阵列基板及显示装置的制作方法

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术：

液晶显示装置(Liquid Crystal Display：简称LCD)是目前一种较为常用的显示装置之一。一般，液晶显示器包括：相对设置阵列基板和彩膜基板，以及设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。

如图1和2所示，通常阵列基板上包括基底10；形成在基底10上的薄膜晶体管1；形成在薄膜晶体管1所在层上方的平坦化层2，并在平坦化层2与薄膜晶体管1的漏极11对应的位置设置过孔21；形成在平坦化层上方像素电极3，像素电极是通过过孔21与薄膜晶体管1的漏极11连接的；形成在像素电极3上方的取向层。

其中，取向层的形成通常是采用将取向液喷涂在像素电极3所在上，之后再将取向液进行固化形成取向层。而在喷涂取向液前，由于在平坦化层2中设置有过孔21，此时，不难看出阵列基板的表层并不平坦(虚线方框的位置)，形貌存在差异，故将取向液喷涂于该表面后，与过孔21所对应的位置处的取向液的扩散速度明显与其他位置的扩散速度不同，这样就容易产生取向液扩散不均的问题，从而导致所形成的取向层厚度不均一，将该阵列基板应用至显示装置，将会导致显示不良的问题。

技术实现要素：

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种可以使得取向液均匀扩散的阵列基板及显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括基底，位于所述基底上方的过孔，所述阵列基板还包括扩散部，且所述扩散部在所述基底上的正投影与所述过孔在所述基底上的正投影相接；

所述扩散部，用于对所述过孔所在位置处的取向液进行扩散。

优选的是，所述阵列基板还包括位于基底上的薄膜晶体管，位于所述薄膜晶体管所在层上方的平坦化层，位于所述平坦化层上方的像素电极；其中，

所述过孔位于所述平坦化层与所述薄膜晶体管漏极对应的位置中，用于将所述薄膜晶体管漏极与所述像素电极电连接。

进一步优选的是，所述扩散部为位于所述像素电极中的凹槽。

进一步优选的是，所述凹槽的深度与所述像素电极的厚度相同。

进一步优选的是，所述凹槽的长度为1μm至20μm；宽度为1μm至100μm。

进一步优选的是，所述扩散部为位于所述平坦化层中凹部。

进一步优选的是，所述凹部位于所述过孔远离所述薄膜晶体管一侧的平坦化层中。

进一步优选的是，所述凹部的深度小于平坦化层的厚度。

进一步优选的是，所述凹部的长度为1μm至20μm；宽度为1μm至500μm。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板的制备方法，包括：在基底上方形成过孔的步骤；所述制备方法还包括形成扩散部的步骤；其中，所述扩散部在所述基底上的正投影与所述过孔在所述基底上的正投影相接；所述扩散部，用于对所述过孔所在位置处的取向液进行扩散。

优选的是，所述制备方法具体包括：

在基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管各层结构的步骤；

形成平坦化层，并通过构图工艺在平坦化层中与所述薄膜晶体管漏极对应位置形成包括所述过孔的图形；

通过一次构图工艺，形成包括像素电极和所述扩散部的图形；其中，所述像素电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管漏极连接；所述扩散部为位于所述像素电极中的凹槽。

优选的是，所述制备方法具体包括：

在基底上，通过构图工艺形成包括薄膜晶体管各层结构的步骤；

形成平坦化层，并通过一次构图工艺，在平坦化层中与所述薄膜晶体管漏极对应位置形成包括所述过孔和所述扩散部的图形；其中，所述扩散部为位于所述平坦化层中凹部。

进一步优选的是，所述通过一次构图工艺，在平坦化层中与所述薄膜晶体管漏极对应位置形成包括所述过孔和所述扩散部的图形，所采用的掩模板为灰阶掩模板或者半色调掩模板。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述的阵列基板。

本发明具有如下有益效果：

本发明中的阵列基板，由于设置有用于将过孔位置处的取向液进行扩散的扩散部，且扩散部在基底上的正投影与过孔在基底上的正投影相接，此时可以看出，在未形成取向液的阵列基板表面与过孔位置对应的凹面，是经由扩散部对应位置的表面进行过度与其他位置进行衔接的，之后再对该阵列基板表面喷涂取向液时，与过孔对应位置的取向液将由扩散部所对应位置进行引流，以使过孔对应位置的取向液均匀扩散，从而防止由于取向液扩散不均而成显示不良的问题。

附图说明

图1为现有的阵列基板的截面图；

图2为现有的阵列基板的俯视图；

图3为本发明的实施例1中第一种优选实现方式的阵列基板的截面图；

图4为本发明的实施例1中第一种优选实现方式的阵列基板的俯视图；

图5为图4所示的阵列基板的制备方法的流程图；

图6为本发明的实施例1中第二种优选实现方式的阵列基板的截面图；

图7-10为本发明的实施例1中第二种优选实现方式的阵列基板的具有不同扩散部的平坦化层的俯视图；

图11为图6所示的阵列基板的制备方法的流程图。

其中附图标记为：10、基底；1、薄膜晶体管；2、平坦化层；3、像素电极；4、扩散部；11、漏极；21、过孔。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

实施例1：

本实施例提供一种阵列基板，其包括基底，位于基底上方的过孔和扩散部；其中，扩散部在基底上的正投影与过孔在基底上的正投影相接；扩散部用于将过孔位置处的取向液进行扩散。

本实施例中的阵列基板，由于设置有用于将过孔位置处的取向液进行扩散的扩散部，且扩散部在基底上的正投影与过孔在基底上的正投影相接，此时可以看出，在未形成取向液的阵列基板表面与过孔位置对应的凹面，是经由扩散部对应位置的表面进行过度与其他位置进行衔接的，之后再对该阵列基板表面喷涂取向液时，与过孔对应位置的取向液将由扩散部所对应位置进行引流，以使过孔对应位置的取向液均匀扩散，从而防止由于取向液扩散不均而成显示不良的问题。

以下结合两种优选实现方式对本实施例的阵列基板进行说明。

结合图3和4所示，作为本实施例的第一种优选实现方式，该阵列基板包括基底10，位于基底10上的薄膜晶体管1，位于薄膜晶体管1所在层上方的平坦化层2，位于平坦化层2上方的像素电极3；其中，在平坦化层2与薄膜晶体管1的漏极11对应的位置处设置有过孔21，该过孔21用于将薄膜晶体管1的漏极11与所述像素电极3电连接；在像素电极3中设置有扩散部4，且该扩散部4在基底10上的正投影与用于该像素电极3与薄膜晶体管1的漏极11连接的过孔21在基底10上的正投影相接，用于将过孔21位置处的取向液进行扩散。

其中，扩散部4的形状可以为长方形凹槽，其深度优选与像素电极3的厚度相同，宽度为1μm～20μm，长度为1μm～100μm。当然，扩散部4也可以采用其他形状，尺寸也可以根据具体情况而设计扩散部4的形状。

此时，可以看出上述阵列基板背离基底10的表面(上表面)，虽然在与过孔21对应的位置会存在下凹的形貌，但是由于在像素电极3中设置扩散部4，扩散部4与过孔21在基底10上的正投影相接，扩散部4的形状为凹槽，使得扩散部4位置的高度低于过孔21周围的其他位置，进而使得在之后喷涂取向液时，与过孔21对应位置的取向液将由扩散部4所对应位置进行引流，以使与过孔21对应位置的取向液均匀扩散，从而防止由于取向液扩散不均而成显示不良的问题。

针对上述阵列基板，本实施例还提供了该种阵列基板的制备方法，如图5所示，具体包括如下步骤：

步骤一、在基底10上，通过图工艺形成包括薄膜晶体管1各层结构。

以该步骤中所形成的薄膜晶体管1为底栅型薄膜晶体管为例，该步骤具体为：栅极/栅线→栅极绝缘层→有源层→源极/漏极11。

步骤二、在完成步骤一的基底10上，涂覆形成平坦化层2，通过刻蚀工艺，在所述平坦化层2与所述薄膜晶体管1漏极11对应的位置形成过孔21。

步骤三、在完成步骤二的基底10上，通过一次构图工艺形成包括像素电极3和扩散部4的图形。其中，所述像素电极3通过所述过孔与所述薄膜晶体管1的漏极11连接；所述扩散部4为位于所述像素电极3中的凹槽。

当然，在完成上述三个步骤的基底上还可以包括，采用喷涂的方式形成取向液的步骤，以及之后对取向液进行固化形成取向层的步骤。

结合图6所示，作为本实施例的第二种优选实现方式，该阵列基板的结构与第一种优选实现方式中的阵列基板的区别仅在与扩散部4的设置位置不同。该扩散部4设置于平坦化层2中，且与平坦化层2中的过孔21在基底10上的正投影是相接的。也就是说扩散部4与过孔21为一体成型结构。且在本实施例中优选的，将扩散部4设置为凹部，此时可以看出过孔21与扩散部4相接的侧边形成台阶。而凹部位置所对应的平坦化层2的厚度明显低于过孔21周围其他位置的平坦化层2的厚度，因此之后喷涂取向液时，与过孔21对应位置的取向液将由扩散部4所对应位置进行引流，以使与过孔21对应位置的取向液均匀扩散，从而防止由于取向液扩散不均而成显示不良的问题。

其中，优选的凹部的厚度小于平坦化层2的厚度。此时，位于平坦化层2中的过孔21与凹部可以采用灰阶掩模板或者半色调掩模板在一次构图工艺中形成。

其中，扩散部4的数量和具体尺寸可以根据之后将要喷涂的取向液的扩散能力进行设置。优选的，凹部位于所述过孔21远离所述薄膜晶体管1一侧的平坦化层2中，此时所喷涂的取向液将通过该凹部向阵列基板的显示区扩散。其中，显示区是指阵列基板中用于显示，可以使得背光源的光透过的区域。

其中，优选凹部的宽度为1μm～20μm，长度为1μm～500μm。

当然，扩散部4的尺寸也可以根据具体情况而设计扩散部4的形状。结合图7-10所示，如果取向液的扩散能力很好，此时仅需在过孔21靠近显示区的一侧设置扩散部4，且取向液的扩散能力越好，扩散部的宽度越宽(如图7和8中所示，W1大于W2)。如果取向液的扩散能力较差时，则需要按照上述的方式在过孔21的两侧均设置扩散部4，且取向液的扩散能力越差，扩散部的形状愈加细长(如图9和10所示，L1小于L2)，以助于缓解取向液的表面张力，以使取向液更好的扩散。

针对上述阵列基板，本实施例还提供了该种阵列基板的制备方法，如图11所示，具体包括如下步骤：

步骤一、在基底10上，通过图工艺形成包括薄膜晶体管1各层结构。

以该步骤中所形成的薄膜晶体管1为底栅型薄膜晶体管为例，该步骤具体为：栅极/栅线→栅极绝缘层→有源层→源极/漏极11。

步骤二、在完成步骤一的基底10上，涂覆形成平坦化层2，通过一次构图工艺，在所述平坦化层2与所述薄膜晶体管1的漏极11对应的位置形成过孔21和扩散部4的图形；其中，扩散部4为位于所述平坦化层中凹部。

在该步骤中，具体的通过半色调掩模板或者灰阶掩模板，对平坦化层2进行曝光，通过一次构图工艺形成包括过孔21和扩散部4的图形。

步骤三、在完成步骤二的基底10上，通过构图工艺形成包括像素电极3的图形。其中，所述像素电极3通过所述过孔21与所述薄膜晶体管1的漏极11连接。

当然，在完成上述三个步骤的基底上还可以包括，采用喷涂的方式形成取向液的步骤，以及之后对取向液进行固化形成取向层的步骤。

在此需要说明的是，本实施例中仅仅是以上述两种具体实现方式对本实施例的阵列基板进行说明。而实际上，扩散部4的设置位置不仅局限于像素电极3和平坦化层2中，也可以设置于阵列基板上的其他膜层中，只要保证扩散部4与过孔21在基底10上的投影相接即可。同时，还应当理解的是，本实施例中也仅是一对用于薄膜晶体管1漏极11与像素电极3连接的过孔21位置的进行改善，而设置扩散部4为例进行说明，实际上，过孔也可以为公共电极与公共电极连接的过孔，也可以在该过孔位置处设置扩散部4，按照上述的原理对取向液的扩散均一性进行改善。同理，阵列基板上任何位置的过孔均可以按照上述方式设置扩散部4。

实施例2：

本实施例提供一种显示装置，其包括实施例1中的阵列基板。因此，该显示装置显示效果更好。

其中，显示装置可以为液晶显示装置或者电致发光显示装置，例如液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。