一种像素分隔墙及其制作方法、基板、以及显示装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及显示【技术领域】，特别涉及一种像素分隔墙及其制作方法、基板、以及显示装置，用以解决采用目前方法制作出的像素分隔墙会导致像素的开口率变小的问题。本发明实施例的像素分隔墙的制作方包括：采用掩膜版，在基板上形成具有磁性的黑矩阵；在形成有黑矩阵的所述基板表面上均匀地喷涂一层均匀混合有纳米磁性微球的分散剂；其中，所述纳米磁性微球包括磁性材料、以及包裹所述磁性材料且表面包含活性分子链的预聚物；加热蒸发掉所述分散剂，所述纳米磁性微球聚集到黑矩阵对应区域；加热熔融所述纳米磁性微球的预聚物，并对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行固化处理，形成所述像素分隔墙。本发明实施例提高了像素的开口率。
【专利说明】—种像素分隔墙及其制作方法、基板、以及显示装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种像素分隔墙及其制作方法、基板、以及显示装置。
【背景技术】
[0002]电致变色显示是一种新型的显示技术，与液晶显示相比，其具有清晰度高、视角大、工作电压低、以及不需要背光和偏光片等优点，因此，得到了快速的发展。
[0003]目前主流的 ECD (Electrochomeric Display,电致变色显不器)为 AMECD (ActiveMatrix E⑶，有源矩阵式电致变色显示器)，其包括两种进行彩色显示的结构:第一种是RGB(红绿蓝)彩膜+ —种EC电解液的结构，第二种是RGB三种EC电解液的结构。
[0004]对于任一种进行彩色显示的AME⑶结构，为了避免相邻像素显示色彩的串扰，目前的AMECD中一般会设置有用于分隔相邻像素的像素分隔墙。目前一般先采用掩膜版在基板上形成黑矩阵，再采用同一掩膜版在形成有黑矩阵的基板上形成与黑矩阵位置对应的像素分隔墙。其中，采用掩膜版在基板上形成黑矩阵的步骤包括:在基板上涂布一层不透光材料，采用掩膜版对所述不透光材料进行曝光，清洗掉所述掩膜版的不透光区域对应的不透光材料，形成黑矩阵；以及，采用同一掩膜版在形成有黑矩阵的基板上形成像素分隔墙的步骤包括:在形成有黑矩阵的基板上涂布一层光刻胶，采用同一掩膜版对所述光刻胶进行曝光，其中，所述黑矩阵对应所述掩膜版的透光区域，清洗掉所述掩膜版的不透光区域对应的光刻胶，形成所述的像素分隔墙。
[0005]由于在采用同一掩膜版对光刻胶进行曝光时，很难实现所述掩膜版的透光区域与黑矩阵位置的精准对应，因此，可能导致制作出的像素分隔墙与黑矩阵部分交叠，使得像素的开口率变小；另外，由于光线存在衍射和散射现象，因此制作出的黑矩阵和像素分隔墙的实际宽度均要比掩膜板的透光区域宽度大，而且，由于与不透光材料相比，光刻胶的厚度比较大，相应地，光刻胶成型需要的曝光时间也会比较长，因此，制作出的像素分隔墙的实际宽度会明显大于黑矩阵的实际宽度，也会导致像素的开口率变小。
[0006]综上所述，采用目前方法制作出的像素分隔墙会导致像素的开口率变小，降低AME⑶的显示效果。
【发明内容】
[0007]本发明实施例提供一种像素分隔墙及其制作方法、基板、以及显示装置，用以解决现有技术中存在的采用目前方法制作出的像素分隔墙会导致像素的开口率变小的问题。
[0008]第一方面，本发明实施例提供了一种像素分隔墙的制作方法，包括:
[0009]采用掩膜版，在基板上形成具有磁性的黑矩阵；
[0010]在形成有黑矩阵的所述基板表面上均匀地喷涂一层均匀混合有纳米磁性微球的分散剂；其中，所述纳米磁性微球包括磁性材料、以及包裹所述磁性材料且表面包含活性分子链的预聚物；[0011]加热蒸发掉所述分散剂，所述纳米磁性微球聚集到黑矩阵对应区域；
[0012]加热熔融所述纳米磁性微球的预聚物，并对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行固化处理，形成所述像素分隔墙。
[0013]较佳地，所述预聚物包括丙烯酸酯类预聚物；
[0014]所述加热熔融纳米磁性微球的预聚物，具体包括:
[0015]在100°C?200°C的条件下，加热熔融纳米磁性微球的所述预聚物；
[0016]对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行固化处理，具体包括:
[0017]在温度为150°C?230°C的条件下，对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行不小于I小时的热固化。
[0018]较佳地，所述预聚物包括环氧树脂类预聚物；
[0019]所述加热熔融纳米磁性微球的预聚物，具体包括:
[0020]在100°C?200°C的条件下，加热熔融纳米磁性微球的所述预聚物；
[0021]所述对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行固化处理，具体包括:
[0022]在功率不小于I焦耳每秒的条件下，对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行I秒?10秒的紫外固化。
[0023]较佳地，所述黑矩阵的材料为掺杂有磁性材料的不透光材料；
[0024]其中，所述不透光材料中掺杂的磁性材料包括合金、铁氧体和金属间化合物中的一种或多种。
[0025]较佳地，所述分散剂包括硅烷偶联剂。
[0026]第二方面，本发明实施例提供了一种像素分隔墙，其中:所述像素分隔墙采用本发明实施例中所述的方法制作。
[0027]较佳地，所述像素分隔墙包括磁性材料、以及经过熔融和固化处理后的预聚物；其中，所述预聚物表面包含活性分子链。
[0028]第三方面，本发明实施例提供了一种基板，其中:包括本发明实施例中所述的像素分隔墙。
[0029]第四方面，本发明实施例提供了一种显示装置，其中:包括本发明实施例中包括所述的像素分隔墙的基板。
[0030]较佳地，所述显示装置为有源矩阵式电致变色显示器。
[0031 ] 本发明实施例的有益效果包括:
[0032]与现有技术相比，在本发明实施例中，先通过分散剂使得磁性纳米微球均匀分布在形成有具有磁性的黑矩阵的基板表面上，再通过加热蒸发掉所述分散剂使得磁性纳米微球因受到吸引力而聚集到黑矩阵对应区域，最后通过对聚集到黑矩阵对应区域的磁性纳米微球的预聚物进行熔融和固化处理，以形成像素分隔墙；即，制作出的像素分隔墙位于黑矩阵所在区域内，从而提高了像素的开口率，进一步地，提高了包含本发明实施例的像素分隔墙的AME⑶的显示效果。
【专利附图】
【附图说明】
[0033]图1为本发明实施例中制作像素分隔墙的方法流程示意图；
[0034]图2A?图2D为本发明实施例中制作像素分隔墙的过程示意图；[0035]图3为本发明实施例中纳米磁性微球的结构示意图；
[0036]图4A为本发明实施例中包含RGB三种EC电解液的AME⑶结构示意图；
[0037]图4B为本发明实施例中包含RGB彩膜和一种EC电解液的AME⑶结构示意图。
【具体实施方式】
[0038]在本发明实施例中，像素分隔墙的制作方法包括:采用掩膜版，在基板上形成具有磁性的黑矩阵；在形成有黑矩阵的所述基板表面上均匀地喷涂一层均匀混合有纳米磁性微球的分散剂；其中，所述纳米磁性微球包括磁性材料、以及包裹所述磁性材料且表面包含活性分子链的预聚物；加热蒸发掉所述分散剂，所述纳米磁性微球聚集到黑矩阵对应区域；加热熔融所述纳米磁性微球的预聚物，并对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行固化处理，形成所述像素分隔墙；
[0039]与现有技术相比，先通过分散剂使得磁性纳米微球均匀分布在形成有具有磁性的黑矩阵的基板表面上，再通过加热蒸发掉所述分散剂使得磁性纳米微球因受到吸引力而聚集到黑矩阵对应区域，最后通过对聚集到黑矩阵对应区域的磁性纳米微球的预聚物进行熔融和固化处理，以形成像素分隔墙；即，制作出的像素分隔墙位于黑矩阵所在区域内，从而提闻了像素的开口率，进一步地，提闻了包含本发明实施例的像素分隔墙的AME⑶的显不效果。
[0040]下面结合附图对本发明实施例的【具体实施方式】进行详细地说明。
[0041]较佳地，如图1所示，本发明实施例提供了一种像素分隔墙的制作方法，包括:
[0042]步骤101、采用掩膜版，在基板上形成具有磁性的黑矩阵；
[0043]步骤102、在形成有黑矩阵的所述基板表面上均匀地喷涂一层均匀混合有纳米磁性微球的分散剂；其中，所述纳米磁性微球包括磁性材料、以及包裹所述磁性材料且表面包含活性分子链的预聚物；
[0044]步骤103、加热蒸发掉所述分散剂，所述纳米磁性微球聚集到黑矩阵对应区域；
[0045]步骤104、加热熔融所述纳米磁性微球的预聚物，并对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行固化处理，形成所述像素分隔墙。
[0046]实施中，与现有技术相比，先通过分散剂使得磁性纳米微球均匀分布在形成有具有磁性的黑矩阵的基板表面上，再通过加热蒸发掉所述分散剂使得磁性纳米微球因受到吸引力而聚集到黑矩阵对应区域，最后通过对聚集到黑矩阵对应区域的磁性纳米微球的预聚物进行熔融和固化处理，以形成像素分隔墙；
[0047]S卩，在本发明实施例中，在形成有黑矩阵的基板上制作与黑矩阵位置对应的像素分隔墙时，不需要采用掩膜版，因此，不需要将掩膜版的透光区域与黑矩阵进行对位，也不需要采用掩膜版进行曝光；而是通过磁性纳米微球与具有磁性的黑矩阵配合实施，使得用于形成像素分隔墙的磁性纳米微球因受到吸引力而自动聚集到黑矩阵对应区域，从而使得制作出的像素分隔墙位于黑矩阵所在区域内，从而提高了像素的开口率，进一步地，提高了包含本发明实施例的像素分隔墙的AME⑶的显示效果。
[0048]实施中，本发明实施例中制作出的像素分隔墙位于黑矩阵所在区域内，使得本发明实施例中的像素开口率比较高，因此，本发明实施例的像素分隔墙的制作方法适用于高分辨率的AMECD。[0049]实施中，本发明实施例中制作像素分隔墙的各步骤工艺简单，且易于实现。
[0050]较佳地，在步骤101中，黑矩阵的材料为掺杂有磁性材料的不透光材料。
[0051]具体实施中，不透光材料为任一种能够形成黑矩阵的不透光材料。
[0052]较佳地，不透光材料包括铬及其化合物材料、以及黑色树脂中的一种。
[0053]具体实施中，不透光材料中掺杂的磁性材料为任一种磁性材料。
[0054]较佳地，不透光材料中掺杂的磁性材料包括合金、铁氧体和金属间化合物中的一种或多种。
[0055]较佳地，在步骤101中，基板可以为未形成有膜层结构的基板，比如，玻璃基板；也可以为形成有膜层结构的基板，比如，形成有公共电极层的玻璃基板，或者形成有依次层叠的公共电极层和RGB彩膜层的玻璃基板。
[0056]较佳地，在步骤101中，采用掩膜版在基板上形成黑矩阵的实施方式与现有技术中采用掩膜版在基板上形成黑矩阵的实施方式类似，在此不再赘述。
[0057]实施中，在步骤101中，可以在基板上形成具有磁性的黑矩阵；
[0058]具体如图2A所示，具有磁性的黑矩阵10在基板00上呈矩阵式排布。
[0059]具体实施中，在步骤102中，分散剂为任一种分散剂。
[0060]较佳地，分散剂包括硅烷偶联剂。
[0061 ] 具体实施中，在步骤102中，纳米磁性微球的磁性材料为任一种磁性材料。
[0062]较佳地，纳米磁性微球的磁性材料包括合金、铁氧体和金属间化合物中的一种或多种。
[0063]具体实施中，在步骤102中，纳米磁性微球的预聚物为任一种表面包含活性分子链的预聚物。
[0064]较佳地，所述预聚物满足特性:在处于熔融态时，固化时间小于设定时间阈值。
[0065]较佳地，设定时间阈值可以根据经验或需要设定，比如，根据经验设定为I天。
[0066]实施中，在较短的时间内可以实现对处于熔融态的预聚物进行固化处理，可以节省制作像素分隔墙的时间，提高制作像素分隔墙的效率。
[0067]较佳地，纳米磁性微球的预聚物包括丙烯酸酯类预聚物、环氧树脂类预聚物和苯乙烯类预聚物中的一种。
[0068]较佳地，在步骤102中，纳米磁性微球为核-壳结构或者壳-核-壳结构。
[0069]比如，以核-壳结构的纳米磁性微球为例，对本发明实施例中的纳米磁性微球进行简单介绍；
[0070]核-壳结构的纳米磁性微球的具体结构如图3所示，纳米磁性微球类似于球形，其内部为球形磁性材料21，外侧包裹一层预聚物22，同时预聚物22的表面包含活性短链23。
[0071]较佳地，在步骤102中，均匀混合在分散剂中的纳米磁性微球的质量满足:制作出的像素分隔墙的高度大于设定高度阈值。
[0072]较佳地，设定高度阈值可以根据需要或者经验设定，只要满足能够分隔相邻像素即可。
[0073]实施中，在步骤102中，在分散剂的作用下，磁性纳米微球均匀分布在形成有具有磁性的黑矩阵的基板表面上；
[0074]具体如图2B所示，均匀混合有纳米磁性微球的分散剂I均匀地分布在形成有黑矩阵的基板表面上，使得磁性纳米微球能够均匀地分布在形成有具有磁性的黑矩阵的基板表面上。
[0075]较佳地，在步骤103中，在温度不小于100°C的条件下，加热蒸发掉所述分散剂。
[0076]实施中，在步骤103中，加热蒸发掉所述分散剂后，均匀地分布在形成有黑矩阵的基板表面上的纳米磁性微球因受到具有磁性的黑矩阵的吸引作用力而聚集在黑矩阵对应区域；
[0077]具体如图2C所示，纳米磁性微球20聚集在黑矩阵10对应区域。
[0078]较佳地，在步骤104中，加热熔融所述纳米磁性微球的预聚物，具体包括:
[0079]在100°C?200°C的条件下，加热熔融纳米磁性微球的所述预聚物。
[0080]实施中，当所述纳米磁性微球的预聚物熔融后，在所述预聚物表面的活性分子链中的活性基团的作用下，相邻纳米磁性微球的预聚物会发生聚合。
[0081]具体实施中，在步骤104中，在预聚物的材料不同时，对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行固化处理的方法也不同。
[0082]较佳地，当所述预聚物包括丙烯酸酯类预聚物时，在步骤104中，对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行固化处理，具体包括:
[0083]在温度为150°C?230°C的条件下，对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行不小于I小时的热固化。
[0084]较佳地，当所述预聚物包括环氧树脂类预聚物时，在步骤104中，所述对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行固化处理，具体包括:
[0085]在功率不小于I焦耳每秒的条件下，对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行I秒?10秒的紫外固化。
[0086]实施中，当所述纳米磁性微球的预聚物熔融后，相邻纳米磁性微球的预聚物会发生聚合，通过对其进行固化处理，以形成密封的像素分隔墙。
[0087]较佳地，在步骤104中，由处于熔融态的预聚物固化处理后得到的聚合物的压缩比例满足:能够支撑用于对盒以形成AMECD的上基板和下基板。
[0088]较佳地，由处于熔融态的预聚物固化处理后得到的聚合物的压缩比例的取值范围%:(0,10%]。
[0089]实施中，将固化处理后的处于熔融态的预聚物作为像素分隔墙，而像素分隔墙位于用于对盒以形成AMECD的上基板和下基板之间，因此，固化处理后的处于熔融态的预聚物的实施方式与液晶显示装置中的PS (隔垫物)的实施方式类似，其压缩比例需要满足:能够支撑用于对盒以形成AMECD的上基板和下基板。
[0090]实施中，在步骤104中，加热熔融所述纳米磁性微球的预聚物后，相邻纳米磁性微球的预聚物会发生聚合；对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行固化处理，以形成密封的像素分隔墙；
[0091]具体如图2D所示，在黑矩阵10所在区域形成密封的像素分隔墙30。
[0092]基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种像素分隔墙，其中:所述像素分隔墙采用本发明实施例中所述的方法制作。
[0093]较佳地，所述像素分隔墙包括磁性材料、以及经过熔融和固化处理后的预聚物；其中，所述预聚物表面包含活性分子链。[0094]基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种基板，其中:包括本发明实施例中所述的像素分隔墙。
[0095]较佳地，包括本发明实施例中所述的像素分隔墙的基板还包括:
[0096]位于所述像素分隔墙下方、与所述像素分隔墙位置对应的且具有磁性的黑矩阵；
[0097]其中，所述黑矩阵包括磁性材料和不透光材料。
[0098]具体实施中，黑矩阵包括的不透光材料为任一种能够形成黑矩阵的不透光材料。
[0099]较佳地，黑矩阵包括的不透光材料包括铬及其化合物材料、以及黑色树脂中的一种。
[0100]具体实施中，黑矩阵包括的磁性材料为任一种磁性材料。
[0101]较佳地，黑矩阵包括的磁性材料包括合金、铁氧体和金属间化合物中的一种或多种。
[0102]基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种显示装置，其中:包括本发明实施例中包括所述的像素分隔墙的基板；
[0103]所述显示装置可以为:液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0104]较佳地,所述显示装置为AME⑶。
[0105]实施例一
[0106]包含RGB三种EC电解液的AME⑶的结构如图4A所示，在本发明实施例中，将对制作包含RGB三种EC电解液的AME⑶的过程进行介绍。
[0107]较佳地，本发明实施例制作包含RGB三种EC电解液的AME⑶的方法，包括:
[0108]步骤Al、在第一玻璃基板上形成公共电极层；
[0109]如图4A所不，公共电极层40位于第一玻璃基板OOa上。
[0110]步骤A2、在形成有公共电极层的玻璃基板上形成具有磁性的黑矩阵；
[0111]如图4A所示，具有磁性的黑矩阵10位于公共电极层40上。
[0112]步骤A3、采用本发明实施例中所述的像素分隔墙的制作方法，在形成有黑矩阵的玻璃基板上形成位于黑矩阵对应区域内的像素分隔墙；
[0113]如图4A所示，像素分隔墙30位于黑矩阵10的对应区域内。
[0114]步骤A4、在第二玻璃基板上形成TFT (薄膜晶体管)和全面覆盖所述TFT的平坦化层，其中，平坦化层包含露出TFT的漏极的过孔；
[0115]如图4A所示，TFT50位于第二玻璃基板OOb上，平坦化层60全面覆盖TFT50，平坦化层60包含过孔70，过孔70露出TFT50的漏极51。
[0116]步骤A5、在形成有平坦化层的玻璃基板上形成通过过孔与TFT的漏极电连接的像素电极；
[0117]如图4A所示，像素电极80通过过孔70与TFT50的漏极51电连接。
[0118]步骤A6、在形成有像素电极的玻璃基板上形成位置与像素电极位置对应的电致变色层；
[0119]如图4A所示，电致变色层90分为RGB三种，其中每种电致变色层90的电解液不同。
[0120]其中，步骤Al?步骤A3与步骤A4?步骤A6之间无时序关系，可以先执行步骤Al?步骤A3，再执行步骤A4?步骤A6 ;可以先执行步骤A4?步骤A6，再执行步骤Al?步骤A3 ;也可以同时执行。
[0121]步骤A7、将形成有像素分隔墙的玻璃基板和形成有电致变色层的玻璃基板对盒，以形成包含RGB三种EC电解液的AME⑶。
[0122]如图4A所示，在对盒后形成的AMECD中，电致变色层90位于相邻两像素分隔墙30之间，以避免相邻像素显示色彩的串扰。
[0123]实施例二
[0124]包含RGB彩膜和一种EC电解液的AME⑶的结构如图4B所示，在本发明实施例中，将对制作包含RGB彩膜和一种EC电解液的AMECD的过程进行介绍。
[0125]较佳地，本发明实施例制作包含RGB彩膜和一种EC电解液的AME⑶的方法，包括:
[0126]步骤B1、在第一玻璃基板上形成公共电极层；
[0127]如图4B所不,公共电极层40位于第一玻璃基板OOa上。
[0128]步骤B2、在形成有公共电极层的玻璃基板上形成RGB彩膜层；
[0129]如图4B所示，RGB彩膜层100位于公共电极层40上。
[0130]其中，实施例二与实施例一的区别在于，在公共电极层和黑矩阵之间，设置有RGB彩膜层；相应地，电致变色层的电解液均相同，即只有一种电解液。
[0131]步骤B3、在形成有RGB彩膜层的玻璃基板上形成具有磁性的黑矩阵；
[0132]如图4B所示，具有磁性的黑矩阵10位于RGB彩膜层100上。
[0133]步骤B4、采用本发明实施例中所述的像素分隔墙的制作方法，在形成有黑矩阵的玻璃基板上形成位于黑矩阵对应区域内的像素分隔墙；
[0134]如图4B所示，像素分隔墙30位于黑矩阵10的对应区域内。
[0135]步骤B5、在第二玻璃基板上形成TFT和全面覆盖所述TFT的平坦化层，其中，平坦化层包含露出TFT的漏极的过孔；
[0136]如图4B所示，TFT50位于第二玻璃基板OOb上，平坦化层60全面覆盖TFT50，平坦化层60包含过孔70，过孔70露出TFT50的漏极51。
[0137]步骤B6、在形成有平坦化层的玻璃基板上形成通过过孔与TFT的漏极电连接的像素电极；
[0138]如图4B所示，像素电极80通过过孔70与TFT50的漏极51电连接。
[0139]步骤B7、在形成有像素电极的玻璃基板上形成位置与像素电极位置对应的电致变色层；
[0140]如图4B所示，电致变色层90的电解液均相同。
[0141]其中，步骤BI?步骤B4与步骤B5?步骤B7之间无时序关系，可以先执行步骤BI?步骤B4，再执行步骤B5?步骤B7 ;可以先执行步骤B5?步骤B7，再执行步骤BI?步骤B4;也可以同时执行。
[0142]步骤B8、将形成有像素分隔墙的玻璃基板和形成有电致变色层的玻璃基板对盒，以形成包含RGB彩膜和一种EC电解液的AME⑶。
[0143]如图4B所示，在对盒后形成的AMECD中，电致变色层90位于相邻两像素分隔墙30之间，以避免相邻像素显示色彩的串扰。
[0144]尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
[0145]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1.一种像素分隔墙的制作方法，其特征在于，包括: 采用掩膜版，在基板上形成具有磁性的黑矩阵； 在形成有黑矩阵的所述基板表面上均匀地喷涂一层均匀混合有纳米磁性微球的分散齐?;其中，所述纳米磁性微球包括磁性材料、以及包裹所述磁性材料且表面包含活性分子链的预聚物； 加热蒸发掉所述分散剂，所述纳米磁性微球聚集到黑矩阵对应区域； 加热熔融所述纳米磁性微球的预聚物，并对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行固化处理，形成所述像素分隔墙。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预聚物包括丙烯酸酯类预聚物； 所述加热熔融纳米磁性微球的预聚物，具体包括: 在100°C~200°C的条件下，加热熔融纳米磁性微球的所述预聚物； 对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行固化处理，具体包括: 在温度为150°C~230°C的条件下，对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行不小于I小时的热固化。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预聚物包括环氧树脂类预聚物； 所述加热熔融纳米磁性微球的预聚物，具体包括: 在100°C~200°C的条件下，加热熔融纳米磁性微球的所述预聚物； 所述对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行固化处理，具体包括: 在功率不小于I焦耳每秒的条件下，对预聚物处于熔融态的所述纳米磁性微球进行I秒~10秒的紫外固化。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述黑矩阵的材料为掺杂有磁性材料的不透光材料； 其中，所述不透光材料中掺杂的磁性材料包括合金、铁氧体和金属间化合物中的一种或多种。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分散剂包括硅烷偶联剂。
6.一种像素分隔墙，其特征在于，采用如权利要求1~5任一所述的方法制作。
7.如权利要求6所述的像素分隔墙，其特征在于，所述像素分隔墙包括磁性材料、以及经过熔融和固化处理后的预聚物；其中，所述预聚物表面包含活性分子链。
8.一种基板，其特征在于，包括如权利要求6或者7所述的像素分隔墙。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的基板。
10.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为有源矩阵式电致变色显示器。
【文档编号】G02F1/161GK103941511SQ201410145591
【公开日】2014年7月23日 申请日期:2014年4月11日 优先权日:2014年4月11日
【发明者】王新星, 姚继开 申请人:京东方科技集团股份有限公司