光布线基板、光布线基板的制造方法、以及光模块的制作方法

光布线基板、光布线基板的制造方法、以及光模块的制作方法
【专利摘要】本发明提供能够抑制光纤的小径化，且能够实现薄型化的光布线基板、光布线基板的制造方法、以及光模块。其中，光布线基板（3）具备：由树脂构成的绝缘体层（33）；以及第一导体层（31），其由金属构成并层叠于上述绝缘体层（33），具有相对于光纤（5）的光轴倾斜的倾斜面（310a）；上述绝缘体层（33）具有与上述光纤（5）的包层（52）对置的端面（33c），上述第一导体层（31）的上述倾斜面（310a）形成于与上述光纤（5）的芯部（51）对置的位置。
【专利说明】光布线基板、光布线基板的制造方法、以及光模块

【技术领域】
[0001] 本发明涉及收纳光纤的光布线基板及其制造方法、以及具有光布线基板的光模 块。

【背景技术】
[0002] 以往，例如为了实现信息处理装置间的通信的高速化等，不断普及如下的光通信， 即，使用光纤作为信号传输介质，在信号的发送侧将电信号转换为光信号，在信号的接收侧 将光信号转换为电信号，由此来进行通信。作为用于进行电信号和光信号的转换的光电转 换模块，本 申请人:提出了专利文献1所记载的光电转换模块。
[0003] 专利文献1所记载的光电转换模块具备基板(光布线基板)、与光纤光学耦合的光 电转换元件。在基板的表面形成有用于安装光电转换元件的电极图案、以及包括用于限制 光纤的位置的限制图案的导体图案。
[0004] 另外，在导体图案形成有用于使光电转换元件和光纤光学耦合的反射面。该反射 面是使形成了磨粒层的具有锥状的刀面的刀片旋转且使其沿基板移动，磨削导体图案的端 面而形成的。从光纤射出的光在反射面被反射至光电转换元件侧，入射至光电转换元件。
[0005] 专利文献1 :日本特开2013-76987号公报


【发明内容】

[0006] 在专利文献1所记载的光电转换模块中，为了在导体图案的端面形成反射面，光 纤需要使用在对光进行传播的芯部及包围其外侧的包层中，至少芯部具有与反射面对置的 直径的光纤。换句话说，为了反射从芯部的端面射出的光，并使该光高效地入射至光电转换 元件，如在专利文献1中参照图3在说明书第22段中所说明的那样，将光纤的直径设为D， 将芯部的直径设为d，将导体图案的厚度设为T1时，需要满足以Tl > (D+d)/2表示的关系。
[0007] 另一方面，若增厚导体图案，则难以通过蚀刻高精度地形成细微的布线图案，所以 在使导体图案的厚度（T1)变厚的方面存在制约。因此，作为光纤，需要使用其直径与导体 图案的厚度相等或为导体图案的厚度以下的小径的光纤，存在光纤自身的成本变高、以及 伴随光纤的强度降低而使处理的困难度增加的问题。
[0008] 因此，本发明的目的在于，提供能够抑制光纤的小径化，且能够实现薄型化的光布 线基板、光布线基板的制造方法、以及光模块。
[0009] 本发明以解决上述课题为目的，提供一种光布线基板，该光布线基板具备：由树脂 构成的绝缘体层；以及第一导体层，其由金属构成并层叠于上述绝缘体层，具有相对于光纤 的光轴倾斜的倾斜面；上述绝缘体层具有与上述光纤的包层对置的端面，上述第一导体层 的上述倾斜面形成于与上述光纤的芯部对置的位置。
[0010] 另外，本发明以解决上述课题为目的，提供一种具备上述光布线基板和安装于上 述光布线基板的光电转换元件的光模块。
[0011] 另外，本发明以解决上述课题为目的，提供一种上述光布线基板的制造方法，具 有：在上述绝缘体层的表面形成上述第一导体层的工序；去除上述第一导体层的一部分而 形成布线图案的工序；在上述第一导体层形成上述倾斜面的工序；以及去除上述绝缘体层 的一部分而形成上述端面的工序。
[0012] 根据本发明的光布线基板、光布线基板的制造方法、以及光模块，能够抑制光纤的 小径化，且能够实现薄型化。

【专利附图】

【附图说明】
[0013] 图1是表不本发明的第一实施方式的光布线基板、以及具备该光布线基板的光模 块的一个构成例的俯视图。
[0014] 图2是图1的A-A线剖视图。
[0015] 图3 (a)是图1的B-B线剖视图，图3 (b)是图3 (a)的C部放大图。
[0016] 图4 (a)?（d)是表示光布线基板的收纳部及其周边部的形成过程的剖视图。
[0017] 图5示出本发明的第二实施方式的光布线基板、以及具备该光布线基板的光模块 的构成例，图5 (a)是剖视图，图5 (b)是图5 (a)的D部放大图。
[0018] 图6 (a)?（d)是表示第二实施方式的光布线基板的收纳槽及其周边部的形成过 程的剖视图。
[0019] 图中：1、1A-光模块，3、3A-光布线基板，3a-安装面，4一按压部件，5-光纤， 5a -如端面，11 一光电转换兀件，12-半导体电路兀件，31-第一导体层，31a-表面，31b- 背面，32-第二导体层(支承基板层)，32a-表面，32b-背面，33、33A-绝缘体层，33a、 33Aa-第一主面，33b、33Ab-第二主面，33c、33Ac- 端面，51- 芯部，52-包层，110-主 体部，111 一焊盘电极，112-受发光部，120-主体部，121、121a-焊盘电极，300-收纳部， 300a-支承面，300A -收纳槽，300Aa-底面，301-光电转换兀件用布线图案，301a -反射 面，302-半导体电路兀件用布线图案，310-去除郃分，310a-倾斜面，311-凹郃，312-锻 镇层，313-锻金层，L一光路。

【具体实施方式】
[0020] 第一实施方式
[0021] 图1是表不本发明的第一实施方式的光布线基板、以及具备该光布线基板的光模 块的一构成例的俯视图。
[0022] (光模块1的构成）
[0023] 该光模块1具备光布线基板3、倒装芯片安装于光布线基板3的安装面3a的光电 转换元件11、以及与光电转换元件11电连接的半导体电路元件12。
[0024] 光电转换元件11在主体部110设置有多个(在本实施方式中为三个）焊盘电极 111。多个焊盘电极111分别与形成于光布线基板3的安装面3a的光电转换元件用布线图 案301电连接。光电转换元件11被安装在与形成于光电转换元件用布线图案301的一部 分的反射面301a对置的位置。
[0025] 在本实施方式中，光电转换元件11的与光纤5的长度方向平行的方向的尺寸例如 是350 μ m，与光纤5的长度方向垂直的方向的尺寸例如是250 μ m。
[0026] 光电转换元件11是将电信号转换为光信号，或是将光信号转换为电信号的元件。 作为前者的例子，能够列举出半导体激光元件、LED (Light Emitting Diode:发光二极管） 等发光元件。另外，作为后者的例子，能够列举出光电二极管等受光元件。光电转换元件11 构成为从设置于光布线基板3的安装面3a侧的受发光部112向与光布线基板3垂直的方 向射出或入射光。
[0027] 半导体电路元件12被倒装芯片安装于光布线基板3的安装面3a，在主体部120设 置有多个(在本实施方式中为10个）焊盘电极121。多个焊盘电极121分别与形成于光布 线基板3的安装面3a的半导体电路元件用布线图案302电连接。多个焊盘电极121中，信 号传输用的一个焊盘电极121a与光电转换元件用布线图案301连接，由此，半导体电路元 件12与光电转换元件11电连接。
[0028] 在光电转换元件11是将电信号转换为光信号的元件的情况下，半导体电路元件 12是驱动光电转换兀件11的驱动1C。在光电转换兀件11是将光信号转换为电信号的兀 件的情况下，半导体电路元件12是对从光电转换元件11输入的信号进行放大的接收1C。
[0029] 另外，在光布线基板3上除了安装有光电转换元件11以及半导体电路元件12之 夕卜，还可以安装连接器、IC (Integrated Circuit)、或有源元件（晶体管等)、无源元件（电阻 器、电容器等）等电子部件。
[0030] 光纤5被配置成其前端面与形成于光电转换兀件用布线图案301的反射面301a 对置，被按压部件4从光布线基板3的安装面3a的上方按压。
[0031] (光布线基板3的构成）
[0032] 图2是图1的A-A线剖视图。图3 (a)是图1的B-B线剖视图，图3 (b)是图3 (a)的C部局放大图。
[0033] 光纤5具有芯部51以及包层52。在本实施方式中，光纤5的芯部51的直径例如 是50 μ m，包层52的径向的厚度例如是37. 5 μ m。即，光纤5的直径(将芯部51以及包层52 加在一起的直径）是125 μ m。
[0034] 光布线基板3具备：由树脂构成的绝缘体层33 ;第一导体层31，其由金属构成并 层叠于绝缘体层33的第一主面33a并具有相对于光纤5的光轴倾斜的倾斜面310a ;作为 支承基板层的第二导体层32,其被配置成隔着绝缘体层33与第一导体层31平行。绝缘体 层33介于第一导体层31和第二导体层32之间，在本实施方式中，使第一导体层31和第二 到体层32之间绝缘。
[0035] 第一导体层31例如由铜等导电性良好的金属构成，其厚度例如是40?80 μ m。在 本实施方式中，如图3 (b)所示，在第一导体层31的表面31a层叠有由镍（Ni)构成的镀镍 层312以及由金（Au)构成的镀金层313。同样，形成于第一导体层31的倾斜面310a也在 其表面层叠有镀镍层312以及镀金层313。反射面301a形成于镀金层313的最外层表面。
[0036] 在第一导体层31形成有光电转换元件用布线图案301以及半导体电路元件用布 线图案302,在光电转换元件用布线图案301的一部分形成有倾斜面310a (反射面301a)。 该倾斜面310a (反射面301a)形成于与光纤5的芯部51对置的位置。
[0037] 如图3 (a)所不，在从光纤5 (芯部51)射出光时，反射面301a将该出射光反射至 光电转换元件11侧。在光电转换元件11为受光元件的情况下，由反射面301a反射的光从 设置于光电转换元件11的主体部110的受发光部112入射至光电转换元件11内，光电转 换元件11将基于该入射光的光信号转换为电信号。
[0038] 另外，在光电转换元件11为发光元件的情况下，光电转换元件11将从半导体电路 元件12输出的电信号转换为光信号，从受发光部112射出表示该光信号的光。该出射光 被反射面301a反射至光纤5的前端面5a侧而入射至芯部51内，在光纤5内传播。在图3 (a)中，以单点划线表不将光纤5作为传输介质的光的光路L。
[0039] 绝缘体层33例如由聚酰亚胺等树脂构成。如图3 (b)所示，绝缘体层33的 厚度方向的尺寸h是光纤5的包层52的径向的厚度尺寸t2的0. 8倍以上1. 2倍以下 (0. 8 X & < t2 < 1. 2 X & )。在本实施方式中，绝缘体层33的厚度方向的尺寸例如是38 μ m。
[0040] 光布线基板3以跨越第一导体层31以及绝缘体层33的整个厚度方向的方式形成 有沿光纤5的长度方向延伸且容纳光纤5的至少一部分的收纳部300。在该收纳部300的 一端(末端）的绝缘体层33形成有与光纤5的包层52对置的端面33c。
[0041] 第二导体层32例如由铜等导电性良好的金属构成，具有支承收纳于收纳部300的 光纤5的支承面300a。更具体而言，收纳部300贯通第一导体层31以及绝缘体层33的整 个厚度方向，第二导体层32的背面32b露出。因此，第二导体层32的背面32b的一部分形 成为收纳部300的支承面300a。另外，与第一导体层31相同，也可以在第二导体层32形成 布线图案。
[0042] 如图2所示，收纳部300被按压部件4从第一导体层31的上方覆盖，光纤5被填 充至收纳部300内的粘接剂等固定。在本实施方式中，光纤5的包层52的外周面与收纳部 300的内表面接触。
[0043] (光布线基板3的制造方法）
[0044] 接下来，参照图4对光布线基板3的制造方法进行说明。
[0045] 图4 (a)?（d)是表示光布线基板3的收纳部300及其周边部的形成过程的剖视 图。
[0046] 光布线基板3的制造工序具有：在绝缘体层33的第一主面33a形成第一导体层 31，且在绝缘体层33的第二主面33b形成第二导体层32的第一工序；去除第一导体层31 的一部分而形成布线图案(光电转换元件用布线图案301以及半导体电路元件用布线图案 302)，且形成成为收纳部300的凹部311的第二工序；在第一导体层31形成倾斜面310a的 第三工序；在整个厚度方向上去除相当于凹部311的底面的绝缘体层33直至到达第二导体 层32,由此来形成收纳部300,且形成与光纤5的包层52对置的端面33c的第四工序；在第 一导体层31、第二导体层32以及倾斜面310a层叠镀镍层312以及镀金层313的第五工序。 以下，对第一?第五工序进行更加详细的说明。
[0047] 在第一工序中，如图4 (a)所示，例如通过粘接、蒸镀、或化学镀在绝缘体层33的 第一主面33a的整体形成第一导体层31，在绝缘体层33的第二主面33b的整体形成第二导 体层32。在本实施方式中，第一导体层31以及第二导体层32主要由具有良好导电性的铜 (Cu)构成。
[0048] 在第二工序中，如图4 (b)所示，通过蚀刻去除第一导体层31的一部分，形成光电 转换元件用布线图案301以及半导体电路元件用布线图案302,且形成成为收纳部300的凹 部311。更具体而言，在与第一导体层31的去除部分310对应的部分以及与凹部311对应 的部分以外的部分涂敷抗蚀剂，通过蚀刻使未涂敷抗蚀剂的部分的第一导体层31溶解。由 此，与去除部分310以及凹部311对应的第一导体层31溶解，仅留下与光电转换元件用布 线图案301、半导体电路元件用布线图案302、以及凹部311对应的第一导体层31。
[0049] 另外，在本工序中，也可以与第一导体层31相同，通过蚀刻去除第二导体层32的 一部分，在第二导体层32形成布线图案。
[0050] 在第三工序中，如图4 (c)所不，从第一导体层311的表面31a朝向背面31b倾斜 地切削第一导体层31，从而形成倾斜面310a。
[0051] 在第四工序中，如图4 (d)所示，从与相当于凹部311的底面的绝缘体层33的第 一主面33a垂直的方向照射激光。作为该激光，更具体而言，例如能够使用准分子激光器、 UV激光器(紫外线激光器)。通过激光的照射，形成收纳光纤5的收纳部300,且收纳部300 的末端的端面33c形成于绝缘体层33。该激光的强度是照削（照射光而削除）绝缘体层33 但不照削第二导体层32的强度。所以，第二导体层32的背面32b的未因该激光的照射去 除而留下的部分形成为收纳部300的支承面300a。在本实施方式中，端面33c形成为与收 纳部300的支承面300a (第二导体层32的背面32b)垂直，在将光纤5插入收纳部300内 时用于定位。
[0052] 在第五工序中，在第一导体层31的表面31a、倾斜面310a、以及第二导体层32的 表面32a实施镍（Ni)、金（Au)等的镀覆，形成镀镍层312以及镀金层313。例如能够通过化 学镀等进行该镀镍（Ni)以及镀金（Au)等。在镀金层313的最外层表面形成反射面301a。
[0053] (第一实施方式的作用以及效果）
[0054] 根据以上说明的第一实施方式，得到以下作用以及效果。
[0055] (1)在光布线基板3中，由于在绝缘体层33形成与光纤5的包层52对置的端面 33c，且第一导体层31的反射面301a形成于与光纤5的芯部51对置的位置，所以无需使光 纤5的直径的大小与第一导体层31的厚度匹配。换句话说，在去除绝缘体层33的厚度方 向的至少一部分而形成的收纳部300收纳包括光纤5的包层52的一部分，具有反射面301a 的第一导体层31层叠于绝缘体层33,所以即便第一导体层31的厚度比芯部51的直径以及 包层52的厚度薄，也能够使反射面301a与芯部51的前端面对置。由此，无需选择更细的 光纤5,就能够使第一导体层31的厚度变薄。
[0056] (2)在布线基板3遍及第一导体层31以及绝缘体层33的整个厚度方向形成沿光 纤5的长度方向延伸且收纳光纤5的至少一部分的收纳部300,在收纳部300的长度方向的 一端(末端）的绝缘体层33形成有端面33c，所以能够利用绝缘体层33的厚度，减小光纤5 的与第一导体层31对置的部分。因此，能够使光模块1进一步薄型化。
[0057] (3)由于在光布线基板3的绝缘体层33的第一主面33a层叠有第一导体层31，且 在绝缘体层33的第二主面33b层叠有第二导体层32,所以能够在光布线基板3的两面(正 背面）形成布线图案，能够容易进行布线处理。
[0058] 第二实施方式
[0059] 接下来，参照图5以及图6对本发明的第二实施方式进行说明。本实施方式的光 布线基板3A由绝缘体层33A以及第一导体层31构成，与第一实施方式的光布线基板3的 构成不同，不具有第二导体层32。在图5以及图6中，对具有与在第一实施方式的光布线基 板3中说明的功能相同的功能的部位标注共用的附图标记，并省略其重复的说明。
[0060] 图5示出本发明的第二实施方式的光布线基板3A、以及具备该光布线基板3A的光 模块1A的构成例，图5 (a)是剖视图，图5 (b)是图5 (a)的D部放大图。
[0061] 在本实施方式的光布线基板3A的绝缘体层33A沿光纤5的长度方向形成有收纳 光纤5的至少一部分的收纳槽300A，光纤5被收纳槽300A的底面300Aa支承。即，绝缘体 层33A在与收纳槽300A对应的部分中不贯通其整个厚度方向，留下一部分作为底面300Aa。 在收纳槽300A的长度方向的一端(末端）以与底面300Aa垂直的方式形成有端面33Ac。端 面33Ac形成在与收纳于收纳槽300A的光纤5的包层52对置的位置。形成于第一导体层 31的倾斜面310a与光纤5的芯部51对置。
[0062] 图6 (a)?（d)是表示第二实施方式的光布线基板3A的收纳槽300A及其周边部 的形成过程的剖视图。
[0063] 本实施方式的光布线基板3A的制造过程具备：在绝缘体层33A的第一主面33Aa 形成第一导体层31的第一工序；去除第一导体层31的一部分而形成布线图案(光电转换元 件用布线图案301以及半导体电路元件用布线图案302)，且形成成为收纳槽300A的凹部 311的第二工序；在第一导体层31形成倾斜面310a的第三工序；去除相当于凹部311的底 面的绝缘体层33A而形成收纳光纤5的收纳槽300A，且在收纳槽300A的一端(末端）形成 与光纤5的包层52对置的端面33Ac的第四工序；在第一导体层31、第二导体层32以及倾 斜面310a层叠镀镍层312以及镀金层313的第五工序。以下，对第一?第五工序进行更加 详细的说明。
[0064] 在本实施方式的第一工序中，如图6 (a)所示，例如通过粘接、蒸镀、或化学镀在绝 缘体层33A的第一主面33Aa的整体形成第一导体层31。在本实施方式中，与第一实施方式 相同，第一导体层31主要由具有良好导电性的铜（Cu)构成。
[0065] 在第二工序中，如图6 (b)所不，通过蚀刻去除第一导体层31的一部分，形成光电 转换元件用布线图案301以及半导体电路元件用布线图案302,且形成成为收纳槽300A的 凹部311。与第一实施方式的第二工序相同，在与第一导体层31的去除部分310对应的部 分以及与凹部311对应的部分以外的部分涂敷抗蚀剂，通过蚀刻使未涂敷抗蚀剂的部分的 第一导体层31溶解。由此，与去除部分310以及凹部311对应的第一导体层31溶解，仅留 下光电转换元件用布线图案301、半导体电路元件用布线图案302、以及与凹部311对应的 第一导体层31。
[0066] 在第三工序中，与第一实施方式的第三工序相同，如图6 (c)所不，从第一导体层 31的表面31a朝向背面31b斜切第一导体层31，由此形成倾斜面310a。
[0067] 在第四工序中，如图6 (d)所示，从与相当于凹部311的底面的绝缘体层33A的第 一主面33Aa垂直的方向照射激光。通过激光的照射，在绝缘体层33A形成收纳光纤5的收 纳槽300A以及端面33Ac。本实施方式的激光的强度是能够照削（照射光而削去)绝缘体层 33A的厚度方向的一部分的强度，不照削绝缘体层33A的整个厚度方向。所以，在绝缘体层 33A形成有未因该激光的照射去除而留下的部分作为收纳槽300A的底面300Aa。
[0068] 另外，在本实施方式中，与第一实施方式相同，在绝缘体层33A的背面33Ab层叠第 二导体层32,形成布线图案。
[0069](第二实施方式的作用以及效果）
[0070] 在以上说明的第二实施方式中，能够得到与第一实施方式的（1)?（3)的作用以 及效果相同的作用以及效果 [0071](实施方式的总结）
[0072] 接下来，引用实施方式的附图标记等记载能够从以上说明的实施方式把握的技术 思想。但以下记载的各附图标记等并不将要求保护的范围的构成要素局限于实施方式所具 体示出的部件等。
[0073] [1] 一种光布线基板（3、3A)，具备：绝缘体层（33、33A)，其由树脂构成；第一导体 层（31)，其由金属构成并层叠于上述绝缘体层（33、33A)，具有相对于光纤（5)的光轴倾斜 的倾斜面（310a);上述绝缘体层（33、33A)具有与上述光纤（5)的包层（52)对置的端面 (33c、33Ac)，上述第一导体层（31)的上述倾斜面（310a)形成于与上述光纤（5)的芯部（51) 对置的位置。
[0074] [2]根据[1]所述的光布线基板（3)，以跨越上述第一导体层（31)以及上述绝缘体 层（33 )的整个厚度方向的方式形成沿上述光纤（5 )的长度方向延伸且收纳上述光纤（5 )的 至少一部分的收纳部（300)，还具备支承基板层(第二导体层32)，其具有对收纳于上述收 纳部（300)的上述光纤（5)进行支承的支承面（300a)，且被配置成隔着上述绝缘体层（33) 与上述第一导体层（31)平行，在上述收纳部（300)的上述长度方向的一端形成有上述端面 (33c、33Ac)。
[0075] [3]根据[1]或[2]所述的光布线基板（3)，上述绝缘体层（33)的厚度方向的尺寸 是上述光纤（5)的包层（52)的径向的厚度尺寸的0. 8倍以上1. 2倍以下。
[0076] [4]根据[2]或[3]所述的光布线基板（3)，上述支承基板层是由金属构成的第二 导体层（32)。
[0077] [5]根据[1]所述的光布线基板（3A)，在上述绝缘体层（33A)沿上述光纤（5)的长 度方向形成有收纳上述光纤（5)的至少一部分的收纳槽（300A)，上述光纤（5)被支承于上 述收纳槽（300A)的底面（300Aa)。
[0078] [6] -种具备[1]至[5]中任意一项所述的光布线基板（3、3A)、和安装于上述光 布线基板（3、3A)的光电转换元件（11)的光模块（1)。
[0079] [7] -种[1]所述的光布线基板（3、3A)的制造方法，具有：在上述绝缘体层（33、 33A)的表面（33a、33Aa)形成上述第一导体层（31)的工序；去除上述第一导体层（31)的一 部分而形成布线图案(光电转换元件用布线图案301以及半导体电路元件用布线图案302) 的工序；在上述第一导体层（31)形成上述倾斜面（310a)的工序；以及去除上述绝缘体层 (33)的一部分而形成上述端面（33c、33Ac)的工序。
[0080] [8] -种[2]至[4]中任意一项所述的光布线基板（3)的制造方法，具有：在上 述绝缘体层（33)的表面（33a)形成上述第一导体层（31)，且在上述绝缘体层（33)的背面 (33b)形成上述支承基板层(第二导体层32)的工序；去除上述第一导体层（31)的一部分 而形成布线图案(光电转换元件用布线图案301以及半导体电路元件用布线图案302)，且 形成成为上述收纳部（300)的凹部（311)的工序；在上述第一导体层（31)形成上述倾斜面 (310a)的工序；以及跨越整个厚度方向地去除相当于上述凹部（311)的底面的上述绝缘体 层（33)直至到达上述支承基板层（第二导体层32)，从而形成上述收纳部（300)，且形成与 上述光纤（5)的包层（52)对置的上述端面（33c)的工序。
[0081] [9] 一种[5]所述的光布线基板（3A)的制造方法，具有：在上述绝缘体层（33A) 的表面（33Aa)形成上述第一导体层（31)的工序；去除上述第一导体层（31)的一部分而 形成布线图案(光电转换元件用布线图案301以及半导体电路元件用布线图案302)，且形 成成为上述收纳槽（300A)的凹部（311)的工序；在上述第一导体层（31)形成上述倾斜面 (310a)的工序；以及去除相当于上述凹部（311)的底面的上述绝缘体层（33A)形成上述收 纳槽（300A)，且在上述收纳槽（300A)的一端形成与上述光纤（5)的包层（52)对置的上述端 面（33Ac)的工序。
[0082] 以上，对本发明的实施方式进行了说明，但上述所记载的实施方式并不对要求保 护的范围所涉及的发明进行限定。另外，应注意如下这点，并不是在实施方式中说明的特征 的结合的全部都是用于解决发明的课题的方法所必须的。
[0083] 在不脱离本发明的主旨的范围内，能够适当地加以变形地实施本发明。例如，在上 述实施方式中，对在光布线基板3形成了一个收纳部300、收纳槽300A以及光模块1、1A的 情况进行了说明，但并不局限于此，也可以在光布线基板3上形成多个收纳部300、收纳槽 300A以及光模块结构。
[0084] 另外，在上述实施方式中，对第一导体层31以及第二导体层32为铜（Cu)的情况进 行了说明，但并不局限于此，第一导体层31以及第二导体层32的一部分或全部例如也可以 是铝（A1)。另外，镀层中的材质也不局限于上述的材质。绝缘体层33、33A的材质也不局限 于聚酰亚胺，例如也可以是PET (Polyethylene terephthalate :聚对苯二甲酸乙二醇酯）。
[0085] 在上述实施方式中，使激光垂直照射绝缘体层33、33A来形成收纳部300、收纳槽 300A以及端面33c、33Ac，但并不局限于此，也可以通过调节了激光的透射率的荫罩（i ^ 卜''一7 7々）、切割等机械加工来形成。在机械加工的情况下，能够以比利用激光的加工的 成本更低的成本来形成收纳部300、收纳槽300A以及端面33c、33Ac。
[0086] 另外，在上述第一实施方式中，作为支承基板层使用第二金属层32,但并不局限于 此，也可以替换第二金属层32,例如使用由树脂等绝缘材料构成的板状的部件作为支承基 板层。
【权利要求】
1. 一种光布线基板，其特征在于，具备： 绝缘体层，其由树脂构成；以及 第一导体层，其由金属构成并层叠于上述绝缘体层，具有相对于光纤的光轴倾斜的倾 斜面； 上述绝缘体层具有与上述光纤的包层对置的端面， 上述第一导体层的上述倾斜面形成于与上述光纤的芯部对置的位置。
2. 根据权利要求1所述的光布线基板，其特征在于， 以跨越上述第一导体层以及上述绝缘体层的整个厚度方向的方式形成沿上述光纤的 长度方向延伸且收纳上述光纤的至少一部分的收纳部， 还具有支承基板层，其具有对收纳于上述收纳部的上述光纤进行支承的支承面，并被 配置成隔着上述绝缘体层与上述第一导体层平行， 在上述收纳部的上述长度方向的一端形成有上述端面。
3. 根据权利要求1或2所述的光布线基板，其特征在于， 上述绝缘体层的厚度方向的尺寸是上述光纤的包层的径向的厚度尺寸的0. 8倍以上 1.2倍以下。
4. 根据权利要求2或3所述的光布线基板，其特征在于， 上述支承基板层是由金属构成的第二导体层。
5. 根据权利要求1所述的光布线基板，其特征在于， 在上述绝缘体层沿上述光纤的长度方向形成有收纳上述光纤的至少一部分的收纳槽， 上述光纤被支承于上述收纳槽的底面。
6. -种具备权利要求1至5中任意一项所述的光布线基板、和安装于上述光布线基板 的光电转换元件的光模块。
7. -种光布线基板的制造方法，其特征在于， 该光布线基板的制造方法是权利要求1所述的光布线基板的制造方法，具有： 在上述绝缘体层的表面形成上述第一导体层的工序； 去除上述第一导体层的一部分而形成布线图案的工序； 在上述第一导体层形成上述倾斜面的工序；以及 去除上述绝缘体层的一部分而形成上述端面的工序。
8. -种光布线基板的制造方法，其特征在于， 该光布线基板的制造方法是权利要求2至4中任意一项所述的光布线基板的制造方 法，具有： 在上述绝缘体层的表面形成上述第一导体层，且在上述绝缘体层的背面形成上述支承 基板层的工序； 去除上述第一导体层的一部分而形成布线图案，且形成成为上述收纳部的凹部的工 序； 在上述第一导体层形成上述倾斜面的工序；以及 跨越整个厚度方向地去除相当于上述凹部的底面的上述绝缘体层直至到达上述支承 基板层，从而形成上述收纳部，并形成与上述光纤的包层对置的上述端面的工序。
9. 一种光布线基板的制造方法，其特征在于， 该光布线基板的制造方法是权利要求5所述的光布线基板的制造方法，具有： 在上述绝缘体层的表面形成上述第一导体层的工序； 去除上述第一导体层的一部分而形成布线图案，且形成成为上述收纳槽的凹部的工 序； 在上述第一导体层形成上述倾斜面的工序；以及 去除相当于上述凹部的底面的上述绝缘体层而形成上述收纳槽，且在上述收纳槽的一 端形成与上述光纤的包层对置的上述端面的工序。
【文档编号】G02B6/42GK104142542SQ201410058614
【公开日】2014年11月12日 申请日期:2014年2月20日 优先权日:2013年5月7日
【发明者】石川浩史, 平野光树, 安田裕纪 申请人:日立金属株式会社