套刻误差校正的制作方法

技术特征：

技术总结
确定晶片的校准曲线，晶片包含基板上的层。校准曲线表示局部参数变化随着与晶片暴露至光相关的处理参数而变。测量晶片的局部参数。基于晶片的局部参数，确定套刻误差。基于校准曲线，计算处理映像，以校正晶片的套刻误差。处理映像表示处理参数随晶片上的位置而变。

技术研发人员：芒格什·邦阿;布鲁斯·E·亚当斯;凯利·E·霍拉;阿布拉什·J·马约尔;慧雄·戴;乔君·陈
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2016.09.22
技术公布日：2018.07.17