技术特征：
技术总结
本发明公开了一种LED芯片光刻显影方法，包括：对LED芯片做表面清洗；采用等离子增强化学气相沉积方法，在LED芯片上制备一层二氧化硅薄膜；在制备的二氧化硅薄膜上均匀涂布一层厚度为3μm的光刻胶；通过曝光机和光罩对LED芯片做图形曝光处理；使用显影液对光刻胶做显影处理，显影时间为60秒，显影温度为20℃～40℃，显影液包括一种强碱、一种弱碱和纯水，强碱质量占比0.5％～5％，弱碱质量占比1％～10％，纯水质量占比85％～98.5％，强碱为氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铷、氢氧化铯中任意一种，所述弱碱为氨水或者氢氧化铝；刻蚀暴露的二氧化硅薄膜，将光罩上的图形转移到LED芯片表面。
技术研发人员：袁章洁;张力
受保护的技术使用者：湘能华磊光电股份有限公司
技术研发日：2017.05.11
技术公布日：2017.09.05