阵列基板及其制造方法、触控显示面板与流程

本公开的实施例涉及一种阵列基板及其制造方法、触控显示面板。

背景技术：

随着技术的发展，触摸屏得到了越来越广泛的应用。触摸屏通过利用触觉反馈系统取代机械式的按钮面板，从而提供了简单、方便的人机交互方式。根据触摸屏与显示结构的不同组合方式，触摸屏可以分为外挂式(Add-on)、覆盖表面式(On-Cell)和内嵌式(In-Cell)。内嵌式触摸屏将触摸屏的触控电极内嵌在显示结构内部，可以减小模组整体的厚度，并且可以降低触摸屏的制作成本，占有显著的市场优势。

内嵌式触摸屏利用互电容或自电容的原理来检测手指的触摸位置。例如，可以在触摸屏中设置多个同层设置且相互绝缘的自电容电极，当人体未触碰屏幕时，各自电容电极的电容为一固定值，当人体触碰屏幕时，对应的自电容电极的电容为固定值叠加人体电容后的值。触控侦测芯片在触控时间段通过检测各自电容电极的电容值变化来判断触控位置。相比于互电容的触摸屏，自电容的触摸屏能有效提高触控信号的信噪比，从而提高触控检测的准确性。

技术实现要素：

本公开至少一个实施例提供一种阵列基板，包括：衬底基板；多条第一信号线，设置在所述衬底基板上且沿第一方向延伸；多条第二信号线，设置在所述衬底基板上且与所述第一信号线位于不同层，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；多条触控信号线，设置在所述衬底基板上且沿所述第二方向延伸，其中，所述触控信号线每条包括第一触控线部分和第二触控线部分，所述第一触控线部分与所述第一信号线设置在同一层，且与至少一条所述第二信号线在垂直于所述衬底基板板面的方向上至少部分重叠，所述第二触控线部分与所述第一信号线设置在不同层，所述第一触控线部分与所述第二触控线部分通过第一过孔电连接。

例如，在本公开一实施例提供的阵列基板包括多条虚拟信号线，设置在所述衬底基板上且沿所述第二方向延伸，其中，所述虚拟信号线每条包括第一虚拟线部分和第二虚拟线部分，所述第一虚拟线部分与所述第一信号线设置在同一层，且与不与所述触控信号线重叠的所述第二信号线之中的至少一条在垂直于所述衬底基板板面的方向上至少部分重叠，所述第二虚拟线部分与所述第一信号线设置在不同层，所述第一虚拟线部分与所述第二虚拟线部分通过第二过孔电连接。

例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述第一信号线为栅线，配置为传输栅信号，所述第二信号线为显示数据线，配置为传输显示数据信号。

例如，在本公开一实施例提供的阵列基板包括第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层覆盖所述栅线，所述第一过孔贯穿所述第一绝缘层，所述第二触控线部分与所述显示数据线位于同一层且设置在所述第一绝缘层上。

例如，在本公开一实施例提供的阵列基板包括：第二绝缘层，覆盖所述显示数据线；公共电极，设置在所述第二绝缘层上。

例如，在本公开一实施例提供的阵列基板包括贯穿所述第二绝缘层的第三过孔，其中，所述公共电极包括多个复用为触控电极的子电极，所述多个子电极每个与相应的触控信号线通过所述第三过孔对应电连接。

例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述触控信号线与所述多个子电极在所述第一方向上的间隙区域不重叠。

例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述第三过孔与所述多个子电极彼此之间的间隙区域不重叠。

例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，多条相邻的触控信号线通过与所述第一触控线部分位于同一层且沿所述第一方向延伸的连接部分电连接。

例如，在本公开一实施例提供的阵列基板包括由所述第一信号线和所述第二信号线交叉界定的多个子像素，其中，每个子像素包括作为开关元件的薄膜晶体管，所述第一触控线部分或所述第二触控线部分与所述薄膜晶体管在垂直于所述衬底基板板面的方向上不重叠。

例如，在本公开一实施例提供的阵列基板中，所述触控信号线为金属信号线。

本公开至少一个实施例还提供一种触控显示面板，包括本公开任一实施例所述的阵列基板。

例如，在本公开一实施例提供的触控显示面板中，所述触控显示面板为液晶显示面板。

本公开至少一个实施例还提供一种阵列基板的制造方法，包括：在衬底基板上形成沿第一方向延伸的多条第一信号线和沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的多条触控信号线的第一触控线部分；在所述多条第一信号线和所述第一触控线部分上形成沿所述第二方向延伸的多条第二信号线和沿所述第二方向延伸的多条触控信号线的第二触控线部分；其中，所述第一触控线部分与所述第一信号线位于同一层，且与至少一条所述第二信号线在垂直于所述衬底基板板面的方向上至少部分重叠，所述第二触控线部分与所述第一信号线位于不同层，所述第一触控线部分与所述第二触控线部分通过第一过孔电连接。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。

图1为一种阵列基板的平面示意图；

图2为本公开一实施例提供的一种阵列基板的平面示意图；

图3为本公开一实施例提供的另一种阵列基板的平面示意图；

图4为本公开一实施例提供的一种阵列基板的触控电极的间隙区域的平面示意图；

图5为本公开一实施例提供的另一种阵列基板的触控电极的间隙区域的平面示意图；

图6为本公开一实施例提供的一种阵列基板沿图2中A-A'方向的剖面示意图；

图7为本公开一实施例提供的一种阵列基板沿图2中B-B'方向的剖面示意图；

图8为本公开一实施例提供的一种触控显示面板的框图；以及

图9为本公开一实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

在自电容内嵌式触摸屏中，为了将触控电极与触控侦测芯片连接，一般会设置与触控电极对应连接的触控信号线。通过在制备用于显示的阵列基板的工艺的基础上增加额外的掩模工艺可以单独制作触控信号线，但是这种方式会导致工艺复杂，生产成本高。通过双走线的方式(即显示数据线与触控信号线并列同层设置)也可以制作触控信号线，但是这种方式会降低像素的开口率，影响显示质量。

本公开至少一个实施例提供一种阵列基板及其制造方法、触控显示面板。通过将触控信号线分段设置，可以利用已有工艺制作触控信号线，不会增加掩模工艺，生产成本低，且不会降低开口率，不影响显示质量。

下面，将参考附图详细地说明本公开的实施例。应当注意的是，不同的附图中相同的附图标记将用于指代已描述的相同的元件。

本公开至少一个实施例提供一种阵列基板，包括衬底基板、多条第一信号线、多条第二信号线和多条触控信号线。多条第一信号线设置在所述衬底基板上且沿第一方向延伸。多条第二信号线设置在所述衬底基板上且与所述第一信号线位于不同层，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸。多条触控信号线设置在所述衬底基板上且沿所述第二方向延伸。所述触控信号线每条包括第一触控线部分和第二触控线部分，所述第一触控线部分与所述第一信号线设置在同一层，且与至少一条所述第二信号线在垂直于所述衬底基板板面的方向上至少部分重叠，所述第二触控线部分与所述第一信号线设置在不同层，所述第一触控线部分与所述第二触控线部分通过第一过孔电连接。

图1为一种阵列基板的平面示意图。参考图1，多个触控电极110设置在衬底基板100的触控有效区101内，多个触控电极110彼此绝缘且整齐排列为矩阵。触控有效区101可以与显示有效区域彼此完全重叠，也可以大于或小于显示有效区域。每个触控电极110与对应的触控信号线130电连接，以传输触控信号。触控电极110和触控信号线130设置在不同层，即两者异层设置，触控电极110覆盖触控信号线130且通过触控连接过孔120电连接，从而减小相邻的触控电极110之间的距离，避免触控盲区，并且可以减小信号干扰。

触控电极110可以为正方形，也可以为矩形、圆形、六边形、三角形等其他任意形状。多个触控电极110的排列方式不受限制，可以根据实际需求而定。触控电极110的大小不受限制，例如，在一个示例中，触控电极110的尺寸为5mm*5mm，以满足对手指触摸的检测精度的要求，同时尽可能减少触控电极110的数量。

触控侦测芯片102设置在衬底基板100上，且位于触控有效区101之外。多条触控信号线130与触控侦测芯片102电连接，以实现触控电极110和触控侦测芯片102之间的触控信号传输。当然，触控侦测芯片102也可以设置在衬底基板100之外，例如通过柔性电路板与触控信号线130电连接，例如二者通过设置在衬底基板100上的邦定区域彼此电连接。

在生产加工时，需要将触控信号线130制作在该阵列基板上，以保证实现触控功能。例如，可以在已有的工艺上增加相应的工艺来制作触控信号线130，也可以在已有的工艺中制作触控信号线130。

图2为本公开一实施例提供的一种阵列基板的平面示意图。该阵列基板例如是用于液晶显示面板的阵列基板，该阵列基板上还形成用于驱动液晶材料的阵列结构。该阵列基板可与对置基板彼此对置以形成液晶盒(cell)，在液晶盒中填充有液晶材料，由此得到液晶面板。该对置基板例如为彩膜基板。

参考图2，多条第一信号线210和多条第二信号线220设置在衬底基板100上。衬底基板100作为载体而起支撑、保护等作用，可以为玻璃基板、塑料基板等。第一信号线210沿第一方向(图中的横向)延伸。第二信号线220沿第二方向(图中的纵向)延伸。例如，第一方向与第二方向彼此交叉，例如，相互垂直。当然，本公开的实施例不限于此，第一方向与第二方向可以为任意方向，第一方向与第二方向之间的夹角可以为任意角度。

第一信号线210和第二信号线220位于不同层，例如，第一信号线210在垂直于衬底基板100板面的方向上更靠近衬底基板100。当然，本公开的实施例不限于此，第一信号线210和第二信号线220彼此之间的位置关系可以根据实际需求而定，例如，第二信号线220也可以在垂直于衬底基板100板面的方向上更靠近衬底基板100。

例如，第一信号线210可以为栅线，配置为传输栅信号。第二信号线220可以为显示数据线，配置为传输显示数据信号。需要说明的是，本公开的各实施例中，第一信号线210和第二信号线220传输的信号类型不受限制，第一信号线210也可以为显示数据线从而传输显示数据信号，第二信号线220也可以为栅线从而传输栅信号。为了简化起见，在下面的说明中以第一信号线210为栅线而第二信号线220为显示数据线为例进行说明。

多条触控信号线130设置在衬底基板100上且沿第二方向延伸。当然，本公开的实施例不限于此，触控信号线130也可以沿第一方向延伸，可以根据实际需求而定。触控信号线130可以为金属信号线，例如铝或铝合金、铜或铜合金等，以降低触控信号线130的电阻，提高检测精度。当然，触控信号线130也可以为透明导电材料，例如氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)或氧化铟锌(Indium Zinc Oxide,IZO)等，还可以为其他适用的材料，本公开的实施例对此不作限制。触控信号线130包括第一触控线部分131和第二触控线部分132。

第一触控线部分131与第一信号线210位于同一层，可以在制作第一信号线210的工艺中同时制作第一触控线部分131，从而不需要增加额外的工艺。第一触控线部分131与至少一条第二信号线220在垂直于衬底基板100板面的方向上重叠，以降低对阵列基板的开口率的影响，提高使用该阵列基板的显示装置的显示质量，以及降低其运行时的功耗。第一触控线部分131与第二信号线220可以完全重叠，也可以部分重叠，这可以根据第一触控线部分131和第二信号线220各自的宽度以及工艺而定。例如，在一个示例中，第一触控线部分131与至少一条第二信号线220部分重叠，从而可以降低对工艺精度的要求，便于加工。例如，在另一个示例中，第一触控线部分131与至少一条第二信号线220完全重叠，从而可以进一步降低对开口率的影响。

第二触控线部分132与第一信号线210设置在不同层。例如，在一个示例中，第二触控线部分132可以与第二信号线220设置在同一层，从而可以在制作第二信号线220的工艺中同时制作第二触控线部分132，从而不需要增加额外的工艺。第一触控线部分131和第二触控线部分132通过形成在二者之间的绝缘层中形成的第一过孔140电连接。

需要说明的是，本公开的各实施例中，触控信号线130可以包括多个部分，多个部分的数量不受限制，不局限于第一触控线部分131和第二触控线部分132，例如，也可以包括三个部分或四个部分等。多个部分彼此之间的位置关系不受限制，可以根据实际需求而定。

例如，该阵列基板还可以包括触控电极110(图2中未示出)，触控信号线130通过触控连接过孔120与触控电极110电连接(参见图1)，以传输触控信号。例如，触控连接过孔120将第二触控线部分132与触控电极110电连接。当然，本公开的实施例不限于此，触控连接过孔120也可以将第一触控线部分131与触控电极110电连接，这可以根据第一触控线部分131和第二触控线部分132的具体位置而定。每一条触控信号线130可以通过一个或多个触控连接过孔120与对应的触控电极110电连接。例如，在一个示例中，每一条触控信号线130通过多个触控连接过孔120与对应的触控电极110电连接，以减小接触电阻，提高信号质量。

触控电极110可以是专门用于触控检测的电极，也可以由用于显示的公共电极复用得到，本公开的实施例对此不作限制。例如，在一个示例中，用于显示的公共电极包括彼此并列设置的多个子电极，子电极复用为触控电极110，每个子电极与相应的触控信号线130通过触控连接过孔120对应电连接。这种方式可以使阵列基板的集成度较高，厚度较薄，而且不会导致构图工艺的增加，有利于降低生产成本，提高生产效率。每个子电极可以与一条或多条触控信号线130电连接，本公开的实施例对此不作限制。

例如，由于触控精度(毫米级)与显示精度(微米级)不同，触控信号线130的数量可以少于第二信号线220的数量，因此阵列基板还可以包括在未设置触控信号线130的位置的虚拟信号线150(Dummy)，这些虚拟信号线150与触控信号线130在形状、尺寸等方面可以相同或基本相同，以用于保证可制造性和工艺的均一性，降低噪声干扰。多条虚拟信号线150设置在衬底基板100上且沿第二方向延伸。虚拟信号线150可以与触控电极110电连接，也可以不与触控电极110电连接。当然，本公开的实施例不限于此，是否设置虚拟信号线150，以及虚拟信号线150的数量、材料、延伸方向、设置方式和连接方式等都不受限制，可以根据实际需求而定。

例如，虚拟信号线150包括第一虚拟线部分151和第二虚拟线部分152。第一虚拟线部分151和第二虚拟线部分152的设置方式等特征与第一触控线部分131和第二触控线部分132相似，此处不再赘述。需要说明的是，第一虚拟线部分151和不与触控信号线130重叠的第二信号线220之中的至少一条在垂直于衬底基板100板面的方向上至少部分重叠。第一虚拟线部分151和第二虚拟线部分152可以通过形成在二者之间的绝缘层中形成的第二过孔160电连接。

例如，该阵列基板还包括由第一信号线210和第二信号线220交叉界定的多个子像素，例如，用于显示红光的第一子像素R(即红色子像素)、用于显示绿光的第二子像素G(即绿色子像素)和用于显示蓝光的第三子像素B(即蓝色子像素)。当对置基板为彩膜基板时，彩膜基板上的红色子像素、绿色子像素以及蓝色子像素分别与第一子像素R、第二子像素G和第三子像素B对应。每个子像素包括薄膜晶体管230。薄膜晶体管230作为开关元件，可以为顶栅型或底栅型薄膜晶体管，多个薄膜晶体管230也可以既包括顶栅型薄膜晶体管又包括底栅型薄膜晶体管。薄膜晶体管230可以为氧化物薄膜晶体管，也可以为其他类型的晶体管，例如非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管等。第一触控线部分131或第二触控线部分132与薄膜晶体管230在垂直于衬底基板100板面的方向上不重叠，以避免信号干扰，防止电路短接。同样地，第一虚拟线部分151或第二虚拟线部分152与薄膜晶体管230在垂直于衬底基板100板面的方向上也不重叠。

需要说明的是，本公开的各实施例中，阵列基板可以包括更多或更少的结构，各个结构的相对位置关系不受限制，可以根据实际需求而定。

图3为本公开一实施例提供的另一种阵列基板的平面示意图。参考图3，除了还进一步包括连接部分170外，该实施例的阵列基板与图2中描述的阵列基板基本上相同。在该实施例中，连接部分170与第一触控线部分131位于同一层，且沿第一方向延伸。连接部分170将多条相邻的触控信号线130电连接，从而使多条触控信号线130在整体上等价于一条触控信号线，以减小传导电阻，提高信号质量。例如，连接部分170与多条触控信号线130的第一触控线部分131电连接。例如，通过连接部分170相连的多条触控信号线130由同一个触控电极110(图3中未示出)覆盖，由不同的触控电极110覆盖的触控信号线130之间不通过连接部分170连接，以避免信号短接而导致无法实现触控功能。

需要说明的是，本公开的各实施例中，连接部分170的设置位置不受限制，可以与第一触控线部分131设置在同一层，也可以与第二触控线部分132设置在同一层，还可以设置在其他层并通过过孔与第一触控线部分131或第二触控线部分132电连接。连接部分170的延伸方向不受限制，可以为第一方向、第二方向或其他任意方向。通过连接部分170相连的触控信号线130的数量不受限制，可以为2条、3条或其他任意条，这可以根据触控信号线130和触控电极110的具体设置方式而定。连接部分170的材料可以采用金属或透明导电材料等，本公开的实施例对此不作限制。

图4为本公开一实施例提供的一种阵列基板的触控电极的间隙区域的平面示意图。参考图4，第一间隙区域310(图4中点划线包围的区域)为沿第一方向排列的相邻的触控电极110(图4中未示出)之间的间隙区域，第二间隙区域320(图4中双点划线包围的区域)为沿第二方向排列的相邻的触控电极110之间的间隙区域。触控信号线130与第一间隙区域310不重叠，即触控信号线130不设置在第一间隙区域310内。这样可以保证触控信号线130均由触控电极110覆盖，以减小信号干扰，提高信号质量。第三过孔(即触控连接过孔120)与第一间隙区域310和第二间隙区域320均不重叠，即第三过孔不设置在第一间隙区域310和第二间隙区域320内，这样可以简化生产工艺。需要说明的是，本公开的各实施例中，第一间隙区域310和第二间隙区域320的大小、数量和方向不受限制，可以根据触控电极110的数量和排列方式而定。

图5为本公开一实施例提供的另一种阵列基板的触控电极的间隙区域的平面示意图。参考图5，该阵列基板包括虚拟信号线150。虚拟信号线150通过第四过孔180与触控电极110(图5中未示出)电连接。虚拟信号线150不设置在第二间隙区域320内。例如，第一虚拟线部分151和/或第二虚拟线部分152在第二间隙区域320内断开，以防止将多个触控电极110短接。当然，本公开的实施例不限于此，虚拟信号线150在第二间隙区域320内的设置方式可以根据实际需求而定。例如，在其他示例中，当虚拟信号线150不与触控电极110电连接，即省略第四过孔180时，虚拟信号线150可以设置在第二间隙区域320内，这样不会导致多个触控电极110短接。

图6为本公开一实施例提供的一种阵列基板沿图2中A-A'方向的剖面示意图，图7为本公开一实施例提供的一种阵列基板沿图2中B-B'方向的剖面示意图。现结合图6和图7对该阵列基板的制备工艺进行说明。该阵列基板可以采用基于低温多晶硅技术(Low Temperature Poly-silicon,LTPS)的9Mask工艺(9次掩模工艺和2次沉积工艺)制备，无需增加额外的工艺即可制备触控信号线130，生产成本低。当然，该阵列基板也可以采用其他工艺和顺序制备，本公开的实施例对此不作限制。

以9Mask工艺为例，首先进行遮光层410构图，在衬底基板100上通过掩模工艺形成遮光层410。遮光层410用于防止形成在其上的薄膜晶体管中的有源层(例如多晶硅、非晶硅或氧化物半导体等)受到例如来自衬底基板100背侧(图中的下侧)的强光照射而产生光生载流子而导致其开关性能下降。遮光层410可以采用金属或金属氧化物等材料来制备。

缓冲层420设置在衬底基板100上且覆盖遮光层410以及其余板面，以防止衬底基板100中的杂质(例如金属离子)扩散到薄膜晶体管中的有源层、栅绝缘层等之中。缓冲层420可以通过沉积工艺制备。缓冲层420可以采用无机材料，也可以采用有机材料。

有源层430设置在缓冲层420上以提供沟道区域，且与遮光层410在垂直于衬底基板100板面的方向上重叠。有源层430可以采用掩模工艺制备。有源层430可以采用非晶硅、多晶硅、金属氧化物或其他适用的材料。该阵列基板还包括源极/漏极，例如，源极/漏极可以与有源层430设置在同一层且直接搭接在有源层430的两端。栅绝缘层440设置在有源层430上，起到绝缘、隔离等作用，可以通过沉积工艺制备。栅绝缘层440可以采用硅氮化物、硅氧化物或其他适用的材料。

第一信号线210、第一触控线部分131和栅极450设置在栅绝缘层440上，可以采用金属、透明导电材料或其他适用的材料。例如，第一信号线210、第一触控线部分131和栅极450可以通过同一道掩模工艺制备。第一绝缘层460设置在栅绝缘层440上且覆盖第一信号线210、第一触控线部分131和栅极450。第一绝缘层460可以采用掩模工艺制备，可以采用硅氮化物、硅氧化物或其他适用的材料。

源极/漏极接触电极470和第二触控线部分132设置在第一绝缘层460上，第二信号线220(图6和图7中未示出)也设置在第一绝缘层460上且与第二触控线部分132和源极/漏极接触电极470位于同一层。例如，源极/漏极接触电极470、第二触控线部分132和第二信号线220可以通过同一道掩模工艺制备。第二触控线部分132通过设置在第一绝缘层460上的第一过孔140与第一触控线部分131电连接。源极/漏极接触电极470通过贯穿第一绝缘层460和栅绝缘层440的第五过孔471和与有源层430位于同一层的源极/漏极电连接。第二信号线220至少一部分与源极/漏极接触电极470电连接，例如，与源极接触电极电连接或者与漏极接触电极电连接。第二绝缘层480设置在第一绝缘层460上，且覆盖源极/漏极接触电极470、第二触控线部分132和第二信号线220。第二绝缘层480可以通过掩模工艺制备，可以采用硅氮化物、硅氧化物或其他适用的材料。

公共电极490设置在第二绝缘层480上，可以通过掩模工艺制备。公共电极490通过设置在第二绝缘层480上的触控连接过孔120与第二触控线部分132电连接。公共电极490不仅在进行显示时工作，还通过分时复用的方式用作触控电极110以进行触控检测。公共电极490可以采用透明导电材料或其他适用的材料。第三绝缘层500设置在公共电极490上，可以通过掩模工艺制备。第三绝缘层500可以采用硅氮化物或其他适用的材料。

像素电极510设置在第三绝缘层500上，用于在充电后为液晶分子提供偏转电场。像素电极510通过贯穿第三绝缘层500和第二绝缘层480的第六过孔511与源极/漏极接触电极470电连接。例如，当第二信号线220与源极接触电极电连接时，像素电极510与漏极接触电极电连接。例如，当第二信号线220与漏极接触电极电连接时，像素电极510与源极接触电极电连接。当给栅极450施加栅信号时，有源层430导通，显示数据信号从第二信号线220通过有源层430传输到像素电极510，以对像素电极510进行充电。像素电极510可以通过掩模工艺制备，可以采用透明导电材料或其他适用的材料。

本公开至少一个实施例还提供一种触控显示面板，包括本公开任一实施例所述的阵列基板。在制备该触控显示面板时，可以利用已有工艺制作触控信号线，不会增加掩模工艺，生产成本低，且不会降低开口率，不影响显示质量。

图8为本公开一实施例提供的一种触控显示面板的框图。参考图8，触控显示面板600包括阵列基板610。阵列基板610为本公开任一实施例所述的阵列基板。需要说明的是，本公开的各实施例中，触控显示面板600的种类不受限制。例如，触控显示面板600可以为液晶显示面板或有机发光二极管显示面板等。例如，液晶显示面板可以为扭转向列(Twisted Nematic,TN)型液晶显示面板，也可以为高级超维场开关(Adwanced Dimension Switch,ADS)型液晶显示面板或平面内开关(In-Plane Switch,IPS)型液晶显示面板等。触控显示面板600可以应用于显示器、手机、平板电脑、笔记本电脑、电子书、游戏机、电视机、数码相框、导航仪等任何具有显示功能和触控功能的产品或部件中。

本公开至少一个实施例还提供一种阵列基板的制造方法。该方法包括：在衬底基板上形成沿第一方向延伸的多条第一信号线和沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的多条触控信号线的第一触控线部分；在所述多条第一信号线和所述第一触控线部分上形成沿所述第二方向延伸的多条第二信号线和沿所述第二方向延伸的多条触控信号线的第二触控线部分。所述第一触控线部分与所述第一信号线位于同一层，且与至少一条所述第二信号线在垂直于所述衬底基板板面的方向上至少部分重叠，所述第二触控线部分与所述第一信号线位于不同层，所述第一触控线部分与所述第二触控线部分通过第一过孔电连接。该方法可制造如上所述的任一实施例的阵列基板，可以利用已有工艺制作触控信号线，不会增加掩模工艺，生产成本低，且不会降低开口率，不影响显示质量。

图9为本公开一实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图。参考图9，该方法包括以下步骤：

步骤S710：在衬底基板上形成沿第一方向延伸的多条第一信号线和沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多条触控信号线的第一触控线部分；

步骤S720：在多条第一信号线和第一触控线部分上形成沿第二方向延伸的多条第二信号线和沿第二方向延伸的多条触控信号线的第二触控线部分。

例如，第一信号线、第二信号线、第一触控线部分和第二触控线部分可以采用掩模工艺制备。第一触控线部分与第一信号线位于同一层，且与至少一条第二信号线在垂直于衬底基板板面的方向上至少部分重叠。第二触控线部分与第一信号线位于不同层，第一触控线部分与第二触控线部分通过第一过孔电连接。

需要说明的是，本公开的各实施例中，阵列基板的制造方法不局限于上面描述的步骤和顺序，还可以包括更多或更少的步骤，各个步骤之间的顺序可以根据实际需求而定。

有以下几点需要说明：

(1)本公开实施例附图只涉及到本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(2)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。