光半导体装置、其制造方法以及光模块的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及能够简单地测定窗构造的长度的光半导体装置、光半导体装置的制造方法、以及光模块的制造方法。
【背景技术】
[0002]在共振器端面形成有窗构造的光半导体装置中，根据用于形成共振器端面的解理位置的不同，窗构造的长度产生波动(例如，参照专利文献I)。
[0003]专利文献1:日本特开2000 - 216489号公报
[0004]由于窗构造的长度对光半导体装置的特性造成影响，因此，希望按照窗构造的长度而分选出光半导体装置的优劣。但是，在现有的构造中，无法简单地测定窗构造的长度。
[0005]另外，窗构造的长度还对光半导体装置与光学部件的耦合效率造成影响。但是，在现有构造中，由于无法简单地测定窗构造的长度，因此，以往是在不考虑窗构造的长度的状态下决定光半导体装置和光学部件的安装位置。因此，存在耦合效率产生波动的问题。
【发明内容】
[0006]本发明就是为了解决上述课题而提出的，其目的在于得到能够简单地测定窗构造的长度的光半导体装置、光半导体装置的制造方法、以及光模块的制造方法。
[0007]本发明所涉及的光半导体装置的特征在于，具有:共振器端面；光波导；窗构造，其形成在所述共振器端面和所述光波导之间；以及游标部，其设置在所述窗构造上，能够对沿着光轴方向的所述窗构造的长度进行测定。
[0008]发明的效果
[0009]本发明由于将能够测定窗构造的长度的游标部(vernier)设置在窗构造上，因此，能够简单地测定窗构造的长度。
【附图说明】
[0010]图1是表示本发明的实施方式I所涉及的光半导体装置的俯视图。
[0011]图2是将图1的主要部分放大后的俯视图。
[0012]图3是表示本发明的实施方式I所涉及的光半导体装置的制造工序的俯视图。
[0013]图4是表示本发明的实施方式I所涉及的光模块的制造工序的俯视图。
[0014]图5是表示本发明的实施方式2所涉及的光半导体装置的俯视图。
[0015]图6是从共振器端面侧观察图5的光半导体装置时的侧视图。
[0016]图7是表示本发明的实施方式2所涉及的光半导体装置的制造工序的俯视图。
[0017]图8是表示本发明的实施方式3所涉及的光半导体装置的俯视图。
[0018]图9是表示本发明的实施方式3所涉及的光半导体装置的制造工序的俯视图。
[0019]标号的说明
[0020]I光半导体装置,2共振器端面,3光波导,4窗构造,5游标部,6槽,7透镜(光学部件)
【具体实施方式】
[0021]参照附图，对本发明的实施方式所涉及的光半导体装置、光半导体装置的制造方法、以及光模块的制造方法进行说明。有时对相同或者对应的结构要素标注相同的标号，并省略重复说明。
[0022]实施方式1.
[0023]图1表示本发明的实施方式I所涉及的光半导体装置的俯视图。图2是将图1的主要部分放大后的俯视图。在光半导体装置I中，在共振器端面2和光波导3之间形成有窗构造4。游标部5设置在窗构造4上。该游标部5是能够对沿着光轴方向(共振器方向)的窗构造4的长度进行测定的等间隔的刻度。窗构造4的长度L是沿着光轴方向从共振器端面2至光波导3的端部为止的长度。
[0024]在本实施方式中，游标部5是利用干蚀刻将窗构造4的半导体挖去而成的槽6的图案。此外，也可以取代干蚀刻而使用湿蚀刻。槽6的图案在光轴方向上周期性地配置。游标部5相对于与光轴垂直方向的芯片宽度的中心在左右等间隔地配置。
[0025]在图2中，将槽6的图案的光轴方向的长度定义为a，将光轴方向的槽和槽的间隔定义为b,将与光轴方向垂直方向的宽度定义为c,将与光轴方向垂直方向的槽和槽的间隔定义为W。
[0026]下面，对上述光半导体装置的制造方法进行说明。图3是表示本发明的实施方式I所涉及的光半导体装置的制造工序的俯视图。首先，在晶片上将窗构造4相对而形成2个光半导体装置I。然后，通过解理将2个光半导体装置I分离。根据该解理位置的不同，窗构造4的长度产生波动。
[0027]将相对的2个光半导体装置I的窗构造4的长度之和定义为2XLz。在相对的2个光半导体装置I的正中间进行解理的情况下的窗构造4的长度成为Lz。
[0028]以成为Lz = (a+b) Xn+a/2 (η为整数)的方式决定a、b、Lz的长度,制作光半导体装置。例如设为 Lz = 21ym、a = 2ym、b = 2ym、c = 10 μ m、W = 70um、η = 5。
[0029]在槽6的数量为m个(m为整数)的情况下，窗构造4的长度L处于(a+b) X (m —I)至(a+b) Xm之间。例如在a = 2ym、b = 2ym、m = 8的情况下，窗构造4的长度L为28 μ m ?32 μ m0
[0030]根据解理位置的不同，窗构造4的长度L产生波动，但通过从顶面观察游标部5，并数出光轴方向的槽6的数量，从而能够容易地测定窗构造4的长度L。根据该长度而分选出光半导体装置I的优劣。即，如果窗构造4的长度L处于一定范围内，则为合格品，如果处于范围外，则为不合格品。由此，能够省略电气、光学的特性检查，并能够削减制造成本。
[0031]下面，对使用上述的光半导体装置来制造光模块的方法进行说明。图4是表示本发明的实施方式I所涉及的光模块的制造工序的俯视图。首先，利用上述的方法测定光半导体装置I的窗构造4的长度L。然后，根据该长度对光半导体装置I在光轴方向上相对于透镜7 (光学部件)的安装位置进行调整。由此，能够调整透镜7和光半导体装置I的耦合效率。
[0032]在光半导体装置的槽6的数量为m(m为整数)的情况下，如果以[Lz —{(a+b) Xm+a}]对透镜7和光半导体装置I之间的距离进行校正，则能够防止由窗构造4的长度波动引起的耦合效率的降低。
[0033]此外，槽6并不限定于四方形，也可以是菱形、三角形、圆形等。游标部5并不限定于槽6的图案，也可以是SiN、S12等绝缘膜或者Au等金属的图案。游标部5相对于光波导3的中心在左右等间隔地配置，但也可以将其配置在单侧。
[0034]实施方式2.
[0035]图5是表示本发明的实施方式2所涉及的光半导体装置的俯视图。图6是从共振器端面侧观察光半导体装置时的侧视图。游标部5是台阶状的图案。由此，容易