光基板、光基板的制造方法以及光模块的制作方法

光基板、光基板的制造方法以及光模块的制作方法
【专利摘要】本发明提供能够实现薄型化的光基板、光基板的制造方法以及光模块。具有：由具有第一主面（2a）及第二主面（2b）的板状的树脂构成，且形成有容纳光纤（9）的光纤容纳部（100、100A）的基材（2）；形成于第一主面（2a）上的第一金属层（10、10A）；以及形成于第二主面（2b）上的第二金属层（20、20A、20B），光纤容纳部（100、100A）是沿基材（2）的厚度方向贯通第一主面（2a）及第二主面（2b）之间、并防止光纤（9）从第一主面（2a）侧及第二主面（2b）侧脱离的空腔结构。
【专利说明】光基板、光基板的制造方法以及光模块
【技术领域】
[0001]本发明涉及容纳光纤的光基板及其制造方法、以及具有光基板的光模块。
【背景技术】
[0002]至今，已知具有保持光纤的槽、且安装光电转换元件的光安装基板(参照专利文献I)。
[0003]专利文献I所述的光安装基板，在以高温加热软化的基板材料上按压具有三角柱状的突起部的模具，从而形成容纳光纤的导向槽。该导向槽的深度比基板材料的厚度还浅。光纤利用固定于光安装基板的表面上的平板玻璃按压在导向槽内进行固定。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2003 - 167175号公报
[0007]另外，随着近年的信息处理装置和通信装置等电子设备中的部件的高密度化，对光安装基板也要求薄型化。该薄型化的要求越来越高，例如要求使基板薄至与光纤的直径相同程度的厚度。
[0008]在专利文献I所述的光安装基板的制造方法中，不能将导向槽的深度设置成与基板材料的厚度相同的程度。另外，光安装基板的厚度变厚与平板玻璃的厚度相当的量。

【发明内容】

[0009]于是，本发明的目的在于，提供能够实现薄型化的光基板、光基板的制造方法、以及光模块。
[0010]本发明以解决上述课题为目的，提供一种光基板，其具有:由具有第一及第二主面的板状的树脂构成，且形成有容纳光纤的光纤容纳部的基材；形成于上述第一主面上的第一金属层；以及形成于上述第二主面上的第二金属层，上述光纤容纳部是沿上述基材的厚度方向贯通上述第一及第二主面之间、并防止上述光纤从上述第一及第二主面侧脱离的空腔结构。
[0011]另外，本发明以解决上述课题为目的，提供一种光基板的制造方法，该光基板具有:由具有第一及第二主面的板状的树脂构成，且形成有容纳光纤的光纤容纳部的基材；形成于上述第一主面上的第一金属层；以及形成于上述第二主面上的第二金属层，该光基板的制造方法包含如下工序:从上述第一金属层侧及上述第二金属层侧照射激光，且利用通过了上述第一金属层及上述第二金属层的上述开口的激光，在上述基材上形成上述光纤容纳部。
[0012]另外，提供一种光模块，其具有:上述光基板；以及转换以上述光纤作为传输介质的光信号与电信号的光电转换元件。
[0013]本发明具有如下有益效果。
[0014]根据本发明的光基板、光基板的制造方法、以及光模块，能够实现薄型化。【专利附图】

【附图说明】
[0015]图1表不本发明的第一实施方式的光基板、以及具有该光基板的光模块的一个结构例，Ca)是主视图，(b)是侧视图。
[0016]图2是表不第一实施方式的光模块的一例的剖视图。
[0017]图3 (a)~(f)是表示光基板的光纤容纳部及其周边部的形成过程的剖视图。
[0018]图4 (a)~(e)是表示从第一主面侧观察光基板的光纤容纳部以及其周边部的形成过程的俯视图。
[0019]图5是表不第二实施方式的光模块的一例的剖视图。
[0020]图6是表示第二实施方式的光模块的一例的立体图。
[0021]图7 (a)~(d)是表示光基板的光纤容纳部及其周边部的形成过程的剖视图。
[0022]图8 (a)~(d)是表示在从第一主面侧观察光基板的光纤容纳部以及其周边部的形成过程的俯视图。
[0023]图9表示第二实施方式的光模块的一例，(a)是在以软钎料固定的状态下的图5的A — A线剖视图，(b)是图5的局部放大图。
[0024]图10表示第二实施方式的变形例的光模块的一例，是在开口的位置中的与光纤容纳部的长度方向正交的剖面的剖视图。
[0025]图中:`[0026]I —光基板，2 —基材，2a —第一主面，2b —第二主面，2c —端面，3 —保护膜(绝缘膜)，5 —软钎料，9 —光纤,9a —端面，10、IOA —第一金属层，10Aa、20Aa —除去部分，11 —第一基底金属层，Ila 一带状的部分，12 一第二基底金属层，13,22 一镀Ni层，14,23 一镀金层，15、24 —开口，20、20A、20B —第二金属层，21 —基底金属层，21A —第一基底金属层，21B —第二基底金属层,30 —第三金属层,41 一光电转换兀件,42 —半导体电路兀件,90 —纤芯，90a —反射面，91 一包层，100、100A —光纤容纳部，IOOa 一反射面，101 —倾斜面，102 一反射层，110 一光电转换元件用配线图案，IlOa 一接地图案，111 一半导体电路元件用配线图案，410 —主体部,411 一端子,412 —光收发部，420 —主体部,421 —端子,422 —接合线，L 一激光，LP —光路，Θ —倾斜角。【具体实施方式】
[0027]第一实施方式
[0028]图1表不本发明的第一实施方式的光基板、以及具有该光基板的光模块的一个结构例，Ca)是主视图，(b)是侧视图。
[0029]该光基板I具有板状的基材2,基材2具有互相相对的第一主面2a及第二主面2b。基材2例如由聚酰亚胺等绝缘性的树脂构成。第一主面2a及第二主面2b相互平行，基材2的厚度例如为70 μ m。图1 (a)表示从第一主面2a侧观察光基板I的状态。
[0030]另外，光基板I具有:形成于基材2的第一主面2a上的导电性的第一金属层10 ；以及形成于第二主面2b上的导电性的第二金属层20。在本实施方式中，第二金属层20设置于第二主面2b的整体上。第一金属层10具有:与后述的光电转换元件41电连接的光电转换元件用配线图案110 ;以及与后述的半导体电路元件42电连接的半导体电路元件用配线图案111。
[0031]另外，在基材2上形成有狭缝状的光纤容纳部100，该光纤容纳部100在第一主面2a及第二主面2b之间沿基材2的厚度方向贯通，并且与第一主面2a及第二主面2b平行地延伸。在光纤容纳部100的一端(末端)上形成有反射以光纤9作为传输介质的光的反射面IOOa0光纤容纳部100的另一端在基材2的端面2c (在第一主面2a与第二主面2b之间的基材2的端部中的侧面)设置开口，光纤9从该开口插入到光纤容纳部100中。
[0032]该光纤容纳部100具有空腔结构，该空腔结构能够防止所容纳的光纤9从第一主面2a侧及第二主面2b侧脱离。另外，光纤容纳部100的第一主面2a侧利用以覆盖第一金属层10的方式形成的薄膜状的作为绝缘膜的保护膜3来覆盖，并且以光纤9不从第一主面2a侧脱离的方式被保持。
[0033]在光基板I的第一主面2a侧，在光电转换元件用配线图案110之上安装有光电转换元件41，在半导体电路元件用配线图案111之上安装有半导体电路元件42。光电转换元件41是将电信号转换为光信号或者将光信号转换为电信号的元件。作为前者的例子，可举例半导体激光元件和LED (Light EmittingDiode、发光二极管)等的发光元件。另外,作为后者的例子，可举例光电二极管等的受光元件。光电转换元件41构成为，从形成于基材2侧的光收发部412 (参照图2)向与基材2垂直的方向射出或者入射光。
[0034]在光电转换元件41为将电信号转换为光信号的元件的情况下，半导体电路元件42为驱动光电转换元件41的驱动器1C。另外，在光电转换元件41为将光信号转换为电信号的元件的情况下，半导体电路元件42为对从光电转换元件41输入的信号进行放大的接收1C。
[0035]在本实施方式中，光电转换元件41进行倒装安装，并且在主体部410设置有四个端子(凸起)411。四个端子411分别与光电转换元件用配线图案110连接。另外，光电转换元件41安装在主体部410与反射面IOOa相对的位置。
[0036]在光电转换元件41为将电信号转换为光信号的元件的情况下，反射面IOOa将从光电转换元件41射出的光向光纤9的端面侧反射。另外，在光电转换元件41为将光信号转换为电信号的元件的情况下，反射面IOOa将从光纤9射出的光向光电转换元件41侧反射。
[0037]半导体电路元件42在主体部420的与半导体电路元件用配线图案111相对的面的相反侧，设有多个(在图1所示的例子中为12个)端子(电极片)421。各个端子421利用接合线422与半导体电路元件用配线图案111电连接。另外，多个端子421中一部分端子421与连接有光电转换元件41的端子411的光电转换元件用配线图案110连接，由此半导体电路元件42与光电转换元件41电连接。
[0038]此外，虽然在图1中省略了图示，但在光基板I上除了光电转换元件41及半导体电路元件42之外,还能够安装连接器和IC (Integrated Circuit)、或者有源元件(晶体管等)和无源元件(电阻器、电容器等)等电子部件。
[0039]图2是表示第一实施方式的光模块的一例的剖视图。该光模块具有光基板I及光电转换元件41，光电转换元件41以从第一主面2a侧覆盖倾斜面101的方式安装于第一主面2a上。
[0040]如图2所不,第一金属层10由具有第一基底金属层11、第二基底金属层12、镀Ni层13、以及镀金层14的四层结构构成。累加第一及第二基底金属层11、12的厚度例如为5?25 μ m，镀Ni层13的厚度例如为15 μ m以下，镀金层14的厚度例如为0.03?0.5 μ m。保护膜3以覆盖镀金层14的表面的方式粘贴。
[0041]在基材2中的形成于光纤容纳部100的末端的倾斜面101上形成有反射层102，反射层102由具有第二基底金属层12、镀Ni层13、以及镀金层14的三层结构的金属构成。SP，反射面IOOa是在倾斜面101上形成反射层102而成。第一金属层10与反射层102，除了在第一金属层10的最下层形成第一基底金属层11之外，具有共同的层结构。另外，第一金属层10及反射层102的最表面都利用金(镀金层14)来镀敷。
[0042]另一方面，第二金属层20由具有基底金属层21、镀Ni层22以及镀金层23的三层结构的金属构成。第一金属层10及反射层102的第二基底金属层12,由于在光纤容纳部100中形成于第二金属层20的基底金属层21之上，因此与反射层102连续而形成的第一金属层10与第二金属层20利用反射层102电连接。
[0043]在本实施方式中，与反射层102连续而形成的光电转换元件用配线图案110的一个配线图案是作为接地电位的接地图案110a(参照图1)，第二金属层20的电位成为接地电位。由此,安装于基材2的第一主面2a侧的电子部件的动作稳定，并且，通过在基材2上形成通孔，容易将安装于第一主面2a侧的省略图示的IC的GND端子与接地电位连接(接地)。
[0044]光纤9的一端部容纳于光纤容纳部100中，其端面9a面向反射面IOOa (反射层102)。光纤9在纤芯90的外周具有筒状的包层91。在图2中，用单点划线表示以光纤9作为传输介质的光的光路LP。
[0045]在从光纤9 (纤芯90)射出光时,反射面IOOa (反射层102)将该射出光向第一主面2a侧反射。在光电转换元件41为受光元件的情况下，用反射面IOOa (反射层102)反射的光从设置于光电转换元件41的主体部410上的光收发部412入射到光电转换元件41内，光电转换元件41将该入射光的光信号转换为电信号。
[0046]另外，在光电转换元件41为发光元件的情况下，光电转换元件41将从半导体电路元件42供给的电信号转换为光信号，从光收发部412射出表示该光信号的光。该射出光被反射面IOOa (反射层102)反射,并且入射到光纤9的纤芯90中，并在光纤9中传输。
[0047]下面，参照图3及图4对光基板I的制造方法进行说明。
[0048]图3 (a)?(f)是表示光基板I的光纤容纳部100及其周边部的形成过程的剖视图。图4 (a)?(e)是表示从第一主面2a侧观察光基板I的光纤容纳部100及其周边部的形成过程的俯视图。
[0049]光基板I的制造工序具有:在基材2的第一主面2a上形成第一基底金属层11，并且在第二主面2b上形成基底金属层21的第一工序；以带状除去第一基底金属层11的一部分的第二工序；在除去了第一基底金属层的部位对第一主面2a倾斜地照射激光L，从而形成光纤容纳部100、以及光纤容纳部100的末端的倾斜面101的第三工序；在倾斜面101及第一主面2a的第一基底金属层11之上形成第二基底金属层12的第四工序；蚀刻第一及第二基底金属层11、12的一部分而在第一主面2a上形成多个光电转换兀件用配线图案110以及半导体电路元件用配线图案111的第五工序；对第一和第二基底金属层11、12、以及第二主面2b侧的基底金属层21施加镍(Ni)及金(Au)的镀敷的第六工序；以及在第一主面2a整体上粘贴保护膜3的第七工序。以下，对第一?第七工序进行进一步详细说明。
[0050]在第一工序中，如图3 (a)及图4 (a)所示，例如通过粘接、蒸镀、或非电解镀，在基材2的第一主面2a的整体上形成第一基底金属层11，在第二主面2b的整体上形成基底金属层21。在本实施方式中,第一基底金属层11及基底金属层21主要由作为良导体的铜(Cu)构成。
[0051]在第二工序中，如图3 (b)及图4 (b)所示，通过蚀刻以带状除去第一基底金属层11的一部分。更具体而言，除了除去第一基底金属层11的带状的部分Ila以外，在第一基底金属层11上形成保护膜，通过蚀刻使未形成保护膜的部分的第一基底金属层11溶解。
[0052]在第三工序中，如图3 (C)所示，在包含用第二工序除去第一基底金属层11的部位的范围对第一主面2a倾斜地照射激光L。作为该激光，更具体而言，例如能够使用激元激光器或UV激光器(紫外线激光器)。通过激光L的照射，如图3 (c)及图4 (c)所示，光纤容纳部100、以及光纤容纳部100的末端的倾斜面101形成于基材2上。该激光L的强度是能够照射削去(照射光并削去)基材2的强度，而且是不照射削去第一基底金属层11及基底金属层21的强度。从而，只在除去了第一基底金属层11的部位形成光纤容纳部100。
[0053]倾斜面101沿着激光L的行进方向形成。换言之，若将倾斜面101相对于第一主面2a的角度设为倾斜角Θ，则以与该倾斜角Θ相对应的角度对第一主面2a照射激光L，从而能够形成所需形状的倾斜面101。倾斜角Θ为钝角(Θ >90° )，在本实施方式中倾斜角Θ为135°。即，倾斜面101与第二主面2b所形成的角度为45°。
[0054]另外，在第二主面2b中的基底金属层21，不通过激光L的照射而除去，而是成为光纤容纳部100的底面。该基底金属层21从第二主面2b侧支撑光纤9 (图1所示)。
[0055]在第四工序中，如图3 (d)所示，在通过第三工序形成于基材2上的倾斜面101、以及形成于第一主面2a上的第一基底金属层11的整体上,形成第二基底金属层12。在本实施方式中，第二基底金属层12主要由铜(Cu)构成，例如通过非电解镀形成于第一基底金属层11及倾斜面101上。另外，第二基底金属层12还形成于光纤容纳部100中的基底金属层21的一方的面(第二主面2b侧的面)。
[0056]在第五工序中，如图4 (d)所示，蚀刻第一及第二金属层11、12的一部分，在第一主面2a上形成多个光电转换元件用配线图案110及半导体电路元件用配线图案111。更具体而言，除了除去第一基底金属层11及第二基底金属层12的部分以外，在第二基底金属层12上形成保护膜，通过蚀刻使未形成保护膜的部分的第一基底金属层11及第二基底金属层12溶解。该保护膜还形成在形成于倾斜面101上的第二基底金属层12上，倾斜面101中的第二基底金属层12不被除去而保留。
[0057]在第六工序中，如图3 (e)所示，在第五工序中未通过蚀刻而除去而是保留的第二基底金属层12及第二主面2b中的基底金属层21之上，施加镀镍(Ni)而形成镀Ni层13、22，并且在镀Ni层13、22之上施加镀金(Au)而形成镀金层14、23。该镀镍及镀金例如能够通过非电解镀而进行。
[0058]在第七工序中，如图3 (f)及图4 (e)所示，以覆盖第一主面2a整体的方式配置薄膜状的保护膜3。S卩，用保护膜3覆盖光纤容纳部100的第一主面2a侧及第一金属层10(光电转换元件用配线图案110、半导体电路元件用配线图案111)的表面及光纤容纳部100的第一主面2a侧。从而，光纤容纳部100成为用保护膜3覆盖第一主面2a侧且用第二金属层20覆盖第二主面2b侧的空腔结构。
[0059]第一实施方式的作用及效果
[0060]根据以上说明的实施方式，能够得到以下所示的作用及效果。[0061](I)光纤容纳部100由于沿厚度方向贯通基材2而形成，因此能够使基材2的厚度与光纤9的直径相等。另外，也不需要例如专利文献I所述的光安装基板那样设置用于固定光纤的部件(平板玻璃)。由此，能够实现光基板I的薄型化。
[0062](2)在本实施方式中，由于不需要另外设置用于防止光纤9从光纤容纳部100脱离的部件，因此能够降低生产成本。
[0063](3)由于光纤容纳部100具有空腔结构，因此光纤9能够在与光基板I平行的方向上进行插拔。从而，不拆卸安装于光基板I上的其他的电子部件等就能够插拔光纤9，容易操作。
[0064](4)由于光纤容纳部100及倾斜面101通过激光L的照射而形成，因此例如不另外设置反射部件，或者不像专利文献I所述的光安装基板那样使用模具，就能够构成反射面IOOa0
[0065]第二实施方式
[0066]下面，参照图5至图9对本发明的第二实施方式进行说明。本实施方式的光基板I的第二工序以后的制造工序与第一实施方式的光基板I的第二工序以后的制造工序不同。在图5至图9中，对具有与关于光基板I进行的说明相同的功能的部位标注共同的附图标记，并省略其重复说明。
[0067]另外，在本实施方式中，代替第一实施方式中的第一金属层10形成第一金属层10A,代替第二金属层20形成第二金属层20A,代替光纤容纳部100形成光纤容纳部100A,代替反射面IOOa形成反射面90a。第一及第二金属层10A、20A中的各个金属层及镀层的材质及层结构等共同。
[0068]图5是表不第二实施方式的光模块的一例的剖视图。图6是表不第二实施方式的光模块的一例的立体图。
[0069]本实施方式的光纤容纳部100A，在第一主面2a上形成多个开口 15，在第二主面2b上形成多个开口 24。多个开口 15及多个开口 24沿着光纤容纳部100A的长度方向交替配置。即，光纤容纳部100A利用形成有使光纤容纳部100A的容纳空间面对外部的多个开口15的第一金属层IOA覆盖第一主面2a侧，利用形成有使光纤容纳部100A的容纳空间面对外部的多个开口 24的第二金属层20A覆盖第二主面2b侦U。
[0070]另外，在基材2上，在光纤容纳部100A的末端未形成倾斜面。取而代之，光纤9的端面9a相对于第一主面2a倾斜，形成反射面90a。在本实施方式中，倾斜角为45°。
[0071]反射面90a使从纤芯90射出的射出光向第一主面2a侧反射，并入射于光电转换兀件41内。另外,使从光电转换兀件41射出的射出光被反射面90a反射,并入射于纤芯90内。
[0072]图7 Ca)?(d)是表不在光基板I的光纤容纳部100A及其周边部的形成过程的剖视图。图8 (a)?(d)是表示在从第一主面侧2a侧观察光基板I的光纤容纳部100A及其周边部的形成过程的俯视图。
[0073]在本实施方式的第一工序中，如图7 (a)及图8 (a)所示，例如通过粘接、蒸镀、或非电解镀，在基材2的第一主面2a的整体上形成第一金属层10A，在第二主面2b的整体上形成第二金属层20A。本实施方式的第一金属层IOA与第一实施方式的第一金属层10的结构不同，由具有基底金属层、镀Ni层及镀金层的三层结构的金属构成。第二金属层20A的层结构也是与第一金属层IOA相同的层结构。
[0074]在第二工序中，如图7 (b)及图8 (b)所示，通过蚀刻，将第一金属层IOA及第二金属层20A的一部分(成为开口 15、24的区域)以四方形状除去多个部位。即，在第一金属层IOA的多个除去部分IOAa露出第一主面2a,在第二金属层20A的多个除去部分20Aa露出第二主面2b。多个除去部分10Aa、20Aa沿着光纤容纳部100A的长度方向隔着预定的间隔交替配置。预定的间隔为基材2的厚度方向的尺寸以上的距离就可以。
[0075]在第三工序中，如图7 (C)及图8 (C)所示，在第一金属层IOA的多个除去部分IOAa中，对第一主面2a垂直照射激光L。由此，形成多个开口 15，并且基材2被照射削去而露出第二金属层20A。
[0076]在第四工序中，如图7 (d)及图8 (d)所示，与第三工序相同，在第二金属层20A的多个除去部分20Aa中，对第二主面2b垂直照射激光L。由此，形成多个开口 24，并且基材2被照射削去而形成光纤容纳部100A。即，在第三及第四工序中，利用通过第一金属层IOA的除去部分IOAa (开口 15)及第二金属层20A的除去部分20Aa (开口 24)的激光L，在基材2上形成光纤容纳部100A。
[0077]此外，在上述实施方式中，也可以利用软钎料5将光纤9固定于光纤容纳部100A上。图9是表示以软钎料5固定光纤9的情况的一例的图，Ca)是在以软钎料5固定的状态下的图5的A — A线剖视图，(b)是图5的局部放大图。
[0078]光纤9沿着光纤容纳部100A的长度方向从与光基板I平行的方向(图6的箭头B)插入。如图9所示，容纳于光纤容纳部100A中的光纤9利用软钎料5固定于光纤容纳部100A内。更具体而言，以堵塞多个开口 15、24的方式，固定于第一金属层IOA及第二金属层20A的最表面(具体而言,镀金层)。
[0079]第二实施方式的作用及效果
[0080]在以上说明的第二实施方式中，除了具有第一实施方式的(I)至(3)的作用及效果之外，还具有以下的作用及效果。
[0081]在本实施方式中，用激光L形成光纤容纳部100A，并且能够用具有多个开口 15的第一金属层IOA覆盖第一主面2a侧，并且用具有多个开口 24的第二金属层20A覆盖第二主面2b侧。从而，在照射激光L的第三及第四工序中，形成光纤容纳部100A的空腔结构，因此有助于缩短工作工序。
[0082]另外，即使在本实施方式中，若光纤9也用软钎料5固定于光纤容纳部100A内，则能够防止光纤9在光纤容纳部100A内的轴向的移动及旋转。由此，能够将反射面90a的位置及角度维持成适当的状态。
[0083]第二实施方式的变形例
[0084]另外，第二实施方式的光基板I例如还能够如下变形而进行。
[0085]图10表示第二实施方式的变形例的光模块的一例，是在开口 15(参照图5)的位置中的与光纤容纳部100A的长度方向正交的剖面的剖视图。在本实施例的光纤容纳部100A的基材2的表面上形成第三金属层30，与第二实施方式的光纤容纳部100A内的结构不同。
[0086]在本变形例中，形成于第一主面2a上的第一金属层10，与第一实施方式相同地，由具有第一基底金属层11、第二基底金属层12、镀Ni层13以及镀金层14的四层结构的金属构成。形成于第二主面2b上的第二金属层20B的层结构，也与第一金属层10相同地，由具有第一基底金属层21A、第二基底金属层21B、镀Ni层22以及镀金层23的四层结构的金属构成。如图10所不，第三金属层30由具有第二基底金属层12、镀Ni层13以及镀金层14的三层结构的金属构成。另外，在开口 24 (参照图5)的位置的剖面中，第三金属层30由具有第二基底金属层21B、镀Ni层22以及镀金层23的三层结构的金属构成。
[0087]在本变形例的第一工序中，例如通过粘接、蒸镀、或非电解镀，只分别形成第一金属层10中的第一基底金属层11及第二金属层20B中的第一基底金属层21A。在第二工序中，通过蚀刻，将第一基底金属层11、21A的一部分分别以四方形状除去多个部位。在第三及第四工序中，与第二实施方式的第三及第四工序相同地，通过对多个除去部分照射激光L，形成光纤容纳部100A。
[0088]在本变形例中，在与第四工序连续的第五工序中，例如通过粘接、蒸镀、或非电解镀，在第一主面IOa及光纤容纳部100A的基材2的表面上分别形成第二基底金属层12、镀Ni层13及镀金层14，并且例如通过粘接、蒸镀、或非电解镀，在第二主面IOb及光纤容纳部100A的基材2的表面上分别形成第二基底金属层21B、镀Ni层22及镀金层23。由此，在光纤容纳部100A的基材2的表面形成第三金属层30。
[0089]另外，在本变形例中，在第六工序中，还将插入到光纤容纳部100A中的光纤9利用软钎料5固定于光纤容纳部100A内。
[0090]根据本变形例的光模块，由于在光纤容纳部100A的基材2的表面形成第三金属层30,因此在将光纤9插入到光纤容纳部100A中时,减轻光纤9与第三金属层30的最表面(镀金层14、24)之间的摩擦，容易插入。
[0091]另外，在将光纤9固定于光纤容纳部100A中时，软钎料5还固定于第三金属层30的最表面(镀金层14、24),能够将光纤9更可靠地固定于光纤容纳部100A内。
[0092]实施方式的总结
[0093]下面，对从以上说明的实施方式掌握的技术思想，引用实施方式中的附图标记等来记载。只是，以下记载中的各附图标记等，并不将权利要求书的结构要素限定于实施方式具体所述的部件等上。
[0094][I]—种光基板1，具有:由具有第一主面2a及第二主面2b的板状的树脂构成,且形成有容纳光纤9的光纤容纳部100、100A的基材2 ;形成于上述第一主面2a上的第一金属层10、IOA ；以及形成于上述第二主面2b上的第二金属层20、20A,上述光纤容纳部100、100A是沿上述基材2的厚度方向贯通上述第一主面2a及第二主面2b之间、并防止上述光纤9从上述第一主面2a侧及第二主面2b侧脱离的空腔结构。
[0095][2] 一种[I]所述的光基板I,上述光纤容纳部100、100A利用上述第二金属层20、20A覆盖上述第二主面2b侧的至少一部分。
[0096][3] 一种[I]或[2]所述的光基板1，上述光纤容纳部100利用以覆盖上述第一金属层10的方式形成的薄膜状的绝缘膜3覆盖上述第一主面2a侧。
[0097][4] 一种[I]或[2]所述的光基板1，上述光纤容纳部100A利用形成有使上述光纤容纳部100A的容纳空间面对外部的多个开口 15的上述第一金属层IOA覆盖上述第一主面2a侧。
[0098][5] 一种[4]所述的光基板1，上述光纤容纳部100A利用形成有使上述光纤容纳部100A的容纳空间面对外部的多个开口 24的上述第二金属层20A覆盖上述第二主面2b侧。
[0099][6] 一种[4]或[5]所述的光基板I，在上述光纤容纳部100A中的上述基材2的
表面上形成有第三金属层30。
[0100][7] 一种[4]至[6]中任何一项所述的光基板1，上述光纤9利用软钎料5固定于上述光纤容纳部100A内。
[0101][8] 一种[I]至[7]中任何一项所述的光基板1，在上述基材2上,对在上述光纤9中传输的光进行反射的反射面IOOa相对于上述第一主面2a倾斜地形成于上述光纤容纳部100、100A的末端。
[0102][9] 一种光基板I的制造方法，用于制造[5]所述的光基板，包含如下工序:从上述第一金属层IOA侧及上述第二金属层20A侧照射激光L，且利用通过了上述第一金属层IOA及上述第二金属层20A的上述开口 15、24的激光L，在上述基材2上形成上述光纤容纳部 IOOA0
[0103][10] 一种光模块,具有:[1]至[8]中任何一项所述的光基板I ;以及转换以上述光纤9作为传输介质的光信号与电信号的光电转换元件41。
[0104]以上，说明了本发明的实施方式，但上述的实施方式不限定权利要求书的发明。另夕卜，应该留意，在实施方式中说明的特征的所有组合并不一定是用于解决发明课题的必要手段。
[0105]本发明在不脱离其宗旨的范围内能够适当变形而实施。例如，在上述实施方式中，对第二金属层20为设置于第二主面2b的整体上的所谓全面图案(?卜”一 O的情况进行了说明，但还可以将第二金属层20的一部分蚀刻成所需的形状而做成配线图案。在该情况下，还能够在第二主面2b侧安装电子部件。
[0106]另外,在上述实施方式中,对在光基板I上形成一个光纤容纳部100及光模块的情况进行了说明，但不限于此，还可以在光基板I上形成多个光纤容纳部100及光模块结构。
[0107]另外，在上述实施方式中，对第一基底金属层11、21A、第二基底金属层12、21B、以及基底金属层21为铜(Cu)的情况进行了说明，但不限于此，第一基底金属层11、21A、第二基底金属层12、21B、以及基底金属层21的一部分或全部例如还可以为铝(Al)。另外，在第一金属层10、10A和第二金属层20、20A、20B的各层中的材质也不限于上述的材质。基材2的材质也不限于聚酰亚胺，例如还可以为PET (Polyethylene terephthalate、聚对苯二甲酸乙二醇酯)。
[0108]另外，还可以使用调节激光的透射率的荫罩，形成倾斜面101及光纤容纳部100、IOOA0
[0109]另外，还可以通过切割等机械加工来形成倾斜面101。在机械加工的情况下，与利用激光的加工相比,能够以低成本形成倾斜面101。
[0110]另外，在第一实施方式中，反射面IOOa既可以不形成在形成于基材2上的倾斜面101之上，而是另外设置反射部件等，也可以使光纤9的端面9a倾斜而形成反射面100a。相同地，在第二实施方式中，反射面90a既可以另外设置反射部件等，也可以在基材2上用激光L直接形成倾斜面并在其上形成反射面90a。
[0111]另外，在第二实施方式及其变形例中，在第一主面2a侧及第二主面2b侧分别形成多个开口 15、24，但不限于此，既可以仅在第一主面2a侧形成多个开口 15，也可以仅在第二主面2b侧形成多个开口 24。在该情况下，不仅从除去部分IOAa或除去部分20Aa垂直照射激光L，还能够倾斜地照射激光L，从而形成光纤容纳部100A。
【权利要求】
1.一种光基板，其中，具有: 由具有第一及第二主面的板状的树脂构成，且形成有容纳光纤的光纤容纳部的基材； 形成于上述第一主面上的第一金属层；以及 形成于上述第二主面上的第二金属层， 上述光纤容纳部是沿上述基材的厚度方向贯通上述第一及第二主面之间、并防止上述光纤从上述第一及第二主面侧脱离的空腔结构。
2.根据权利要求1所述的光基板，其中， 上述光纤容纳部利用上述第二金属层覆盖上述第二主面侧的至少一部分。
3.根据权利要求1或2所述的光基板，其中， 上述光纤容纳部利用以覆盖上述第一金属层的方式形成的薄膜状的绝缘膜覆盖上述第一主面侧。
4.根据权利要求1或2所述的光基板，其中， 上述光纤容纳部利用形成有使上述光纤容纳部的容纳空间面对外部的多个开口的上述第一金属层覆盖上述第一主面侧。
5.根据权利要求4所述的光基板，其中， 上述光纤容纳部利用形成有使上述光纤容纳部的容纳空间面对外部的多个开口的上述第二金属层覆盖上述第二主面侧。
6.根据权利要求4或5所述的光基板，其中， 在上述光纤容纳部中的上述基材的表面上形成有第三金属层。
7.根据权利要求4至6中任何一项所述的光基板，其中， 上述光纤利用软钎料固定于上述光纤容纳部内。
8.根据权利要求1至7中任何一项所述的光基板，其中， 在上述基材上，对在上述光纤中传输的光进行反射的反射面相对于上述第一主面倾斜地形成于上述光纤容纳部的末端。
9.一种光基板的制造方法，用于制造权利要求5所述的光基板,其中， 包含如下工序:从上述第一金属层侧及上述第二金属层侧照射激光，且利用通过了上述第一金属层及上述第二金属层的上述开口的激光，在上述基材上形成上述光纤容纳部。
10.—种光模块，其中，具有: 权利要求1至8中任何一项所述的光基板；以及 转换以上述光纤作为传输介质的光信号与电信号的光电转换元件。
【文档编号】G02B6/42GK103809253SQ201310491785
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2013年10月18日 优先权日:2012年11月9日
【发明者】安田裕纪, 石川浩史, 平野光树 申请人:日立金属株式会社