阵列基板及液晶显示面板的制作方法
【专利摘要】本发明公开一种阵列基板及液晶显示面板。该阵列基板包括扫描线、数据线、薄膜晶体管、公共电极线、像素电极及公共电极。该数据线与该扫描线交叉排列，任意两条相邻的扫描线与任意两条相邻的数据线界定出一像素区域。该薄膜晶体管包括与扫描线相连的栅极、与数据线相连的源极以及漏极。该公共电极线平行扫描线设置，该公共电极线邻近该漏极且与漏极位于扫描线的同一侧，且至少部分漏极与公共电极线为层叠设置。该像素电极对应该像素区域设置并与漏极电连接。该公共电极与像素电极配合产生水平电场。
【专利说明】阵列基板及液晶显不面板
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种阵列基板及液晶显示面板。
【背景技术】
[0002] 作为液晶显示面板的显示方式，以往扭曲向列（Twisted Nematic,TN)方式一直被 广泛使用，但是该方式在显示原理上，对视场角存在限制。
[0003] 作为解决该问题的方法，横向电场方式已为众所周知，例如平面内开关（In Plane Switching, IPS)方式和边缘场开关（Fringe Field Switching,FFS)方式。该横向电场方 式是在液晶显示面板的阵列基板上形成像素电极和公共电极，对该像素电极和该公共电极 之间施加电压，使之产生与该阵列基板大致平行的电场，在与该阵列基板基本平行的平面 内驱动液晶分子。
[0004] 现有技术的一种横向电场方式的液晶显示面板的阵列基板，包括透明基底，透明 基底上设置有栅极线、与栅极线交叉排列的源极线、平行栅极线设置的公共电极线、薄膜晶 体管以及形成平行电场的公共电极以及像素电极。公共电极与公共电极线电连接，像素电 极与薄膜晶体管的漏极电连接。薄膜晶体管与公共电极线分别位于栅极线的两侧。则分别 位于栅极线两侧的薄膜晶体管及公共电极线均需占据像素区域的空间，并需要通过黑矩阵 进行遮蔽，如此，导致液晶显示面板开口率下降，影响液晶面板的显示效果。
【发明内容】
[0005] 为解决现有技术中的液晶显示面板开口率低的问题，有必要提供一种能有效提高 开口率的阵列基板。
[0006] 还有必要提供一种采用上述阵列基板的液晶显示面板。
[0007] -种阵列基板，其包括扫描线、数据线、薄膜晶体管、公共电极线、像素电极及公共 电极。该数据线与该扫描线交叉排列，任意两条相邻的扫描线与任意两条相邻的数据线界 定出一像素区域。该薄膜晶体管包括与扫描线相连的栅极、与数据线相连的源极以及漏极。 该公共电极线平行扫描线设置，该公共电极线邻近该漏极且与漏极位于扫描线的同一侧， 且至少部分漏极与公共电极线为层叠设置。该像素电极对应该像素区域设置并与漏极电连 接。该公共电极与像素电极配合产生水平电场。
[0008] -种液晶显示面板包括彩色滤光片基板、对应彩色滤光片基板设置的阵列基板以 及夹置在二基板之间的液晶层。该阵列基板包括扫描线、数据线、薄膜晶体管、公共电极线、 像素电极及公共电极。该数据线与该扫描线交叉排列，任意两条相邻的扫描线与任意两条 相邻的数据线界定出一像素区域。该薄膜晶体管包括与扫描线相连的栅极、与数据线相连 的源极以及漏极。该公共电极线平行扫描线设置，该公共电极线邻近该漏极且与漏极位于 扫描线的同一侧，且至少部分漏极与公共电极线为层叠设置。该像素电极对应该像素区域 设置并与漏极电连接。该公共电极与像素电极配合产生水平电场。
[0009] 由于至少部分漏极与公共电极线为层叠设置，则遮蔽薄膜晶体管的黑矩阵同时可 遮蔽与漏极层叠设置的部分公共电极线，因此，可减少遮蔽公共电极线的黑矩阵的面积，从 而提商液晶显不面板的开口率。
【专利附图】
【附图说明】
[0010] 图1是本发明液晶显示面板的示意图。
[0011] 图2是图1所示的液晶显示面板的阵列基板的平面示意图。
[0012] 图3是沿图2的III-III线的剖面示意图。
[0013] 图4是沿图2的IV-IV线的剖面示意图。
[0014] 主要元件符号说明
【权利要求】
1. 一种阵列基板，其包括： 栅极线； 源极线，该源极线与该栅极线交叉排列，任意两条相邻的栅极线与任意两条相邻的源 极线界定出一像素区域； 薄膜晶体管，包括与栅极线相连的栅极、与源极线相连的源极、以及漏极； 公共电极线，平行扫描线设置，该公共电极线邻近该漏极且与漏极位于扫描线的同一 侦牝且至少部分漏极与公共电极线为层叠设置； 像素电极，对应该像素区域设置并与漏极电连接； 公共电极，该公共电极与像素电极配合产生水平电场。
2. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：该公共电极线的线宽小于该扫描线的 线宽。
3. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：该阵列基板包括透明基底、第一线路 层、半导体层及第二线路层，该第一线路层包括该栅极线及与该栅极线平行设置的该公共 电极线，该第二线路层包括该源极线、该源极及该漏极，该漏极与该源极分别位于该半导体 层的两侧并彼此分离，且部分漏极和部分源极分别与该半导体层重叠，该栅极、该源极、该 漏极及该半导体层定义为薄膜晶体管，该源极线与该栅极线交叉排列，任意两条相邻的栅 极线与任意两条相邻的源极线界定出一像素区域，该薄膜晶体管位于该栅极线与该源极线 相交的角落。
4. 如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于：该第一线路层设置在该透明基底邻近 该液晶层一侧的表面上，该第二线路层与第一线路层通过绝缘层绝缘设置，该半导体层设 置在该绝缘层与该第二线路层之间。
5. 如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于：该像素电极对应该像素区域设置，设置 于该绝缘层邻近该液晶层的一侧的表面上。
6. 如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于：一钝化层覆盖于该绝缘层、该半导体 层、该像素电极、该第二线路层邻近该液晶层一侧的表面上，该公共电极覆盖于该钝化层邻 近该液晶层一侧的表面上。
7. 如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于：该公共电极是一整面透明电极，该公共 电极对应该像素电极的位置设置有多个间隔设置的狭缝。
8. 如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于：该公共电极对应薄膜晶体管的部分设 置开口。
9. 如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于：该公共电极与该像素电极是透明电极。
10. 如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于：该公共电极与该像素电极的材质为氧 化铟锡。
11. 一种液晶显示面板，其包括彩色滤光片基板、对应彩色滤光片基板设置的阵列基板 以及夹置在二基板之间的液晶层，其特征在于：该阵列基板采用权利要求1-10中任意一项 权利要求所述的阵列基板。
【文档编号】G02F1/1368GK104122717SQ201310416121
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2013年9月13日 优先权日:2013年9月13日
【发明者】柳智忠, 王明宗, 郑亦秀, 熊园 申请人:深超光电（深圳）有限公司