显示面板及显示器的制作方法

本发明涉及显示设备技术领域，尤其涉及一种显示面板以及一种显示器。

背景技术：

液晶显示器(liquidcrystaldisplay，lcd)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。如：液晶电视、移动电话、个人数字助理(pda)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。

通常液晶显示器包括壳体、设于壳体内的液晶显示面板及设于壳体内的背光模组(backlightmodule)。其中，液晶显示面板的结构主要是由一薄膜晶体管阵列(thinfilmtransistorarray，tftarray)基板、一彩色滤光片(colorfilter，cf)基板、以及配置于两基板间的液晶层(liquidcrystallayer)所构成，其工作原理是通过在两基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。

在传统的液晶显示面板设计中，彩膜基板上设置有主间隔物(mainphotospacer，mainps)和副间隔物(subps)支撑在阵列基板与彩膜基板之间，以形成液晶间隙(cellgap)，在液晶间隙内填充液晶以形成液晶层。为了维持液晶间隙，主间隔物和副间隔物的高度较大，主间隔物和副间隔物为柱状，则主间隔物和副间隔物均需要面积较大的底部以实现良好支撑。而为了防止主间隔物和副间隔物的边缘漏光，则需要在主间隔物和副间隔物的底部制作足够大的黑色矩阵(blackmatrix，bm)进行遮光，如此一来则会降低液晶显示面板的开口率，从而影响到液晶显示面板的品质。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题在于提供一种开口率较高的显示面板和显示器。

为了实现上述目的，本发明实施方式采用如下技术方案：

一方面，提供一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和彩膜基板；

所述阵列基板包括：

层叠设置的第一基板、薄膜晶体管器件层和平坦层，所述平坦层具有通孔；

像素电极，位于所述平坦层的远离所述薄膜晶体管器件层的一侧且通过所述通孔连接至所述薄膜晶体管器件层；以及

主支撑物，所述主支撑物位于所述像素电极的远离所述平坦层的一侧；

所述彩膜基板包括：

第二基板，与所述第一基板相对设置；

主间隔物，位于所述第一基板与所述第二基板之间并抵接所述主支撑物；以及

黑色矩阵，所述黑色矩阵设于所述第二基板且位于所述主间隔物与所述第二基板之间，所述黑色矩阵覆盖所述主间隔物在所述第二基板上的正投影。

其中，所述主支撑物在所述平坦层上的正投影与所述通孔至少部分重叠。

其中，所述主支撑物在所述平坦层上的正投影覆盖所述通孔。

其中，所述像素电极包括伸入所述通孔的第一部分，所述第一部分围设出凹陷区，部分所述主支撑物位于所述凹陷区内。

其中，所述阵列基板还包括副支撑物，所述副支撑物位于所述像素电极的远离所述平坦层的一侧，所述彩膜基板还包括副间隔物，所述副间隔物位于所述第一基板与所述第二基板之间，所述黑色矩阵覆盖所述副间隔物在所述第二基板上的正投影，所述副间隔物正对所述副支撑物且与所述副支撑物之间形成间隙。

其中，在垂直于所述第一基板的方向上，所述副支撑物的高度小于所述主支撑物的高度，所述副间隔物的高度小于所述主间隔物的高度。

其中，所述主间隔物与所述副间隔物的高度差小于所述主支撑物与所述副支撑物的高度差。

其中，在垂直于所述第一基板的方向上，所述副支撑物的高度小于所述主支撑物的高度，所述副间隔物的高度等于所述主间隔物的高度。

其中，在垂直于所述第一基板的方向上，所述副支撑物的高度等于所述主支撑物的高度，所述副间隔物的高度小于所述主间隔物的高度。

另一方面，还提供一种显示器，包括上述显示面板。

相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：

由于所述主间隔物抵接所述主支撑物，所述主间隔物与所述主支撑物共同起到支撑作用以实现所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶间隙，因此所述主支撑物的设置能够减小所述主间隔物的高度，从而能够在保证支撑可靠性的情况下，减小所述主间隔物的朝向所述第二基板的底面积，进而能够在避免发生漏光的前提下，适当地减小所述黑色矩阵的面积以提高所述显示面板的开口率，使得所述显示面板开口率较高。由于高度越低制作后的尺寸误差越小，所述主间隔物与所述主支撑物的高度均小于现有技术中主间隔物，因此所述主间隔物与所述主支撑物的尺寸误差小，所述显示面板能够获得较为均一的所述液晶间隙，所述显示面板品质较高。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以如这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的显示面板的一种实施方式的结构示意图。

图2是图1所示显示面板的阵列基板的分解图。

图3是本发明实施例提供的显示面板的另一种实施方式的结构示意图。

图4是本发明实施例提供的显示面板的再一种实施方式的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

此外，以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明中所提到的方向用语，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等，仅是参考附加图式的方向，因此，使用的方向用语是为了更好、更清楚地说明及理解本发明，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“设置在……上”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸地连接，或者一体地连接；可以是机械连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。若本说明书中出现“工序”的用语，其不仅是指独立的工序，在与其它工序无法明确区别时，只要能实现该工序所预期的作用则也包括在本用语中。另外，本说明书中用“～”表示的数值范围是指将“～”前后记载的数值分别作为最小值及最大值包括在内的范围。在附图中，结构相似或相同的单元用相同的标号表示。

请一并参阅1至图4，本发明实施例提供一种显示器，所述显示器包括显示面板100和背光模组。所述显示面板100包括呈阵列排布的多个像素。

所述显示面板100包括相对设置的阵列基板1和彩膜基板2以及位于所述阵列基板1与所述彩膜基板2之间的液晶层3。所述阵列基板1包括第一基板11、薄膜晶体管器件层12、平坦层13、像素电极14以及主支撑物15。所述第一基板11、所述薄膜晶体管器件层12以及所述平坦层13层叠设置。所述薄膜晶体管器件层12包括呈矩阵排布的多个薄膜晶体管(thinfilmtransistor，tft)。所述多个薄膜晶体管可采用低温多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，ltps)技术。所述平坦层13具有通孔131。所述像素电极14位于所述平坦层13的远离所述薄膜晶体管器件层12的一侧且通过所述通孔131连接至所述薄膜晶体管器件层12。所述主支撑物15位于所述像素电极14的远离所述平坦层13的一侧。所述彩膜基板2包括第二基板21、主间隔物22以及黑色矩阵23。所述第二基板21与所述第一基板11相对设置。所述第二基板21平行于所述第一基板11。所述主间隔物22位于所述第一基板11与所述第二基板21之间并抵接所述主支撑物15。所述黑色矩阵23设于所述第二基板21且位于所述主间隔物22与所述第二基板21之间，所述黑色矩阵23覆盖所述主间隔物22在所述第二基板21上的正投影。所述黑色矩阵23遮盖所述主间隔物22。所述黑色矩阵23用于防止像素边缘漏光和所述阵列基板1的金属反光。

在本实施例中，由于所述主间隔物22抵接所述主支撑物15，所述主间隔物22与所述主支撑物15共同起到支撑作用以实现所述阵列基板1与所述彩膜基板2之间的液晶间隙，因此所述主支撑物15的设置能够减小所述主间隔物22的高度，从而能够在保证支撑可靠性的情况下，减小所述主间隔物22的朝向所述第二基板21的底面积，进而能够在避免发生漏光的前提下，适当地减小所述黑色矩阵23的面积以提高所述显示面板100的开口率，使得所述显示面板100开口率较高。由于高度越低制作后的尺寸误差越小，所述主间隔物22与所述主支撑物15的高度均小于现有技术中主间隔物，因此所述主间隔物22与所述主支撑物15的尺寸误差小，所述显示面板100能够获得较为均一的所述液晶间隙，所述显示面板100品质较高。

请一并参阅1至图4，作为一种可选实施例，所述主支撑物15在所述平坦层13上的正投影与所述通孔131至少部分重叠。所述至少部分重叠包括完全重叠和部分重叠。

在本实施例中，由于所述黑色矩阵23需要同时遮盖所述主支撑物15和所述通孔131以防止漏光，因此当所述主支撑物15在所述平坦层13上的正投影至少部分与所述通孔131重叠，也即所述支撑物与所述通孔131至少部分重叠设置时，所述黑色矩阵23所需遮挡的区域减小，从而能够减小所述黑色矩阵23的面积，进一步提高所述显示面板100的开口率。

可以理解的是，所述至少部分重叠包括完全重叠和部分重叠。所述平坦层13大致平行于所述第一基板11。所述主支撑物15在所述第一基板11上的正投影与所述通孔131在所述第一基板11上的正投影至少部分重叠。

可选的，所述主支撑物15在所述平坦层13上的正投影覆盖所述通孔131。此时，能够进一步缩小所述黑色矩阵23所需遮挡的区域，使得所述显示面板100的开口率较高。

可选的，所述像素电极14包括伸入所述通孔131的第一部分141，所述第一部分141围设出凹陷区140，部分所述主支撑物15位于所述凹陷区140内。所述凹陷区140位于所述通孔131内。此时，部分所述主支撑物15伸入所述凹陷区140内，也即伸入所述通孔131内，另一部分所述主支撑物15位于所述通孔131外。所述凹陷区140内可以全部被所述主支撑物15填充，也可部分被所述主支撑物15填充。所述像素电极14还包括连接所述第一部分141的第二部分142，所述第二部分142平铺在所述平坦层13的远离所述薄膜晶体管器件层12的一侧表面上。

请一并参阅1至图4，作为一种可选实施例，所述阵列基板1还包括副支撑物16。所述副支撑物16位于所述像素电极14的远离所述平坦层13的一侧。所述彩膜基板2还包括副间隔物24，所述副间隔物24位于所述第一基板11与所述第二基板21之间。所述黑色矩阵23覆盖所述副间隔物24在所述第二基板21上的正投影。所述副间隔物24正对所述副支撑物16且与所述副支撑物16之间形成间隙。

在本实施例中，在垂直于所述第一基板11的方向上，所述主支撑物15和所述主间隔物22的总高度大于所述副支撑物16和所述副间隔物24的总高度。所述显示面板100在正常使用过程中，所述主支撑物15和所述主间隔物22起到支撑作用，所述副支撑物16和所述副间隔物24暂时不起支撑作用。当所述显示面板100收到挤压时，所述主支撑物15和所述主间隔物22被压缩，所述主支撑物15和所述主间隔物22起到支撑作用，同时所述副支撑物16和所述副间隔物24也起到支撑作用，以降低所述显示面板100被损坏的风险。

可选的，所述主支撑物15和所述副支撑物16采用正光阻材料。所述主支撑物15和所述副支撑物16采用同一道光罩制程形成。所述主支撑物15和所述副支撑物16形成层结构。

在本实施例中，由于在正光阻的制作工艺中结构尺寸比较容易管控，因此可通过对所述主支撑物15和所述副支撑物16的制作工艺的控制，减小所述液晶间隙的误差，使得所述显示面板100能够获得比较均一的液晶间隙，提高所述显示面板100的良品率。

可选的，所述主间隔物22和所述副间隔物24采用负光阻材料。所述主间隔物22和所述副间隔物24采用同一道光罩制程形成。所述主间隔物22和所述副间隔物24形成层结构。

如图1和图2所示，在一种实施方式中，在垂直于所述第一基板11的方向上，所述副支撑物16的高度小于所述主支撑物15的高度，所述副间隔物24的高度小于所述主间隔物22的高度。此时，所述主间隔物22与所述副间隔物24之间形成第一高度差h1，所述主支撑物15与所述副支撑物16之间形成第二高度差h2。例如，所述第一高度差h1为0.3μm，所述第二高度差h2为0.2μm；或，所述第一高度差h1为0.4μm，所述第二高度差h2为0.1μm；或，所述第一高度差h1为0.2μm，所述第二高度差h2为0.3μm；或，所述第一高度差h1为0.1μm，所述第二高度差h2为0.4μm等。

在本实施例中，所述显示面板100将现有技术中主间隔物与副间隔物之间单一段差，分割成所述第一高度差h1和所述第二高度差h2，所述第一高度差h1和所述第二高度差h2均小于现有技术中的单一段差，所述第一高度差h1在所述彩膜基板2上实现，所述第二高度差h2在所述阵列基板1上实现。由于层结构的高度差(也即段差)越小制作难度越低，因此本申请所述主间隔物22和所述副间隔物24的制作难度小于现有技术，所述第一高度差h1相较于现有技术来说也更为容易管控、精度较高。同时，由于所述主支撑物15和所述副支撑物16的制作难度小，且两者之间的所述第二高度差h2也较小，因此所述主支撑物15和所述副支撑物16的制作难度小、精度高。简言之，所述显示面板100的制作难度较低，良品率高。

可以理解的，在所述主支撑物15和所述副支撑物16所对应的层结构的光罩制程中，可采用htm(halftonemask，半色调掩膜)和/或gtm(graytonemask，灰色调掩膜)技术形成对应光罩，以形成所述第二高度差h2。所述主支撑物15和所述副支撑物16所对应的层结构为所述显示面板100的平坦层，该平坦层可采用与所述平坦层13相同或相似的工艺形成。

在所述主间隔物22和所述副间隔物24所对应的层结构的光罩制程中，可采用htm(halftonemask，半色调掩膜)和/或gtm(graytonemask，灰色调掩膜)技术形成对应光罩，以形成所述第一高度差h1。

可选的，所述主间隔物22与所述副间隔物24的高度差小于所述主支撑物15与所述副支撑物16的高度差。也即，所述第一高度差h1小于所述第二高度差h2。

由于负光阻在制作中(例如曝光工序)对尺寸的控制精确度较差，正光阻在制作中(例如曝光工序)对尺寸的控制精确度较好，因此所述主支撑物15和所述副支撑物16的制作难度低于所述主间隔物22和所述副间隔物24的制作难度。同时，由于层结构的高度差(也即段差)越小制作难度越低，因此令所述第一高度差h1小于所述第二高度差h2有利于进一步降低所述显示面板100的制作难度，提高所述显示面板100的良品率。

如图3所示，在另一种实施方式中，在垂直于所述第一基板11的方向上，所述副支撑物16的高度小于所述主支撑物15的高度，所述副间隔物24的高度等于所述主间隔物22的高度。

在本申请中，所述主间隔物22与所述副间隔物24之间无高度差，进一步降低了所述主间隔物22和所述副间隔物24的层结构的制作难度，提高了所述显示面板100的良品率。

如图4所示，在再一种实施方式中，在垂直于所述第一基板11的方向上，所述副支撑物16的高度等于所述主支撑物15的高度，所述副间隔物24的高度小于所述主间隔物22的高度。此时，降低了所述副支撑物16和所述主支撑物15的层结构的制作难度。

可以理解的是，在一种实施方式中，所述副支撑物16在所述平坦层13上的正投影与所述通孔131至少部分重叠。此时，所述主支撑物15在所述平坦层13上的正投影可与所述通孔131间隔设置或部分重叠设置。

请一并参阅图1至图4，作为一种可选实施例，所述薄膜晶体管器件层12包括遮光层121、第一绝缘层122、半导体123、第二绝缘层124、栅极125、第三绝缘层126以及源漏极层(127、128)。所述遮光层121用于薄膜晶体管器件的沟道(也即所述半导体123)进行遮光，防止薄膜晶体管器件因为光照而产生漏电流。所述第一绝缘层122可采用氮氧化硅(sinx/sox)材料，用于实现绝缘作用。所述半导体123可为多晶硅主动层，用于形成载流子移动通道。所述第二绝缘层124可采用氮氧化硅(sinx/sox)材料，用于实现绝缘作用。所述栅极125为薄膜晶体管器件的控制开关。所述第三绝缘层126(又称栅极绝缘层)可采用氮氧化硅(sinx/sox)材料，用于实现绝缘作用。所述源漏极层(127、128)包括间隔设置的源极127和漏极128，所述源极127和所述漏极128分别电连接至所述半导体123的两端。所述通孔131可用于暴露部分所述源极127或所述漏极128，以使所述像素电极14连接至所述源极127或所述漏极128。

可选的，所述平坦层13可采用有机材料。

可选的，所述阵列基板1还包括公共电极17和钝化层18。所述公共电极17位于所述像素电极14与所述平坦层13之间。所述钝化层18位于所述公共电极17与所述像素电极14之间，用以实现绝缘作用。

可选的，所述黑色矩阵23可采用有机材料，例如黑色树脂。

可选的，所述阵列基板1还包括色阻层25，所述色阻层25形成在所述第二基板21上。所述黑色矩阵23位于所述色阻层25与所述第二基板21之间。所述色阻层25可采用有机材料。所述色阻层25用于对不同光的通过做相应的选择。

可选的，所述阵列基板1还包括第二平坦层26，所述第二平坦层26位于所述色阻层25的远离所述第二基板21的一侧。所述主间隔物22和所述副间隔物24形成在所述第二平坦层26的远离所述色阻层25的一侧。所述第二平坦层26可采用有机材料。

以上对本发明实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。