阻焊剂图案的形成方法与流程

本发明涉及阻焊剂图案的形成方法。

背景技术：

各种电气仪器内部的布线基板上，为了不使焊料附着于电路基板中的不需要焊料(はんだ)贴敷的导电布线，形成阻焊剂图案，以使该不需要焊料贴敷的导电布线被阻焊剂层被覆。另外，阻焊剂图案发挥以下作用：防止导电布线的氧化、电绝缘和保护免受外部环境影响。

在电路基板上搭载有半导体芯片等的电子部件而得的半导体封装中，利用倒装焊接的电子部件的搭载在实现高速化、高密度化方面是有效的手段。倒装焊接中，导电布线的一部分作为倒装焊接用的连接焊盘发挥作用，例如，在该连接焊盘上配设的焊料凸点和电子部件的电极端子连接。

作为在电路基板上形成阻焊剂图案的方法，通常已知有光蚀刻法。在光蚀刻法方式中，在绝缘层1上具有连接焊盘6和导电布线2的电路基板上形成阻焊剂层。然后，将该阻焊剂层曝光、显影、除去连接焊盘6周边的阻焊剂层，设置开口部。由此，形成图1所示的阻焊剂层限定(soldermaskdefined(smd))结构或图2所示的非阻焊层限定(nonsoldermaskdefined(nsmd))结构。

在图1所示的smd结构中，连接焊盘6的周边附近被阻焊剂层3被覆。因此，为了将电子部件的电极端子和连接焊盘6进行可靠地电连接，对于在连接焊盘6的露出面形成的连接部必须确保必要的焊料量，因此，存在连接焊盘6变得大型化的问题。进而，为了使连接焊盘6的周边附近被阻焊剂层3可靠地被覆，考虑到加工精度，必须预先更宽地确保连接焊盘6的被阻焊剂层3被覆的部分的宽度，存在连接焊盘6进一步变得大型化的问题。另一方面，在图2所示的nsmd结构的连接焊盘6的情况下，由于连接焊盘6全体由阻焊剂层3露出，与焊料的连接面积大，与smd结构的情况相比，可以使得连接焊盘6小型化。但是，在nsmd结构中，由于连接焊盘6从阻焊剂层3完全露出，因此在彼此相邻的连接焊盘6之间，存在产生焊料导致的电短路的情况。

提出了用于解决这种问题的阻焊剂图案的形成方法。该方法是按顺序至少包括以下步骤的方法：在具有连接焊盘6的电路基板上形成阻焊剂层3的步骤，和将未固化的阻焊剂层3薄膜化、直至阻焊剂层3的厚度为连接焊盘6的厚度以下的薄膜化步骤(例如参照专利文献1和2)。在该阻焊剂图案的形成方法中，如图3所示，得到了连接焊盘6表面从阻焊剂层3露出、同时连接焊盘6侧面的一部分被阻焊剂层3被覆的结构。在图3所示的结构中，彼此相邻的连接焊盘6之间，焊料导致的电短路难以发生，用于使电子部件的电极端子和连接焊盘6可靠地电连接所必需的焊料量可以得到确保，连接焊盘6可以小型化，可以制作电连接可靠性优异的高密度布线的布线基板。

在该阻焊剂图案的形成方法中，作为阻焊剂使用碱性显影型阻焊剂，在将阻焊剂层3薄膜化的薄膜化步骤中，使用碱性水溶液。

对于碱性显影型的阻焊剂的酸值，通过该阻焊剂含有具有羧基的聚合物，以表现出碱性显影性的方式进行调整。但是，对于在要求绝缘可靠性的阻焊剂中使用的聚合物，必须通过降低羧基含量来将酸值设定地较低。在使用这种含有酸值低的聚合物的阻焊剂的情况下，若通过专利文献1和2公开的方法形成阻焊剂图案，则薄膜化所需的时间长。因此，为了提高生产性，要求薄膜化所需的时间缩短。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-192692号公报

专利文献2：国际公开第2012/043201号小册子。

技术实现要素：

发明所要解决的技术问题

本发明的课题在于提供一种阻焊剂图案的形成方法，该方法按顺序至少包括：在至少具有连接焊盘的电路基板上形成阻焊剂层的步骤；和将未固化的阻焊剂层薄膜化直至阻焊剂层的厚度为连接焊盘的厚度以下的薄膜化步骤，在该方法中，阻焊剂层的薄膜化所需的时间可以缩短，生产性得以提高。

用于解决课题的技术手段

本发明人等为了解决上述课题，进行了深入地研究，结果发现，通过下述阻焊剂图案的形成方法，可以解决上述课题。

(1)一种阻焊剂图案的形成方法，其是按顺序至少包括以下步骤的阻焊剂图案的形成方法：在至少具有连接焊盘的电路基板上形成阻焊剂层的步骤，和将未固化的阻焊剂层薄膜化直至阻焊剂层的厚度为连接焊盘的厚度以下的薄膜化步骤，其特征在于，在薄膜化步骤中使用的碱性水溶液包含(a)碱性化合物和(b)铵离子，(b)铵离子相对于(a)碱性化合物的摩尔比(b/a)超过0.00且低于1.85。

(2)上述(1)所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，碱性水溶液中的(a)碱性化合物的含量为5～20质量%。

(3)上述(1)或(2)所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(a)碱性化合物为(a1)无机碱性化合物。

(4)上述(3)所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(a1)无机碱性化合物为选自碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属氢氧化物和碱金属硅酸盐中的至少1种的无机碱性化合物。

(5)上述(4)所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(a1)无机碱性化合物为碱金属硅酸盐，(b)铵离子相对于(a)碱性化合物的摩尔比(b/a)为0.04～0.71。

(6)上述(4)所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(a1)无机碱性化合物为碱金属碳酸盐，(b)铵离子相对于(a)碱性化合物的摩尔比(b/a)为0.04～1.67。

(7)上述(4)所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(a1)无机碱性化合物为碱金属氢氧化物，(b)铵离子相对于(a)碱性化合物的摩尔比(b/a)为0.04～1.67。

(8)上述(4)所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(a1)无机碱性化合物为碱金属硅酸盐和碱金属碳酸盐，(b)铵离子相对于(a)碱性化合物的摩尔比(b/a)为0.04～0.45。

(9)上述(4)所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(a1)无机碱性化合物为碱金属氢氧化物和碱金属碳酸盐，(b)铵离子相对于(a)碱性化合物的摩尔比(b/a)为0.04～1.67。

(10)上述(4)所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(a1)无机碱性化合物为碱金属磷酸盐，(b)铵离子相对于(a)碱性化合物的摩尔比(b/a)为0.04～1.67。

(11)上述(1)或(2)所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(a)碱性化合物为(a2)有机碱性化合物。

(12)上述(11)所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(a2)有机碱性化合物为选自四甲基氢氧化铵和三甲基-2-羟基乙基氢氧化铵中的至少1种的有机碱性化合物。

(13)上述(12)所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(a2)有机碱性化合物为四甲基氢氧化铵，(b)铵离子相对于(a)碱性化合物的摩尔比(b/a)为0.04～1.67。

(14)上述(12)所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(a2)有机碱性化合物为三甲基-2-羟基乙基氢氧化铵，(b)铵离子相对于(a)碱性化合物的摩尔比(b/a)为0.04～1.67。

(15)上述(1)或(2)所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(a)碱性化合物为(a1)无机碱性化合物和(a2)有机碱性化合物。

(16)上述(15)所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(a1)无机碱性化合物为选自碱金属碳酸盐和碱金属氢氧化物中的至少1种的无机碱性化合物，(a2)有机碱性化合物为选自四甲基氢氧化铵和三甲基-2-羟基乙基氢氧化铵中的至少1种的有机碱性化合物。

(17)上述(16)所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(a1)无机碱性化合物为碱金属碳酸盐，(a2)有机碱性化合物为四甲基氢氧化铵，(b)铵离子相对于(a)碱性化合物的摩尔比(b/a)为0.04～1.67。

(18)上述(16)所述的阻焊剂图案的形成方法，其中，(a1)无机碱性化合物为碱金属氢氧化物，(a2)有机碱性化合物为三甲基-2-羟基乙基氢氧化铵，(b)铵离子相对于(a)碱性化合物的摩尔比(b/a)为0.04～1.67。

发明效果

根据本发明，可以提供阻焊剂图案的形成方法，该方法按顺序至少包括以下步骤：在至少具有连接焊盘的电路基板上形成阻焊剂层的步骤，和将未固化的阻焊剂层薄膜化直至阻焊剂层的厚度为连接焊盘的厚度以下的薄膜化步骤，在该方法中，阻焊剂层的薄膜化所需的时间可以缩短，生产性得以提高。

附图说明

图1表示一个例子的阻焊剂图案的截面结构(smd结构)的说明图。

图2表示其它例子的阻焊剂图案的截面结构(nsmd结构)的说明图。

图3表示通过本发明的阻焊剂图案的形成方法形成的阻焊剂图案的截面结构的一个例子的说明图。

图4表示本发明的阻焊剂图案的形成方法中的步骤的一个例子的说明图。

图5表示本发明的阻焊剂图案的形成方法中的步骤的其它例子的说明图。

具体实施方式

本发明的阻焊剂图案的形成方法按顺序至少包括：在至少具有连接焊盘的电路基板上形成阻焊剂层的步骤，和将未固化的阻焊剂层薄膜化直至阻焊剂层的厚度为连接焊盘的厚度以下的薄膜化步骤。

使用图4，说明本发明的阻焊剂图案的形成方法。在绝缘层1上具有连接焊盘6的电路基板(图4a)上，以覆盖电路基板整个面的方式形成阻焊剂层3(图4b)。接着，将未固化的阻焊剂层3薄膜化，直至阻焊剂层3的厚度为连接焊盘6的厚度以下，由此，如图4d所示，形成连接焊盘6表面从阻焊剂层3露出的阻焊剂图案。

使用图5，说明另外的本发明的阻焊剂图案的形成方法。在绝缘层1上具有导电布线2和连接焊盘6的电路基板(图5a)上，以覆盖电路基板整个面的方式形成阻焊剂层3(图5b)。接着，通过活化光线5将除阻焊剂层3的厚度薄膜化至连接焊盘6的厚度以下的区域以外的部分(未薄膜化的部分)曝光，由此将阻焊剂层3固化(图5c)。图5c中，阻焊剂层3经由光掩膜4进行曝光，但也可以以直接描绘方式进行曝光。接着，将未固化的阻焊剂层3薄膜化，直至阻焊剂层3的厚度为连接焊盘6的厚度以下，由此如图5d所示，形成连接焊盘6表面从阻焊剂层3露出的阻焊剂图案。“阻焊剂层3的厚度薄膜化至连接焊盘6的厚度以下的区域”可以是连接焊盘6以上的大小，只要不影响相邻的导电布线2的绝缘电阻性，无论大到何种程度都没有问题。

除了图4和图5所示的阻焊剂图案的形成方法以外，本发明中，还可以对于在电路基板上形成阻焊剂层3的步骤、将阻焊剂层3薄膜化的薄膜化步骤、通过活化光线曝光阻焊剂层3的步骤和完全除去未固化的阻焊剂层3的显影步骤等，改变各步骤的顺序、各步骤的次数、各步骤中的条件(例如，曝光的部分、薄膜化量、阻焊剂层形成时的厚度等)等，进行组合，可以形成具有各种结构的阻焊剂图案。

本发明中，电路基板具有绝缘层1和在绝缘层1的表面形成的连接焊盘6。绝缘层1的表面上，形成有导电布线2，连接焊盘6是导电布线2的一部分。本发明中，对于布线基板，在电路基板的表面具有包含阻焊剂层3的阻焊剂图案，连接焊盘6的一部分从阻焊剂层3露出。搭载电子部件的布线基板的情况下，一个表面的连接焊盘6是电子部件连接用，另一个表面的连接焊盘6是外部连接用。电子部件连接用的连接焊盘6与电子部件连接，外部连接用的连接焊盘6与外部电气基板的导电布线连接。

各自示出本发明的阻焊剂图案的形成方法中的步骤的一个例子的说明图的图4和图5、示出本发明的阻焊剂图案的形成方法中形成的阻焊剂图案的截面结构的一个例子的说明图的图3中，公开了具有一层绝缘层1，在绝缘层1的一个表面具有连接焊盘6的电路基板。但是，作为本发明涉及的电路基板，包括：在配设有导电布线的绝缘基板上交替层叠积层用的绝缘层、导电布线而制作、在表面具有绝缘层1和在绝缘层1的表面形成的连接焊盘6的电路基板。

作为绝缘基板，例如可以列举包括在玻璃布浸渗有双马来酰亚胺三嗪树脂、环氧树脂等的热固性树脂的电气绝缘材料等的树脂制基板。作为积层用的绝缘层，例如可以列举与绝缘基板同样地在玻璃布浸渗有热固性树脂的电气绝缘材料、或者在环氧树脂等的热固性树脂中分散有氧化硅等的无机填料的电气绝缘材料等。

导电布线2和连接焊盘6通过例如减去法、半加成法、加成法等来形成。减去法中，例如，在绝缘层1上设置的铜层上形成抗蚀刻图案，实施曝光、显影、蚀刻、抗蚀剂剥离，形成导电布线2和连接焊盘6。半加成法中，通过非电解镀铜在绝缘层1的表面设置电镀铜用的基底金属层。接着，在基底金属层上形成抗镀敷图案，在露出的基底金属层的表面上形成电镀铜层。然后，实施抗镀敷剂剥离、基底金属层的闪蚀(フラッシュエッチング)，形成导电布线2和连接焊盘6。

作为本发明涉及的阻焊剂，可以使用碱性显影型的阻焊剂。另外，阻焊剂可以是单液型、双液型、任一者的液状阻焊剂、干膜状阻焊剂。作为阻焊剂，还可以使用市售的液状阻焊剂、干膜状阻焊剂、阻焊剂油墨等。对于碱性显影型阻焊剂的组成，例如可以含有碱性可溶性树脂、聚合性化合物、光聚合引发剂、填料、热固性成分等。

作为碱性可溶性树脂，可以使用分子中含有羧基的聚合物(聚合物)。从可与聚合性化合物一起交联、固化性、对于碱性水溶液的耐受性方面来看，更优选分子中进一步具有烯属不饱和双键的含有羧基的聚合物。具体而言，可以列举下述(1)～(9)中列举这样的聚合物。

(1)通过(甲基)丙烯酸等的不饱和羧酸与除此之外的1种以上的具有不饱和双键的化合物共聚而得到的、具有羧基的聚合物。

(2)对于(甲基)丙烯酸等的不饱和羧酸和除此之外的1种以上的具有不饱和双键的化合物的共聚物(共聚物)，加成一分子中具有环氧基和不饱和双键的化合物、(甲基)丙烯酰氯等，使烯属不饱和基团成为侧链，由此得到的含有羧基的聚合物。

(3)使具有环氧基和不饱和双键的化合物与除此之外的具有不饱和双键的化合物的共聚物与(甲基)丙烯酸等的不饱和羧酸反应，使生成的仲醇基与多元酸酐反应，由此得到的含有羧基的聚合物。

(4)使马来酸酐等的具有不饱和双键的酸酐与除此之外的具有不饱和双键的化合物的共聚物与一分子中具有羟基和不饱和双键的化合物反应，由此而得的含有羧基的聚合物。

(5)使多官能环氧化合物和(甲基)丙烯酸等的不饱和单羧酸反应，使生成的反应物中的羟基与饱和或不饱和多元酸酐反应，由此而得的含有羧基的聚合物。

(6)使聚乙烯醇衍生物等的含羟基的聚合物与饱和或不饱和多元酸酐反应后，使生成的羧酸与一分子中具有环氧基和不饱和双键的化合物反应，由此而得的含有羧基的聚合物。

(7)使(a)多官能环氧化合物、(b)(甲基)丙烯酸等的不饱和单羧酸和(c)一分子中具有至少一个醇性羟基和与环氧基反应的除醇性羟基以外的1个反应性基团的化合物(例如二羟甲基丙酸等)反应，使得到的反应产物与饱和或不饱和多元酸酐反应，由此而得的含有羧基的聚合物。

(8)使一分子中具有至少2个氧杂环丁烷环的多官能氧杂环丁烷化合物与(甲基)丙烯酸等的不饱和单羧酸反应，由此得到改性氧杂环丁烷树脂，对于得到的改性氧杂环丁烷树脂中的伯羟基，使之与饱和或不饱和多元酸酐反应，由此得到的含有羧基的聚合物。

(9)使多官能环氧树脂(例如甲酚-线型酚醛型环氧树脂等)与不饱和单羧酸(例如(甲基)丙烯酸等)反应后，使其与多元酸酐(例如四氢邻苯二甲酸酐等)反应，由此得到含有羧基的聚合物，进一步使该含有羧基的聚合物与一分子中具有1个环氧乙烷环和1个以上烯属不饱和基团的化合物(例如(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等)反应，由此而得到的含有羧基的聚合物。

含有羧基的聚合物不限于上述列举的聚合物。另外，它们之中，可以单独使用1种，也可以组合2种以上来使用。

上述列举的聚合物之中，优选上述(2)、(5)、(7)、(9)的含有羧基的聚合物，特别是从固化性、固化后的阻焊剂层的特性的方面考虑，更优选上述(9)的含有羧基的聚合物。

应予说明，本发明中，(甲基)丙烯酸是指统称丙烯酸、甲基丙烯酸和它们的混合物的用语。(甲基)丙烯酸酯是指统称丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯和它们的混合物的用语。作为一分子中具有环氧基和不饱和双键的化合物，可以列举(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸3,4-环氧基环己基甲酯等。作为一分子中具有羟基和不饱和双键的化合物，可以列举(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯等。

上述的含有羧基的聚合物在骨架・聚合物(主链)的侧链上具有大量的游离羧基，因此可以利用稀碱性水溶液进行显影。

另外，上述含有羧基的聚合物的酸值优选为80～150mgkoh/g的范围，更优选为90～120mgkoh/g的范围。若含有羧基的聚合物的酸值低于80mgkoh/g，则存在连接焊盘6上产生阻焊剂的残渣的情况。另一方面，若超过150mgkoh/g，则将未固化的阻焊剂层薄膜化的薄膜化步骤中，存在曝光部的固化的阻焊剂层3、被薄膜化的阻焊剂层3容易发生溶胀，阻焊剂图案的绝缘可靠性降低的情况。

含有羧基的聚合物的质均分子量优选为5000～150000，更优选为10000～100000。质均分子量低于5000的情况下，存在固化后的阻焊剂层3对于碱性水溶液的耐受性降低的倾向，另一方面，若超过150000，则存在薄膜化所需的时间变长的倾向。

含有羧基的聚合物的配合量相对于阻焊剂层3优选为40～65质量%，更优选为45～55质量%。含有羧基的聚合物的配合量低于40质量%的情况下，存在固化的阻焊剂层3的化学强度、机械强度降低的倾向。另外，存在被膜性变差的倾向。若含有羧基的聚合物的配合量超过65质量%，则存在聚合性降低的情况。

聚合性化合物是通过活化光线照射进行光聚合，使阻焊剂层3固化，从而对于碱性水溶液不溶的化合物、或者有助于不溶的化合物。作为这种聚合性化合物，可以列举乙二醇、甲氧基四甘醇、聚乙二醇、丙二醇等的二醇的二(甲基)丙烯酸酯类；己二醇、三羟甲基丙烷、季戊四醇、二季戊四醇、三-羟基乙基异氰尿酸酯等的多元醇或它们的环氧乙烷加成物或者环氧丙烷加成物等的多元(甲基)丙烯酸酯类；苯氧基(甲基)丙烯酸酯、双酚a二(甲基)丙烯酸酯和它们的酚类的环氧乙烷加成物或者环氧丙烷加成物等的多元(甲基)丙烯酸酯类；甘油二缩水甘油醚、甘油三缩水甘油醚、三羟甲基丙烷三缩水甘油醚、三缩水甘油基异氰尿酸酯等的缩水甘油醚的多元(甲基)丙烯酸酯类；和三聚氰胺(甲基)丙烯酸酯等。

聚合性化合物的配合量相对于含有羧基的聚合物100质量份，优选为5～100质量份，更优选为10～70质量份。聚合性化合物的配合量低于5质量份的情况下，固化性降低，存在利用活化光线照射和薄膜化进行的阻焊剂图案的形成变得困难的情况、存在利用阻焊剂图案进行保护而免受外部环境影响的作用无法发挥的情况。另一方面，超过100质量份的情况下，存在薄膜化所需的时间变长的情况，存在固化后的阻焊剂层3变脆的情况。

作为填料，可以使用无机填料或有机填料。特别优选使用硫酸钡、氧化硅、滑石、硅树脂粉、尼龙粉、氟树脂粉(フッ素パウダー)等，它们可以单独配合，或者配合2种以上。填料的平均粒径优选为0.1～20μm的范围内。上述平均粒径更优选为0.2μm以上、更优选为4μm以下、进一步优选为2μm以下。

另外，对于导电布线2表面，为了提高与阻焊剂层3的密合性，有时利用蚀刻剂进行表面粗糙化。此时，连接焊盘6是导电布线2的一部分，因此连接焊盘6的表面也被表面粗糙化。由此进行了表面粗糙化处理的连接焊盘6上形成阻焊剂层3时，填料会进入通过表面粗糙化形成的连接焊盘6表面的凹凸。多数情况下，进入了凹凸的填料周围的阻焊剂层3的薄膜化速度比通常要慢。结果，存在连接焊盘6表面上产生阻焊剂的残渣的情况。因此，为了避免产生残渣，填料的平均粒径优选为0.1～20μm的范围内。

本发明中的平均粒径是通过激光衍射散射法测定的d50(体积基准50%粒子径)。

填料的配合量相对于含有羧基的聚合物100质量份，优选为300质量份以下，更优选为0.1～300质量份，进一步优选为0.1～150质量份。填料的配合量超过300质量份的情况下，存在用于制造干膜状阻焊剂的涂布液、液状阻焊剂的粘度变高，施涂性降低的情况，存在固化后的阻焊剂层3变脆的情况。

作为填料的形状，可以使用球状、针状、板状、鳞片状、中空状、无定形、六角形、立方状、薄片状等，从在阻焊剂层3中的分散性、对于分辨率的影响的观点考虑，优选为球状。

作为光聚合引发剂，可以列举苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙基醚等的苯偶姻和其烷基醚类；苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、1,1-二氯苯乙酮、4-(1-叔丁基二氧基-1-甲基乙基)苯乙酮等的苯乙酮类；2-甲基蒽醌、2-戊基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、1-氯蒽醌等的蒽醌类；2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮、2-氯噻吨酮等的噻吨酮类；苯乙酮二甲基缩酮、苄基二甲基缩酮等的缩酮类；二苯基甲酮、4-(1-叔丁基二氧基-1-甲基乙基)二苯基甲酮、3,3′,4,4′-四(叔丁基二氧基羰基)二苯基甲酮等的二苯基甲酮类等。

另外，作为优选的光聚合引发剂，可以列举2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代丙酮-1、2-苄基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉代苯基)-丁烷-1-酮、2-(二甲基氨基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-吗啉基)苯基]-1-丁酮、n,n-二甲基氨基苯乙酮(作为市售品，有basf社制的イルガキュア(irgacure、注册商标)907、イルガキュア(注册商标)369、イルガキュア(注册商标)379等)等的α-氨基苯乙酮类；2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦、双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)-苯基氧化膦、双(2,6-二甲氧基苯甲酰基)-2,4,4-三甲基-戊基氧化膦(作为市售品，有basf社制的ルシリン(lucirin、注册商标)tpo、イルガキュア(注册商标)819等)等的酰基氧化膦类。

光聚合引发剂的配合量相对于含有羧基的聚合物100质量份，为0.01～30质量份，优选为0.5～15质量份的比例。若光聚合引发剂的配合率相对于含有羧基的聚合物100质量份低于0.01质量份，则存在阻焊剂层3的光固化性不足的情况、存在阻焊剂层3发生剥离的情况、存在耐药品性等的阻焊剂层3的特性降低的情况。另一方面，若光聚合引发剂的配合量相对于含有羧基的聚合物100质量份超过30质量份，则存在由于光聚合引发剂的光吸収，深部固化性降低的情况。

阻焊剂层3中，为了提高阻焊剂层3的物理强度等，可以根据需要配合热固性成分。作为这种热固性成分，可以使用三聚氰胺树脂、苯胍胺树脂等的氨基树脂、封端的异氰酸酯化合物、环碳酸酯化合物、多官能环氧化合物、多官能氧杂环丁烷化合物、环硫树脂等的热固性树脂。

热固性成分的配合量为通常所使用的比例即可，例如相对于含有羧基的聚合物和聚合性化合物的总量100质量份，优选为0.01～20质量份。热固性成分可以单独使用，也可组合2种以上来使用。

进而，为了含有羧基的聚合物的合成、液状阻焊剂的制备、用于制造干膜状阻焊剂的涂布液的制备、液状阻焊剂或该塗液的粘度调节等的目的，在阻焊剂中可以使用有机溶剂。

作为有机溶剂，可以列举酮类、芳族烃类、二醇醚类、二醇醚乙酸酯类、酯类、醇类、脂族烃、石油系溶剂等。

更具体而言，可以列举甲基乙基酮、环己酮等的酮类；甲苯、二甲苯、四甲基苯等的芳族烃类；溶纤剂、甲基溶纤剂、丁基溶纤剂、卡必醇、甲基卡必醇、丁基卡必醇、丙二醇单甲基醚、二丙二醇单甲基醚、二丙二醇二乙基醚、三甘醇单乙基醚等的二醇醚类；乙酸乙酯、乙酸丁酯、二丙二醇甲基醚乙酸酯、丙二醇甲基醚乙酸酯、丙二醇乙基醚乙酸酯、丙二醇丁基醚乙酸酯等的酯类；乙醇、丙醇、乙二醇、丙二醇等的醇类；辛烷、癸烷等的脂族烃；石油醚、石脑油、加氢石脑油、溶剂石脑油等的石油系溶剂等。有机溶剂可以单独使用，也可以以2种以上的混合物的形式使用。

在电路基板上形成阻焊剂层3的方法为任何方法都可以。例如在液状阻焊剂的情况下，可以列举丝网印刷法、辊涂法、喷雾法、浸渍法、幕帘涂布法、刮棒涂布法、气刀法、热熔法、凹版涂布法、刷毛涂布法、平板印刷法等。在干膜状阻焊剂的情况下，可以列举叠层法、真空叠层法等。

将阻焊剂层3曝光的步骤中的曝光中，对于阻焊剂层3，照射活化光线。可以使用以氙灯、高压汞灯、低压汞灯、超高压汞灯、uv荧光灯为光源的反射图像曝光、使用了光掩膜的单面、双面密合曝光、接近方式、投影方式、激光扫描曝光等。进行扫描曝光的情况下，可以通过将uv激光、he-ne激光、he-cd激光、氩激光、氪离子激光、红宝石激光、yag激光、氮激光、染料激光、受激准分子激光等的激光光源根据发光波长进行shg波长变换的扫描曝光、或者利用液晶光栅、微镜阵列光栅的扫描曝光，进行曝光。通过曝光，将阻焊剂层3聚合，进行固化。

本发明中，将阻焊剂层3薄膜化的薄膜化步骤包括通过碱性水溶液(薄膜化处理液)使未固化的阻焊剂层成分进行胶束化的胶束化处理(薄膜化处理)，和接着进行的、通过胶束除去液除去胶束的胶束除去处理。该步骤可以进一步包括通过水洗将未完全除去的阻焊剂层3表面、残留附着的薄膜化处理液和胶束除去液洗掉的水洗处理、除去水洗水的干燥处理。

胶束化处理(薄膜化处理)是指，通过碱性水溶液(薄膜化处理液)将阻焊剂层成分胶束化，该胶束对于薄膜化处理液变得暂时不溶的处理。薄膜化处理液是高浓度的碱性水溶液。本发明中提供阻焊剂图案的形成方法，其中，碱性水溶液包含(a)碱性化合物和(b)铵离子，(b)铵离子相对于(a)碱性化合物的摩尔比(b/a)超过0.00且低于1.85，由此阻焊剂层3的薄膜化所需的时间可以缩短、生产性得以提高。“(b)铵离子相对于(a)碱性化合物的摩尔比(b/a)”有时简称为“摩尔比(b/a)”。

作为碱性水溶液中所含的(a)碱性化合物，有(a1)无机碱性化合物和(a2)有机碱性化合物。

作为(a1)无机碱性化合物，可以列举碱金属硅酸盐、碱金属氢氧化物、碱金属磷酸盐、碱金属碳酸盐等的无机碱性化合物。作为碱金属，可以列举锂、钠、钾等。上述(a1)无机碱性化合物可以单独使用，也可以将多种组合来使用。

作为(a2)有机碱性化合物，可以列举单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甲胺、二甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、环己胺、四甲基氢氧化铵(tmah)、四乙基氢氧化铵、三甲基-2-羟基乙基氢氧化铵(胆碱)等的有机碱性化合物。上述(a2)有机碱性化合物可以单独使用，也可以将多种组合来使用。

(a)碱性化合物的含量相对于碱性水溶液，优选为3～25质量%，更优选为5～20质量%，进一步优选为7～17质量%，特别优选为8～13质量%。(a)碱性化合物的含量低于3质量%的情况下，存在薄膜化量变得不均匀的情况。另外，若超过25质量%，在(a1)无机碱性化合物的情况下，容易发生碱性化合物的析出，因此薄膜化处理液随着时间推移存在稳定性的问题，在(a2)有机碱性化合物的情况下，臭气强烈，因此存在作业性变差的情况。碱性水溶液的ph优选为10以上。另外，还可以对于碱性水溶液适当地添加表面活性剂、消泡剂、溶剂等。

另外，为了使阻焊剂层3表面更加均匀地薄膜化，还可以在碱性水溶液中添加硫酸盐、亚硫酸盐。作为硫酸盐或亚硫酸盐，可以列举锂、钠或钾等的碱金属的硫酸盐或亚硫酸盐、镁、钙等的碱土金属的硫酸盐或亚硫酸盐。作为硫酸盐和/或亚硫酸盐的含量(摩尔浓度)，优选0.05～1.0摩尔/l。低于0.05摩尔/l的情况下，盐析力弱、水合度变小，因此存在提高薄膜化处理的均匀化的效果变差的情况。若超过1.0摩尔/l，则存在容易发生薄膜化不良的情况。结果，在薄膜化后的阻焊剂层3表面上发现不溶解成分的析出，存在出现发粘性的问题的情况。

本发明的特征在于，碱性水溶液包含(b)铵离子(nh4^＋)。作为(b)铵离子的供给源，可以使用铵盐。作为铵盐，可以列举氢氧化铵、溴化铵、碳酸铵、氯化铵、次磷酸铵、磷酸铵、亚磷酸铵、氟化铵、酸式氟化铵、氟硼酸铵、砷酸铵、碳酸氢铵、氟化氢铵、硫酸氢铵、硫酸铵、碘化铵、五硼酸铵、乙酸铵、己二酸铵、金精三羧酸铵、苯甲酸铵、氨基甲酸铵、柠檬酸铵、二乙基二硫代氨基甲酸铵、甲酸铵、苹果酸氢铵、草酸氢铵、邻苯二甲酸氢铵、酒石酸氢铵、硫代硫酸铵、亚硫酸铵、乙二胺四乙酸铵、乙二胺四乙酸铁铵、乳酸铵、苹果酸铵、马来酸铵、草酸铵、邻苯二甲酸铵、苦味酸铵、吡咯烷二硫代氨基甲酸铵、水杨酸铵、琥珀酸铵、对氨基苯磺酸铵、酒石酸铵、巯基乙酸铵、2,4,6-三硝基苯酚铵等，其中，优选碳酸铵。应予说明，可以并用多个供给源。

本发明中，摩尔比(b/a)超过0.00且低于1.85。摩尔比(b/a)更优选为0.03以上，进一步优选为0.04以上，特别优选为0.10以上。另外，摩尔比(b/a)更优选为1.67以下，更优选为1.00以下，进一步优选为0.71以下，特别优选为0.50以下，最优选为0.45以下。摩尔比(b/a)超过0.00，但若摩尔比(b/a)低于0.03，则由于(b)铵离子含量不足，缩短薄膜化所需的时间的效果变小，与不含(b)铵离子、摩尔比(b/a)为0.00的情况相比，存在薄膜化所需的时间几乎没有变化的情况，因此摩尔比(b/a)更优选为0.03以上。另外，若摩尔比(b/a)为1.85以上，则(b)铵离子含量为过量，与不含(b)铵离子、摩尔比(b/a)为0.00的情况相比，存在薄膜化所需的时间相同，或者反而变长的情况。

(a)碱性化合物为(a1)无机碱性化合物的情况下，(a1)无机碱性化合物优选为选自碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属氢氧化物和碱金属硅酸盐中的至少1种的无机碱性化合物。对于(a1)无机碱性化合物的几乎所有，只要在上述摩尔比(b/a)的范围内，就可以得到本发明的效果。但是，(a1)无机碱性化合物为碱金属硅酸盐的情况下，若摩尔比(b/a)超过0.71，则存在碱性水溶液发生“凝胶化”的情况。另外，(a1)无机碱性化合物为碱金属硅酸盐和碱金属碳酸盐的情况下，即作为(a1)无机碱性化合物，并用碱金属硅酸盐和碱金属碳酸盐的情况下，若摩尔比(b/a)超过0.45，则存在碱性水溶液无法保持“水溶液”的状态，发生“凝胶化”的情况。碱性水溶液发生凝胶化的情况下，存在薄膜化量变得不均匀的情况，存在连接焊盘6上产生阻焊剂层3的残渣的情况，因此不优选。

(a)碱性化合物为(a2)有机碱性化合物的情况下，(a2)有机碱性化合物优选为选自四甲基氢氧化铵和三甲基-2-羟基乙基氢氧化铵中的至少1种的有机碱性化合物。

(a)碱性化合物为(a1)无机碱性化合物和(a2)有机碱性化合物的情况下，即作为(a)碱性化合物，并用(a1)无机碱性化合物和(a2)有机碱性化合物的情况下，优选的是，(a1)无机碱性化合物为选自碱金属碳酸盐和碱金属氢氧化物中的至少1种的无机碱性化合物，(a2)有机碱性化合物为选自四甲基氢氧化铵和三甲基-2-羟基乙基氢氧化铵中的至少1种的有机碱性化合物。

另外，碱性水溶液包含1种以上的(a1)无机碱性化合物和1种以上的(a2)有机碱性化合物的情况下，(a1)无机碱性化合物和(a2)有机碱性化合物的质量比优选为1：1～1：10，更优选为1：1～1：6，进一步优选为1：1～1：3。

作为薄膜化处理，可以使用浸渍处理、划槽处理(パドル処理)、喷雾处理、涂刷、刮擦等的方法，浸渍处理是优选的。对于浸渍处理以外的处理方法，薄膜化处理液中容易产生气泡，该产生的气泡在薄膜化处理中附着于阻焊剂层3表面，存在薄膜化量变得不均匀的情况。碱性水溶液的温度优选为15～35℃，进一步优选为20～30℃。若温度过低，则存在碱性化合物对于阻焊剂层3的浸透速度变慢的情况，为了薄膜化至所需的厚度，需要长时间。另一方面，若温度过高，则碱性化合物对于阻焊剂层3浸透的同时，发生溶解扩散，由此存在产生阻焊剂层3的薄膜化量变得不均匀的部分的情况。

在将对于薄膜化处理液不溶的阻焊剂层成分的胶束除去的胶束除去处理中，通过喷雾胶束除去液，将胶束一举溶解除去。

作为胶束除去液，可以使用自来水、工业用水、纯水等。另外，胶束除去液包含碱性化合物，ph为5～10，由此在薄膜化处理液中不溶的阻焊剂层成分容易再分散。作为胶束除去液中所包含的碱性化合物，可以列举作为碱性水溶液(薄膜化处理液)中所包含的(a)碱性化合物所示例的碱性化合物。另外，优选的是，碱性水溶液和胶束除去液中所包含的碱性化合物是同一种类。胶束除去液的ph低于5的情况下，阻焊剂层成分发生凝聚，形成不溶性的淤渣，该淤渣可能附着于薄膜化的阻焊剂层3表面。另一方面，胶束除去液的ph超过10的情况下，阻焊剂层3发生过度溶解扩散，存在薄膜化量变得不均匀的情况。另外，胶束除去液的ph可以使用硫酸、磷酸、盐酸等来进行调节。

对于胶束除去处理中的喷雾条件进行说明。喷雾的条件(温度、时间、喷雾压力)配合于阻焊剂层3的溶解速度来适当调节。具体而言，处理温度优选为10～50℃，更优选为15～35℃。另外，喷雾压力优选为0.01～0.5mpa，更优选为0.1～0.3mpa。胶束除去液的供给流量相对于1cm²的阻焊剂层3，优选为0.030～1.0l/min，更优选为0.050～1.0l/min，进一步优选为0.10～1.0l/min。若供给流量在该范围，则薄膜化后的阻焊剂层3表面不会残留不溶性的淤渣，可以在面内大致(大体上)均匀地除去胶束。相对于1cm²的供给流量低于0.030l/min的情况下，存在不溶化的阻焊剂层成分发生溶解不良的情况。另一方面，若供给流量超过1.0l/min，则存在用于供给所必需的泵等的部件变得巨大，需要庞大的装置的情况。进而，超过1.0l/min的供给流量的情况下，对于阻焊剂层成分的溶解扩散的效果不会发生改变。

胶束除去处理后，可以通过水洗处理洗去未完全除去的阻焊剂层3、在阻焊剂层3表面残留附着的薄膜化处理液和胶束除去液。作为水洗处理的方法，从扩散速度和液体供给的均匀性的观点考虑，优选喷雾方式。作为水洗水，可以使用自来水、工业用水、纯水等。其中，优选使用纯水。纯水可以使用通常在工业用途中所使用的纯水。

干燥处理中，可以使用热风干燥、室温吹风干燥的任意形式，但优选为，将高压空气从空气喷枪送气或者从鼓风机将大量的空气送气，以气刀吹散阻焊剂层3表面残留的水的干燥方法。

本发明的阻焊剂图案的形成方法中，以形成阻焊剂层3后的厚度和未固化的阻焊剂层3被薄膜化的量，确定连接焊盘6周围的阻焊剂层3的厚度。另外，本发明的阻焊剂图案的形成方法中，可以在0.01～500μm的范围自由地调节薄膜化量。从薄膜化后的阻焊剂层3至连接焊盘6的顶面的高度根据所需的焊料量来适当地调节。具体而言，连接焊盘6的顶面和薄膜化后的阻焊剂层3的顶面的距离优选为1μm以上且50μm以下。

本发明中，将阻焊剂层3薄膜化的薄膜化步骤之后，优选实施对阻焊剂层3进行固化处理的步骤(后固化步骤)。在薄膜化步骤和后固化步骤之间可以包括其他步骤。通过后固化步骤，阻焊剂图案可以良好有效地发挥防止导电布线的氧化、电绝缘和保护免受外部环境影响的作用。作为固化处理，例如可以列举加热处理、对于阻焊剂层3的整个面照射活化光线的曝光处理、并用加热和曝光处理等。进行加热处理的情况下，优选的是，在氮气气氛中，选择从室温至450℃的温度，进行阶梯式升温，或者选择某一温度范围，连续升温，同时实施5分～5小时。加热处理的最高温度优选为120～450℃，更优选为130～450℃。例如，在130℃、200℃、400℃下，各自进行30分钟加热处理。另外，也可以用2小时从室温至400℃进行直线升温，进行加热处理。另外，还可以选择某一温度，进行一定时间加热处理。

实施例

以下，通过实施例，进一步详细地说明本发明，但本发明不受该实施例的限定。

<含有羧基的聚合物的合成>

在具备搅拌机、温度计、回流冷凝管、滴液漏斗和氮气导入管的可分离式烧瓶中投料甲酚-线型酚醛型环氧树脂(日本化药社制、商品名：eocn-104s)660.0质量份、卡必醇乙酸酯432质量份和溶剂石脑油188.0质量份，加热至90℃，同时进行搅拌，进行溶解。接着，暂时冷却至60℃，加入丙烯酸216质量份、三苯基膦4.0质量份、甲基对苯二酚1.3质量份，在100℃下反应12小时。然后，加入四氢邻苯二甲酸酐290.0g质量份，加热至90℃，反应6小时。由此，得到不挥发成分65质量%的含有羧基的聚合物的溶液。以下，将该含有羧基的聚合物的溶液称为“聚合物a-1”。应予说明，聚合物a-1的酸值低，固体成分酸值为85mgkoh/g。酸值依据jisk2501：2003进行测定。

按照表1所示的比例(质量份)配合各材料，用搅拌机进行预混合后，用3根辊磨机进行混炼，制备阻焊剂。

[表1]

(实施例和比较例)

由覆铜层叠板(面积170mm×200mm、铜箔厚度18μm、基材厚度0.4mm)，通过使用了抗蚀剂的减去法，制作在绝缘层1上具有导电布线宽度80μm、导电布线间距离80μm的导电布线2的电路基板。接着，在上述电路板上使用施涂器分别涂布上述阻焊剂，在70℃下实施30分钟干燥。由此，在电路基板上形成从绝缘层1表面至阻焊剂层3表面的干燥膜厚为35μm的阻焊剂层3。

接着，将导电布线2的起点和终点对应的部分看作连接焊盘6，对于距起点和终点对应的部分的端部80μm更向外侧的区域照射活化光线5，使用具有这种图案的光掩膜4，用密合曝光机，以200mj/cm²的能量，对于阻焊剂层3实施曝光。

接着，使用表2～表11所示的碱性水溶液(薄膜化处理液)，进行浸渍处理。作为(b)铵离子的供给源使用碳酸铵。应予说明，在碱性水溶液中的浸渍处理所需的时间记载于表2～表11的“处理时间”。接着，使用自来水，实施胶束除去处理和水洗，接着，进行干燥处理，将未固化的阻焊剂层3薄膜化，直至未曝光部分的阻焊剂层3的平均厚度为12μm。接着，在150℃、60分的条件实施后固化，形成阻焊剂图案。

碱性水溶液含有(a)碱性化合物和(b)铵离子、摩尔比(b/a)超过0.00且低于1.85的实施例的情况下，与碱性水溶液(薄膜化处理液)只包含(a)碱性化合物、不含有(b)铵离子、摩尔比(b/a)为0.00的比较例相比，可以确认有阻焊剂层的薄膜化所需的时间缩短的效果。

以下，对于(a)碱性化合物的不同种类，更详细地进行说明。表2～表7是(a)碱性化合物为(a1)无机碱性化合物的例子，表8和表9是(a)碱性化合物为(a2)有机碱性化合物的例子，表10和表11是(a)碱性化合物为(a1)无机碱性化合物和(a2)有机碱性化合物的例子。

[表2]

表2是(a1)无机碱性化合物为偏硅酸钠(碱金属硅酸盐)的例子。(a1)无机碱性化合物的含量相等的情况下，碱性水溶液含有(b)铵离子、摩尔比(b/a)为超过0.00且0.71以下的实施例的处理时间与碱性水溶液不含(b)铵离子、摩尔比(b/a)为0.00的比较例相比，缩短(实施例1-1～1-7和比较例1-1、实施例1-8～1-14和比较例1-3、实施例1-15～1-21和比较例1-5、实施例1-22～1-28和比较例1-7)。

另外，(a1)无机碱性化合物的含量相等的情况下，摩尔比(b/a)为0.04～0.71的实施例中，确认到处理时间变短的效果高(实施例1-2～1-7、实施例1-9～1-14、实施例1-16～1-21、实施例1-23～1-28)。

进而，摩尔比(b/a)超过0.71的比较例中，薄膜化处理液无法保持“水溶液”的状态，发生“凝胶化”(比较例1-2、1-4、1-6、1-8)。

[表3]

表3是(a1)无机碱性化合物为碳酸钾(碱金属碳酸盐)的例子。(a1)无机碱性化合物的含量相等的情况下，碱性水溶液含有(b)铵离子、摩尔比(b/a)超过0.00且低于1.85的实施例的处理时间与碱性水溶液不含(b)铵离子、摩尔比(b/a)为0.00的比较例、含有(b)铵离子、摩尔比(b/a)为1.85以上的比较例相比，缩短(实施例2-1～2-8和比较例2-1～2-2、实施例2-9～2-16和比较例2-3～2-4、实施例2-17～2-24和比较例2-5～2-6、实施例2-25～2-32和比较例2-7～2-8)。

另外，(a1)无机碱性化合物的含量相等的情况下，摩尔比(b/a)为0.04～1.67的实施例中，确认到处理时间变短的效果高(实施例2-2～2-7、实施例2-10～2-15、实施例2-18～2-23、实施例2-26～2-31)。

[表4]

表4是(a1)无机碱性化合物为氢氧化钠(碱金属氢氧化物)的例子。(a1)无机碱性化合物的含量相等的情况下，碱性水溶液含有(b)铵离子、摩尔比(b/a)超过0.00且低于1.85的实施例的处理时间与碱性水溶液不含(b)铵离子、摩尔比(b/a)为0.00的比较例、含有(b)铵离子、摩尔比(b/a)为1.85以上的比较例相比，缩短(实施例3-1～3-8和比较例3-1～3-2、实施例3-9～3-16和比较例3-3～3-4、实施例3-17～3-24和比较例3-5～3-6、实施例3-25～3-32和比较例3-7～3-8)。

另外，(a1)无机碱性化合物的含量相等的情况下，(b)铵离子相对于(a1)无机碱性化合物的摩尔比(b/a)为0.04～1.67的实施例中，确认到处理时间变短的效果高(实施例3-2～3-7、实施例3-10～3-15、实施例3-18～3-23、实施例3-26～3-31)。

[表5]

表5是(a1)无机碱性化合物为偏硅酸钠(碱金属硅酸盐)和碳酸钾(碱金属碳酸盐)、偏硅酸钠和碳酸钾的质量比为5：1的例子。(a1)无机碱性化合物的含量相等的情况下，碱性水溶液含有(b)铵离子、摩尔比(b/a)超过0.00且0.45以下的实施例的处理时间与碱性水溶液不含(b)铵离子、摩尔比(b/a)为0.00的比较例相比，缩短(实施例4-1～4-7和比较例4-1、实施例4-8～4-14和比较例4-3、实施例4-15～4-21和比较例4-5、实施例4-22～4-28和比较例4-7)。

另外，(a1)无机碱性化合物的含量相等的情况下，摩尔比(b/a)为0.04～0.45的实施例中，确认到处理时间变短的效果高(实施例4-2～4-7、实施例4-9～4-14、实施例4-16～4-21、实施例4-23～4-28)。

进而，摩尔比(b/a)超过0.45的比较例中，薄膜化处理液无法保持“水溶液”的状态，发生“凝胶化”(比较例4-2、4-4、4-6、4-8)。

[表6]

表6是(a1)无机碱性化合物为氢氧化钠(碱金属氢氧化物)和碳酸钾(碱金属碳酸盐)、氢氧化钠和碳酸钾的质量比为1：1的例子。(a1)无机碱性化合物的含量相等的情况下，碱性水溶液含有(b)铵离子、摩尔比(b/a)超过0.00且低于1.85的实施例的处理时间与碱性水溶液不含(b)铵离子、摩尔比(b/a)为0.00的比较例、含有(b)铵离子、摩尔比(b/a)为1.85以上的比较例相比，缩短(实施例5-1～5-8和比较例5-1～5-2、实施例5-9～5-16和比较例5-3～5-4、实施例5-17～5-24和比较例5-5～5-6、实施例5-25～5-32和比较例5-7～5-8)。

另外，(a1)无机碱性化合物的含量相等的情况下，摩尔比(b/a)为0.04～1.67的实施例中，确认到处理时间变短的效果高(实施例5-2～5-7、实施例5-10～5-15、实施例5-18～5-23、实施例5-26～5-31)。

[表7]

表7是(a1)无机碱性化合物为磷酸三钠(碱金属磷酸盐)的例子。(a1)无机碱性化合物的含量相等的情况下，碱性水溶液含有(b)铵离子、摩尔比(b/a)超过0.00且低于1.85的实施例的处理时间与碱性水溶液不含(b)铵离子、摩尔比(a/b)为0.00的比较例、含有(b)铵离子、摩尔比(b/a)为1.85以上的比较例相比，缩短(实施例6-1～6-8和比较例6-1～6-2、实施例6-9～6-16和比较例6-3～6-4、实施例6-17～6-24和比较例6-5～6-6、实施例6-25～6-32和比较例6-7～6-8)。

另外，(a1)无机碱性化合物的含量相等的情况下，摩尔比(b/a)为0.04～1.67的实施例中，确认到处理时间变短的效果高(实施例6-2～6-7、实施例6-10～6-15、实施例6-18～6-23、实施例6-26～6-31)。

[表8]

表8是(a2)有机碱性化合物为四甲基氢氧化铵(tmah)的例子。(a2)有机碱性化合物的含量相等的情况下，碱性水溶液含有(b)铵离子、摩尔比(b/a)超过0.00且低于1.85的实施例的处理时间与碱性水溶液不含(b)铵离子、摩尔比(a/b)为0.00的比较例、含有(b)铵离子、摩尔比(b/a)为1.85以上的比较例相比，缩短(实施例7-1～7-8和比较例7-1～7-2、实施例7-9～7-16和比较例7-3～7-4、实施例7-17～7-24和比较例7-5～7-6、实施例7-25～7-32和比较例7-7～7-8)。

另外，(a2)有机碱性化合物的含量相等的情况下，摩尔比(b/a)为0.04～1.67的实施例中，确认到处理时间变短的效果高(实施例7-2～7-7、实施例7-10～7-15、实施例7-18～7-23、实施例7-26～7-31)。

[表9]

表9是(a2)有机碱性化合物为三甲基-2-羟基乙基氢氧化铵(胆碱)的例子。(a2)有机碱性化合物的含量相等的情况下，碱性水溶液含有(b)铵离子、摩尔比(b/a)超过0.00且低于1.85的实施例的处理时间与碱性水溶液不含(b)铵离子、摩尔比(a/b)为0.00的比较例、含有(b)铵离子、摩尔比(b/a)为1.85以上的比较例相比，缩短(实施例8-1～8-8和比较例8-1～8-2、实施例8-9～8-16和比较例8-3～8-4、实施例8-17～8-24和比较例8-5～8-6、实施例8-25～8-32和比较例8-7～8-8)。

另外，(a2)有机碱性化合物的含量相等的情况下，摩尔比(b/a)为0.04～1.67的实施例中，确认到处理时间变短的效果高(实施例8-2～8-7、实施例8-10～8-15、实施例8-18～8-23、实施例8-26～8-31)。

[表10]

表10是(a2)有机碱性化合物为tmah，(a1)无机碱性化合物为碳酸钾(碳酸k、碱金属碳酸盐)，tmah：碳酸k的质量比为2：1的例子。(a)碱性化合物的含量相等的情况下，碱性水溶液含有(b)铵离子、摩尔比(b/a)超过0.00且低于1.85的实施例的处理时间与碱性水溶液不含(b)铵离子、摩尔比(a/b)为0.00的比较例、含有(b)铵离子、摩尔比(b/a)为1.85以上的比较例相比，缩短(实施例9-1～9-8和比较例9-1～9-2、实施例9-9～9-16和比较例9-3～9-4、实施例9-17～9-24和比较例9-5～9-6、实施例9-25～9-32和比较例9-7～9-8)。

另外，(a)碱性化合物的含量相等的情况下，摩尔比(b/a)为0.04～1.67的实施例中，确认到处理时间变短的效果高(实施例9-2～9-7、实施例9-10～9-15、实施例9-18～9-23、实施例9-26～9-31)。

[表11]

表11是(a2)有机碱性化合物为胆碱，(a1)无机碱性化合物为氢氧化钠(氢氧化na、碱金属氢氧化物盐)，胆碱：氢氧化na的质量比为2：1的例子。(a)碱性化合物的含量相等的情况下，碱性水溶液含有(b)铵离子、摩尔比(b/a)超过0.00且低于1.85的实施例的处理时间与碱性水溶液不含(b)铵离子、摩尔比(a/b)为0.00的比较例、含有(b)铵离子、摩尔比(b/a)为1.85以上的比较例相比，缩短(实施例10-1～10-8和比较例10-1～10-2、实施例10-9～10-16和比较例10-3～10-4、实施例10-17～10-24和比较例10-5～10-6、实施例10-25～10-32和比较例10-7～10-8)。

另外，(a)碱性化合物的含量相等的情况下，摩尔比(b/a)为0.04～1.67的实施例中，确认到处理时间变短的效果高(实施例10-2～10-7、实施例10-10～10-15、实施例10-18～10-23、实施例10-26～10-31)。

产业实用性

本发明的阻焊剂图案的形成方法适用于例如对于在布线的一部分具备倒装焊接用的连接焊盘的电路基板进行阻焊剂图案的形成的用途。

符号说明

1　绝缘层

2　导电布线

3　阻焊剂层

4　光掩膜

5　活化光线

6　连接焊盘