阵列基板及液晶显示面板的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种阵列基板及液晶显示面板，该阵列基板包括数据线、扫描线、像素电极、薄膜场效应晶体管、公共线以及导向膜，其中公共线为网格状图案的金属线。其中数据线、扫描线、像素电极以及薄膜场效应晶体管设置在阵列基板的中间的显示区域；公共线设置在阵列基板的边缘的非显示区域；导向膜设置在阵列基板的显示区域和非显示区域。本发明还提供一种液晶显示面板。本发明的阵列基板及液晶显示面板通过设置网格状图案的公共线，使得导向膜不易在阵列基板的边缘出现堆积现象。
【专利说明】阵列基板及液晶显不面板
【技术领域】
[0001] 本发明涉及液晶【技术领域】，特别是涉及一种阵列基板及液晶显示面板。
【背景技术】
[0002] 随着液晶显示技术的发展，越来越多的用户开始使用液晶显示装置进行社交娱乐 活动。
[0003] 现有的液晶显示装置的液晶显示面板均包括阵列基板（TFT基板）和彩膜基板 (CF基板）。阵列基板和彩膜基板之间设置有液晶层。阵列基板和彩膜基板的内侧涂布有 PI(Polyimide，聚酰亚胺）导向膜，以使得液晶层中的液晶分子形成预倾角，加快液晶显示 的响应速度。
[0004] 在阵列基板上涂布PI导向膜时，PI导向膜的材料会向阵列基板的四周边缘扩散。 由于阵列基板的边缘结构（外部走线区域）与内部显示区域的结构有所差异，造成PI导向 膜的材料在阵列基板的边缘区域出现堆积现象，因此导致邻近的显示区域的PI导向膜的 厚度也偏厚；当该液晶显示装置进行显示时，液晶显示面板的边缘部分（或阵列基板的边 缘部分）容易出现漏光现象，影响了液晶显示装置的显示品质。
[0005] 故，有必要提供一种阵列基板及液晶显示面板，以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
[0006] 本发明的目的在于提供一种阵列基板及液晶显示面板，以解决现有的液晶显示面 板的阵列基板的边缘区域上的导向膜易出现堆积现象，从而导致液晶显示面板的边缘部分 容易出现漏光现象的技术问题。
[0007] 为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
[0008] 本发明实施例提供一种阵列基板，设置在相应的液晶显示面板中，其中所述阵列 基板包括：
[0009] 数据线，用于传输数据信号；
[0010] 扫描线，用于传输扫描信号；
[0011] 像素电极，用于接收所述数据信号；
[0012] 薄膜场效应晶体管，用于根据所述扫描信号，将所述数据信号发送至所述像素电 极；
[0013] 公共线，为网格状图案的金属线，用于传输公共信号，以及
[0014] 导向膜，设置在所述阵列基板的表面，用于使得液晶分子形成预倾角；
[0015] 其中所述数据线、所述扫描线、所述像素电极以及所述薄膜场效应晶体管设置在 所述阵列基板的中间的显示区域；所述公共线设置在所述阵列基板的边缘的非显示区域； 所述导向膜设置在所述阵列基板的所述显示区域和所述非显示区域。
[0016] 在本发明所述的阵列基板中，所述公共线的宽度为400微米至600微米，所述公共 线中的网格的宽度为4微米至10微米。
[0017] 在本发明所述的阵列基板中，所述公共线的材料为金属铝。
[0018] 在本发明所述的阵列基板中，所述公共线中的厚度为80纳米至120纳米。
[0019] 在本发明所述的阵列基板中，所述导向膜的厚度为100纳米至200纳米。
[0020] 本发明实施例还提供一种液晶显示面板，其包括：阵列基板、彩膜基板以及设置在 所述阵列基板以及彩膜基板之间的液晶层；
[0021] 其中所述阵列基板包括：
[0022] 数据线，用于传输数据信号；
[0023] 扫描线，用于传输扫描信号；
[0024] 像素电极，用于接收所述数据信号；
[0025] 薄膜场效应晶体管，用于根据所述扫描信号，将所述数据信号发送至所述像素电 极；
[0026] 公共线，为网格状图案的金属线，用于传输公共信号，以及
[0027] 导向膜，设置在所述阵列基板的表面，用于使得液晶分子形成预倾角；
[0028] 其中所述数据线、所述扫描线、所述像素电极以及所述薄膜场效应晶体管设置在 所述阵列基板的中间的显示区域；所述公共线设置在所述阵列基板的边缘的非显示区域； 所述导向膜设置在所述阵列基板的所述显示区域和所述非显示区域。
[0029] 在本发明所述的液晶显示面板中，所述公共线的宽度为400微米至600微米，所述 公共线中的网格的宽度为4微米至10微米。
[0030] 在本发明所述的液晶显示面板中，所述公共线的材料为金属铝。
[0031] 在本发明所述的液晶显示面板中，所述公共线中的厚度为80纳米至120纳米。
[0032] 在本发明所述的液晶显示面板中，所述导向膜的厚度为100纳米至200纳米。
[0033] 相较于现有的阵列基板及液晶显示面板，本发明的阵列基板及液晶显示面板通过 设置网格状图案的公共线，使得导向膜不易在阵列基板的边缘区域出现堆积现象；解决了 现有的液晶显示面板的阵列基板的边缘区域上的导向膜易出现堆积现象，从而导致液晶显 示面板的边缘部分容易出现漏光现象的技术问题。
[0034] 为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作 详细说明如下：
【专利附图】
【附图说明】
[0035] 图1为现有的阵列基板的结构示意图；
[0036] 图2为现有技术的阵列基板所在的液晶显示面板按图1的A-A'截面线的截面图；
[0037] 图3为本发明的阵列基板的优选实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0038] 以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施 例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧 面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用 以限制本发明。
[0039] 在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
[0040] 请参照图1和图2,图1为现有的阵列基板的结构示意图，图2为现有技术的阵列 基板所在的液晶显示面板按图1的A-A'截面线的截面图。为了说明的需要，图中部分部件 的尺寸进行了相应的调整，并对部分现有技术中未做改进的部件未进行显示。
[0041] 该液晶显示面板10包括彩膜基板11、阵列基板12以及设置在阵列基板12和彩膜 基板11之间的液晶层13。该阵列基板12包括阵列基板衬底121、数据线122、扫描线123、 像素电极124、薄膜场效应晶体管125、公共线126以及阵列基板侧导向膜127。该彩膜基板 11包括彩膜基板衬底111、各色色阻112以及彩膜侧导向膜113。液晶层13通过框胶14密 闭在阵列基板12和彩膜基板11之间的容纳空间内。其中数据线122用于传输数据信号； 扫描线123用于传输扫描信号；像素电极124用于接收数据信号；薄膜场效应晶体管125用 于根据扫描信号，将数据信号发送至像素电极124 ;公共线126为实心金属线或实心薄膜导 线，用于传输公共信号；阵列基板侧导向膜127设置在阵列基板的表面，用于使得液晶层13 中的液晶分子形成预倾角。
[0042] 数据线122、扫描线123、像素电极124以及薄膜场效应晶体管125设置在阵列基 板12的中间的显示区域，公共线126设置在阵列基板12的边缘的非显示区域，阵列基板侧 导向膜127设置在阵列基板12的显示区域和非显示区域（及阵列基板侧导向膜127设置 在整个阵列基板12上）。
[0043] 现有技术的阵列基板12制作时，如图1和图2所示，首先在阵列基板12的阵列基 板衬底121上制作数据线122、扫描线123、薄膜场效应晶体管125、像素电极124以及公共 线126 ;然后在整个阵列基板12的表面上涂布阵列基板侧导向膜127 (即PI导向膜），由于 位于阵列基板12的边缘区域设置有公共线126 (实心金属线），因此阵列基板侧导向膜127 在此处的扩散会被公共线126阻挡，造成阵列基板12的边缘区域的阵列基板侧导向膜127 偏厚，进而导致相邻的显示区域的阵列基板侧导向膜127的厚度也偏厚（大致为200纳米 至300纳米），从而液晶显示面板10的边缘部分容易出现漏光现象，影响液晶显示装置的显 不品质。
[0044] 请参照图3,图3为本发明的阵列基板的优选实施例的结构示意图。本优选实施例 的阵列基板32包括阵列基板衬底（图中未示出）、数据线321、扫描线322、像素电极323、 薄膜场效应晶体管324、公共线325以及导向膜（图中未示出）。数据线321用于传输数据 信号；扫描线322用于传输扫描信号；像素电极323用于接收数据信号；薄膜场效应晶体管 324用于根据扫描信号，将数据信号发送至像素电极323 ;公共线325为网格状图案的金属 线，用于传输公共信号；导向膜设置在阵列基板32的表面，用于使得液晶分子形成预倾角。
[0045] 其中数据线321、扫描线322、像素电极323、薄膜场效应晶体管324设置在阵列基 板32的中间的显示区域，公共线325设置在阵列基板32的边缘的非显示区域，导向膜设置 在阵列基板32的显示区域和非显示区域。
[0046] 本优选实施例的阵列基板32制作时，如图3所示，首先在阵列基板32的阵列基板 衬底上制作数据线321、扫描线322、薄膜场效应晶体管324、像素电极323以及公共线325 ; 然后在整个阵列基板32的表面上涂布导向膜（即PI导向膜）。当导向膜扩散至阵列基板 32的具有公共线325的区域时，由于公共线325为网格状图案的金属线，导向膜较容易在公 共线325上进行扩散，从而使得阵列基板32的边缘区域（非显示区域）的导向膜的厚度不 会过厚，相邻的显示区域的导向膜的厚度也会和阵列基板32的中间的显示区域的导向膜 的厚度差异较小，避免了液晶显示面板的边缘部分的漏光现象的产生，提升了液晶显示装 置的显示品质。
[0047] 优选的，本优选实施例的阵列基板32中的公共线325的材料为金属铝，公共线325 的宽度为400微米至600微米，公共线325中网格的宽度为4微米至10微米（常用的导向 膜材料的颗粒均小于该网格的尺寸），公共线325的厚度为80纳米至120纳米，这样阵列 基板32的边缘的非显示区域（公共线325的设置区域）处的导向膜的厚度为150纳米至 200纳米，阵列基板32的中间的显示区域处的导向膜的厚度为100纳米至150纳米（现有 的阵列基板的非显示区域的导向膜的厚度为200纳米至300纳米），从而使得阵列基板32 的边缘显示区域的导向膜和阵列基板32的中间显示区域的导向膜的厚度差异较小，很好 的避免了液晶显示面板的边缘部分的漏光现象的产生，提升了液晶显示装置的显示品质。 [0048] 本发明还提供一种液晶显示面板，该液晶显示面板包括阵列基板、彩膜基板以及 设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。该阵列基板包括数据线、扫描线、像素电极、薄 膜场效应晶体管、公共线以及导向膜。数据线用于传输数据信号；扫描线用于传输扫描信 号；像素电极用于接收数据信号；薄膜场效应晶体管用于根据扫描信号，将数据信号发送 至像素电极；公共线为网格状图案的金属线，用于传输公共信号；导向膜设置在阵列基板 的表面，用于使得液晶分子形成预倾角。
[0049] 其中数据线、扫描线、像素电极、薄膜场效应晶体管设置在阵列基板的中间的显示 区域，公共线设置在阵列基板的边缘的非显示区域，导向膜设置在阵列基板的显示区域和 非显示区域。
[0050] 本发明的液晶显示面板的具体工作原理与上述的阵列基板的优选实施例中的相 关描述相同或相似，具体请参见上述阵列基板的优选实施例中的相关描述。
[0051] 本发明的阵列基板及液晶显示面板通过设置网格状图案的公共线，使得导向膜不 易在阵列基板的边缘区域出现堆积现象；解决了现有的液晶显示面板的阵列基板的边缘区 域上的导向膜易出现堆积现象，从而导致液晶显示面板的边缘部分容易出现漏光现象的技 术问题。
[0052] 综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限 制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润 饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
【权利要求】
1. 一种阵列基板，设置在相应的液晶显示面板中，其特征在于，所述阵列基板包括： 数据线，用于传输数据信号； 扫描线，用于传输扫描信号； 像素电极，用于接收所述数据信号； 薄膜场效应晶体管，用于根据所述扫描信号，将所述数据信号发送至所述像素电极； 公共线，为网格状图案的金属线，用于传输公共信号，以及 导向膜，设置在所述阵列基板的表面，用于使得液晶分子形成预倾角； 其中所述数据线、所述扫描线、所述像素电极以及所述薄膜场效应晶体管设置在所述 阵列基板的中间的显示区域；所述公共线设置在所述阵列基板的边缘的非显示区域；所述 导向膜设置在所述阵列基板的所述显示区域和所述非显示区域。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共线的宽度为400微米至600 微米，所述公共线中的网格的宽度为4微米至10微米。
3. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共线的材料为金属铝。
4. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共线中的厚度为80纳米至 120纳米。
5. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导向膜的厚度为100纳米至200 纳米。
6. -种液晶显示面板，其特征在于，包括：阵列基板、彩膜基板以及设置在所述阵列基 板以及彩膜基板之间的液晶层； 其中所述阵列基板包括： 数据线，用于传输数据信号； 扫描线，用于传输扫描信号； 像素电极，用于接收所述数据信号； 薄膜场效应晶体管，用于根据所述扫描信号，将所述数据信号发送至所述像素电极； 公共线，为网格状图案的金属线，用于传输公共信号，以及 导向膜，设置在所述阵列基板的表面，用于使得液晶分子形成预倾角； 其中所述数据线、所述扫描线、所述像素电极以及所述薄膜场效应晶体管设置在所述 阵列基板的中间的显示区域；所述公共线设置在所述阵列基板的边缘的非显示区域；所述 导向膜设置在所述阵列基板的所述显示区域和所述非显示区域。
7. 根据权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，所述公共线的宽度为400微米至 600微米，所述公共线中的网格的宽度为4微米至10微米。
8. 根据权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，所述公共线的材料为金属铝。
9. 根据权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，所述公共线中的厚度为80纳米 至120纳米。
10. 根据权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，所述导向膜的厚度为100纳米 至200纳米。
【文档编号】G02F1/1337GK104122727SQ201410366182
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2014年7月29日 优先权日:2014年7月29日
【发明者】李厚斌, 黄宇吾 申请人:深圳市华星光电技术有限公司