彩色滤光基板的制作方法与流程

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种彩色滤光基板的制作方法。

背景技术：

液晶显示装置因其轻便性及优良的显示性能，不仅在信息通信设备领域，而且在一般的电器设备领域实现了快速的普及。

液晶显示装置一般包含：阵列基板，阵列基板上通常具有复数个矩阵状排布的像素电极；彩色滤光基板，彩色滤光基板通常包括复数个彩色光阻；密封于阵列基板和彩色滤光基板之间的液晶。

随着液晶显示装置分辨率的提高，彩色滤光基板上各结构的线宽(通常此线宽等于工艺的关键尺寸，criticaldimension，cd)越来越小，在生产过程中，要检索各结构的线宽大小是否达到要求，以及相应结构位置是否发生偏移，变得越来越困难，给彩色滤光基板的制作工艺带来很大挑战。

技术实现要素：

本发明解决的问题是提供一种彩色滤光基板的制作方法，以更好地控制彩色滤光基板中各结构的线宽。

为解决上述问题，本发明提供一种彩色滤光基板的制作方法，包括：提供当前基板，所述当前基板包括多个片格区，曝光设备一次曝光所覆盖到的所述片格区为一个第一区域；在一个所述第一区域内，至少一个所述片格区为非屏幕区，其它所述片格区为屏幕区；在一个所述第一区域内，在所述屏幕区形成功能结构时，同时在所述非屏幕区形成测试结构；利用所述测试结构，得到所述功能结构的实际线宽与预设线宽的大小关系。

可选的，在一个所述第一区域内，在所述屏幕区形成功能结构时，同时在所述非屏幕区形成测试结构，包括：在光罩上形成功能开口图案和测试开口图案；在所述屏幕区形成功能结构材料层时，同时在所述非屏幕区形成测试结构材料层；在利用所述功能开口图案对所述功能结构材料层进行图案化，以形成所述功能结构时，同时利用所述测试开口图案对所述测试结构材料层进行图案化，以形成所述测试结构。

可选的，利用所述测试结构，得到所述功能结构的实际线宽与预设线宽的大小关系，包括：利用放大设备放大所述测试结构；通过人眼直接观察放大后的所述测试结构；根据所述测试结构与所述测试开口图案的俯视形状变化，得到所述功能结构的实际线宽与预设线宽的大小关系。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明的技术方案中，在当前基板的第一区域中，在屏幕区制作黑色矩阵层时，同时在第一区域内的非屏幕区形成基准线段组合(基准线段组合包括相互平行的第一基准线段和第二基准线段)，然后在制作功能结构时，同时在非屏幕区制作测试结构，从而可以利用所述测试结构相对所述基准线段组合的位置关系，得到功能结构的位置偏移关系。所述方法巧妙地将对功能结构的位置偏移关系，转移到对测试结构的位置偏移关系，提高了测试效率，缩短了观察和测量和时间，并且降低现场操作人员的工作难度。

进一步，在光罩的测试开口图案中增加了n个偏增开口和n个偏减开口，因此，对应形成的测试结构中，相应增加了n个偏增块状和n个偏减块状，并且这些偏增块状、偏减块状与第一基准线段和第二基准线段之间有着直接的距离关系，因此，将测试结构与第一基准线段和第二基准线段配合起来，就能够直接判断出功能结构的位置偏移大小范围，从而更加有利于控制功能结构的位置偏移。

附图说明

图1是线宽较大时，部分彩色子像素色阻层与黑色矩阵层的俯视图；

图2是线宽较小时，部分彩色子像素色阻层与黑色矩阵层的俯视图；

图3是本发明实施例所提供的当前基板俯视图；

图4是在当前基板上形成黑色矩阵层的结构示意图；

图5是在图4所示结构上继续形成彩色子像素色阻层、透明导电层和间隔柱的结构示意图；

图6是本发明实施例所提供的一种测试开口图案示意图；

图7是本发明实施例所提供的另一种测试开口图案示意图；

图8至图10是采用图6所示测试开口图案形成的对应三种测试结构示意图；

图11是本发明另一实施例所提供的另一种测试开口图案示意图；

图12至图16是采用图11所示测试开口图案形成的对应五种测试结构示意图。

具体实施方式

彩色滤光基板上的功能结构通常包括黑色矩阵层、彩色子像素色阻层、平坦层、和间隔柱等。其中，彩色子像素色阻层通常包括红绿蓝(rgb)三原色的彩色子像素色阻层，即彩色子像素色阻层包括红色子像素色阻层、绿色子像素色阻层和蓝色子像素色阻层。有时彩色子像素色阻层还可以包括白色子像素色阻层。红色子像素色阻层、绿色子像素色阻层和蓝色子像素色阻层(有时还包括白色子像素色阻层)通常是位于同一层。

红色子像素色阻层包括多个红色子像素色阻块，绿色子像素色阻层包括多个绿色子像素色阻块，蓝色子像素色阻层包括多个蓝色子像素色阻块。当包括白色子像素色阻层时，白色子像素色阻层包括多个白色子像素色阻块。各颜色的子像素色阻块可以统一称为彩色子像素色阻块。这些彩色子像素色阻块具体分散分布在黑色矩阵层(简称bm)限定出的开口中，通常这些开口类似于一个个网孔贯穿黑色矩阵层。后续在黑色矩阵层和红绿蓝子像素色阻层上，还可以设置平坦层、导电层和间隔柱等结构。

在各功能结构制作过程中，工序的其中一对关键规格是各功能结构的线宽和对准。线宽自身非常重要，直接影响功能结构的制作良率，同时它还会影响对准后重叠(overlay)部分的大小。对准通常指相应结构的位置是否发生偏移，此时影响重叠部分是否对称。

随着显示屏分辨率的提高，各功能结构的线宽和对准越来越难以精确控制。

如图1所示，以彩色子像素色阻层为例，彩色子像素色阻层重叠在黑色矩阵层110的线宽在10μm以上时，相应的重叠部分只是彩色子像素色阻层与开口区以外与黑色矩阵层重叠。也就是说，当黑色矩阵层110的线宽在10μm以上时，为保证不漏光，一般彩色子像素色阻层和黑色矩阵层110的重叠可控制在5μm-8μm。如果要求彩色子像素色阻层对准，只需要要求这些重叠的部分对称，例如图1中是整列都为相同的条形色阻块连接在一起时，只要要求各色阻块在左右方向上对称。因为，此时红色子像素色阻块111、绿色子像素色阻块112和蓝色子像素色阻块113都还是相互分离的，因此，通常还能够直接观察出其线宽和对准是否满足要求。

然而，随着显示屏分辨率的提高，彩膜基板黑色矩阵层的线宽越来越小(例如由原来的10μm缩小至5μm-6μm，甚至达到3μm以下)，如果把彩色子像素的与黑色矩阵层的重叠量相应的减少至2μm-3μm时，漏光的几率会很大。因此，不得已的，相邻彩色子像素之间会相互重叠。也就是说，彩色子像素色阻层的重叠已经由原来的仅和黑色矩阵层重叠，变成相邻彩色子像素色阻块的重叠。如图2所示，红色子像素色阻块211、绿色子像素色阻块222和蓝色子像素色阻块223除了与黑色矩阵层210重叠，它们之间也已经有部分相互重叠。此时，即便用自动可视检查设备等放大设备来观察，由于放大倍率有限，难以判断各色阻块的线宽是否满足要求，也很难判断各色阻块的偏移方向与偏移幅度。更何况，在采用自动可视检查设备检视时，需要考虑生产节拍(简称tacttime)的限制，检视时间通常有限，造成现场操作人员的工作难度较高。

由以上可知，线宽减小之后，对相应功能结构的位置偏移关系进行检查和控制变得更加困难。

为此，本发明提供一种能够利用现有设备和工艺流程的制作方法，所述制作方法能够在制作过程中通过人眼直接观察和判断，就能快速分辨相应的功能结构的位置是否发生偏移，以及后续需要进行调整的方向和调整幅度，既节省了生产时间，同时也降低现场操作人员的工作难度。也就是说，所述彩色滤光基板的制作方法能够更加简便和快捷地得到功能结构的位置偏移关系，从而更加有效地对功能结构的形成位置进行控制。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

本发明实施例提供一种彩色滤光基板的制作方法，包括步骤一至步骤四如下。

步骤一，提供当前基板，当前基板包括多个片格区，曝光设备一次曝光所覆盖到的片格区为一个第一区域。在一个第一区域内，至少一个片格区为非屏幕区，其它片格区为屏幕区。

步骤二，在一个第一区域内，在屏幕区形成黑色矩阵层时，同时在非屏幕区形成基准线段组合，基准线段组合包括相互平行的第一基准线段和第二基准线段。

步骤三，在一个第一区域内，在屏幕区形成功能结构时，同时在第一基准线段和第二基准线段之间形成测试结构。

步骤四，利用测试结构和基准线段组合，得到功能结构的位置偏移关系。

本实施例中，参考图3，提供当前基板30，当前基板30具有十六个片格区(未标注)，十六个片格区分四行四列排布。其它实施例中，相应的当前基板可以具有其它个数的片格区。

本实施例中，曝光设备(未示出)一次曝光所覆盖到的片格区为同一行的四个片格区，因此，同一行的四个片格区为一个第一区域300。其它实施例中，根据曝光设备一次曝光所覆盖到的片格区个数可以不同(通常为两个以上)，第一区域包含的片格区相应不同。

本实施例中，第一区域300中，有一个片格区为非屏幕区310，其它片格区为屏幕区320。其它实施例中，非屏幕区和屏幕区的个数可以变化，只需要保证其中一个第一区域内有至少一个非屏幕区即可。

在步骤二中，本实施例是利用制作黑色矩阵层的过程同时在非屏幕区形成具有第一基准线段和第二基准线段的基准线段组合。也就是说，基准线段组合的制作过程与黑色矩阵层的制作过程完全相同，属于同一过程。这个过程中，也包括在用于形成黑色矩阵层的光罩上增加一组相应用于形成基准线段组合的曝光开口图案，所述曝光开口图案对应于非屏幕区。

本实施例所形成的第一基准线段和第二基准线段可以参考后续图8至图10中的黑色线段。第一基准线段和第二基准线段相当于定了两条比照的对象，用于判断后续的测试结构是否发生位置偏移，从而判断出功能结构是否发生位置偏移。

在步骤三(即：在一个第一区域内，在屏幕区形成功能结构时，同时在第一基准线段和第二基准线段之间形成测试结构)中，可以包括以下步骤31至步骤33。

步骤31，在光罩上形成功能开口图案和测试开口图案，测试开口图案包括基准开口。

在光罩上形成功能开口图案是为了后续形成功能结构。本实施例同时还在光罩上形成测试开口图案，以用于后续形成测试结构。

步骤32，在屏幕区形成功能结构材料层时，同时在非屏幕区形成测试结构材料层。

在屏幕区形成功能结构材料层是制作功能结构的过程，本实施例还在非屏幕区形成测试结构材料层，功能结构材料层和测试结构材料层通常为同一工艺形成的相同材料层，只是形成位置不同。

步骤33，在利用功能开口图案对功能结构材料层进行图案化，以形成功能结构时，同时利用测试开口图案对测试结构材料层进行图案化，以形成测试结构。其中，图案化测试结构材料层时，基准开口到第一基准线段(参考后续图8至图10)和第二基准线段(参考后续图8至图10)的距离相等。

图案化的过程中，通常包括曝光和显影等工艺过程，而对功能结构材料层和对测试结构材料层进行曝光和显影等工艺时，都是同时进行的(即两个材料层的曝光和显影等步骤均为同一步骤)，以使得所形成的测试结构与功能结构之间具有良好的参照作用，也就是使得测试结构能够更多体现出功能结构的特性。

本实施例中，在光罩(未示出)上形成功能开口图案(未示出)和测试开口图案(请参考图6和图7)时，即将现有技术中仅有功能开口图案的光罩上增加设置测试开口图案。而继续根据步骤32和步骤33可知，测试开口图案是对应用于非屏幕区形成测试结构的。

本实施例中，功能结构为红色子像素色阻层。因此，形成功能结构的过程即形成红色子像素色阻层的过程。

请结合参考图4和图5，图4和图5显示了在屏幕区320上形成黑色矩阵层321、红色子像素色阻层3221、透明导电层323和间隔柱层324的过程。本实施例形成测试结构的过程涉及的是形成红色子像素色阻层3221的过程。由图4和图5可知，在形成红色子像素色阻层3221之前，通常需要先形成黑色矩阵层321。黑色矩阵层321限定出各个开口3210。后续在开口3210中形成按规律排列的红色子像素色阻层3221(通常还会形成绿色子像素色阻层和蓝色子像素色阻层，三种子像素色阻层的形成顺序不限，三种子像素色阻层均属于彩色子像素色阻层)。图5还进一步显示了在形成红色子像素色阻层3221之后，形成透明导电层323覆盖彩色子像素色阻层和黑色矩阵层321。然后在透明导电层323上形成间隔柱层。

需要说明的是，其它实施例中，还可以在开口中形成白色子像素色阻层，此时，功能结构也可以为白色子像素色阻层。

本实施例中，由于功能结构为红色子像素色阻层3221，因此上述步骤32，对应的就是：在屏幕区形成红色子像素色阻材料层时，同时在非屏幕区形成测试结构材料层，即两个材料层只需要采用同一个工艺形成。测试结构材料层事实上也是红色子像素色阻材料层，只不过测试结构材料层位于非屏幕区320。上述步骤33，对应的就是：在利用功能开口图案对红色子像素色阻材料层进行图案化，以形成红色子像素色阻层3221时，同时利用测试开口图案对测试结构材料层进行图案化，以形成测试结构。

本实施例中，显示了两种步骤31中提到的测试开口图案，分别为图6和图7所示。

本实施例的测试开口图案包括基准开口，图6和图7所示的测试开口图案都仅包括一个基准开口。

图6所示基准开口360a为长方形个数为一个。需要特别说明的是，基准开口360a位于第一开口340a和第二开口350a中间，第一开口340a和第二开口350a位于前一道光罩(即此前一道光罩是形成黑色矩阵层过程中使用的光罩，此前一道光罩的使用在步骤31提到的光罩之前)中，因此用虚线表示，在此示出第一开口340a和第二开口350a是为了说明基准开口360a与第一开口340a和第二开口350a的相对位置关系。而第一开口340a用于形成第一基准线段(参考后续图8至图10)，第二开口350a用于形成第二基准线段(也就是说，正是通过从第一开口340a进行曝光，从而形成第一基准线段，正是通过从第二开口350a曝光，从而形成第二基准线段)，因此，从图6也可以说明，本实施例设置基准开口360a在曝光时，基准开口360a到第一基准线段和到第二基准线段的距离相等。

其它实施例中，可以设置基准开口的个数均两个以上。

图7所示基准开口360b为六边形，个数为一个。图7中，同样存在基准开口360b与第一开口340b和第二开口350b的距离相等的情况。其中，第一开口340b和第二开口350b同样为黑色矩阵层形成过程中所采用光罩上的开口，因此，同样采用虚线框表示。其它实施例中，基准开口的俯视形状也可以是其它形状。

因此，在利用测试开口图案对测试结构材料层进行图案化，以形成测试结构时，包括：由基准开口对测试结构材料层进行图案化，得到的测试结构包括对应于基准开口的基准区块。

图8至图10为由图6所示测试开口图案得到的三种可能的相应测试结构。即图8至图10为图6所示基准开口对应得到的基准区块。后续将通过下述步骤43，说明如何利用图8至图10和图6来判断功能结构的位置偏移关系。

在步骤四(即：利用测试结构和基准线段组合，得到功能结构的位置偏移关系)中，可以包括以下步骤41至步骤43。

步骤41，利用放大设备放大测试结构、第一基准线段和第二基准线段。

本实施例中，放大设备可以为自动可视检查机。自动可视检查机有成像倍率放大的功能。本实施例通过自动可视检查机放大相应的测试结构、第一基准线段和第二基准线段，可以直观地进行判断。图8至图10可视为测试结构、第一基准线段和第二基准线段放大后的示意图。

步骤42，通过人眼观察放大后的测试结构。

自动可视检查机将测试结构放大后通常可以直接显示在屏幕上，因此，人眼可以直接观察放大后的测试结构。

步骤43，根据测试结构与第一基准线段和第二基准线段之间的距离，得到功能结构的位置偏移关系。

在步骤43(即：根据测试结构与第一基准线段和第二基准线段之间的距离，得到功能结构的位置偏移关系)中，具体可以包括以下三种情况(这些判断都是人眼直接观察后可以马上得出的判断)。

需要说明的是，本实施例在进行三种偏移情况的描述之前，需要首先明确出到两个偏移方向，分别为第一方向和第二方向。第一方向为垂直于第一基准线段和第二基准线段并从第二基准线段指向第一基准线段的方向(未示出)，第二方向为垂直于第一基准线段和第二基准线段并从第一基准线段指向第二基准线段的方向(未示出)。可知，第一方向和第二方向所成角度为180度。需要特别说明的是，第一方向和第二方向为功能结构可能发生位置偏移的方向，而这两个方向通常由功能结构的设计决定，通常是能够提到进行预测的。

三种情况的第一种为，当基准区块到第一基准线段的距离小于到第二基准线段的距离时，判断功能结构向第一方向偏移。

在第一种情况下，由图6所示测试开口图案得到的测试结构如图8所示，基准区块360a1到第一基准线段340a1的距离小于到第二基准线段350a1的距离。由于原来图6所示的基准开口360a到第一基准线段340a1和第二基准线段350a1的距离相等。因此，可见此时测试结构(即基准区块360a1)的位置向第一方向发生偏移。而由前面的步骤可知，测试结构和功能结构的制作过程基本上是完全相同的，因此可知，此时功能结构的位置也向第一方向发生偏移。也就是说，采用图6所示的测试开口图案形成测试结构时，如果出现如图8所示的测试结构时，能够直接判断功能结构向第一方向偏移。

三种情况的第二种为，当基准区块到第一基准线段的距离等于到第二基准线段的距离时，判断功能结构未发生位置偏移。

在第二种情况下，由图6所示测试开口图案得到的测试结构如图9所示，基准区块360a2到第一基准线段340a2的距离等于到第二基准线段350a2的距离。由于原来图6所示的基准开口360a到第一基准线段340a2和第二基准线段350a2的距离相等。因此，可见此时测试结构(即基准区块360a2)的位置基本未发生偏移。而由前面的步骤可知，测试结构和功能结构的制作过程基本上是完全相同的，因此可知，此时功能结构的位置也基本未发生偏移。也就是说，采用图6所示的测试开口图案形成测试结构时，如果出现如图9所示的测试结构时，能够直接判断功能结构未发生位置偏移。

三种情况的第三种为，当基准区块到第一基准线段的距离大于到第二基准线段的距离时，判断功能结构向第二方向偏移。

在第三种情况下，由图6所示测试开口图案得到的测试结构如图10所示，基准区块360a3到第一基准线段340a3的距离大于到第二基准线段350a3的距离。由于原来图6所示的基准开口360a到第一基准线段340a3和第二基准线段350a3的距离相等。因此，可见此时测试结构(即基准区块360a3)的位置向第二方向发生偏移。而由前面的步骤可知，测试结构和功能结构的制作过程基本上是完全相同的，因此可知，此时功能结构的位置也向第二方向发生偏移。也就是说，采用图6所示的测试开口图案形成测试结构时，如果出现如图10所示的测试结构时，能够直接判断功能结构向第二方向偏移。

本实施例中，设置基准开口沿垂直于第一基准线段方向上的跨度，等于功能结构的预设线宽。在这种情况下，后续判断功能结构的位置偏移时，更加直接和准确。具体的，当基准开口的俯视形状为长方形时，此时，即长方形的宽度等于预设线宽。这种情况下，当得到的是图9所示的线宽不变的测试结构时，基准区块的宽度也等于预设线宽，或者说，此时基准区块的俯视形状与基准开口的俯视形状相同。

需要说明的是，其它实施例中，当判断出功能结构发生偏移时，还可以通过对放大设备所显示的测试结构进行测量，得到功能结构的实际偏移大小。例如，可以手动测量图8中基准区块的位置偏移，即测量基准区块到第一基准线段和第二基准线段的距离差值大小，得到功能结构向第一方向偏移的数值。或者可以手动测量图10中基准区块到第一基准线段和第二基准线段的距离差值大小，得到功能结构向第二方向偏移的数值。然后可以根据上述偏移的数值，调整后续基板(后续基板同样具有多个片格区)制作过程中的相应工艺参数，从而使后续基板中，功能结构的位置偏移控制在允许范围内。

需要说明的是，本实施例中，测试结构制作在非屏幕区310中，后续非屏幕区310可以切割去除。而屏幕区320中，如果屏幕区320上的各功能结构和其它部分均满足要求，可以切割成为彩色滤光基板产品。

本实施例所提供的彩色滤光基板的制作方法中，在当前基板30的第一区域300中，在屏幕区320制作黑色矩阵层时，同时在第一区域300内的非屏幕区310形成基准线段组合(基准线段组合包括相互平行的第一基准线段和第二基准线段)，然后在制作功能结构时，同时在非屏幕区310制作测试结构，从而可以利用所述测试结构相对所述基准线段组合的位置关系，得到功能结构的位置偏移关系。所述方法巧妙地将对功能结构的位置偏移关系，转移到对测试结构的位置偏移关系，提高了测试效率，缩短了观察和测量和时间，并且降低现场操作人员的工作难度。

本发明实施例提供另一种彩色滤光基板的制作方法，请结合参考图11至图16。

本实施例的制作方法同样包括步骤一至三。

步骤一，提供当前基板，当前基板包括多个片格区，曝光设备一次曝光所覆盖到的片格区为一个第一区域。在一个第一区域内，至少一个片格区为非屏幕区，其它片格区为屏幕区。

步骤二，在一个第一区域内，在屏幕区形成黑色矩阵层时，同时在非屏幕区形成基准线段组合，基准线段组合包括相互平行的第一基准线段和第二基准线段。

步骤三，在一个第一区域内，在屏幕区形成功能结构时，同时在第一基准线段和第二基准线段之间形成测试结构。

步骤四，利用测试结构和基准线段组合，得到功能结构的位置偏移关系。

在步骤二中，本实施例是利用制作黑色矩阵层的过程同时在非屏幕区形成具有第一基准线段和第二基准线段的基准线段组合。也就是说，基准线段组合的制作过程与黑色矩阵层的制作过程完全相同，属于同一过程。这个过程中，也包括在用于形成黑色矩阵层的光罩上增加一组相应用于形成基准线段组合的曝光开口图案，所述曝光开口图案对应于非屏幕区。

在步骤三(即：在一个第一区域内，在屏幕区形成功能结构时，同时在第一基准线段和第二基准线段之间形成测试结构)中，可以包括以下步骤31至步骤33。

步骤31，在光罩上形成功能开口图案和测试开口图案，测试开口图案包括基准开口。

在光罩上形成功能开口图案是为了后续形成功能结构。本实施例同时还在光罩上形成测试开口图案，以用于后续形成测试结构。

步骤32，在屏幕区形成功能结构材料层时，同时在非屏幕区形成测试结构材料层。

在屏幕区形成功能结构材料层是制作功能结构的过程，本实施例还在非屏幕区形成测试结构材料层，功能结构材料层和测试结构材料层通常为同一工艺形成的相同材料层，只是形成位置不同。

步骤33，在利用功能开口图案对功能结构材料层进行图案化，以形成功能结构时，同时利用测试开口图案对测试结构材料层进行图案化，以形成测试结构。其中，图案化测试结构材料层时，基准开口到第一基准线段和第二基准线段的距离相等(参考前述与图6相关的内容)。

图案化的过程中，通常包括曝光和显影等工艺过程，而对功能结构材料层和对测试结构材料层进行曝光和显影等工艺时，都是同时进行的(即两个材料层的曝光和显影等步骤均为同一步骤)，以使得所形成的测试结构与功能结构之间具有良好的参照作用，也就是使得测试结构能够更多体现出功能结构的特性。

本实施例中，在光罩(未示出)上形成功能开口图案(未示出)和测试开口图案时，即将现有技术中仅有功能开口图案的光罩上增加设置测试开口图案。而继续根据步骤32和步骤33可知，测试开口图案是对应用于非屏幕区形成测试结构的。

本实施例中，功能结构为红色子像素色阻层。因此，形成功能结构的过程即形成红色子像素色阻层的过程。其它实施例中，功能结构可以为绿色子像素色阻层、蓝色子像素色阻层、白色子像素色阻层或者间隔柱层。

上述内容可参考前述实施例相应内容。

本实施例中，显示了一种测试开口图案，如图11所示。本实施例中的测试开口图案包括基准开口410。基准开口410的俯视形状为长方形。

本实施例中，令基准开口410的宽度大小等于功能结构的预设线宽，从而使得后续形成的测试结构对功能结构有更好的参照作用。

由于本实施例中的测试开口图案包括基准开口410，因此，利用测试开口图案对测试结构材料层进行图案化的过程，就是利用基准开口410对测试结构材料层进行图案化的过程。而由基准开口对测试结构材料层进行图案化，能够得到的测试结构包括对应于基准开口的基准块状(如图12至图16中位于中间位置的基准块状410a至基准块状410e)。

本实施例中，图11所示测试开口图案除了包括一个基准开口410，还包括两个偏增开口(未标注)和两个偏减开口(未标注)。

其中，基准开口410往左第一个开口为第一个偏增开口，第一个偏增开口由基准开口410的以下变换得到：基准开口410向第一方向偏移1×1μm(即1μm)。

其中，基准开口410往左第二个开口为第二个偏增开口，第二个偏增开口由基准开口410的以下变换得到：基准开口410向第一方向偏移2×1μm(即2μm)。

其中，基准开口410往右第一个开口为第一个偏减开口，第一个偏减开口由基准开口410的以下变换得到：基准开口410向第二方向偏移1×1μm(即1μm)。

其中，基准开口410往左第二个开口为第二个偏减开口，第二个偏减开口由基准开口410的以下变换得到：基准开口410向第二方向偏移2×1μm(即2μm)。

需要说明的是，本实施例采用与前一实施例相同的方式确定第一方向和第二方向，参考前述实施例相应内容。

其它实施例中，测试开口图案还可以包括n个偏增开口和n个偏减开口，n为1至10之间的任意整数。第n个偏增开口由所述基准开口的以下变换得到：所述基准开口向所述第一方向偏移n×mμm。第n个偏减开口由所述基准开口的以下变换得到：所述基准开口向所述第二方向偏移n×mμm。m为0.1～2.0之间的一位小数。所述测试结构还包括对应于n个偏增开口的n个偏增区块，以及对应于n个偏减开口的第n个偏减区块。本实施例为n等于2且m等于1的情况。其它实施例中，n和m可以等于其它值。

由于测试开口图案具有五个开口，因此，相应的测试结构中也具有五个区块。即除了基准块状，测试结构还包括对应于n个偏增开口的n个偏增区块，以及对应于n个偏减开口的n个偏减区块。本实施例具体为对应于第一个偏增开口的第一个偏增区块，对应于第二个偏增开口的第二个偏增区块，对应于第一个偏减开口的第一个偏减区块，对应于第二个偏减开口的第二个偏减区块。

图12至图16为由图11所示测试开口图案得到的五种可能的相应测试结构。后续将结合步骤四(主要是步骤四中的下述步骤43)，说明如何利用图12至图16和图11来判断功能结构的位置偏移关系。

在步骤四(即：利用测试结构和基准线段组合，得到功能结构的位置偏移关系)中，可以包括以下步骤41至步骤43。

步骤41，利用放大设备放大测试结构、第一基准线段和第二基准线段。

步骤42，通过人眼观察放大后的测试结构。

步骤41和步骤42可以参考前述实施例相应内容。

在步骤43(即：根据测试结构与第一基准线段和第二基准线段之间的距离，得到功能结构的位置偏移关系)中，具体可以包括以下五种情况(这些判断都是人眼直接观察后可以马上得出的判断，即通过人眼观察放大后的所述测试结构直接做出以下判断)。

第一种为，测试结构中，当第二个偏增区块最接近于位于第一基准线段和第二基准线段中间，判断功能结构向第一方向偏移，并且认定功能结构的偏移大小为2μm。

在第一种情况下，由图11所示测试开口图案得到的测试结构如图12所示，此时，从图12直观看出，第二个偏增区块411a最接近于位于第一基准线段和第二基准线段中间(在图12中，位于各区块上方的线段均为第一基准线段，未标注；位于各区块下方的线段均为第二基准线段，未标注)。而原本应该是中间的基准块状4100最接近位于第一基准线段和第二基准线段中间，说明此时测试结构向第一方向发生了位置偏移。而由前面的步骤可知，测试结构和功能结构的制作过程基本上是完全相同的，因此可知，此时功能结构的也相应的向第一方向发生位置偏移。并且，从前面提到的基准开口与第二个偏增开口之间的关系可知，此时测试结构的向第一方向偏移了2μm，也就相当于，功能结构向第一方向偏移了2μm。

第二种为，测试结构中，当第一个偏增区块最接近于位于第一基准线段和第二基准线段中间，判断功能结构向第一方向偏移，并且认定功能结构的偏移大小为1μm。

在第二种情况下，由图11所示测试开口图案得到的测试结构如图13所示，此时，从图13直观看出，第一个偏增区块411b最接近于位于第一基准线段和第二基准线段中间(在图13中，位于各区块上方的线段均为第一基准线段，未标注；位于各区块下方的线段均为第二基准线段，未标注)。而原本应该是中间的基准块状4100最接近位于第一基准线段和第二基准线段中间，说明此时测试结构向第一方向发生了位置偏移。而由前面的步骤可知，测试结构和功能结构的制作过程基本上是完全相同的，因此可知，此时功能结构的也相应的向第一方向发生位置偏移。并且，从前面提到的基准开口与第一个偏增开口之间的关系可知，此时测试结构的向第一方向偏移了1μm，也就相当于，功能结构向第一方向偏移了1μm。

第三种为，测试结构中，当基准区块最接近于位于第一基准线段和第二基准线段中间，判断功能结构的偏移幅度(偏移幅度即偏移量的大小)小于预设偏移阈值。

在第三种情况下，由图11所示测试开口图案得到的测试结构如图14所示，此时，从图14直观看出，基准块状4100最接近于位于第一基准线段和第二基准线段中间(在图14中，位于各区块上方的线段均为第一基准线段，未标注；位于各区块下方的线段均为第二基准线段，未标注)。而原本也应该是基准块状4100最接近位于第一基准线段和第二基准线段中间，说明此时测试结构发生位置偏移的幅度较小，小于预设的偏移阈值。而由前面的步骤可知，测试结构和功能结构的制作过程基本上是完全相同的，因此可知，此时功能结构的也基本未发生位置偏移，即位置偏移小于预设的偏移阈值。

第四种为，测试结构中，当第一个偏减区块最接近于位于第一基准线段和第二基准线段中间，判断功能结构向第二方向偏移，并且认定功能结构的偏移大小为1μm。

在第四种情况下，由图11所示测试开口图案得到的测试结构如图15所示，此时，从图15直观看出，第一个偏减区块411d最接近于位于第一基准线段和第二基准线段中间(在图15中，位于各区块上方的线段均为第一基准线段，未标注；位于各区块下方的线段均为第二基准线段，未标注)。而原本应该是中间的基准块状4100最接近位于第一基准线段和第二基准线段中间，说明此时测试结构向第二方向发生了位置偏移。而由前面的步骤可知，测试结构和功能结构的制作过程基本上是完全相同的，因此可知，此时功能结构的也相应的向第二方向发生位置偏移。并且，从前面提到的基准开口与第一个偏减开口之间的关系可知，此时测试结构的向第二方向偏移了1μm，也就相当于，功能结构向第二方向偏移了1μm。

第五种为，测试结构中，当第二个偏减区块最接近于位于第一基准线段和第二基准线段中间，判断功能结构向第二方向偏移，并且认定功能结构的偏移大小为2μm。

在第五种情况下，由图11所示测试开口图案得到的测试结构如图16所示，此时，从图16直观看出，第二个偏减区块411e最接近于位于第一基准线段和第二基准线段中间(在图16中，位于各区块上方的线段均为第一基准线段，未标注；位于各区块下方的线段均为第二基准线段，未标注)。而原本应该是中间的基准块状4100最接近位于第一基准线段和第二基准线段中间，说明此时测试结构向第二方向发生了位置偏移。而由前面的步骤可知，测试结构和功能结构的制作过程基本上是完全相同的，因此可知，此时功能结构的也相应的向第二方向发生位置偏移。并且，从前面提到的基准开口与第二个偏减开口之间的关系可知，此时测试结构的向第二方向偏移了2μm，也就相当于，功能结构向第二方向偏移了2μm。

需要说明的是，上述偏移的具体数据(即偏移2μm或1μm等数值)只是一个具体举例，在其它实施例中，这些具体数据可以变化为数据范围，例如可以改变成：向第一方向偏移1.5～2.5μm或0.5～1.5μm，向第二方向偏移0.5～1.5μm或1.5～2.5μm等。

本实施例中，当判断出功能结构的位置偏移关系(包括已经判断出具体的偏移大小)时，可以调整后续基板在制作功能结构时的工艺条件，从而使得后续基板中，功能结构的位置偏移小于一个设定阈值。

其它实施例中，当判断出功能结构的向第一方向或者第二方向偏移后，调整后续基板在制作功能结构时的工艺条件，从而使得后续基板中，功能结构的位置偏移值小于一个阈值，阈值等于kμm，k为0.1～1.0的一位小数。

需要说明的是，其它实施例中，也可以是所述偏增区块、偏减区块和基准区块均位于所述第一基准线段和所述第二基准线段之间。其中，偏增区块、偏减区块和基准区块均位于第一基准线段和所述第二基准线段之间包括如图12和图16中所示的情况，图12中，第二个偏减区块的最下端已经和第二基准线段的最下端齐平，因此，这一段第二基准线段采用虚线表示，图16中，第二个偏增区块和第一基准线段的最上端齐平，因此，这一段第一基准线段采用虚线表示。其它实施例中，也可以是所述基准线段组合共有2n+1组，2n+1组中的所述第一基准线段位于同一直线，2n+1组中的所述第二基准线段位于同一直线，图12至图16对应的即是n等于2的情况。其它实施例中，也可以将图12至图16中，五段第一基准线段连接为一段，五段第二基准线段连接为一段。

本实施例所提供的彩色滤光基板的制作方法中，除了具有前述实施例的优点以外，由于在光罩的测试开口图案中增加了两个偏增开口和两个偏减开口，因此，对应形成的测试结构中，相应增加了两个偏增块状和两个偏减块状，并且这些偏增块状、偏减块状与第一基准线段和第二基准线段之间有着直接的距离关系，因此，将测试结构与第一基准线段和第二基准线段配合起来，就能够直接判断出功能结构的位置偏移大小范围，从而更加有利于控制功能结构的位置偏移。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。