边缘电场切换型液晶显示装置的阵列基板的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开一种边缘电场切换型液晶显示装置的阵列基板，包括：一基板；多条闸极线，单向形成于该基板上；多条资料线，与该些闸极线交错，且该些相邻的两条资料线与相邻的该两条闸极线所围绕的区域内，定义为一像素区域；一第一绝缘层，形成在该些资料线上；一像素电极，形成在该第一绝缘层上，使该第一绝缘层介于该些资料线与该像素电极之间；一第二绝缘层，形成在该第一绝缘层及该像素电极上；以及一共用电极，形成在部份的该第二绝缘层上，并包括多个贯穿条状开口。
【专利说明】边缘电场切换型液晶显示装置的阵列基板
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及一种阵列基板，更特别地是，有关于一种边缘电场切换型液晶显 示装置的阵列基板。
【背景技术】
[0002] 图1为已知技术的边缘电场切换型液晶显示装置的阵列基板平面示意图。图2为 图1的阵列基板沿剖线al-al'的剖面示意图。图3为图1的阵列基板沿剖线a2_a2'的剖 面示意图。该阵列基板900包括一基板910、多条资料线930、多条闸极线920、多个薄膜电 晶体940、一像素电极950、一绝缘层960及多个共用电极970。
[0003] 该些闸极线920沿一方向延伸，并相互平行分开形成在基板910上。该些资料线 930沿另一方向延伸，并相互平行分开形成在基板910上。该些资料线930与该些闸极线 920交错，以使相邻的两资料线930与两闸极线920所围绕的区域内定义像素区域。该些薄 膜电晶体940设置在闸极线920与资料线930的交错处，并且由闸极941、闸极绝缘层942、 半导体层943、源极945和汲极944所形成。在形成源极945和汲极944之前，会先将该像 素电极950形成在该闸极绝缘层942上，之后才形成该源极945和汲极944。该汲极944会 与该像素电极950电性连接。
[0004] 该绝缘层960形成在该闸极941上方及该些薄膜电晶体940的表面（如图3所 示）。该共用电极970形成在该绝缘层960上。
[0005] 当形成该像素电极950或该资料线930时，容易因为污染或者蚀刻不干净，而造成 有一导电物体990形成在该像素电极950及该资料线930之间，进而使该像素电极950通 过该导电物体990与该资料线930之间相互短路，而造成辉点不良。
[0006] 因此，便有需要提供一种边缘电场切换型液晶显示装置的阵列基板，能够解决前 述的问题。 实用新型内容
[0007] 本新型的目的在于提供一种可避免像素电极及该资料线之间，因为污染或者蚀刻 不干净等原因，而造成短路的阵列基板。
[0008] 为达成上述目的，本新型提供一种边缘电场切换型液晶显示装置之的阵列基板， 包括：一基板；多条闸极线，单向形成于该基板上；多条资料线，与该些闸极线交错，且该些 相邻之的两条资料线与相邻之的该两条闸极线所围绕的区域内，定义为一画素像素区域； 一第一绝缘层，形成在该些资料线上；一画素像素电极，形成在该第一绝缘层上，使该第一 绝缘层介于该些资料线与该画素像素电极之间；一第二绝缘层，形成在该第一绝缘层及该 画素像素电极上；以及一共用电极，形成在部份的该第二绝缘层上，并包括多个贯穿条状开 □。
[0009] 本新型中所述的阵列基板在资料线与像素电极之间加上第一绝缘层，可避免像素 电极及该资料线之间，因为污染或者蚀刻不干净等原因，而造成短路，进而降底辉点不良 率。
[0010] 为了让本新型的上述和其他目的、特征和优点能更明显，下文将配合所附图示，作 详细说明如下。
【专利附图】
【附图说明】
[0011] 图1为已知技术的边缘电场切换型液晶显示装置的阵列基板平面示意图。
[0012] 图2为图1的阵列基板沿剖线al-al'的剖面示意图。
[0013] 图3为图1的阵列基板沿剖线a2-a2'的剖面示意图。
[0014] 图4为本新型的边缘电场切换型液晶显示装置的阵列基板平面示意图。
[0015] 图5为图4的阵列基板沿剖线bl_bl'的剖面不意图。
[0016] 图6为图4的阵列基板沿剖线b2_b2'的剖面不意图。
[0017] 其中：
[0018] 100边缘电场切换型液晶显示装置的阵列基板
[0019] 110基板 120闸极线
[0020] 130资料线140薄膜电晶体
[0021] 141闸极 142闸极绝缘层
[0022] 143半导体层144汲极
[0023] 145源极 150第一绝缘层
[0024] 151贯穿开口 160像素电极
[0025] 170第二绝缘层171贯穿条状开口
[0026] 180共用电极190像素区域
[0027] 900阵列基板910基板
[0028] 930资料线920闸极线
[0029] 940薄膜电晶体941闸极
[0030] 942闸极绝缘层943半导体层
[0031] 944汲极945源极
[0032] 950像素电极960绝缘层
[0033] 970共用电极
[0034] 990导电物体
【具体实施方式】
[0035] 图4为本新型的边缘电场切换型液晶显示装置的阵列基板平面示意图。图5为图 4的阵列基板沿剖线bl-bl'的剖面示意图。图6为图4的阵列基板沿剖线b2_b2'的剖面 示意图。图4中的实线及虚线只为了区别不同的元件，并不代表元件间的上下层关系。
[0036] 如图4及图5所示，边缘电场切换型液晶显示装置之的阵列基板100包括一基板 110、多条闸极线（扫描线）120、多条资料线130、一第一绝缘层150、一画素像素电极160、 一第二绝缘层170以及一共用电极180。该些闸极线120单向形成于该基板110上。该些 资料线130与该些闸极线120交错，且该些相邻之的两条资料线130与相邻之的两条闸极 线120所围绕的区域内，定义一画素像素区域190。该第一绝缘层150形成在该些资料线 130上。该画素像素电极160形成在该第一绝缘层150上，使该第一绝缘层150介于该些资 料线130与该画素像素电极160之间。该第二绝缘层170形成在该第一绝缘层150及该画 素像素电极160上。该共用电极180形成在该第二绝缘层170上，并包括多个贯穿条状开 口 171，该些贯穿条状开口 171用以暴露该第二绝缘层170。
[0037] 如图4及图6所示，较佳的，该边缘电场切换型液晶显示装置的阵列基板100还包 括多个薄膜电晶体140。该些薄膜电晶体140形成在该些闸极线120和该些资料线130交 错处。该第一绝缘层150形成在该些薄膜电晶体140上，并具有一贯穿开口 151，该贯穿开 口 151用以暴露该些薄膜电晶体140的一汲极144。该像素电极160通过该贯穿开口 151 与该些薄膜电晶体140的该汲极144电性连接。
[0038] 请同时参阅图4、图5及图6。边缘电场切换型液晶显示装置的阵列基板100的制 造方法为：先将一第一金属层（图未示）形成于该基板110上，然后蚀刻该第一金属层，以 形成多条闸极线120及闸极141。该些闸极线120以相同方向延伸并相互平行分开，并单向 形成于该基板110上。该基板110可为透明基板。
[0039] 接着，再涂布一闸极绝缘层142于该闸极线120、闸极141以及部分的基板110上。 然后于闸极绝缘层142上，形成半导体层143,其中该半导体层143位在闸极141的上方。 接着，将第二金属层（图未示）形成于闸极绝缘层142及半导体层143上。然后，蚀刻该第 二金属层，以形成该些资料线130、源极145及汲极144,其中该些资料线130、该源极145及 该汲极144以背通道蚀刻（Back channel etching, BCE)的方式形成，并暴露出该半导体层 143。以背通道蚀刻的方式形成该些资料线130、该源极145及该汲极144时，因为像素电极 160还未形成，所以不会影响背通道蚀刻的速率均匀度，使半导体层143较不会被蚀刻而变 薄。该些资料线130以相同方向延伸并相互平行分开，并与该闸极线120相互交错。
[0040] 接着，形成该第一绝缘层150于该闸极绝缘层142、该资料线130、该源极145及该 汲极144上，再对该第一绝缘层150进行蚀刻，使该汲极144上形成该贯穿开口 151。
[0041] 接着，在第一绝缘层150上形成该像素电极160,且该像素电极160通过该贯穿开 口 151与该薄膜电晶体140的该汲极144电性连接。在资料线130与像素电极160之间加 上第一绝缘层150,可避免像素电极160及该些资料线130之间，因为污染或者蚀刻不干净 等原因，而造成短路。
[0042] 接着，在像素电极160及该第一绝缘层150上形成该第二层绝缘层170。该第一绝 缘层150及该第二绝缘层170可为相同材质，例如氮化硅。
[0043] 最后，在该第二绝缘层170上形成该共用电极180,使该资料线130与该共用电极 180之间夹有该第一绝缘层150及该第二绝缘层170,其中该共用电极180形成在该第二绝 缘层170上，并包括多个贯穿条状开口 171，该些贯穿条状开口 171用以暴露该第二绝缘层 170。该共用电极180及该像素电极160的材质可为透明导电材料，例如氧化铟锡（indium tin oxide ;ΙΤ0)〇
[0044] 综上可知，本新型的边缘电场切换型液晶显示装置的阵列基板在资料线与像素电 极之间加上第一绝缘层，可避免像素电极及该资料线之间，因为污染或者蚀刻不干净等原 因，而造成短路，进而降低辉点不良率。本新型的边缘电场切换型液晶显示装置的阵列基板 在以背通道蚀刻的方式形成该源极及该汲极时，因为像素电极还未形成，所以不会影响背 通道蚀刻的速率均匀度，使半导体层较不会被蚀刻而变薄。
[0045] 综上所述，乃仅记载本新型为呈现解决问题所采用的技术手段的实施方式或实施 例而已，并非用来限定本新型专利实施的范围。即凡与本新型申请专利范围文义相符，或依 本新型申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆为本新型专利范围所涵盖。
【权利要求】
1. 一种边缘电场切换型液晶显示装置的阵列基板，其特征在于，包括： 一基板； 多条闸极线，单向形成于该基板上； 多条资料线，与该些闸极线交错，且该些相邻之两条资料线与相邻的该两条闸极线所 围绕的区域内，定义为一像素区域； 一第一绝缘层，形成在该些资料线上； 一像素电极，形成在该第一绝缘层上，使该第一绝缘层介于该些资料线与该像素电极 之间； 一第二绝缘层，形成在该第一绝缘层及该像素电极上；以及 一共用电极，形成在部份的该第二绝缘层上，并包括多个贯穿条状开口。
2. 根据权利要求1所述的边缘电场切换型液晶显示装置的阵列基板，其特征在于：其 中该第一绝缘层与该第二绝缘层为相同材质。
3. 根据权利要求1所述的边缘电场切换型液晶显示装置的阵列基板，其特征在于：其 中该第一绝缘层与该第二绝缘层的材质为氮化硅。
4. 根据权利要求1所述的边缘电场切换型液晶显示装置的阵列基板，其特征在于：其 中该些资料线与该共用电极之间夹有该第一绝缘层及该第二绝缘层。
5. 根据权利要求1所述的边缘电场切换型液晶显示装置的阵列基板，其特征在于：更 包括多个薄膜电晶体，分别形成在该些闸极线和该些资料线的交错处，该第一绝缘层形成 在该些薄膜电晶体上，并具有一贯穿开口，该贯穿开口用以暴露该些薄膜电晶体的一汲 极，该像素电极通过该贯穿开口与该些薄膜电晶体的该汲极电性连接。
【文档编号】G02F1/1368GK203870364SQ201420134593
【公开日】2014年10月8日 申请日期:2014年3月24日 优先权日:2014年3月24日
【发明者】刘文昇, 廖展章 申请人:华映视讯（吴江）有限公司, 中华映管股份有限公司