光的方法,所述方法包括:将所述光配向膜安装在所述用于安装照射目标对象的装置上;以及经由所述偏振分离元件和所述掩模向所述光配向膜照射线性偏振光。
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