光调制器的制作方法

本发明涉及光调制器，特别是涉及具备终端基板的光调制器。

背景技术：

近年来，在高速/大容量光纤通信系统中，利用形成有光波导的基板的光调制器及装入有这样的光调制器的光发送装置被较多使用。其中，将具有电光效应的LiNbO3(称为“LN”)使用于基板的光调制器与InP、Si、GaAs等半导体系材料的调制器相比，广泛地使用于高速/大容量光纤通信系统。使用了该LN的光调制器形成有由将光封入于LN基板中并进行引导的光波导构成的马赫-曾德尔型光波导、向该调制部施加电场的电极。而且，电极包括基于从光调制器的外部输入的数据信号来施加用于调制光的高频信号(称为“调制信号”)的信号电极部、为了进行与DC漂移或温度漂移等引起的动作点变化对应的控制而施加高频振动信号和DC电压的DC电极部等。

受到近年来的传送容量的增大化的潮流的影响，高速/大容量光纤通信系统用的光调制器的调制方式从以往的强度调制(On-Off keying)等开始，使用了相位调制的QPSK(Quadrature Phase Shift Keying)、DP-QPSK(Dual Polarization-Quadrature Phase Shift Keying)等多值调制或在多值调制中取入了偏振复用的传送格式成为主流。

如图1所示，实现DP-QPSK调制的光调制器(称为“DP-QPSK光调制器”)具有在LN等的基板(光波导基板)1配置有2个由2个马赫-曾德尔型光波导构成的嵌套式光波导的光波导(未图示)构造(将具有该构造的光波导元件称为“DP-QPSK芯片”)。此外，为了向构成各马赫-曾德尔型光波导的调制部施加调制信号，而在光波导基板1上具备多个信号电极2。经由输入用连接器4向各信号电极2输入数据信号。而且，在各信号电极2的终端连接有终端电阻7。LN等的基板(光波导基板)1及配置有终端电阻的终端基板3配置于壳体6内，被封装化。

在各信号电极的终端设有终端电阻时，如图1那样，存在将终端电阻7在同一终端基板3内设置多个来实现封装化的DP-QPSK光调制器的小型化的情况。

向DP-QPSK光调制器的信号电极施加的调制信号的频率是微波带的高频信号，信号电极使用行波型的电极构造。调制信号的电能几乎全部由终端电阻消耗，由终端基板3内的终端电阻(电阻膜)转换成热量。由于产生的热量而终端电阻自身的特性劣化，存在损害DP-QPSK光调制器的可靠性等问题。

DP-QPSK光调制器具有4个调制部。为了通过本结构进行QPSK调制，需要使用具有单一的马赫-曾德尔型光波导的光调制器(称为“单一调制器”)并通过进行以往的强度调制时的电压振幅的2倍的电压振幅(电力为4倍)进行驱动。因此，由DP-QPSK光调制器消耗的电力与以往的单一调制器的情况相比成为16倍以上，因此发热量也成为16倍以上。而且，在进行光调制器的小型化的情况下，需要将终端基板3接近于光波导基板1配置。由终端电阻产生的热量会影响光波导元件而产生温度漂移。而且，终端电阻自身的发热成为发生终端电阻自身的时效老化或破裂、剥离等的要因，出现损害光调制器及使用了该光调制器的光发送装置的可靠性等问题。

此外，也提出了将该DP-QPSK芯片使用多个而进行多元件化，进行QPSK调制，进一步提高传送容量的方案(例如参照专利文献1)。如图2所示，在将2个DP-QPSK芯片配置在一个壳体内并进行封装化的情况下，与进行单一调制器构造的强度调制的情况相比，壳体内的发热量成为32倍以上，成为严重的问题。需要说明的是，在图2中，将光波导基板1a及1b横向排列配置，但是也存在如专利文献1那样将多个光波导基板层叠配置的情况。

以往，单一调制器中的终端电阻的发热与光调制器的动作刚开始之后的DC漂移引起的动作点变化未切分而进行。

然而，如使用多个DP-QPSK芯片进行多元件化而进行QPSK调制时的光调制器等那样，(a)调制信号的振幅大，(b)具有多个终端电阻，(c)终端电阻集成于一个终端基板的情况下终端电阻的发热产生的影响增大，问题严重化。而且，光调制器由于(d)小型化、(e)进行多个元件化(多元件化)而该影响进一步严重化。

作为减少这样的终端电阻的发热的问题的对策，如专利文献2所示，提出了增大终端电阻的面积，或将导热用的孔设置于构成终端基板的支承体的方案。然而，在这些结构、方法中，终端基板自身变大，而且制造成本也增加，因此难以低成本地实现小型的光调制器。因此，为了满足小型化及低成本化的要求，要求一种通过不是以往的结构、方法的发热对策，来抑制动作点变化且可靠性高的光调制器。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-69162号公报

专利文献2：日本特开2014-199302号公报

技术实现要素：

发明要解决的课题

本发明要解决的课题如上所述，在于提供一种抑制了终端电阻引起的发热的影响的光调制器。特别是在如DP-QPSK光调制器那样具有多个信号输入、多个终端电阻的光调制器中，抑制变得更显著的终端电阻的发热。此外，提供一种通过实施有效的散热对策而提高包含终端电阻的终端基板的可靠性，能够抑制光调制器的温度漂移的光调制器。

用于解决课题的方案

为了解决上述课题，本发明的光调制器具有以下的技术特征。

(1)一种光调制器，具备：光波导基板，形成有光波导；信号电极，设置于该光波导基板，向该光波导施加电场；终端电阻，形成为该信号电极的终端；及终端基板，配置有该终端电阻，所述光调制器的特征在于，对于一个该终端基板，至少具有多个该终端电阻，为了抑制由该终端电阻产生的热量集中于该终端基板内的局部部分的情况或者由该终端电阻产生的热量向该光波导基板传导的情况，使设置于该终端基板且与该终端电阻电连接的接地电极形成得比0.1μm厚。

(2)在上述(1)记载的光调制器中，其特征在于，该接地电极的厚度设定为0.1μm至20μm的范围。

(3)一种光调制器，具备：光波导基板，形成有光波导；信号电极，设置于该光波导基板，向该光波导施加电场；终端电阻，形成为该信号电极的终端；及终端基板，配置有该终端电阻，所述光调制器的特征在于，对于一个该终端基板，具有至少多个该终端电阻，为了抑制由该终端电阻产生的热量集中于该终端基板内的局部部分的情况或者由该终端电阻产生的热量向该光波导基板传导的情况，设置于该终端基板且与该终端电阻电连接的接地电极配置成，使该终端电阻的附近的该接地电极的该光波导基板侧的端部的位置从该终端基板的该光波导基板侧的端部向该终端基板的内侧方向后退。

(4)在上述(3)记载的光调制器中，其特征在于，该接地电极的该光波导基板侧的端部的位置配置成从该终端基板的该光波导基板侧的端部以10μm至300μm的范围向该终端基板的内侧方向后退。

(5)一种光调制器，具备：光波导基板，形成有光波导；信号电极，设置于该光波导基板，向该光波导施加电场；终端电阻，形成为该信号电极的终端；及终端基板，配置有该终端电阻，所述光调制器的特征在于，对于一个该终端基板，至少具有多个该终端电阻，为了抑制由该终端电阻产生的热量集中于该终端基板内的局部部分的情况或者由该终端电阻产生的热量向该光波导基板传导的情况，将该终端基板向壳体内安装的安装单元具有将该终端基板与该壳体连接的导热构件。

(6)在上述(5)记载的光调制器中，其特征在于，该导热构件是金属带、金属薄板或金属线。

(7)一种光调制器，具备：光波导基板，形成有光波导；信号电极，设置于该光波导基板，向该光波导施加电场；终端电阻，形成为该信号电极的终端；及终端基板，配置有该终端电阻，所述光调制器的特征在于，对于一个该终端基板，至少具有多个该终端电阻，为了抑制由该终端电阻产生的热量集中于该终端基板内的局部部分的情况或者由该终端电阻产生的热量向该光波导基板传导的情况，将该终端电阻的配置设定为，相对于该终端电阻之间的间隔a，位于最靠端部的终端电阻R1与接近该终端电阻R1的该终端基板的横侧面之间的距离b大于所述间隔a，或者该终端电阻与该终端基板的后侧面之间的距离c大于所述间隔a。

(8)一种光调制器，具备：光波导基板，形成有光波导；信号电极，设置于该光波导基板，向该光波导施加电场；终端电阻，形成为该信号电极的终端；及终端基板，配置有该终端电阻，所述光调制器的特征在于，对于一个该终端基板，具有至少多个该终端电阻，为了抑制由该终端电阻产生的热量集中于该终端基板内的局部部分的情况或者由该终端电阻产生的热量向该光波导基板传导的情况，将该终端电阻的配置设定为，相邻的终端电阻之间的距离d大于沿着与该光波导基板相对的该终端基板的前侧面的方向上的所述终端电阻之间的间隔e。

(9)在上述(1)至(8)中任一记载的光调制器中，其特征在于，该终端电阻的电阻值小于50Ω。

(10)在上述(1)至(9)中任一记载的光调制器中，其特征在于，该光波导基板由LiNbO3、InP和Si中的任一者构成。

发明效果

通过本发明，能够使由终端电阻产生的热量有效地分散、放出，从而能够提高终端电阻的可靠性。而且，能够降低热量对于光波导的影响，由此能够提供一种抑制了温度漂移的可靠性高的光调制器。

附图说明

图1是表示DP-QPSK光调制器的例子的俯视图。

图2是表示搭载有2个DP-QPSK光调制器的例子的俯视图。

图3A是表示以往的终端基板的例子的俯视图。

图3B是图3A的点划线A-A’处的剖视图。

图3C是图3A的点划线B-B’处的剖视图。

图4A是表示本发明的光调制器使用的终端基板的第一实施例的剖视图。

图4B是表示本发明的光调制器使用的终端基板的第一实施例的立体图。

图5是表示将图4所示的第一实施例的终端电阻配置有多个的例子的立体图。

图6是表示本发明的光调制器使用的终端基板的第二实施例的俯视图。

图7是表示本发明的光调制器使用的终端基板的壳体安装的第三实施例的俯视图。

图8A是表示本发明的光调制器使用的终端基板的壳体安装的第四实施例的一方式的俯视图。

图8B是表示本发明的光调制器使用的终端基板的壳体安装的第四实施例的另一方式的俯视图。

图9是表示本发明的光调制器使用的终端基板的第五实施例的俯视图。

图10是表示本发明的光调制器使用的终端基板的第六实施例的俯视图。

图11A是说明图10所示的第六实施例的应用例的一方式的俯视图。

图11B是说明图10所示的第六实施例的应用例的另一方式的俯视图。

具体实施方式

以下，关于本发明的一方式的光调制器，进行详细说明。

如图1或2所示，应用本发明的光调制器是如下的光调制器：具备形成有光波导的光波导基板1(1a、1b)、设置于该光波导基板并向该光波导施加电场的信号电极2、形成为该信号电极的终端的终端电阻7、配置有该终端电阻的终端基板3的光调制器，特别是对于一个终端基板3至少具有多个终端电阻。并且，是具备用于抑制由终端电阻产生的热量集中于终端基板内的局部部分的情况或由终端电阻产生的热量向该光波导基板传导的情况的单元的光调制器。

如图1或2所示，光波导基板1及终端基板3收容于金属制的壳体6内而构成光调制器模块。光波导基板1存在使用了LiNbO3或LiTaO3等电介质、InP、Si等半导体的结构等。在本发明的光调制器中，光波导基板的材料也没有特别限定，但是可以使用以往公知的电介质或半导体的基板。而且，在光波导的形成时，也可以使用使Ti热扩散于LiNbO3的电介质基板而形成光波导的方法或脊型光波导等公知的技术。

光波导的结构可以使用1个马赫-曾德尔型光波导、将2个马赫-曾德尔型光波导配置成套匣型的所谓嵌套式光波导、以及如专利文献1也公开的DP-QPSK芯片等那样将由2个马赫-曾德尔型光波导构成的嵌套式光波导配置2个而成的结构等各种光波导的形状。

另外，关于向光波导的调制部施加输入电信号的信号电极的个数，也不局限于图1所示具备4个信号电极的DP-QPSK芯片，在单型(调制用的信号电极为1处)、双型(调制用的信号电极为2处)、DQPSK结构调制器(调制用的信号电极为2处)等各种结构中都能够应用本发明。尤其是信号电极的个数越多，则终端电阻的个数也越增加，因此能够更有效地应用本发明，例如，在如图2所示装入有2个DP-QPSK芯片且输入电信号存在8处的多元件化的结构中，能够特别有效地应用。

形成在终端基板3上的终端电阻的元件数根据光调制器的结构、电极设计、壳体设计而适当选择。在图1的DP-QPSK光调制器的终端基板3中，示出将4个终端电阻形成在同一基板(支承体)上的例子，但也可以将终端基板分为多个地构成。此外，也可以通过具备2个或1个终端电阻的终端用电路来构成图1的4个终端电阻，并将它们形成在相同基板上。近年来，为了实现光调制器尺寸的小型化而将多个终端电阻形成在同一基板上的情况较多。本发明在如图1或图2那样使用2个以上的终端电阻的情况下，特别是将多个终端电阻配置在同一终端基板内的情况下，能够有效地应用。

图3是表示在以往的光调制器中使用的终端基板的图。图3A是终端基板的俯视图，图3B是图3A的点划线A-A’处的剖视图，图3C是图3A的点划线B-B’处的剖视图。

关于终端基板的基本结构，在氧化铝等陶瓷基板10上设有终端电阻7、接地电极9、信号电极8。各电极及终端电阻由于高频特性或生产率等的要求而由使用了真空蒸镀或溅射的薄膜形成。例如，信号电极8及接地电极9使用金，终端电阻7使用镍铬合金等。

上述薄膜从真空蒸镀或溅射等制造方法出发，而且从要求的特性或成本的观点出发，而以大约0.05μm～0.1μm左右的厚度形成。

这样形成的终端基板连接于光波导基板的信号电极输出侧，以使输入的高频电信号由终端电阻有效地形成终端的方式设置。在此所说的有效的终端是指输入的高频电信号的在终端部处的反射少，输入的电信号能量的大部分在该终端处被消耗的意思。因此，终端电阻的电阻值对应于进行驱动的高频信号发生源的阻抗即50Ω，以使镍铬合金等的薄膜电阻值成为50Ω的方式形成。即，以往的终端电阻的目的在于以尽可能地在终端电阻处消耗输入的高频信号的电能的方式设计、设置。

需要说明的是，虽然在图3中未示出，但是在终端基板上除了成为终端电阻的电阻体之外，也存在还形成或安装电容器等其他的电子部件的情况，根据应用的光调制器的结构等而适当选择。

在本发明的光调制器中，在同一终端基板存在多个终端电阻的情况下，由终端电阻产生的热量容易集中于终端基板内的局部部分，而且，终端基板加热而向光波导基板传导热量，由此也成为温度漂移的原因。为了防止这样的不良情况，在本发明的一方式中，通过使用以下的手段，抑制由终端电阻产生的热量集中于终端基板内的局部部分的情况或向光波导基板传导的情况。

(1)使终端电阻的附近的接地电极厚膜化，使偏向终端电阻及终端基板的局部部分存在的热量高效地分散。

(2)使因发热而温度上升的终端电阻及其附近的接地电极从光波导基板远离，降低对光波导基板造成的热影响。

(3)为了使由终端电阻产生的热量高效地向壳体侧逃散，而将终端基板内的接地电极与壳体利用金属带、金属薄板、金属线等导热构件连接。

(4)相对于终端电阻之间的间隔而将包围终端电阻的接地电极的区域确保得较宽，由此促进偏向局部部分存在的热量的分散，提高散热效果。

(5)与终端电阻之间的间隔(沿着终端基板的与光波导基板相对的面的间隔)相比，增大相邻的终端电阻之间的距离，抑制局部性地发热集中的情况。

(6)将终端电阻的阻抗设定为比50Ω小的值，抑制终端电阻的发热。

以下，更详细地说明各实施例。

图4是本发明的光调制器的第一实施例。

本发明的特征在于，使与终端电阻7连接的接地电极11厚膜化，使由终端电阻产生的热量高效地分散，缓和向终端电阻及其附近集中的热不均匀存在。特别是终端电阻处的发热在终端基板的上表面不均匀产生，因此与从终端基板底面的散热相比，从终端基板上表面散热的手段非常有效。

本实施例几乎不变更以往的终端电阻的设计，而通过简便的方法，能够消除在终端基板上不均匀存在的热量的问题。具体而言，高效地使热量分散，或者抑制热量的集中，由此有效地消除热量的问题。

终端基板内的接地电极等的电极膜可以通过例如Au的镀敷进行制造。接地电极等的电极膜的厚度越厚，越能够使产生的热量高效地传导并分散，但是从制造工时或成本等的兼顾出发，优选比0.1μm厚，更优选比0.1μm厚且比20μm薄。而且，从光调制器的结构上的限制等出发，在输入的电信号大或终端电阻在同一基板内形成多个而发热量多等情况下，可以使该电极膜的厚度比20μm更厚。

特别是本实施例的发明如DP-QPSK光调制器那样，在输入信号振幅大且需要多个终端电阻(这种情况下为4个)的光调制器中，起到第一实施例产生的效果高而且能够容易地适应等显著的效果。

需要说明的是，在本实施例中，示出了仅使接地电极11厚膜化的例子，但是即使使终端电阻7或与终端电阻相连的信号电极8厚膜化，也能得到一定程度的热分散的效果。由此，可以与连接于终端电阻的接地电极的厚膜化联动地使终端电阻等厚膜化。此外，也可以单独使终端电阻等厚膜化。

图5示出将图4所示的厚膜化后的接地电极11的结构和多个终端电阻7配置在同一支承体10上的终端基板的例子。接地电极11的厚度可以如图5所示那样均匀地设定，也可以附加仅终端电阻7的附近厚，而在从附近分离的部位构成得比附近的接地电极薄等结构。

图6是本发明的光调制器的第二实施例。

本发明的特征在于，使连接于终端电阻的接地电极的一部分从终端基板的支承体10的端部后退。即，在从终端基板的支承体10的端部至接地电极9之间设有未形成接地电极的区域12。

在该实施例中，使接地电极从光波导基板分离，由此抑制由终端电阻产生的热量通过接地电极对光波导基板造成影响的情况。接地电极的后退量优选从10μm至300μm的范围中进行选择，以避免高频信号的反射特性等发生劣化。

在图6中，使接地电极9从终端基板的支承体10的光波导基板侧的相对面均等地后退，但也不一定需要均等地后退。只要至少使处于终端电阻的附近的接地电极9局部性地后退即可，后退量在各部分也可以不同。

另外，在图6中，与终端电阻相连的信号电极8也与接地电极9同步地后退，但是不需要使后退量相同，也可以设定为不使信号电极8后退。

图7是本发明的光调制器的第三实施例。

本发明的特征在于，通过设置导热构件而将终端基板内的发热有效地向终端基板外放出、传导。具体而言，向安装终端基板的壳体13放出热量。

该导热构件也可以由各种金属板或高导热陶瓷等形成，但是考虑到以热膨胀等为起因的可靠性等时，优选通过金等的金属制的带、铜、黄铜、铝等的金属薄板等形成。

在金带的情况下，通过超声波键合，将导热构件连接于终端基板(接地电极)及壳体，在铜、黄铜、铝等的金属薄板等的情况下，通过导热性粘结剂等，将导热构件连接于终端基板(接地电极)及壳体。

在本发明的结构中，通过在终端基板的上表面设置的导热构件，对于在终端基板内不均匀存在的热量，也能够增大导热作用而有效地施行热对策。

另外，本发明也如图7的实施例所示，对于在同一基板上形成有多个终端电阻7的终端基板而言特别有效。需要说明的是，在本实施例中例示了在同一基板上形成有4个终端电阻7的终端基板，但是终端电阻没有限定为仅为这4个。

当然，本发明的结构即使应用于以往的终端基板也有效，但是通过与第一或第二实施例组合而能够进一步提高效果。

图8是本发明的光调制器的第四实施例。

在本发明的实施例中，作为在图7的第三实施例中所示的导热构件，使用了金等的金属线15。考虑光调制器的制造的生产率，也可以通过键合线来代替作为导热构件的作用。

在该结构的情况下，能够提高光调制器的制造的生产率，另一方面，将在终端电阻7处产生的热量向终端基板外放出、传导的效率比第三实施例低。因此，在实施本发明的情况下，通过与第一或第二实施例组合，能够平衡良好地兼顾制造生产率和热量的散热性、传导性。

尤其是使接地电极厚膜化且同时使用引线键合作为导热构件的实施例能较高地获得散热性并同时能够实现高生产率，成为最优选的实施例。

另外，通过同时使用厚膜化而能够提高散热性和导热性，因此也能够减少引线键合的数目。例如，如图8B所示，仅通过在发热的终端电阻的附近设置多根的引线键合就能够得到有效的效果。这样，通过在发热的影响大的终端电阻的附近进行引线键合，能赋予散热所需的最小限度的功能，并减少键合根数，成为进一步提高生产率的有效的手段。

然而，上述的引线键合与包含信号电极的高频线路等进行高频基板的电连接的引线键合不同。高频的电连接为了避免使高频特性劣化，而接近信号电极并沿着高频信号的传播方向，将终端基板与光波导基板等的基板间连接。

本发明中实施的引线键合是作为导热单元而设置的结构，不需要接近信号电极，反而是设置在终端电阻的附近并将终端基板与壳体之间连接的结构。这样，具有与高频电连接的引线键合不同的结构。

图9是本发明的光调制器的第五实施例。

本实施例例示将多个终端电阻形成在同一基板上时的有效的设计方法。

如图9所示，终端电阻7的配置设定为，相对于终端电阻之间的间隔a(它们与通常存在多个的光波导基板上形成的高频信号电极的输出侧电极焊盘的间隔大致相等)，位于最靠端部的终端电阻R1与接近该终端电阻R1的终端基板的支承体10的横侧面S2之间的距离b大于前述间隔a，或者该终端电阻(7、R1)与该终端基板的支承体10的后侧面S3之间的距离c大于前述间隔a。

原本将多个终端电阻形成在同一基板上的目的是在DP-QPSK调制器等需要多个高频信号的输入的光调制器中，由于与以往的光调制器相比大型化且高成本化，因此为了对其进行些许改善而想要更小型化及更低成本化。其结果是，对于终端基板的设计思想要求：(1)尽可能设计得小；(2)尽可能设计得成本低。

其结果是，减小使用的终端基板的大小，增多对于单位制造批次的终端基板的收获量，使用材料成本也减少。在这样的终端基板中，与存在多个的终端电阻的间隔a相比，从相同的终端基板的端部至终端电阻的距离b或c与a大致相同或比a小是普遍情况。这样的设计思想是，在想要实现光调制器的小型化、低成本化的情况下，只要是高频终端基板的设计者等具有一定的技术水准的开发者就容易达到的设计。

然而，这样的以往的设计思想中，没有想到来自终端电阻的发热成为损害包含终端电阻自身的终端基板的可靠性的原因、及成为使光调制器的温度漂移产生的原因。而且，也没有意识到如下的问题：上述的发热问题在输入电信号的振幅大的结构、终端电阻具有多个的结构、在同一基板内具有终端电阻的结构等的光调制器中，影响特别大而问题严重化。此外，完全没有想到由于上述光调制器小型化、进行多个元件化(多元件化)而其影响更加严重化等。

图9的实施例针对这样的问题，提供一种能够容易且简便地实现，并有效而适合于量产运用的技术。

本发明基于如下的技术思想：关于由多个终端电阻产生的热量，在周围形成比形成有该终端电阻的间隔宽的导热区域，由此使不均匀存在的热量分散传导，减少不均匀存在的热量的影响。

本发明能够将对于小型化、低成本化的负面的影响抑制成最小限度，并抑制由于从多个终端电阻产生的热量或它们的不均匀存在的热量而产生终端基板的可靠性的下降或光调制器的温度漂移等问题的情况。本发明是不存在于以往的设计思想中的、基于新的技术思想、新的思路的发明。

图10是本发明的光调制器的第六实施例。

如图10所示，终端电阻7的配置设定为，相邻的终端电阻之间的距离d大于沿着与光波导基板相对的终端基板的支承体10的前侧面S1的方向上的前述终端电阻之间的间隔e。

通过这样构成，与将以往的终端电阻配置成横向一列的情况相比，能够扩大终端电阻之间的间隔，能够缓和终端电阻产生的发热的不均匀存在。这种情况下，也与图9的第五实施例同样，终端基板的大小变大，从以往的小型化或低成本化的设计思想偏离。然而，在本发明中，使由多个终端电阻产生的热量分散传导，能够容易地实现降低不均匀存在的热量的影响的情况。

关于终端电阻的配置，可以如图11A所示具有规则性地配置在基板上，也可以如图11B所示整体性地分散而随机配置。

如10及11所示的终端基板的实施例那样，当从高频信号输入端至终端电阻的信号电极的长度不同时，在各高频电极间，高频特性例如高频反射特性(S11特性)严格来说不同。因此，在以往的设计中，将其长度设计为相同值，想使各高频电极间的特性同等化，但是在本发明的实施例中特意将前述间隔设定为不同。

具体而言，长度的差异虽然取决于搭载终端基板的壳体的设计，但不过是几mm内左右的差异。该差异与通常的使用了LiNbO3的光调制器的信号电极为几cm左右的情况相比时，其长度的差异的大小极小。而且，在终端基板内延长信号电极的长度的情况下，S11特性反而向良化的方向发挥作用，因此即使采用第六实施例的结构，也不会产生光调制器的特性上的问题。

本发明的光调制器的第七实施例中，终端电阻的电阻值比50Ω小。

通常，终端电阻的电阻值对应于高频信号源的阻抗50Ω而设定为50Ω。相对于此，为了实现本发明的目的，也可以将终端电阻的电阻值设定为比50Ω小的值。

通过降低终端电阻的电阻值而终端电阻的发热量进一步减小。由此，在S11特性等高频特性的要求值允许的范围内，能够对该终端电阻的值选择比50Ω小的值。例如，为了降低终端电阻的发热量并使高频特性为允许的范围内，优选从30Ω至50Ω之中选择终端电阻值。更优选的是，从40Ω至50Ω之中选择终端电阻值。

在上述的说明中，以使用了LiNbO3基板的DP-QPSK调制器的结构为中心进行了说明，但是在具有终端电阻的光调制器中，只要是终端电阻发热的结构，无论调制方式如何都能够应用本发明。而且，光波导基板可以是InP、Si等半导体系材料的基板。而且，即使在使用了LiNbO3基板的情况下，也能够与X切或Z切等结晶方位无关地应用本发明，这是不言自明的。

另外，在上述的说明中，例示了仅将电阻元件作为终端电阻而形成于同一基板的终端基板，但也可以将电容器或其他的电子部件、贯通导体或包含多层化的电子电路形成在相同的终端基板内。而且，只要是至少将多个终端电阻设置于同一基板的结构即可，对于终端基板存在多个的情况，也能够应用本发明，这是不言自明的。

产业上的可利用性

以上，如说明所述，根据本发明，能够使由终端电阻产生的热量有效地分散、放出，从而能够提高终端电阻及包含该终端电阻的终端基板的可靠性。而且，能够降低热量对于光波导的影响，由此能够提供一种抑制了温度漂移的可靠性高的光调制器。

标号说明

1 光波导基板

2 信号电极

3 终端基板

4 输入用连接器

6、13 壳体

7 终端电阻

8 终端基板内的信号电极

9、11 终端基板内的接地电极

10 终端基板的支承体

12 终端基板上的电极后退的区域

14、15 导热构件

100 偏振波合成部