一种黏结垫、显示面板、显示装置及其静电保护方法与流程

本发明涉及液晶显示面板技术领域，具体而言涉及一种黏结垫、显示面板、显示装置及其静电保护方法。

背景技术：

由于器件集成度不断提高，电路密集度也越来越高，致使其耐击穿电压越来越低。静电在电子工业中被称为“看不见的敌人”。因此，对静电的防护主要致力于防患于未然，对ESD(Electro-Static discharge，静电释放)进行综合防护。

目前LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅)面板在智能终端上已获得广泛应用，市面上很多种智能手机和平板电脑均使用LTPS面板。LTPS面板制造过程复杂，在制造过程中面板边缘的黏结垫易收到静电袭击，通过黏结垫的导电作用，导致面板上的显示像素单元也遭到静电袭击，破坏整个显示面板，因此，增强LTPS面板的抗静电功能对于提升显示面板的良率降低面板制造成本具有重要意义。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明提供一种黏结垫、显示面板、显示装置及其静电保护方法，本发明的黏结垫能够抑制静电电流对显示面板的影响。

为解决上述技术问题，本发明提出的一个技术方案是：提供一种显示面板的黏结垫，该黏结垫从显示面板的边缘往中心方向依序划分为第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域之间设有第一多晶硅导电层并通过所述第一多晶硅导电层电连接。

其中，所述第一区域和所述第二区域均从上之下依次层叠有第一金属层、绝缘层和第二多晶硅导电层，所述第一金属层和所述第二多晶硅导电层通过所述绝缘层上的通孔电连接；

所述第一区域和所述第二区域的第二多晶硅导电层同层且分别向外延伸形成所述第一多晶硅导电层。

其中，所述第一区域和所述第二区域均设有第一金属层，所述第一多晶硅导电层与所述第一金属层同层设置，所述第一区域的第一金属层和所述第二区域的第一金属通过所述第一多晶硅导电层电连接。

其中，所述第一区域和所述第二区域均从上之下依次层叠有第一金属层、绝缘层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层通过所述绝缘层上的通孔电连接；

所述第一多晶硅导电层与所述第二金属层同层设置，所述第一区域的第二金属层和所述第二区域的第二金属通过所述第一多晶硅导电层电连接。

其中，所述第一区域的面积小于所述第二区域的面积。

本发明还提出的一个技术方案：提出一种显示面板，该显示面板包括：显示像素单元和上述的黏结垫；所述黏结垫用于将所述显示面板的驱动控制电路与所述显示像素单元导通。

本发明还提出的另一个技术方案：提供一种显示装置，该显示装置包括驱动控制电路和上述显示面板，所述驱动控制电路连接所述显示面板，向所述显示面板提供驱动和控制信号。

本发明还提出的又一个技术方案：提供一种显示面板的静电保护方法，该静电保护方法包括：

从显示面板的边缘往中心方向，将显示面板的黏结垫划分为第一区域和第二区域；

所述第一区域和所述第二区域之间设有第一多晶硅导电层并通过所述第一多晶硅导电层电连接，当所述显示面板的边缘产生静电电流时，所述第一多晶硅导电层被所述静电电流熔断，以隔断所述第一区域和所述第二区域。

其中，所述第一区域和所述第二区域均从上之下依次层叠有第一金属层、绝缘层和第二多晶硅导电层，所述第一金属层和所述第二多晶硅导电层通过所述绝缘层上的通孔电连接，所述第一区域和所述第二区域的第二多晶硅导电层同层且分别向外延伸形成所述第一多晶硅导电层；

所述第一区域和所述第二区域通过所述第一多晶硅导电层电连接，具体为：

所述第一区域的第二多晶硅导电层和所述第二区域的第二多晶硅导电层通过所述第一多晶硅导电层电连接。

其中，所述第一区域的面积小于所述第二区域的面积。

有益效果：区别于现有技术，本发明提供的黏结垫从显示面板的边缘往中心方向依序被划分为第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域之间设有第一多晶硅导电层并通过所述第一多晶硅导电层电连接。在显示面板的制造过程中，对显示面板进行切割时，显示面板的边缘会产生静电，黏结垫遭到静电袭击，静电电流从第一区域向第二区域传输，导致第一多晶硅导电层熔断，进而阻隔第一区域和第二区域的静电电流，以使显示面板的显示像素单元免受静电干扰，保护显示面板的显示像素单元，提高显示面板的制备良率。

附图说明

图1是现有技术中显示面板的结构示意图；

图2a是现有技术中黏结垫的结构示意图；

图2b是图2a中沿A-Aˊ的剖面示意图；

图3a是本发明显示面板的黏结垫一实施例的结构示意图；

图3b是图3a中第一多晶硅导电层熔断后的结构示意图；

图4是图3a中沿B-Bˊ的连接区域一实施例的剖面示意图；

图5是图3a中沿B-Bˊ的连接区域另一实施例的剖面示意图；

图6a是图3a中圆形虚线框内的结构示意图；

图6b是图6a中沿C-Cˊ的第一区域、第二区域和连接区域之间一种连接结构的剖面示意图；

图6c是图6a中沿C-Cˊ的第一区域、第二区域和连接区域之间另一种连接结构的剖面示意图；

图7是图6a中沿C-Cˊ的第一区域、第二区域和连接区域之间又一种连接结构的剖面示意图；

图8是图6a中沿C-Cˊ的第一区域、第二区域和连接区域之间再一种连接结构的剖面示意图；

图9是本发明显示装置一实施例的结构示意图。

具体实施例

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施例对本发明所提供的一种黏结垫、显示面板、显示装置及其静电保护方法做进一步详细描述。在附图中，相同的标号在整个说明书和附图中用来表示相同的结构和区域。

参阅图1，图1是现有技术中显示面板的结构示意图。如图1所示，显示面板100上包括显示区和非显示区，显示区设置有显示像素单元103，在显示区两侧的非显示区用于设置GOA驱动电路102，显示区的另一侧面设置黏结区，黏结区设置有并列的多个黏结垫101，通过黏结垫101将显示区的显示像素单元103与显示面板100外围的驱动控制电路电连接。

参阅图2a和图2b，图2a是现有技术中黏结垫的结构示意图，图2b是图2a中沿A-Aˊ的剖面示意图。如图2a和图2b所示，黏结垫101从下至上依次层叠设置有基底(未画出)、缓冲绝缘层1011、栅极绝缘层1012、第二金属层1013、层间绝缘层1014、第一金属层1015、钝化绝缘层1016和透明电极层1017。此外，还包括从第一金属层1015或第二金属层1013延伸出的金属线1020，该金属线用于将黏结垫101和显示区的显示像素单元103电连接。透明电极层1017和第一金属层1015通过钝化绝缘层1016上的通孔1019实现电连接，第一金属层1015和第二金属层1013通过层间绝缘层1014上的通孔1018实现电连接。由于黏结垫101位于显示面板的边缘处，因此在显示面板的制备过程中，显示面板的边缘处的静电会通过黏结垫101传导至显示像素单元103，进而导致显示像素单元103受到静电电流的影响，甚至烧毁，降低了显示面板的制备良率。

为了提高显示面板的防静电能力，本发明公开了一种显示面板的黏结垫。该黏结垫从显示面板的边缘往中心方向依序划分为第一区域和第二区域，第一区域和第二区域之间设有第一多晶硅导电层并通过第一多晶硅导电层电连接。

将第一区域和第二区域之间设有第一多晶硅导电层的部分定义为连接区域。连接区域中除了第一多晶硅导电层之外其余部分均与第一区域和第二区域绝缘，即第一区域和第二区域仅能通过第一多晶硅导电层导通。第一多晶硅导电层可以整个覆盖连接区域，或是由有多晶硅形成的走线。值得注意的是，本实施例中所定义的连接区域是指第一区域和第二区域之间设置第一多晶硅导电层的部分，并不是在黏结垫上划分出的一个区域；当然，在其他实施例中也可以将黏结垫从显示面板的边缘往中心方向依序划分为第一区域、连接区域和第二区域。

本实施例中，第一区域的面积小于第二区域的面积，由此，靠近显示面板的显示像素单元的第二区域占有黏结区较大的面积，进而使黏结垫仍然能够保持较好的黏结效果。

相应的，本发明还公开了显示面板的静电保护方法实施例，该静电保护方法实施例中，在显示面板中采用上述的显示面板的黏结垫，如此当显示面板的边缘产生静电电流时，第一多晶硅导电层被静电电流熔断，以隔断第一区域和第二区域，以达到对显示面板进行静电保护的目的，提高显示面板的制备良率。

本实施例中，当显示面板的边缘产生静电时，静电电流通过黏结垫的第一区域，经过第一多晶硅导电层向第二区域传输；由于多晶硅熔点较低，当静电电流通过第一多晶硅导电层时会产生较高的热量，将第一多晶硅导电层熔断，从而阻断了第一区域和第二区域之间的电流流通，导致静电电流无法通过第二区域传输至显示像素单元，进而保护了显示面板的显示区的显示像素单元。

参阅图3a和图3b，图3a和图3b中以第一多晶硅导电层中的多晶硅形成走线为例。图3a是本发明显示面板的黏结垫一实施例的结构示意图。如图3a所示，第一多晶硅导电层形成走线，走线一端与第一区域40电连接，另一端与第二区域30电连接，当静电电流传输时，第一多晶硅导电层形成的走线被熔断，如图3b所示。

参阅图4，图4是图3a中沿B-Bˊ的连接区域一实施例的剖面示意图。如图4所示，设有第一多晶硅导电层201的连接区域20中除第一多晶硅导电层201之外其余部分均为绝缘材料202。第一区域40和第二区域30仅能通过第一多晶硅导电层201形成的走线导通。此外，参阅图5，是图3a中沿B-Bˊ的连接区域另一实施例的剖面示意图。如图5所示，设有第一多晶硅导电层201的连接区域20的结构还可以包括从下往上依次层叠的基底(未画出)、缓冲绝缘层203、栅极绝缘层204、第一多晶硅导电层202、层间绝缘层206、第一金属层207、钝化绝缘层208和透明电极层209。即设有第一多晶硅导电层201的连接区域20的层级结构可以与第一区域40和第二区域30相同，但除第一多晶硅导电层202之外的其他层级结构均与第一区域40和第二区域30绝缘。

参阅图6a和图6b，图6a是图3a中圆形虚线框内的结构示意图，图6b是图6a中沿C-Cˊ的第一区域、第二区域和连接区域之间一种连接结构的剖面示意图。如图6b所示，第一区域40和第二区域30的层级结构与图2b所示的黏结垫的层级结构相同，此处不再赘述。连接区域20设有第一多晶硅导电层201，该第一多晶硅导电层201分别与第一区域40的第二金属层403和第二区域30的第二金属层303电连接，进而实现通过第一多晶硅导电层201令第一区域40和第二区域30电连接。本实施方式中，连接区域20除第一多晶硅导电层201之外，其余部分均为绝缘材料202。

此外，参阅图6c，图6c是图6a中沿C-Cˊ的第一区域、第二区域和连接区域之间另一种连接结构的剖面示意图。本实施方式中，第一区域40和第二区域30的层级结构分别与图6b中的第一区域和第二区域的层级结构相同，在图6b中对第一区域和第二区域不再标号，具体内容前参阅图6b。本实施方式中，连接区域20包括从下至上依次层叠的基底(未画出)、缓冲绝缘层203、栅极绝缘层204、第一多晶硅导电层201、层间绝缘层206、第一金属层207、钝化绝缘层208和透明电极层209。其中，第一多晶硅导电层201分别与第一区域的第二金属层和第二区域的第二金属层电连接；其余层级与第一区域40和第二区域30之间设有绝缘材料210。

进一步的，第一区域和第二区域中的第二金属层可以替换为第二多晶硅导电层，即第一区域和第二区域均包括从下至上依次层叠的基底(未画出)、缓冲绝缘层、栅极绝缘层、第二多晶硅导电层、层间绝缘层、第一金属层、钝化绝缘层和透明电极层。第一区域和第二区域的第二多晶硅导电层同层且分别向外延伸形成第一多晶硅导电层。如此，即可实现通过第一多晶硅导电层令第一区域和第二区域电连接。在上述结构中，第一多晶硅导电层和第二多晶硅导电层实际上为同一层级结构，在制备时在整个黏结垫的区域内涂覆多晶硅材料即可。

进一步参阅图7，图7是图6a中沿C-Cˊ的第一区域、第二区域和连接区域之间又一种连接结构的剖面示意图。如图7所示，第一区域40和第二区域30均包括从下至上依次层叠设置的基底(未画出)、缓冲绝缘层401,301、栅极绝缘层402,302、第二金属层(或第二多晶硅导电层)403,303、层间绝缘层404,304、第一金属层405,305、钝化绝缘层406,306和透明电极层407,307。透明电极层407,307和第一金属层405,305通过钝化绝缘层406,306上的通孔(图中未画出)导通，第一金属层405,305和第二金属层(或第二多晶硅导电层)403,303通过层间绝缘层404,304上的通孔408,308导通。本实施方式中，连接区域的第一多晶硅导电层分别与第一区域的第一金属层和第二区域的第一金属层电连接，进而实现通过第一多晶硅导电层令第一区域和第二区域电连接。该实施方式中，第一区域和第二区域中可以不再设置第二金属层或第二多晶硅导电层，此时第一区域、第二区域和连接区域的连接结构的结构示意图如图8所示。

在上述显示面板的黏结垫的基础上，本发明还公开一种显示面板实施例，该显示面板的结构与图1相似，区别在于本实施例的显示面板的黏结垫为图3至图8中任意一种黏结垫。

进一步的，参阅图9，图9是本发明显示装置一实施例的结构示意图。如图9所示，本实施例的显示装置90包括驱动控制电路901和显示面板902，驱动控制电路901连接显示面板902，向显示面板902提供驱动和控制信号。其中，显示面板902包括显示区和非显示区，显示区设置有显示像素单元9021，在显示区两侧的非显示区用于设置GOA驱动电路9022，显示区的另一侧面设置黏结区，黏结区设置有并列的多个黏结垫9023，通过黏结垫9023将显示区的显示像素单元9021与显示面板902外围的驱动控制电路901电连接，以使显示面板902外围的驱动控制电路901向显示像素单元9021提供控制信号和驱动信号。本实施例中的黏结垫9023为图3至图8中任意一种黏结垫9023。

本实施例中，将黏结垫从显示面板的边缘往中心方向依序被划分为第一区域和第二区域，第一区域和第二区域之间设有第一多晶硅导电层并通过第一多晶硅导电层电连接。在显示面板的制造过程中，对显示面板进行切割时，显示面板的边缘会产生静电，黏结垫遭到静电袭击，静电电流从第一区域向第二区域传输，导致第一多晶硅导电层熔断，进而阻隔第一区域和第二区域的静电电流，以使显示面板的显示像素单元免受静电干扰，保护显示面板的显示像素单元，提高显示面板的制备良率。

以上仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利保护范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围。