浸润式曝光后移除残留水滴的装置的制作方法

本实用新型涉及半导体储存器技术，特别涉及内存组件装置构造及流程，尤其涉及浸润式曝光后移除残留水滴的装置。

背景技术：

随着半导体制造技术持续地发展，进入到更小的特征尺寸阶段，例如65nm、45nm及以下技术节点，业内逐步开始采用了浸润式光刻工艺。

浸润式光刻工艺通常包括在半导体晶片上表面(例如，薄膜叠层)涂布光刻胶、以及之后对该光刻胶曝光以得到图案。在使用浸润式光刻装置的曝光期间，可以使用去离子水填满曝光镜头与光刻胶表面之间的空间，以增加聚焦景深的适用范围。之后，可以进行一个或多个曝光后烘烤和/或其它工艺，以使上述高分子致密和/或使任何在其它目标间的溶剂蒸发。接着，可以借由显影移除曝光后不需要的光刻胶，可以使用如四甲基氢氧化铵的显影溶液得到所需要的光刻胶图案。接着，可以进行去离子水清洗以移除水溶性高分子或其它溶解的光刻胶成分，并可以进行旋转干燥工艺以干燥晶片。之后，可以移动曝光、显影后的晶片进行后续工艺，或者也可以在借由烘烤以使光刻胶表面的水汽蒸发后再进行移动。对于现有的浸润式光刻工艺，由于曝光过程中，在晶圆和透镜之间的水相对于晶圆而言是随着晶圆的移动而移动的，并且水自身也是被供水系统作用而流动，因此相对运动的水就会残留在光刻胶表面。残留的水会使光刻胶表面产生析出物，上述析出物在后续烘烤之后会仍然残留在光刻胶表面，形成圆圈状的缺陷，上述圆圈状的缺陷在后续显影步骤时就会影响到图形的显影效果，出现水印缺陷，并最终影响到产品的良率。

一般地，应用浸润式曝光后清洗(PIR，post immersion rinse)工艺能够减少上述水印缺陷。

现有技术中的浸润式曝光后清洗工艺，如图1所示，首先将晶圆移入浸润式曝光后清洗工艺腔室的载台上，该腔室中具有去离子水喷嘴。接着去离子水喷嘴移至晶圆的上方并与晶圆的中心对准。再接着去离子水喷嘴喷出去离子水，在此期间晶圆旋转，由去离子水将晶圆表面的水滴去除。然后去离子水喷嘴停止喷水。去离子水喷嘴在喷水后移回原位，晶圆以一更高的转速旋转，使晶圆表面完全干燥。但是，上述传统的浸润式曝光后清洗工艺仍然会存在一些问题：虽然水在晶圆表面的残留得到了大幅度降低，晶圆的大部分区域解决了水印缺陷问题，但是在晶圆的边缘部分，特别是靠近边缘10mm范围内，由于光刻胶平整度、边缘去胶等原因，尤其如果阀门出现问题，水会滴落在晶圆表面，此范围内的曝光后水印缺陷几率仍然过高。

专利(公开号：CN101071274A)公开了一种使用浸润式光刻工艺制造半导体器件的方法，所述半导体器件通过如下步骤制造：利用用于除胺的化学过滤器过滤空气；以及在(i)用水清洗所述光阻膜之后且在曝光工序之前，或(ii)用水清洗所述光阻膜之后且在后烘工序之前，将所述已过滤空气施加于在半导体基板上形成的光阻膜上，该方法耗时较多，并且改善的效果并不令人满意。

专利(公开号：CN105717754A)公开了一种显影装置，具有旋涂机构，并进一步包括：晶圆承载台，通过旋转轴进行旋转，并用于承载待工艺处理之晶圆；第一气体喷嘴和第二气体喷嘴，均与外界洁净气体有压管路连接，并分别设置在位于晶圆承载台上之待工艺处理的晶圆上、下两侧，且第一气体喷嘴和第二气体喷嘴之有压气体朝向待工艺处理之晶圆的边缘喷吹，本实用新型结构复杂、操作繁琐，不利于大规模操作。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种浸润式曝光工艺后移除残留水滴的装置，在浸润式曝光工艺之后减少光刻胶表面的水印缺陷。为实现上述技术目的，本实用新型采取的具体的技术方案为：

一种浸润式曝光后移除残留水滴的装置，包括载台以及在所述载台上扫描移动的扫描式液气双相清洁器，所述扫描式液气双相清洁器具有喷嘴，所述喷嘴的喷口包括液体喷口和气体喷口。

作为改进的技术方案，所述气体喷口倾斜朝向所述液体喷口。

作为改进的技术方案，所述液体喷口的宽度小于所述气体喷口的宽度。

作为改进的技术方案，所述液体喷口的宽度介于10毫米～35毫米，所述气体喷口的宽度介于15毫米～45毫米。

作为改进的技术方案，所述扫描式液气双相清洁器具有条状外形，所述扫描式液气双相清洁器的长度大于承载在所述载台上的晶圆直径。

作为改进的技术方案，所述喷嘴的长度介于300毫米～310毫米，所述喷嘴的宽度介于70毫米～90毫米，所述喷嘴的高度介于60毫米～80毫米。

作为改进的技术方案，所述扫描式液气双相清洁器安装在连接浸润式曝光机的后清洗工艺腔室中。

作为改进的技术方案，所述气体喷口内设有导流机构，以调整所述气体喷口的喷气方向。

有益效果

本实用新型提供一种浸润式曝光后移除残留水滴的装置，该装置包括载台及在载台上扫描移动的扫描式液气双相清洁器，扫描式液气双相清洁器具有喷嘴，喷嘴的喷口包括液体喷口和气体喷口，用以改善浸润式曝光后清洗滴落现象。本实用新型的喷嘴在液体喷口喷出清洁液的过程中持续地从晶圆的第一端边缘向晶圆的第二端边缘移动，有效地去除了晶圆表面的水残留，本实用新型的喷嘴在气体喷口喷出吹刮气体的过程中持续地从晶圆的第二端边缘向晶圆的第一端边缘移动，气体喷口喷出的干燥气体能有效帮助晶圆的中间部分去除水印以实现干燥，避免了靠近晶圆的中心位置的向心力不强大所导致的水残留问题。同时由于气体喷口内设有导流机构可以加大气体喷口的吹刮力度，缩短干燥时间。综上所述，本实用新型能够减少光刻胶表面的水印缺陷，提高产品良率。

附图说明

图1绘示为现有技术中浸润式曝光后清洗工艺的示意图。

图2绘示为本实用新型的一种浸润式曝光后移除残留水滴的装置的喷嘴结构图。

图3绘示为本实用新型的一种浸润式曝光后移除残留水滴的装置的喷嘴尖端的结构示意图。

图4绘示为本实用新型的一种浸润式曝光后移除残留水滴的装置的喷嘴尖端的工作原理图。

图5绘示为本实用新型的一种浸润式曝光后移除残留水滴的装置的结构示意图。

图6绘示为本实用新型的一种浸润式曝光后移除残留水滴的装置的喷嘴工作流程图。

图中，1、喷嘴；11、液体喷口；12、气体喷口；121、气体流动方向；122、导流机构；2、晶圆；21、晶圆的第一端边缘；22、晶圆的第二端边缘；3、液体喷口工作时喷嘴的移动方向；4、气体喷口工作时喷嘴的移动方向；5、去离子水喷嘴；6、水印缺陷；7、载台；8、去离子水；9、光刻胶；10、清洁液。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的和技术方案更加清楚，下面将结合本实用新型实施例对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本实用新型所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样定义，不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本申请人研究发现，传统浸润式曝光后清洗工艺，如图1所示，首先将晶圆2移入浸润式曝光后清洗工艺腔室的载台7上，该腔室中具有一去离子水喷嘴5。接着去离子水喷嘴5移至晶圆2的上方并与晶圆2的中心对准。再接着去离子水喷嘴5喷出去离子水8，在此期间晶圆2旋转，由去离子水8将晶圆2表面的水滴去除。然后去离子水喷嘴5停止喷水。去离子水喷嘴5在喷水后移回原位，晶圆2以一更高的转速旋转，使晶圆2表面完全干燥。但是，上述浸润式曝光后清洗工艺仍然会存在一些问题：虽然水在晶圆2表面的残留得到了大幅度降低，晶圆2的大部分区域解决了水印缺陷6问题，但是在晶圆2的边缘部分，特别是靠近边缘10mm范围内，由于光刻胶平整度、边缘去胶等原因，尤其如果阀门出现问题，水会滴落在晶圆表面，此范围内的曝光后水印缺陷6几率仍然过高。

在半导体制备工艺中，浸润式光刻工艺可以包括以下步骤：

(a)在晶圆2的表面涂布光刻胶；

(b)使用浸润式曝光机对晶圆2进行曝光；

(c)以至少约40℃的水来处理晶圆2；

(d)干燥晶圆2；

(e)烘烤所得的晶圆2；

(f)将所得的晶圆2显影，以获得图案。

本实用新型中的浸润式曝光机包含一个影像光源，该影像光源发射一束光能量束，依次通过透镜、遮罩、光学元件模块和具有一光学表面的最外层透镜。透镜可以由氧化硅、熔硅或氟化钙形成，影像光源的波长以450纳米以下为佳，尤其是小于等于193纳米，例如157纳米或193纳米。

在浸润式光刻技术系统中，最外层透镜与半导体基板之间的空间由浸没流体填充。该半导体基板的上表面由一层感光材料层覆盖，使浸没流体与感光材料层直接接触。此外，浸润式曝光机还包括一个晶圆2支撑台座，用来支撑半导体基板。

浸没流体的较佳选择是包含水的流体。例如，该流体可以是纯净水或去离子水。

此外，该感光材料层可以是由高分子结构组成的正光阻，正光阻经曝光后溶解于显影液中，而未经曝光的部分则不溶于显影液。对正光阻而言，适用的显影液可以是四甲基氢氧化氨溶液。

半导体元件基板可以是其上形成有集成电路的半导体基板。例如，半导体元件基板可以是一个具有晶体管的硅晶基板，而半导体元件基板的各单元之间可以由金属层相互连接。

感光材料层可以是光阻层或是其它遮罩材料，感光材料层可以被图形化为十分小的尺寸，该具有十分小尺寸的图形化感光材料层可用途很广，例如，形成多晶硅线(或是其他传导材料)的蚀刻罩幕，还可用来制作长度在50纳米以下的金属氧化物半导体闸极。此外，金属导线(如铜金属镶嵌线)可以在一介电层的沟槽内形成。例如，该介电层可由氧化硅蒸镀在晶圆2上形成。利用该感光材料作为遮罩，在该介电层内形成沟槽，接着填充传导层，然后填平沟槽。

上述晶圆2可以为硅基底、锗硅基底、Ⅲ-Ⅴ族元素化合物基底中的一种或几种，晶圆2的温度为20℃～180℃，晶圆2可采用6寸、8寸或12寸晶圆2，当然晶圆2也可采用更小或更大尺寸的晶圆2，在晶圆2的表面形成导体材料层，导体材料层厚度为220纳米～230纳米，导体材料可以包括铜。

为了解决现有技术中浸润式曝光后清洗工艺中的水滴残留问题，本实用新型提供了一种浸润式曝光后移除残留水滴的装置，如图5所示，该装置包括载台7及在载台上扫描移动的扫描式液气双相清洁器，扫描式液气双相清洁器的具体结构如图3所示，扫描式液气双相清洁器具有喷嘴1，喷嘴1的长度介于300毫米～310毫米，喷嘴1的宽度介于70毫米～90毫米，喷嘴1的高度介于60毫米～80毫米。喷嘴1的喷口包括液体喷口11和气体喷口12。为了达到更好的干燥效果，气体喷口12可以倾斜朝向液体喷口11。如图4所示，气体喷口12内还可以设有导流机构122，以调整气体喷口12的喷气方向朝向液体喷口11。液体喷口11的宽度小于气体喷口12的宽度，液体喷口11的宽度介于10毫米～35毫米，气体喷口12的宽度介于15毫米～45毫米。在实际应用中，上述扫描式液气双相清洁器可以具有条状外形。优选的，扫描式液气双相清洁器的长度大于承载在载台7上的晶圆2直径。具体的，扫描式液气双相清洁器可以安装在连接浸润式曝光机的后清洗工艺腔室中。

本实用新型还可提供一种浸润式曝光后移除残留水滴的方法，包括如下步骤：

步骤1：提供一晶圆2，晶圆2的表面上形成有光刻胶并经过浸润式光刻曝光；

实际应用中，可以将晶圆2平放在涂布台面上，在保证狭缝喷嘴和基板之间精确的间隙基础之上，狭缝喷嘴利用均速泵产生的均匀压力，将光刻胶涂布在晶圆2上，然后通过旋转单元使光刻胶在晶圆2上涂布均匀。将涂布有光刻胶和隔离层材料的晶圆2置于浸润式曝光机中进行曝光；该浸润式曝光机，包括主框架、从上至下依次固定于主框架上的照明系统、投影物镜以及硅片台，硅片台上放置有涂有感光光刻胶的硅片，投影物镜与硅片之间填充有浸液，投影物镜与硅片之间还设有浸没限制机构，浸没限制机构上设有浸液供给开口、抽取开口以及气密封气体进口，浸液供给开口为浸液提供补给，浸液供给开口可以被用作浸液流入流场的进口，也可被用作对流场边缘弯液面在扫描过程中进行浸液补偿的进口；抽取开口连接至分立的负压源，为浸液提供抽排负压；气密封气体进口包括第一气密封气体进口和第二气密封气体进口，第一气密封气体进口和第二气密封气体进口分别连接至分立的正压源，为浸液提供供气正压。工作时，硅片台带动硅片作高速的扫描、步进动作，浸液限制机构根据硅片台的运动状态，在投影物镜的视场范围内，提供一个稳定的浸液流场，同时保证流场与外界的密封，防止浸液泄漏，掩模版上集成电路的图形通过照明系统和投影物镜，浸液以成像曝光的方式，转移到涂有感光光刻胶的硅片上，从而完成曝光。

步骤2：在晶圆2的表面上以第一方向扫描移动方式涂布清洁液10，清洁液10涂布在光刻胶9上；

步骤3：在晶圆2的表面上以第二方向扫描移动方式吹刮清洁液，以带走晶圆2的表面上的残留水滴。

如图3、图6所示，将喷嘴1移至晶圆2的第一端边缘21上方，并开启液体喷口11，在此期间喷嘴1在喷出液体的同时以一预定的移动速度从晶圆2的第一端边缘21向晶圆2的第二端边缘22移动；当将喷嘴1移至晶圆2的第二端边缘22时，关闭液体喷口11，开启气体喷口12，在此期间喷嘴1在喷出气体的同时以另一预定的移动速度从晶圆2的第二端边缘22向晶圆2的第一端边缘21移动；最后当喷嘴1移至晶圆2的第一端边缘21时，关闭气体喷口12。上述第一方向和所述第二方向为反向，步骤2和步骤3由扫描式液气双相清洁器实施，扫描式液气双相清洁器如图3所示，具有喷嘴1，喷嘴1的喷口包括液体喷口11和气体喷口12。优选的，如图4所示，气体喷口12内设有导流机构122，以调整所述气体喷口12的喷气方向朝向所述液体喷口11。

上述步骤2和步骤3中扫描移动的速度介于1公分/秒～10公分/秒。步骤2中所使用的清洁液包括去离子水；步骤3中所使用的吹刮气体包括氮气。步骤2中去离子水的液流量介于1600毫升/分钟～1900毫升/分钟；步骤3中氮气的气流强度介于5千帕～11千帕。

在实际操作过程中，上述方法还可以包括步骤4：将经过步骤3处理的晶圆2放置于显影装置中进行烘焙、显影，以完成光刻曝光显影工艺流程。具体方法为：⑴提供旋转装置以第一次旋转转速带动晶圆2，持续时间T1为1秒，第一次旋转转速为2000转/分～3000转/分，且闭合电磁阀向显影液喷淋装置的泵触发加压信号使泵加压；⑵继续步骤1中旋转转速带动晶圆2，持续时间T2为2秒，且漂洗液喷淋装置喷洒去离子水以冲洗晶圆2；⑶上述显影液喷淋装置采用三步喷液法向晶圆2喷洒显影液；⑷旋转装置第二次旋转晶圆2，并用漂洗液喷淋装置冲洗晶圆2上废液且该废液由下排管排出；⑸增加旋转装置的第二次旋转转速甩干晶圆2。

下面结合实施例对本实用新型提供的浸润式曝光后移除残留水滴的装置及使用该装置改善浸润式曝光后清洗滴落现象的方法进行详细描述。

本实用新型中的浸润式曝光机包含一个影像光源，该影像光源发射一束光能量束，依次通过透镜、遮罩、光学元件模块和具有一光学表面的最外层透镜。透镜可以由氧化硅形成，影像光源的波长小于等于193纳米。

在浸润式光刻技术系统中，最外层透镜与半导体基板之间的空间由浸没流体填充。该半导体基板的上表面由一层感光材料层覆盖，使浸没流体与感光材料层直接接触。此外，浸润式曝光机还包括一个晶圆2支撑台座，用来支撑半导体基板。

浸没流体的较佳选择是去离子水。

此外，该感光材料层可以是由高分子结构组成的正光阻，正光阻经曝光后溶解于显影液中，而未经曝光的部分则不溶于显影液。对正光阻而言，适用的显影液可以是四甲基氢氧化氨溶液。

半导体元件基板可以是其上形成有集成电路的半导体基板。感光材料层可以是光阻层，感光材料层可以被图形化为十分小的尺寸，该具有十分小尺寸的图形化感光材料层可用途很广。

上述晶圆2可以为硅基底，晶圆2的温度为20℃～180℃，晶圆2可采用12寸晶圆2，当然在其他实施例中，晶圆2也可采用更小或更大尺寸的晶圆2，在晶圆2的表面形成导体材料层，导体材料层厚度为220纳米～230纳米，导体材料可以包括铜。

为了解决现有技术中浸润式曝光后清洗工艺中的残留水滴的问题，本实用新型实施例提供了一种浸润式曝光后移除残留水滴的装置，如图5所示，该装置包括载台7以及在载台上扫描移动的扫描式液气双相清洁器，扫描式液气双相清洁器的具体结构如图3所示，具有喷嘴1，喷嘴1的长度介于300毫米～310毫米，喷嘴1的宽度介于70毫米～90毫米，喷嘴1的高度介于60毫米～80毫米。喷嘴1的喷口包括液体喷口11和气体喷口12。为了达到更好的干燥效果，气体喷口12可以倾斜朝向所述液体喷口11。如图4所示，气体喷口12内还可以设有导流机构122，以调整所述气体喷口12的喷气方向朝向液体喷口11。液体喷口11的宽度小于气体喷口12的宽度，液体喷口11的宽度介于10毫米～35毫米，气体喷口12的宽度介于15毫米～45毫米。在实际应用中，上述扫描式液气双相清洁器可以具有条状外形。优选的，扫描式液气双相清洁器的长度大于承载在载台7上的晶圆2直径，具体的，扫描式液气双相清洁器可以安装在连接浸润式曝光机的后清洗工艺腔室中。

本实用新型实施例还提供一种浸润式曝光后移除残留水滴的方法，包括如下步骤：

步骤1：提供一晶圆2，所述晶圆2的表面上形成有光刻胶并经过浸润式光刻曝光。实际应用中，可以将晶圆2平放在涂布台面上，在保证狭缝喷嘴和基板之间精确的间隙基础之上，狭缝喷嘴利用均速泵产生的均匀压力，将光刻胶涂布在晶圆2上，然后通过旋转单元使光刻胶在晶圆2上涂布均匀。将涂布有光刻胶和隔离层材料的晶圆2置于浸润式曝光机中进行曝光；该浸润式曝光机，包括主框架、从上至下依次固定于主框架上的照明系统、投影物镜以及硅片台，硅片台上放置有涂有感光光刻胶的硅片，投影物镜与硅片之间填充有浸液，投影物镜与硅片之间还设有浸没限制机构，浸没限制机构上设有浸液供给开口、抽取开口以及气密封气体进口，浸液供给开口为浸液提供补给，具体实施例中，浸液供给开口可以被用作浸液流入流场的进口，也可被用作对流场边缘弯液面在扫描过程中进行浸液补偿的进口；抽取开口连接至分立的负压源，为浸液提供抽排负压；气密封气体进口包括第一气密封气体进口和第二气密封气体进口，第一气密封气体进口和第二气密封气体进口分别连接至分立的正压源，为浸液提供供气正压。工作时，硅片台带动硅片作高速的扫描、步进动作，浸液限制机构根据硅片台的运动状态，在投影物镜的视场范围内，提供一个稳定的浸液流场，同时保证流场与外界的密封，防止浸液泄漏，掩模版上集成电路的图形通过照明系统和投影物镜，浸液以成像曝光的方式，转移到涂有感光光刻胶的硅片上，从而完成曝光。

步骤2：在所述晶圆2的表面上以第一方向扫描移动方式涂布清洁液，清洁液10涂布在光刻胶9上；

步骤3：在所述晶圆2的表面上以第二方向扫描移动方式吹刮所述清洁液，以带走所述晶圆2的表面上的残留水滴。

如图3，图6所示，将喷嘴1移至晶圆2的第一端边缘21上方，并开启液体喷口11，在此期间喷嘴1在喷出液体的同时以一预定的移动速度从晶圆2的第一端边缘21向晶圆2的第二端边缘22移动；当将喷嘴1移至晶圆2的第二端边缘22时，关闭液体喷口11，开启气体喷口12，在此期间喷嘴1在喷出气体的同时以一预定的移动速度从晶圆2的第二端边缘22向晶圆2的第一端边缘21移动；最后当喷嘴1移至晶圆2的第一端边缘21时，关闭气体喷口12。上述第一方向和第二方向为反向，步骤2和步骤3由扫描式液气双相清洁器实施，扫描式液气双相清洁器如图3所示，具有喷嘴1，喷嘴1的喷口包括液体喷口11和气体喷口12。优选的，如图4所示，气体喷口12内设有导流机构122，以调整所述气体喷口12的喷气方向朝向所述液体喷口11。步骤2和步骤3中扫描移动的速度介于1公分/秒～10公分/秒。步骤2中所使用的清洁液包括去离子水；步骤3中所使用的吹刮气体包括氮气。步骤2中去离子水的液流量介于1600毫升/分钟～1900毫升/分钟；步骤3中氮气的气流强度介于5千帕～11千帕。

在实际操作过程中，上述方法还可以包括步骤4：将经过步骤3处理的晶圆2放置于显影装置中进行烘焙、显影，以完成光刻曝光显影工艺流程。将经过步骤3处理的晶圆2放置于显影装置中进行烘焙、显影，并结束光刻工艺流程，具体方法为：⑴提供旋转装置以第一次旋转转速带动晶圆2，持续时间T1为1秒，第一次旋转转速为2000转/分～3000转/分，且闭合电磁阀向显影液喷淋装置的泵触发加压信号使泵加压；⑵继续步骤1中旋转转速带动晶圆2，持续时间T2为2秒，且漂洗液喷淋装置喷洒去离子水以冲洗晶圆2；⑶上述显影液喷淋装置采用三步喷液法向晶圆2喷洒显影液；⑷旋转装置第二次旋转晶圆2，并用漂洗液喷淋装置冲洗晶圆2上废液且该废液由下排管排出；⑸增加旋转装置的第二次旋转转速甩干晶圆2。

综上，本实用新型提供了一种浸润式曝光后移除残留水滴的装置，该装置包括载台7及在载台上扫描移动的扫描式液气双相清洁器，扫描式液气双相清洁器具有喷嘴1，喷嘴1的喷口包括液体喷口11和气体喷口12，用以改善浸润式曝光后清洗滴落现象。同时本实用新型还提供一种浸润式曝光后移除残留水滴的方法，包括提供一晶圆2，晶圆2的表面上形成有光刻胶9并经过浸润式光刻曝光；在晶圆2的表面上以第一方向扫描移动方式涂布清洁液；在晶圆2的表面上以第二方向扫描移动方式吹刮清洁液，以带走晶圆2的表面上的残留水滴。本实用新型的喷嘴1在液体喷口11喷出清洁液的过程中持续地从晶圆2的第一端边缘21向晶圆2的第二端边缘22移动，有效地去除了晶圆2表面的水残留，本实用新型的喷嘴1在气体喷口12喷出吹刮气体的过程中持续地从晶圆2的第二端边缘22向晶圆2的第一端边缘21移动，气体喷口12喷出的干燥气体能有效帮助晶圆2的中间部分去除水印以实现干燥，避免了靠近晶圆2的中心位置的向心力不强大所导致的水残留问题，同时由于气体喷口12内设有导流机构122可以加大气体喷口12的吹刮力度，缩短干燥时间，本实用新型能够减少光刻胶9表面的水印缺陷，提高产品良率。

以上仅为本实用新型的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些均属于本实用新型的保护范围。