对游标部5的图案进行识别。另外，对应于与共振器端面2相距的距离，游标部5的2个槽6的图案彼此之间的间隔变化。
[0036]将槽6的光轴方向的长度定义为e，将与光轴垂直方向的宽度定义为f。以成为Lz=eXn+e/2(n为整数)的方式决定e、Lz的长度，形成光半导体装置I。
[0037]下面，对上述光半导体装置的制造方法进行说明。图7是表示本发明的实施方式2所涉及的光半导体装置的制造工序的俯视图。首先，在晶片上将窗构造4相对而形成2个光半导体装置I。然后，通过解理将2个光半导体装置I分离。
[0038]根据该解理位置的不同，窗构造4的长度L产生波动，但通过从顶面观察游标部5，并数出光轴方向的槽6的数量，从而能够容易地测定窗构造4的长度L。根据该长度而分选出光半导体装置I的优劣。
[0039]在槽6的数量为m个(m为整数)的情况下，窗构造4的长度L处于eX (m — I)至eXm之间。例如,在Lz = 21 μ m、e = 2 μ m、n = 10、m = 8的情况下，窗构造4的长度L为 14 μ m ?16 μ m0
[0040]另外，也能够如图6所示，通过从共振器端面2侧进行观察，从而测定2个槽6的图案间隔而求出窗构造4的长度，根据该长度而分选出光半导体装置I的优劣。但是，根据是否是在包含游标部5最外部分的位置处进行解理，窗构造4的长度的测定方法不同。首先，从顶面观察游标部5，观察是否是在包含游标部5最外部分的位置处进行解理。
[0041]在未包含游标部5的最外部分的情况下，窗构造的长度L处于(W/2 — p)/fXe至(W/2 - p)/fXe+e之间。在此，将从芯片宽度的中心至槽为止的距离设为P。例如在Lz =21um>e = 2um>f = 2u m、p = 10 μ m、W = 60 μ m 的情况下，窗构造 4 的长度 L 为 20 μ m ?22 μ m0
[0042]在包含游标部5的最外部分的情况下，窗构造4的长度L处于[Lz+(W/2 — p)/f Xe]至[Lz+(W/2 — p)/f Xe+e]之间。例如在 Lz = 21 μ m、e = 2 μ m、f = 2 μ m、ρ =
10μ m> W = 40 μ m的情况下，窗构造4的长度L为31μηι?33μηι之间。
[0043]即使在从顶面观察游标部5，仅能够以低精度数出槽6的数量的情况下，通过测定从共振器端面2侧至槽6的间隔，从而也能够测定窗构造4的长度L。
[0044]实施方式3.
[0045]图8是表示本发明的实施方式3所涉及的光半导体装置的俯视图。游标部5是彼此之间的间隔对应于与共振器端面2相距的距离而变化的2个直线状的槽6的图案。在该情况下，也能够取得与实施方式2相同的效果，与实施方式2相比，图案的形成变得容易。将槽的角度设为Θ。
[0046]下面，对上述光半导体装置的制造方法进行说明。图9是表示本发明的实施方式3所涉及的光半导体装置的制造工序的俯视图。首先，在晶片上将窗构造4相对而形成2个光半导体装置I。然后，通过解理将2个光半导体装置I分离。
[0047]根据该解理位置的不同，窗构造4的长度产生波动。因此，与实施方式2同样地，通过从共振器端面2侧进行观察，从而测定2个槽的图案间隔而求出窗构造4的长度，根据该长度而分选出光半导体装置I的优劣。但是，根据是否是在包含游标部5最外部分的位置处进行解理，窗构造4的长度的测定方法不同。
[0048]首先，从顶面观察游标部5，观察是否是在包含游标部5最外部分的位置处进行解理。在未包含游标部5的最外部分的情况下，窗构造4的长度L为(W/2 — ρ) Xtan Θ。在包含游标部5的最外部分的情况下，窗构造4的长度L为L = 2 X Lz — (W/2 — ρ) X tan Θ。这样，通过从共振器端面2侧测定槽6的间隔，从而能够测定窗构造4的长度L。
【主权项】
1.一种光半导体装置，其特征在于，具有: 共振器端面； 光波导； 窗构造，其形成在所述共振器端面和所述光波导之间；以及 游标部，其设置在所述窗构造上，能够对沿着光轴方向的所述窗构造的长度进行测定。
2.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于， 所述游标部是将所述窗构造的半导体挖去而成的槽的图案。
3.根据权利要求2所述的光半导体装置，其特征在于， 所述游标部是彼此之间的间隔对应于与所述共振器端面相距的距离而变化的2个槽的图案。
4.根据权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于， 所述游标部是绝缘膜或者金属的图案。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光半导体装置，其特征在于， 所述游标部是台阶状的图案。
6.一种光半导体装置的制造方法，其用于制造权利要求1至4中任一项所述的光半导体装置， 该光半导体装置的制造方法的特征在于，具有下述工序: 通过从上方观察所述游标部，从而测定所述窗构造的长度的工序；以及根据该长度而分选出所述光半导体装置的优劣的工序。
7.一种光半导体装置的制造方法，其用于制造权利要求3所述的光半导体装置， 该光半导体装置的制造方法的特征在于，具有下述工序: 通过从所述共振器端面侧进行观察，从而测定所述2个槽的图案间隔而求出所述窗构造的长度的工序；以及根据该长度而分选出所述光半导体装置的优劣的工序。
8.一种光模块的制造方法，其特征在于，具有下述工序: 测定权利要求1至4中任一项所述的光半导体装置的所述窗构造的长度的工序；以及根据该长度而对所述光半导体装置在光轴方向上相对于光学部件的安装位置进行调整的工序。
【专利摘要】本发明得到一种能够简单地测定窗构造的长度的光半导体装置、光半导体装置的制造方法、以及光模块的制造方法。在共振器端面(2)和光波导(3)之间形成有窗构造(4)。游标部(5)设置在窗构造(4)上。该游标部(5)能够对沿着光轴方向的窗构造(4)的长度进行测定。通过从顶面观察游标部(5)，数出光轴方向的槽(6)的数量，从而能够容易地测定窗构造(4)的长度L。
【IPC分类】H01S5-00, H01S5-16
【公开号】CN104577710
【申请号】CN201410549270
【发明人】东祐介, 石村荣太郎, 柴田公隆
【申请人】三菱电机株式会社
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年10月16日
【公告号】US20150101161