电子照相感光构件、处理盒以及电子照相设备的制作方法
【专利摘要】本发明公开了电子照相感光构件、处理盒以及电子照相设备。一种电子照相感光构件，其具有层压体和在层压体上形成的空穴输送层，其中该层压体依次具有支承体、电子输送层和电荷产生层，并且满足以下表达式(2)和(4)：|Vl2-Vl1|≤0.35...(2)0.10≤|(Vd2-Vl3)/Vd2|≤0.20...(4)。
【专利说明】电子照相感光构件、处理盒以及电子照相设备
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种电子照相感光构件、以及具有电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
【背景技术】
[0002]作为用于处理盒和电子照相设备的电子照相感光构件，包含有机光导电性物质的电子照相感光构件是目前主要的流行趋势。电子照相感光构件通常具有支承体和在支承体上形成的感光层。然后，在支承体和感光层之间设置底涂层以便抑制由支承体侧到感光层(电荷产生层)侧的电荷注入并且抑制图像缺陷例如起雾的产生。
[0003]近年来已使用具有更高感光度的电荷产生物质。但是，出现了由于随着电荷产生物质的感光度变得越大，电荷产生量变大，因此电荷易于滞留在感光层中，并且易于产生重影这样的问题。特别地，在印出图像时容易发生其中在之前的旋转时间内仅用光照射的部分浓度变高的所谓正重影的现象。
[0004]公开了抑制(减少)这种重影现象的技术，其中通过在底涂层中引入电子输送物质而使底涂层成为具有电子输送能力的层(下文中也称作电子输送层)。国际专利申请的国际公开2009-505156公开了一种具有芳香族四羰基二酰亚胺骨架和交联部位的缩合聚合物(电子输送物质)，和包含具有交联剂的聚合物。日本专利申请特开2003-330209公开了将具有非水解性可聚合官能团的电子输送物质的聚合物引入底涂层中。日本专利申请特开2005-189764公开了使底涂层的电子迁移率为10_7cm2/V.sec以上以便改进电子输送能力的技术。
[0005]对于电子照相图像品质的要求目前日益提高，且对于正重影的可允许的范围明显变得严格。作为本发明人研究的结果揭示，国际专利申请的国际公开2009-505156和日本专利申请特开2003-330209和2005-189764中公开的抑制(减少)正重影的技术在一些情况中提供了并不充分的正重影的减少，其中仍然存在改进的空间。同时，如果使底涂层为电子输送层，并且在电子输送层具有不充分的均一性的情况中，由于重复使用后带电能力易于降低，因此需要抑制这种带电能力的降低。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于提供一种抑制正重影并且抑制在重复使用之后带电能力降低的电子照相感光构件，以及具有该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
[0007]本发明涉及一种电子照相感光构件，其包括层压体和在层压体上形成的空穴输送层，其中层压体包括支承体、在支承体上形成的具有dl [ μ m]厚度的电子输送层、以及在电子输送层上形成的具有(12[μπι]厚度的电荷产生层，并且其中层压体满足以下表达式(2)和⑷。
[0008]V12-V111 ^ 0.35...(2)
[0009]0.10 ( I (Vd2-V13)/Vd2 | ( 0.20...(4)[0010]在表达式(2)和(4)中，
[0011]Vll表示当使所述电荷产生层的表面带电以致该表面具有由以下表达式(I)表示的Vdl[V]电位，用光照射具有Vdl电位的该电荷产生层的表面，随后在该照射后间隔0.18秒时的所述电荷产生层的表面电位:
[0012]Vdl=-50X (dl+d2) (I),
[0013]其中调整所述光的强度以致当照射所述电荷产生层、随后在该照射后间隔0.20秒时的所述表面电位相对于Vdl [V]衰减20% ；
[0014]V12表示当使所述电荷产生层的表面带电以致该表面的电位为Vdl [V]，用光照射具有Vdl电位的该电荷产生层的表面，随后在该照射后间隔0.22秒时的所述电荷产生层的表面电位；和
[0015]V13表示当使所述电荷产生层的表面带电以致该表面具有由以下表达式(3)表示的Vd2[V]电位，用光照射具有Vd2电位的该电荷产生层的表面，随后在该照射后间隔0.20秒时的所述电荷产生层的表面电位:
[0016]Vd2=-30X (dl+d2) (3)。
[0017]本发明还涉及处理盒，该处理盒包括以上电子照相感光构件和一体化地支承于处理盒中的选自由充电单元、显影单元、转印单元和清洁单元组成的组的至少一种单元，其中该处理盒可拆卸地安装在电子照相设备的主体上。
[0018]本发明还涉及包括以上电子照相感光构件、充电单元、光照射单元、显影单元和转印单元的电子照相设备。
[0019]本发明可以提供一种抑制正重影并且抑制在重复使用之后带电能力降低的电子照相感光构件，以及具有这种电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
[0020]参考附图，从以下示例性实施方案的描述中，本发明进一步的特征将变得明显。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]图1是说明进行根据本发明的判定方法的测定设备的轮廓构造的一个实例的图。
[0022]图2是说明进行根据本发明的判定方法的测定设备的轮廓构造的另一个实例的图。
[0023]图3A是描述Vdl、Vll和V12的示意图。
[0024]图3B是描述描述Vd2和V13的示意图。
[0025]图4A和图4B是说明其中不能通过根据本发明的判定方法设定带电的比较例的图。
[0026]图5是描述常规测量方法的示意图。
[0027]图6是说明具有含电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的轮廓构造的图。
[0028]图7A是描述用于重影图像评价中的重影评价用图像的图。
[0029]图7B是描述单点桂马(与国际象棋中的马的移动类似)图案图像的图。
[0030]图8是说明根据本发明的电子照相感光构件的层构造的一个实例的图。
【具体实施方式】
[0031]现在将根据附图详细描述本发明优选的实施方案。[0032]首先，将描述判定电子照相感光构件是否满足本发明以上表达式⑴到⑷的判定方法(下文中还称作“根据本发明的判定方法”)。
[0033]当进行根据本发明的判定方法时，温度和湿度条件可以是在使用具有电子照相感光构件的电子照相设备的环境下，并且可以是常温常湿(23° C±3° C，50%±2%RH)的环境。
[0034]测量方法包括使用具有支承体、在支承体上形成的电子输送层和在电子输送层上形成的电荷产生层的层压体(下文中还称作“判定用电子照相感光构件”)的测量。
[0035]此时，将空穴输送层从具有层压体和在层压体上形成的空穴输送层的电子照相感光构件上剥离下来，并且层压体可以用作测定目标。剥离空穴输送层的方法包括其中将电子照相感光构件浸溃在溶解空穴输送层并且难以溶解电子输送层和电荷产生层的溶剂中的方法，以及其中研磨空穴输送层的方法。
[0036]作为溶解空穴输送层且难以溶解电子输送层和电荷产生层的溶剂，可以使用用于空穴输送层用涂布液的溶剂。溶剂的种类将在后面描述。将电子照相感光构件浸溃在空穴输送层用溶剂中以使其溶解在溶剂中，并且之后干燥，由此获得判定用电子照相感光构件。例如，通过经FTIR测量方法中的ATR方法(全反射法)不能观察到空穴输送层的树脂组分，可以证实可以将空穴输送层剥离。
[0037]研磨空穴输送层的方法包括，例如，使用由Canon Inc.制造的鼓式研磨机和使用研磨带(C2000,Fujifilm Corp.制)。此时,在连续地测量空穴输送层的厚度，以至于不会由于过度地研磨空穴输送层而研磨到电荷产生层同时观察电子照相感光构件的表面，在空穴输送层全部消失时可以进行测量。通过上述方法证实在研磨进行到电荷产生层之后电荷产生层的厚度剩余0.1Oym以上的情况给出与研磨不进行到电荷产生层的情况几乎相同的值。因此，即使并不仅仅是空穴输送层，还有电荷产生层都受到研磨，在其中电荷产生层的厚度为0.10 μ m以上的情况中，仍然可以使用以上提及的判定方法。
[0038]图1说明了进行根据本发明的判定方法的测定设备的轮廓构造的一个实例。
[0039]图1中，附图标记101表示判定用电子照相感光构件(圆柱形层压体)，且附图标记102表不充电设备的电晕充电器。附图标记103表不用于使脉冲激光(图像光照射振荡设备)振荡的设备；附图标记103L表示脉冲光(图像照射光)；附图标记104P表示传递脉冲光103L的透明探针；且附图标记104表示用于从透明探针测量层压体的电荷产生层的表面电位的静电计。将判定用电子照相感光构件101沿箭头方向旋转驱动，并且停止在透明探针104P的位置。判定用电子照相感光构件101的表面电位通过从停止时间点的静电计104和透明探针104P测量。这之后，判定用电子照相感光构件101用由设备103振荡以使脉冲激光振荡并且已穿过透明探针104P的脉冲光103L照射，并且然后测量表面电位随时间的变化。
[0040]图2说明了进行根据本发明的判定方法的测定设备的轮廓构造的另一个实例。附图标记201表示判定用电子照相感光构件(片状层压体)；附图标记202表示充电设备的电晕充电器；附图标记203表示使脉冲激光(图像-光照射振荡设备)振荡的设备；附图标记203L表示脉冲光(图像照射光)；附图标记204P表示传递脉冲光203L的透明探针；且附图标记204表示由透明探针测量层压体的电荷产生层的表面电位的静电计。判定用电子照相感光构件201沿箭头方向驱动，并且停止在透明探针204P的位置。判定用电子照相感光构件201的表面电位通过从停止时间点的静电计204和透明探针204P测量。这之后，判定用电子照相感光构件201用由设备203振荡以使脉冲激光振荡的并且已穿过透明探针204P的脉冲光203L照射，然后测量表面电位随时间的变化。
[0041]调整电晕充电器102(202)的位置、光照射的位置以及判定用电子照相感光构件的移动速率使得电晕充电器的充电和脉冲光103L(203L)光照射(也称作曝光)之间的时间变为1.00秒。作为电晕充电器102(202)，可以使用具有给出恒定电位性质的高压舱(scorotron)充电器。作为脉冲光103L(203L)，可以使用780nm波长和10微秒脉冲宽度的激光脉冲光，并且光量的调节可以使用ND滤波器进行。
[0042]将描述以上表达式(I)到⑷。
[0043]图3A是描述上述表达式(I)和⑵的Vdl、Vll和V12的图，且图3B是描述上述表达式⑶和⑷的Vd2和V13的图。
[0044]判定电子照相感光构件是否满足以上表达式(I)到(4)之前测定如下所述的充电条件Cl和C2以及光量E。
[0045]〈充电条件Cl〉
[0046]作为判定用电子照相感光构件(层压体的电荷产生层)的表面带电的结果，调整外加到电晕充电器上的栅极电压的值和放电线路的电流值，使得通过电晕充电器带电之后
1.00秒时的电荷产生层的表面电位变为由以下表达式⑴表不的Vdl (V)。将栅极电压的值和放电线路的电流值取为充电条件Cl。
[0047]Vdl=-50 X (dl+d2)…(I)
[0048]〈充电条件C2>
[0049]作为判定用电子照相感光构件的表面带电的结果，调整外加在电晕充电器上的栅极电压的值和放电线路的电流值，使得通过电晕充电器充电之后1.00秒时的电荷产生层的表面电位变为由以下表达式⑶表不的Vd2(V)。
[0050]Vd2=-30 X (dl+d2)…(3)
[0051]〈光量E>
[0052]在充电条件Cl下使判定用电子照相感光构件的表面带电，以使其表面电位变为由以上表达式(I)表示的Vdl (V)，并且通过ND滤波器调整光量，使得在电荷产生层的表面光照射或曝光之后间隔0.20秒时的表面电位相对于Vdl (V)衰减20%。将该光量取为光量E0
[0053]图3A是说明当判定用电子照相感光构件在以上充电条件Cl下带电，并且在带电之后1.00秒时用上述光量E的光照射时，判定用电子感光构件101的表面电位随时间变化的图。Vll是用光量E光照射后0.18秒间隔时的表面电位，且V12是用光量E光照射后0.22秒间隔时的表面电位。
[0054]图3B是说明当判定用电子照相感光构件在以上充电条件C2下带电，并且在带电之后1.00秒时用上述光量E的光照射时，判定用电子感光构件101的表面电位随时间变化的图。Vl3是在用光量E光照射后0.20秒间隔时的表面电位。
[0055]由此测量 Vl1、Vl2 和 Vl3。
[0056]其中不能设定充电条件Cl和光量E的情况不能满足根据本发明的判定方法。图4A是说明其中不能设定充电条件Cl的实例的图，并且其中不能设定充电条件Cl的实例为作为比较例示出的实线。该实例是其中由于带电能力不足，不能进行以致在带电后1.0O秒的表面电位变为由以上表达式(I)表示的Vdl(V)的带电的实例。
[0057]图4B是说明其中不能设定光量E的实例，并且其中不能设定光量E的实例为作为比较例示出的实线。该实例是其中由于电子迁移能力不足，即使使得光量高，在光照射之后0.20秒间隔时的表面电位相对于Vdl (V)电位不能衰减20%。
[0058]由表达式(I)表示的Vdl (V)是指调整表面电位使得相对于dl厚度的电子输送层和d2厚度的电荷产生层的总体厚度(μ m)的电位变为-50V每单位厚度(μ m)。
[0059]以下表达式(2)中|V12_V11|表示，在注入到电子输送层并在电子输送层中移动的电荷产生层中产生的电子中，不是因为计算刚光照射后的线性衰减的电子迁移率的区域中的电子、而是因为其后对电子迁移率的计算没有贡献的缓慢区域中的电子而导致的表面电位的变化。刚光照射后的线性衰减的区域是与图5中虚线所示的直线重叠的区域，并且电子迁移率通常由刚光照射后的线性衰减的区域来计算。
[0060]V12-V111 (0.35...((2)
[0061]调整具有光量E的光照射后0.20秒间隔时的表面电位以使得相对于Vdl (V)衰减20%，是指使电荷产生层产生的电荷量是恒定的量；并且20%的值是指使得光量为其产生的电荷本身并不干扰电场，并且其还是作为其中从噪声中可以区别地观察到电位变化的衰减量的可满足的值。已作为其中表面电位衰减20%的时间设立的光照射后的0.20秒间隔对应于在假设具有快速处理速度的电子照相设备时从光照射到下一带电的时间，并且为观察到在缓慢区域中电子衰减的时间。作为之后的0.20秒的±0.02秒(0.18秒，0.22秒)之间表面势能变化的量的|V12-V11|的规定为，作为不是刚光照射后的线性衰减的区域，而是通过从噪声区别缓慢区域的电位变化而可以观察到的衰减量的规定。如果如以上表达式
(2)所见，|V12-V11|为0.35以下，则电子在缓慢区域中的移动减少，因此这是指表面电位的变化变小。在光照射后下一带电时间时，电子的移动可以想到地减少。
[0062]由以上表达式(3)所示的Vd2(V)表示调整表面电位使得相对于dl厚度的电子输送层和d2厚度的电荷产生层的总体厚度(μπι)的电位变为-30V每单位厚度(μπι)。
[0063]以下表达式(4)中I (Vd2_V13)/Vd2|说明来自Vd2的衰减速率，其中V13表示在用与其中在光照射后0.20秒间隔时的表面电位相对于Vdl (V)衰减20%的光量相同的光量来光照射后的0.20秒间隔时的表面电位。观察到在其中光照射开始时表面电位从Vdl降低到Vd2的情况中，注入到电子输送层中的电荷产生层中产生的电子比例的变化。调整表面电位使得Vd2(V)变为-30V每单位厚度(μπι)是因为注入到电子输送层中的电荷产生层中产生的电子的效率的差异通过调整光照射开始时表面电位从Vdl降低到Vd2值而容易观察到。该值还因为能够通过区别噪声观察表面电位的衰减。如果I (Vd2-V13)/Vd2|为0.10以上，容易想到的是电荷产生层中产生的电子充分地注入到电子输送层中，并且抑制了在电子输送层内部和电荷产生层与空穴输送层之间的界面处的电子的滞留。由于以与其中在光照射后0.20秒间隔时的表面电位相对Vdl (V)衰减20%的光量相同的光量进行光照射，因此 I (Vd2-V13)/Vd2 的上限为 0.20。
[0064]0.10 (I (Vd2-V13) /Vd2 | (0.20...((4)
[0065]本发明人假定通过满足以上表达式(2)和以上表达式(4)抑制正重影和抑制带电能力降低的原因如下。[0066]也就是说，在依次设置有支承体、电子输送层(底涂层)、在支承体上的电荷产生层和空穴输送层的电子照相感光构件的情况中，认为在照射光(图像照射光)落入的部分中，在电荷产生层中产生的电荷(空穴、电子)中，将空穴注入到空穴输送层，将电子注入到电子输送层并且转移至支承体。但是，如果电荷产生层中产生的电子不能在下一带电之前全部移动到电荷输送层中，那么在下一带电期间仍然会发生电子的移动。电子由此滞留在电子输送层内部和电荷产生层与电子输送层之间的界面处，并且在下一带电时，空穴容易从支承体注入电子输送层和电荷产生层中。这些可令人想到地容易导致正重影的发生。
[0067]对于这些原因，其中在下一带电之前电荷产生层中产生的电子不能充分地移动到电子输送层中的电子照相感光构件不能满足以上表达式(2)。此外，其中在电子输送层内部和电荷产生层与电子输送层之间的界面处发生电子滞留的电子照相感光构件并不能满足以上表达式(4)。假设在满足以上表达式(2)和以上表达式(4) 二者的电子照相感光构件中，由于上述电子在下一带电之前可以充分地移动到电子输送层中并且抑制电子的滞留，因此抑制正重影。
[0068]其中使底涂层(电子输送层)的电子迁移率为10_7cm2/V.sec以上的日本专利申请特开2005-189764的技术的目的在于改进刚光照射后的线性衰减区域。但是，该技术并不能解决产生电荷产生层产生的电子不能在下一带电之前充分地移动至电子输送层中的正重影的原因。也就是说，该技术不能控制缓慢区域中的电子移动。日本专利申请特开2010-145506公开了使空穴输送层和电子输送层(底涂层)的电荷迁移率在特定的范围，但是却如同日本专利申请特开2005-189764 —样，不能解决产生正重影的原因。此外，在这些专利文献中，电子输送层的电子迁移率的测量通过使用其中在电荷产生层上形成电子输送层的构造而进行，这种构造与用于电子照相感光构件中的层构造相反。但是，不能说这种测量并不能充分评价电子照相感光构件的电子输送层中的电子移动。
[0069]例如，在通过将电子输送物质引入到底涂层而制备电子输送层的情况中，当施涂作为上层的电荷产生层和空穴输送层用涂布液以形成电荷产生层和空穴输送层时，在一些情况中电子输送物质会溶出。可以想到的是在这种情况中，即使通过制备与上述相反的层的电子输送层和电荷产生层而测量的电子迁移率，由于在电子照相感光构件中电子输送物质溶出，因此不能充分地评价电子照相感光构件的电子输送层的电子移动。因此，判定方法需要在电荷产生层和空穴输送层在电子输送层上形成之后，使用剥离了空穴输送层的电子输送层和电荷产生层而进行。
[0070]在支承体上依次设置有电子输送层、电荷产生层和空穴输送层的电子照相感光构件的情况中，可以想到在早期阶段中具有低带电能力的电子照相感光构件主要通过将空穴从支承体注入到电子输送层侧和电荷产生层侧而制备。通过因为电荷滞留在底涂层内部和电荷产生层与电子输送层的界面处而更加促进的空穴注入，可以想到地发生重复使用中带电能力的下降。具有低均一性的电子输送层，例如包含作为颜料的电子输送物质的电子输送层或包含分散的金属氧化物颗粒和电子输送物质的电子输送层，在早期阶段具有低的带电能力，并且在许多情况中导致在重复使用时带电能力的的降低。这种具有低带电能力的电子输送层在一些情况中在根据本发明的判定方法中不能充电至Vdl。从这一事实可以想到的是如果电子照相感光构件在空穴输送层剥离之后可以充电至Vdl，则在早期阶段的带电能力是充分的，并且可以抑制在重复使用中带电能力的降低。[0071]电子输送层的厚度dl可以是0.2 μ m以上且0.7 μ m以下。
[0072]在以上表达式⑵中，从更多地减少正重影的角度，可以满足以下表达式(9)。
[0073]V12-V111 ^ 0.28...(9)
[0074]在以上表达式(4)中，更优选满足以下表达式(10)。
[0075]0.10 ( I (Vd2-V13)/Vd2 ( 0.16...(10)
[0076]根据本发明的电子照相感光构件具有层压体和在层压体上形成的空穴输送层。该层压体具有支承体、在支承体上形成的电子输送层以及在电子输送层上形成的电荷产生层。
[0077]图8是说明根据本发明的电子照相感光构件的层构造的一个实例的图。图8中，附图标记21表示支承体；附图标记22表示电子输送层；附图标记24表示电荷产生层；且附图标记25表不空穴输送层。
[0078]作为通常的电子照相感光构件，广泛地使用其中在圆筒状支承体上形成感光层(电荷产生层，空穴输送层)的圆筒状电子照相感光构件，但是也可以使用其他形状的构件，例如带状或片状构件。
[0079]电子输送层
[0080]之后将描述电子 输送层的构造。
[0081 ] 电子输送层可以包含电子输送物质或电子输送物质的聚合物。电子输送层可以进一步包含通过将具有可聚合官能团的电子输送物质、具有可聚合官能团的热塑性树脂和交联剂的组合物聚合获得的聚合物。
[0082]电子输送物质
[0083]电子输送物质的实例包括醌化合物、酰亚胺化合物、苯并咪唑化合物和亚环戊二烯基化合物。
[0084]电子输送物质可以是具有可聚合官能团的电子输送物质。可聚合官能团包括羟基、硫醇基、氣基、竣基和甲氧基。
[0085]下文中显示了电子输送物质的具体实例。电子输送物质包括由下式(Al)至(A9)之一表不的化合物。
[0086]
【权利要求】
1.一种电子照相感光构件，其包括:层压体，和在所述层压体上形成的空穴输送层，其中所述层压体包括:支承体，在所述支承体上形成的具有dl[ μ m]厚度的电子输送层，和在所述电子输送层上形成的具有d2[ μ m]厚度的电荷产生层，并且其中，所述层压体满足以下表达式⑵和⑷: V12-V111 ^ 0.35 (2)，和
0.10 ( I (Vd2-V13)/Vd2 ( 0.20 (4) 其中，在所述表达式(2)和(4)中， Vll表示当使所述电荷产生层的表面带电以致所述表面具有由以下表达式(I)表示的Vdl [V]电位，用光照射具有Vdl电位的该电荷产生层的表面，随后在所述照射后间隔0.18秒时的所述电荷产生层的表面电位: Vdl=-50X (dl+d2) (I), 其中调整所述光的强度以致当照射所述电荷产生层、随后在该照射后间隔0.20秒时的所述表面电位相对于Vdl [V]衰减20% ； V12表示当使所述电荷产生层的表面带电以致所述表面的电位为Vdl [V]，用光照射具有Vdl电位的该电荷产生层的表面，随后在所述照射后间隔0.22秒时的所述电荷产生层的表面电位；和 V13表示当使所述电荷产生层的表面带电以致所述表面具有由以下表达式(3)表示的Vd2[V]电位，用光照射具有 Vd2电位的该电荷产生层的表面，随后在该照射后间隔0.20秒时的所述电荷产生层的表面电位: Vd2=-30X (dl+d2) (3)。
2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述电子输送层具有0.2 μ m以上且0.7 μ m以下的厚度dl。
3.根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件，其中所述表达式(2)中，IV12-V11满足以下表达式(9):
V12-V11 ( 0.28...(9)。
4.根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件，其中在所述表达式(4)中，(Vd2-V13)/Vd2满足以下表达式(10):
0.10 ( I(Vd2-V13)/Vd2| ( 0.16...(10)。
5.根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件，其中所述电子输送层包括通过将包含具有可聚合官能团的电子输送物质、具有可聚合官能团的热塑性树脂和交联剂的组合物聚合获得的聚合物。
6.根据权利要求5所述的电子照相感光构件，其中所述交联剂具有3至6个的异氰酸酯基团、封端异氰酸酯基团或由-CH2-OR1表示的单价基团，R1表示烷基。
7.根据权利要求5或6所述的电子照相感光构件，其中所述具有可聚合官能团的电子输送物质具有相对于所述组合物的总重量为30质量％以上且70质量％以下的含量。
8.根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件，其中所述电荷产生层包括选自由酞菁颜料和偶氮颜料组成的组的至少一种电荷产生物质。
9.根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件，其中所述空穴输送层包括选自由三芳基胺化合物、联苯胺化合物和苯乙烯基化合物组成的组的至少一种电荷输送物质。
10.一种处理盒，其包括一体化地支承于所述处理盒中的根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件和选自由充电单元、显影单元、转印单元和清洁单元组成的组的至少一种单元，其中所述处理盒可拆卸地安装至电子照相设备的主体。
11.一种电子照相设备，其包括根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件、充电单元、光照射单元、显影单元和转印单元`。
【文档编号】G03G21/18GK103529663SQ201310269987
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年6月28日 优先权日:2012年6月29日
【发明者】关谷道代, 关户邦彦, 奥田笃, 友野宽之, 中村延博, 伊藤阳太, 加来贤一, 石塚由香 申请人:佳能株式会社