示例实施例涉及掩模和/或使用该掩模形成的半导体装置的金属布线。更具体地，示例实施例涉及用于在半导体装置的外围区域中形成金属布线的掩模，和/或使用该掩模形成的半导体装置的金属布线。
背景技术：
通常，可使用掩模通过曝光工艺形成半导体装置的金属布线。金属布线可布置在半导体装置的单元区域和外围区域中。外围区域中的金属布线之间的节距可比单元区域中的金属布线之间的节距宽。另外，单元区域中的金属布线可具有均匀的间距。相反，外围区域中的金属布线可具有各种不同的间距。随着半导体装置的金属布线之间的节距变窄，已经使用离轴照明(off-axisillumination)的曝光工艺来形成节距窄的金属布线。
根据现有技术，离轴照明可具有与单元区域中的金属布线之间的节距对应的焦点。相反，离轴照明的焦点可不对应于外围区域中的金属布线之间的节距(或多种节距)。因此，使用离轴照明形成在外围区域中的金属布线可能不具有期望的形状或图案。例如，外围区域中的金属布线会具有比设计尺寸大的尺寸，从而被连接至相邻的金属布线。相反，外围区域中的金属布线会具有比设计尺寸小的尺寸，从而导致金属布线被切断。
技术实现要素：
一些示例实施例提供一种掩模，所述掩模能够在外围区域中精确地形成具有设计尺寸的金属布线。
一些示例实施例还提供使用上述掩模的半导体装置的金属布线。
根据示例实施例，掩模包括：掩模基底，包括单元曝光区域和外围曝光区域，单元曝光区域构造为使半导体装置的单元区域中的金属层曝光，外围曝光区域构造为使半导体装置的外围区域中的金属层曝光，第一掩模图案构造为使掩模基底的外围曝光区域中的金属层曝光以形成信号金属图案，第二掩模图案构造为使掩模基底的外围曝光区域中的金属层曝光以形成虚设金属图案，第二掩模图案与第一掩模图案相邻，第二掩模图案具有与第一掩模图案的宽度基本相同的宽度。
在一些示例实施例中，第二掩模图案可具有沿直线与第一掩模图案的中心线重合的中心线。
在一些示例实施例中，掩模可包括第一掩模图案组，第一掩模图案组可包括布置在直线上的多个第一掩模图案，第二掩模图案可沿所述直线位于所述多个第一掩模图案之间，第二掩模图案和所述多个第一掩模图案中的一个第一掩模图案之间的距离可与第二掩模图案和所述多个第一掩模图案中的另一个第一掩模图案之间的距离基本相同。
在一些示例实施例中，所述多个第一掩模图案的中心线和第二掩模图案的中心线可沿所述直线彼此重合。
在一些示例实施例中，掩模可包括第一掩模图案组，第一掩模图案组可包括彼此平行的多个第一掩模图案，第二掩模图案可平行于所述多个第一掩模图案并位于所述多个第一掩模图案之间，第二掩模图案和所述多个第一掩模图案中的一个第一掩模图案之间的距离可与第二掩模图案和所述多个第一掩模图案中的另一个第一掩模图案之间的距离基本相同。
在一些示例实施例中，第二掩模图案和所述多个第一掩模图案中的所述一个第一掩模图案之间的距离可与单元曝光区域中相邻的掩模图案之间的距离基本相同。
在一些示例实施例中，所述多个第一掩模图案可具有不同的宽度，第二掩模图案可具有与所述多个第一掩模图案的宽度中的最短的宽度基本相同的宽度。
在一些示例实施例中，掩模可包括第二掩模图案组，第二掩模图案组可包括多个第二掩模图案，所述多个第二掩模图案中的每个可位于所述多个第一掩模图案中的相邻的两个第一掩模图案之间，所述多个第二掩模图案可彼此平行，所述多个第二掩模图案之间的距离可与第二掩模图案和与所述第二掩模图案相邻的第一掩模图案之间的距离基本相同。
根据示例实施例，半导体装置的金属布线包括：信号金属图案，位于半导体基底的外围区域中；虚设金属图案，位于外围区域中，虚设金属图案与信号金属图案相邻，虚设金属图案具有与信号金属图案的宽度基本相同的宽度。
在一些示例实施例中，虚设金属图案可具有沿直线与信号金属图案的中心线重合的中心线。
在一些示例实施例中，金属布线可包括信号金属图案组，信号金属图案组可包括布置在直线上的多个信号金属图案，虚设金属图案可沿直线位于所述多个信号金属图案之间，虚设金属图案和所述多个信号金属图案中的一个信号金属图案之间的距离可与虚设金属图案和所述多个信号金属图案中的另一个信号金属图案之间的距离基本相同。
在一些示例实施例中，所述多个信号金属图案的中心线和虚设金属图案的中心线可沿直线彼此重合。
在一些示例实施例中，金属布线可包括信号金属图案组，信号金属图案组可包括彼此平行的多个信号金属图案，虚设金属图案可平行于所述多个信号金属图案并位于所述多个信号金属图案之间，虚设金属图案和所述多个信号金属图案中的一个信号金属图案之间的距离与虚设金属图案与所述多个信号金属图案中的另一个信号金属图案之间的距离基本相同。
在一些示例实施例中，所述多个信号金属图案可具有不同的宽度，虚设金属图案可具有与所述多个信号金属图案的宽度中最短的宽度基本相同的宽度。
在一些示例实施例中，金属布线可包括虚设金属图案组，虚设金属图案组可包括布置在所述多个信号金属图案之间的多个虚设金属图案，所述多个虚设金属图案之间的距离可与虚设金属图案和与所述虚设金属图案相邻的信号金属图案之间的距离基本相同。
根据示例实施例，半导体装置的金属布线包括：至少一个信号金属图案，位于半导体基底的外围区域中，所述至少一个信号金属图案电连接至半导体基底的电路；至少一个虚设金属图案，位于外围区域中并填充未被所述至少一个信号金属图案占有的区域，所述至少一个虚设金属图案与半导体基底的电路电绝缘，所述至少一个虚设金属图案具有与所述至少一个信号金属图案的宽度基本相同的宽度，所述至少一个虚设金属图案和所述至少一个信号金属图案中的相邻的两者之间的距离与单元区域中的单元金属图案之间的距离基本相同。
在一些示例实施例中，所述至少一个信号金属图案可平行于所述至少一个虚设金属图案。
在一些示例实施例中，所述至少一个信号金属图案可包括第一信号金属图案和第二信号金属图案，所述至少一个虚设金属图案可位于第一信号金属图案和第二信号金属图案之间使得第一信号金属图案和第二信号金属图案的中心线和所述至少一个虚设金属图案的中心线形成直线。
在一些示例实施例中，第一信号金属图案和所述至少一个虚设金属图案之间的第一距离可与第二信号金属图案和所述至少一个虚设金属图案之间的第二距离基本相同。
在一些示例实施例中，所述至少一个信号金属图案可包括具有不同宽度的多个信号金属图案，所述至少一个虚设金属图案可具有与所述多个信号金属图案中的最短的宽度基本相同的宽度。
根据示例实施例，用于在半导体基底的外围区域中形成虚设金属图案的第二掩模图案可布置在用于在半导体基底的外围区域中形成信号金属图案的第一掩模图案之间。第二掩模图案的宽度可与第一掩模图案的宽度基本相同。因此，使用掩模在外围区域中形成的金属布线可具有与单元区域中的金属布线的节距对应的微小且均匀的节距。结果，通过使用掩模和离轴照明在外围区域中形成的金属布线可具有设计的形状和尺寸使得可抑制或防止金属布线之间的短路和/或金属布线的切断。
附图说明
通过下面结合附图的详细描述，将更加清楚地理解示例实施例。图1至图15代表如在此描述的非限制性的示例实施例。
图1是示出根据示例实施例的掩模的平面图；
图2是图1中的部分“ii”的放大平面图；
图3是图1中的部分“iii”的放大平面图；
图4是图1中的部分“iv”的放大平面图；
图5是图1中的部分“v”的放大平面图；
图6是图1中的部分“vi”的放大平面图；
图7至图9是示出根据示例实施例的使用图1中的掩模形成半导体装置的金属布线的方法的剖视图；
图10是示出使用图1中的掩模的半导体装置的金属布线的平面图；
图11是图10中的部分“xi”的放大平面图；
图12是图10中的部分“xii”的放大平面图；
图13是图10中的部分“xiii”的放大平面图；
图14是图10中的部分“xiv”的放大平面图；
图15是图10中的部分“xv”的放大平面图。
具体实施方式
在下文中将参照示出了一些示例实施例的附图更充分地描述各种示例实施例。然而，本发明构思可以以各种不同的形式实施并不应被解释为局限于在此阐述的示例实施例。然而，提供这些示例实施例使得此公开将是彻底而完整的并将本发明构思的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰起见，可夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。
将理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。相反，当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或者“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。同样的标号始终指示同样的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。
将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分并不应受到这些术语的限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本发明构思的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
为了便于解释，在这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”等空间相对术语，以描述如图中所示的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。将理解的是，除了包含图中描绘的方位之外，空间相对术语还意图包含装置在使用中或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性的术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。装置可被另外定位(旋转90度或在其它方位)并且应相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
在这里使用的术语仅出于描述具体实施例的目的，而并不意图限制本发明构思。如这里使用的，除非上下文另外明确指明，否则单数形式的“一个(种/者)”、“该(所述)”也意图包括复数形式。还将理解，当术语“包含”和/或“包括”用在此说明书中时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
在这里，参照剖视图描述了示例实施例，所述剖视图是理想化示例实施例(和中间结构)的示意图。照此，预计将出现例如由制造技术和/或公差引起的示出形状的变化。因此，示例实施例不应当被解释为局限于这里示出的区域的特定形状，而是将包括例如由制造引起的形状上的偏差。例如，示出为矩形的注入区通常在其边缘将具有圆形或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区到非注入区的二元变化。同样地，通过注入形成的埋区可能会导致在埋区和通过其发生注入的表面之间的区域中出现一些注入。因此，附图中所示的区域实际上是示意性的，它们的形状并不意图示出装置的区域的实际形状，也不意图限制本发明构思的范围。
除非另外定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与这些发明构思所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在这里如此明确地定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应当被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义相一致的含义，而不应被理想化或过于形式化地解释。
在下文中，将参照附图详细地解释示例实施例。
掩模
图1是示出根据示例实施例的掩模的平面图，图2是图1中的部分“ii”的放大平面图，图3是图1中的部分“iii”的放大平面图，图4是图1中的部分“iv”中的放大平面图，图5是图1中的部分“v”的放大平面图，图6是图1中的部分“vi”中的放大平面图。
参照图1，此示例实施例的掩模100包括掩模基底110、单元掩模图案120、第一掩模图案130和第二掩模图案140。
掩模基底110可具有单元曝光区域cer和外围曝光区域per。单元掩模图案120可形成在单元曝光区域cer中。单元曝光区域cer中的单元掩模图案120可用于使半导体装置的单元区域中的金属层曝光以形成主金属图案。第一掩模图案130和第二掩模图案140可形成在外围曝光区域per中。外围曝光区域per中的第一掩模图案130可用于使半导体装置的外围区域中的金属层曝光以形成信号金属图案。外围曝光区域per中的第二掩模图案140可用于使外围区域中的金属层曝光以形成虚设金属图案。
单元掩模图案120可包括光可以穿过的开口。单元掩模图案120可具有细长条形状。单元掩模图案120可以以基本相同的间距彼此分隔开布置。因此，单元掩模图案120之间的节距可基本彼此相同。
第一掩模图案130可包括光可以穿过的开口。第一掩模图案130可具有细长条形状。第一掩模图案130可具有第一宽度ow1或第三宽度ow3。第一掩模图案130的第一宽度ow1可与单元掩模图案120的宽度基本相同。根据一些示例实施例，第一掩模图案130的第一宽度ow1可与单元掩模图案120的宽度不同。
如上所述，单元曝光区域cer中的单元掩模图案120之间的节距可以是均匀的。相反，外围曝光区域per中的第一掩模图案130之间的节距可以是不均匀的。即，外围曝光区域per中的第一掩模图案130之间的节距可以是彼此不同的。另外，第一掩模图案130可具有不同的长度。结果，掩模基底110的外围曝光区域per中会存在未布置第一掩模图案130的部分。
在此，从离轴照明入射到掩模100的光可构造为形成与将使用单元掩模图案120在半导体装置的单元区域中形成的主金属图案之间的微小节距对应的焦点。然而，光的所述焦点不会与将使用第一掩模图案130在半导体装置的外围区域中形成的信号金属图案之间的节距对应。因此，外围区域中的信号金属图案不会形成为具有设计的形状或期望的图案。
第二掩模图案140可形成在掩模基底110的外围曝光区域per中的未布置第一掩模图案130的部分中。第二掩模图案140可使从离轴照明发射的光的焦点与信号金属图案之间的节距对应。
第二掩模图案140可包括光可以穿过的开口。第二掩模图案140可与第一掩模图案130相邻放置。第二掩模图案140可具有与第一掩模图案130的第一宽度ow1基本相同的第二宽度ow2。因此，通过第一掩模图案130形成的信号金属图案可具有与通过第二掩模图案140形成的虚设金属图案的宽度基本相同的宽度。信号金属图案之间的虚设金属图案可向半导体装置的外围区域中的金属布线提供与半导体装置的单元区域中的主金属图案之间的节距基本相同的节距。
参照图2，第二掩模图案140可与具有相对短的长度的第一掩模图案132相邻放置。第一掩模图案132和第二掩模图案140可位于直线上。因为第一掩模图案132的第一宽度ow1可与第二掩模图案140的第二宽度ow2基本相同，所以第一掩模图案132和第二掩模图案140可沿着所述直线具有同一条中心线cl。第二掩模图案140可以通过间隙og与第一掩模图案132分隔开。间隙og可为第一掩模图案132和第二掩模图案140的相邻的侧表面之间的距离。
参照图3，具有相对短的长度的第二掩模图案142可布置在位于直线上并均具有相对短的长度的两个第一掩模图案134和135之间。第二掩模图案142可位于所述直线上。因此，第一掩模图案134和135与第二掩模图案142可具有沿所述直线的共同的中心线cl。
另外，第二掩模图案142和第一掩模图案134之间的间隙可与第二掩模图案142和第一掩模图案135之间的间隙基本相同。例如，第二掩模图案142和第一掩模图案134的相邻的侧表面之间的第一间隙og1可与第二掩模图案142和第一掩模图案135的相邻的侧表面之间的第二间隙og2基本相同。第一间隙og1和第二间隙og2可与图2中的第一掩模图案132和第二掩模图案140之间的间隙og基本相同。可根据半导体装置中的金属布线的设计规则确定间隙og、第一间隙og1和第二间隙og2。
参照图4，外围曝光区域per中的两个第一掩模图案130可彼此平行。第一掩模图案130可具有第一宽度ow1。在图4中，上第一掩模图案130可具有第一中心线cl1。下第一掩模图案130可具有第二中心线cl2。外围曝光区域per中的第一掩模图案130之间的节距可比单元曝光区域cer中的单元掩模图案120之间的节距宽。
第二掩模图案144可布置在第一掩模图案130之间。第二掩模图案144可具有与第一掩模图案130的长度基本相同的长度。第二掩模图案144可具有与第一掩模图案130的第一宽度ow1基本相同的第二宽度ow2。第二掩模图案144可基本平行于第一掩模图案130。因此，第二掩模图案144可具有与第一掩模图案130的第一中心线cl1和第二中心线cl2基本平行的第三中心线cl3。
可以以基本相同的节距布置第一掩模图案130和第二掩模图案140。例如，第二掩模图案144和上第一掩模图案130之间的第一节距op1可与第二掩模图案144和下第一掩模图案130之间的第二节距op2基本相同。即，第二掩模图案144的上表面与上第一掩模图案130的下表面之间的距离可与第二掩模图案144的下表面和下第一掩模图案130的上表面之间的距离基本相同。
参照图5，外围曝光区域per中的第一掩模图案130和第一掩模图案136可彼此平行。在图5中，上第一掩模图案130可具有第一宽度ow1，下第一掩模图案136可具有比第一宽度ow1宽的第三宽度ow3。上第一掩模图案130可具有第一中心线cl1。下第一掩模图案136可具有第二中心线cl2。外围曝光区域per中的第一掩模图案130和136之间的节距可比单元曝光区域cer中的单元掩模图案120之间的节距宽。
第二掩模图案146可布置在第一掩模图案130和136之间。第二掩模图案146可具有与第一掩模图案130和136的长度基本相同的长度。第二掩模图案146可具有与第一掩模图案130的第一宽度ow1基本相同的第二宽度ow2。根据一些示例实施例，第二掩模图案146的第二宽度ow2可与第一掩模图案136的第三宽度ow3基本相同。第二掩模图案146可与第一掩模图案130和136平行。因此。第二掩模图案146可具有与第一掩模图案130的第一中心线cl1和第一掩模图案136的第二中心线cl2基本平行的第三中心线cl3。
可以以基本相同的节距布置第一掩模图案130和136与第二掩模图案146。例如，第二掩模图案146和上第一掩模图案130之间的第三节距op3可与第二掩模图案146和下第一掩模图案136之间的第四节距op4基本相同。即，第二掩模图案146的上表面和上第一掩模图案130的下表面之间的距离可与第二掩模图案146的下表面和下第一掩模图案136的上表面之间的距离基本相同。
参照图6，外围曝光区域per中的两个第一掩模图案130可彼此平行。第一掩模图案130可具有第一宽度ow1。在图6中，上第一掩模图案130可具有第一中心线cl1。下第一掩模图案130可具有第二中心线cl2。在外围曝光区域per中的第一掩模图案130之间的节距可比单元曝光区域cer中的单元掩模图案120之间的节距宽。例如，图6中第一掩模图案130之间的节距可比图4中第一掩模图案130之间的节距宽。
因为第一掩模图案130之间的节距相对宽，所以例如可在第一掩模图案130之间布置两个第二掩模图案147和148。第二掩模图案147和148可具有与第一掩模图案130的长度基本相同的长度。第二掩模图案147和148均可具有与第一掩模图案130的第一宽度ow1基本相同的第二宽度ow2。第二掩模图案147和148可平行于第一掩模图案130。因此，第二掩模图案147和148可具有分别基本平行于第一掩模图案130的第一中心线cl1和第二中心线cl2的第三中心线cl3和第四中心线cl4。
可以以基本相同的节距布置第一掩模图案130和136与第二掩模图案147和148。例如，上第二掩模图案147和上第一掩模图案130之间的第五节距op5、下第二掩模图案148和下第一掩模图案130之间的第六节距op6以及第二掩模图案147和148之间的第七节距op7可基本彼此相同。即，上第二掩模图案147的上表面和上第一掩模图案130的下表面之间的距离、上第二掩模图案147的下表面和下第二掩模图案148的上表面之间的距离、以及下第二掩模图案148的下表面和下第一掩模图案130的上表面之间的距离可基本彼此相同。
在本示例实施例中，在第一掩模图案130之间布置了两个第二掩模图案147和148。然而，第一掩模图案之间的第二掩模图案的数量不局限于特定的数量或不局限在特定的数量之内。可根据第一掩模图案130之间的节距确定第一掩模图案之间的第二掩模图案的数量。
为了与区域无关(例如，与单元区域或外围区域无关)地将从离轴照明发射的光聚焦在半导体装置上，外围曝光区域per中的第一掩模图案和第二掩模图案之间的节距与第二掩模图案之间的节距可构造为与单元曝光区域cer中的单元掩模图案之间的节距基本相同。
图7至图9是示出根据示例实施例的使用图1中的掩模形成半导体装置的金属布线的方法的剖视图。
参照图7，可在半导体基底210的上表面上形成金属层202。可在金属层202的上表面上形成光刻胶膜250。可在光刻胶膜250的上方布置图1中的掩模100。
从离轴照明发射的光可以倾斜地入射到掩模100。入射到单元曝光区域cer的光可通过单元掩模图案120照射到光刻胶膜250。入射到外围曝光区域per的光可通过第一掩模图案130和第二掩模图案140照射到光刻胶膜250。
参照图8，可对被曝光的光刻胶膜250执行显影工艺以形成光刻胶图案252。
参照图9，可将光刻胶图案252用作蚀刻掩模来蚀刻金属层202以形成金属布线200。
半导体装置的金属布线
图10是示出使用图1中的掩模的半导体装置的金属布线的平面图，图11是图10中的部分“xi”的放大平面图，图12是图10中的部分“xii”的放大平面图，图13是图10中的部分“xiii”的放大平面图，图14是图10中的部分“xiv”的放大平面图，图15是图10中的部分“xv”的放大平面图。
参照图10，此示例实施例的半导体装置的金属布线200包括单元金属图案220、信号金属图案230和虚设金属图案240。
单元金属图案220、信号金属图案230和虚设金属图案240可形成在半导体基底210的上表面上。半导体基底210可具有单元区域cr和外围区域pr。单元金属图案220可形成在单元区域cr中。单元金属图案220可与半导体基底210中的电路电连接。信号金属图案230和虚设金属图案240可形成在外围区域pr中。信号金属图案230可电连接至半导体基底210中的电路。相反，虚设金属图案240可不连接至半导体基底210中的电路。
由于可根据单元掩模图案120的形状确定单元金属图案220的形状，因此单元金属图案220可具有细长条形状。单元金属图案220可以以基本相同的间距布置。因此，单元金属图案220之间的节距可基本彼此相同。
由于可根据第一掩模图案130的形状确定信号金属图案230的形状，因此信号金属图案230可具有细长条形状。信号金属图案230可具有第一宽度mw1或第三宽度mw3。信号金属图案230的第一宽度mw1可与单元金属图案220的宽度基本相同。根据一些示例实施例，信号金属图案230的第一宽度mw1可与单元金属图案220的宽度不同。
虚设金属图案240可形成在半导体基底210的外围区域pr的未形成信号金属图案230的部分中。由于可根据第二掩模图案140的形状确定虚设金属图案240的形状，因此虚设金属图案240可具有细长条形状。虚设金属图案240可与信号金属图案230相邻放置。虚设金属图案240可具有与信号金属图案230的第一宽度mw1基本相同的第二宽度mw2。
参照图11，虚设金属图案240可与具有相对短长度的信号金属图案232相邻放置。信号金属图案232和虚设金属图案240可位于直线上。由于信号金属图案232的第一宽度mw1可与虚设金属图案240的第二宽度mw2基本相同，因此信号金属图案232和虚设金属图案240可具有沿着所述直线的同一条中心线cl。虚设金属图案240可通过间隙mg与信号金属图案232分隔开。间隙mg可为信号金属图案232和虚设金属图案240的相邻表面之间的距离。
参照图12，具有相对短长度的虚设金属图案242可布置在位于直线上且均具有相对短长度的两个信号金属图案234和235之间。虚设金属图案242可位于所述直线上。因此，信号金属图案234和235与虚设金属图案242可具有沿所述直线的共同的中心线cl。
另外，虚设金属图案242和信号金属图案234之间的间隙可与虚设金属图案242和信号金属图案235之间的间隙基本相同。例如，虚设金属图案242和信号金属图案234的相邻侧表面之间的第一间隙mg1可与虚设金属图案242和信号金属图案235的相邻侧表面之间的第二间隙mg2基本相同。第一间隙mg1和第二间隙mg2可与图11中的信号金属图案232和虚设金属图案240之间的间隙mg基本相同。可根据半导体装置中的金属布线的设计规则来确定间隙mg、第一间隙mg1和第二间隙mg2。
参照图13，外围区域pr中的两个信号金属图案230可彼此平行。信号金属图案230可具有第一宽度mw1。在图13中，上信号金属图案230可具有第一中心线cl1。下信号金属图案230可具有第二中心线cl2。外围区域pr中的信号金属图案230之间的节距可比单元区域cr中的单元金属图案220之间的节距宽。
虚设金属图案244可布置在信号金属图案230之间。虚设金属图案244可具有与信号金属图案230的长度基本相同的长度。虚设金属图案244可具有与信号金属图案230的第一宽度mw1基本相同的第二宽度mw2。虚设金属图案244可基本平行于信号金属图案230。因此，虚设金属图案244可具有与信号金属图案230的第一中心线cl1和第二中心线cl2基本平行的第三中心线cl3。
可以以基本相同的节距布置信号金属图案230和虚设金属图案244。例如，虚设金属图案244和上信号金属图案230之间的第一节距mp1可与虚设金属图案244和下信号金属图案230之间的第二节距mp2基本相同。即，虚设金属图案244的上表面和上信号金属图案230的下表面之间的距离可与虚设金属图案244的下表面和下信号金属图案230的上表面之间的距离基本相同。
参照图14，外围区域pr中的信号金属图案230和信号金属图案236可彼此平行。在图14中，上信号金属图案230可具有第一宽度mw1，下信号金属图案236可具有比第一宽度mw1宽的第三宽度mw3。上信号金属图案230可具有第一中心线cl1。下信号金属图案236可具有第二中心线cl2。外围区域pr中的信号金属图案230和236之间的节距可比单元区域cr中的单元金属图案220之间的节距宽。
虚设金属图案246可布置在信号金属图案230和236之间。虚设金属图案246可具有与信号金属图案230和236的长度基本相同的长度。虚设金属图案246可具有与信号金属图案230的第一宽度mw1基本相同的第二宽度mw2。根据一些示例实施例，虚设金属图案246的第二宽度mw2可与信号金属图案236的第三宽度mw3基本相同。虚设金属图案246可与信号金属图案230和236平行。因此，虚设金属图案246可具有与信号金属图案230的第一中心线cl1和信号金属图案236的第二中心线cl2基本平行的第三中心线cl3。
可以以基本相同的节距布置信号金属图案230和236与虚设金属图案246。例如，虚设金属图案246和上信号金属图案230之间的第三节距mp3可与虚设金属图案246和下信号金属图案236之间的第四节距mp4基本相同。即，虚设金属图案246的上表面和上信号金属图案230的下表面之间的距离可与虚设金属图案246的下表面和下信号金属图案236的上表面之间的距离基本相同。
参照图15，外围区域pr中的两个信号金属图案230可彼此平行。信号金属图案230可具有第一宽度mw1。在图15中，上信号金属图案230可具有第一中心线cl1。下信号金属图案230可具有第二中心线cl2。外围区域pr中的信号金属图案230之间的节距可比单元区域cr中的单元金属图案220之间的节距宽。例如，图15中的信号金属图案230之间的节距可比图13中的信号金属图案230之间的节距宽。
由于信号金属图案230之间的节距相对宽，所以例如可在信号金属图案230之间布置两个虚设金属图案247和248。虚设金属图案247和248可具有与信号金属图案230的长度基本相同的长度。虚设金属图案247和248可均具有与信号金属图案230的第一宽度mw1基本相同的第二宽度mw2。虚设金属图案247和248可平行于信号金属图案230。因此，虚设金属图案247和248可分别具有基本平行于信号金属图案230的第一中心线cl1和第二中心线cl2的第三中心线cl3和第四中心线cl4。
可以以基本相同的节距布置信号金属图案230和236与虚设金属图案247和248。例如，上虚设金属图案247和上信号金属图案230之间的第五节距mp5、下虚设金属图案248和下信号金属图案230之间的第六节距mp6以及虚设金属图案247和248之间的第七节距mp7可基本彼此相同。即，上虚设金属图案247的上表面和上信号金属图案230的下表面之间的距离、上虚设金属图案247的下表面和下虚设金属图案248的上表面之间的距离以及下虚设金属图案248的下表面和下信号金属图案230的上表面之间的距离可基本彼此相同。
在本示例实施例中，在信号金属图案230之间布置了两个虚设金属图案247和248。然而，信号金属图案之间的虚设金属图案的数量不局限于特定的数量或局限在特定的数量之内。可根据信号金属图案230之间的节距确定信号金属图案230之间的虚设金属图案的数量。
根据一些示例实施例，用于在半导体基底的外围区域中形成虚设金属图案的第二掩模图案可布置在用于在半导体基底的外围区域中形成信号金属图案的第一掩模图案之间。第二掩模图案的宽度可设计为与第一掩模图案的宽度基本相同。因此，使用包括前述掩模图案的掩模在外围区域中形成的金属布线可具有与单元区域中的金属布线的节距对应的微小且均匀的节距。因此，通过使用这样的掩模和离轴照明在外围区域中形成的金属布线可产生设计的形状和尺寸，从而抑制或防止外围区域中金属布线之间的短路和/或金属布线的切断。
虽然已经描述了一些示例实施例，但是本领域技术人员将容易理解，在实质上不脱离本发明构思的新颖性的教导和优点的情况下，可以对示例性实施例进行许多修改。因此，所有这些修改意图被包括在如权利要求所限定的本发明构思的范围内。在权利要求中，装置加功能的条款意图覆盖在此描述为执行所述功能的结构，而不仅仅是结构等同物，而且还包括等效结构。因此，应当理解的是，前述是各种示例实施例的说明且不应被解释为限于公开的特定示例实施例，对公开的示例实施例的修改以及其他示例实施例也意图包括在所附权利要求的范围内。