用于半导体光刻工艺的简易去边装置的制作方法

本实用新型特别涉及一种用于半导体光刻工艺的简易去边装置，属于半导体制造技术领域。

背景技术：

目前在半导体晶圆制造领域的光刻工序中，在曝光之前，一般都需要将基片边缘的厚胶边去除，以提高光刻线条的质量，并且减少与光刻板之间的黏附污染。去边工艺一般有两种，一种是在旋涂光刻胶的时候，使用去边液冲洗晶圆边缘。这种工艺只适用于基底是规则圆形的情况。另一种方法是曝光去边。这种方法是使用一张去边光刻板，基底中心区域不曝光，边缘被曝光，然后将边缘被曝光的光刻胶用显影液去除。这种方法需要单独设计和制作光刻板，不够灵活方便，且成本较高。

技术实现要素：

本实用新型的主要目的在于提供一种用于半导体光刻工艺的简易去边装置，以克服现有技术中的不足。

为实现前述实用新型目的，本实用新型采用的技术方案包括：

本实用新型实施例提供了一种用于半导体光刻工艺的简易去边装置，其特征在于包括至少能够阻止紫外光透过的去边盘以及与所述去边盘连接的间距调节机构，所述间距调节机构至少用以调节所述去边盘与表面覆盖有光刻胶的基体之间的距离。

在一些较为具体的实施方案中，所述间距调节机构包括与所述去边盘连接的两个以上高度可调的支撑柱。

在一些较为具体的实施方案中，所述支撑柱包括与研磨盘螺纹连接的调节螺丝，所述调节螺丝的一端能够与覆盖在基体上的光刻胶接触。

进一步的，所述调节螺丝设置于去边盘的两侧。

在一些较为具体的实施方案中，所述支撑柱包括与研磨盘固定连接的可伸缩的套管，所述可伸缩的套管的一端能够与覆盖在基体上的光刻胶接触。

进一步的，所述可伸缩的套管设置于去边盘的一侧或两侧。

在一些较为具体的实施方案中，两个以上个支撑柱设置于去边盘的四周缘部。

进一步的，所述支撑柱与去边盘之间的角度大于0°且小于180°。

优选的，所述支撑柱与去边盘之间的角度为90°，即所述支撑柱与去变盘垂直。

在一些较为具体的实施方案中，在所述去边盘上还设置有取放把手。

在一些较为具体的实施方案中，所述去边盘的形状包括圆形或多边形，但不限于此。

与现有技术相比，本实用新型提供的用于半导体光刻工艺的简易去边装置，结构简单、制作灵活、周期短，制作成本低；以及本实用新型提供的简易去边装置可以通过曝光、显影的方式实现去边，成本较低，并且能够适应多种形状的基底、灵活方便。

附图说明

图1是本实用新型一典型实施案例中一种用于半导体光刻工艺的简易去边装置的结构示意图；

图2是采用本实用新型一典型实施案例提供的一种用于半导体光刻工艺的简易去边装置进行曝光去边的结构原理示意图。

具体实施方式

鉴于现有技术中的不足，本案发明人经长期研究和大量实践，得以提出本实用新型的技术方案。如下将对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。

本实用新型实施例提供了一种用于半导体光刻工艺的简易去边装置，其特征在于包括至少能够阻止紫外光透过的去边盘以及与所述去边盘连接的间距调节机构，所述间距调节机构至少用以调节所述去边盘与表面覆盖有光刻胶的基体之间的距离。

在一些较为具体的实施方案中，所述间距调节机构包括与所述去边盘连接的两个以上高度可调的支撑柱。

在一些较为具体的实施方案中，所述支撑柱包括与研磨盘螺纹连接的调节螺丝，所述调节螺丝的一端能够与覆盖在基体上的光刻胶接触。

进一步的，所述调节螺丝设置于去边盘的两侧。

在一些较为具体的实施方案中，所述支撑柱包括与研磨盘固定连接的可伸缩的套管，所述可伸缩的套管的一端能够与覆盖在基体上的光刻胶接触。

进一步的，所述可伸缩的套管设置于去边盘的一侧或两侧。

在一些较为具体的实施方案中，两个以上个支撑柱设置于去边盘的四周缘部。

进一步的，所述支撑柱与去边盘之间的角度大于0°且小于180°。

优选的，所述支撑柱与去边盘之间的角度为90°，即所述支撑柱与去变盘垂直。

在一些较为具体的实施方案中，在所述去边盘上还设置有取放把手。

在一些较为具体的实施方案中，所述去边盘的形状包括圆形或多边形，但不限于此。

如下将结合附图对该技术方案、其实施过程及原理等作进一步的解释说明。

请参阅图1，本实用新型实施例提供了一种用于半导体光刻工艺的简易去边装置，其可以包括至少能够阻止紫外光透过的去边盘1以及与去边盘1连接的间距调节机构，间距调节机构至少用以调节所述去边盘1与表面覆盖有光刻胶4的基体5之间的距离，其中，间距调节机构包括与去边盘1连接的两个以上高度可调的支撑柱2。

在一些较为具体的实施方案中，去边盘1具有背对设置的第一表面(即上表面)11和第二表面(即下表面)12，在去边盘1的第一表面11上固定设置有取放把手3，支撑柱2采用三个调节螺丝，调节螺丝2的工作端(工作端即调节螺丝与光刻胶接触的一端)由去边盘1的第一表面11穿入并由第二表面12穿出，调节螺丝2与去边盘1垂直设置(即调节螺丝的轴向方向与去边盘的第一表面和/或第二表面所在平面之间的夹角为90°，第一平面和第二平面平行；当然调节螺丝的轴向方向与去边盘的第一表面和/或第二表面所在平面之间的夹角还可以是其他介于0°-180°之间的其他角度，即调节螺丝可以相对于去边盘倾斜设置)，至少能够通过旋转调节螺丝2调节位于去边盘第二表面一侧调节螺丝的长度，进而实现调节去边盘1与表面覆盖有光刻胶4的基体5之间的距离，并对去变盘进行调平。

具体的，请参阅图2，先将匀胶好的基底5放入光刻机待曝光区域中，然后再将所述的用于半导体光刻工艺的简易去边装置目视居中以后，放置到基底的光刻胶层4上，其中调节螺丝2的工作端与光刻胶层4直接接触，去边板1与光刻胶层4无直接接触，通过旋转调节螺丝2对去边板1与光刻胶层4的间隙进行调节，并使去边盘与基底5平行，然后进行曝光和显影去边，使暴露在用于半导体光刻工艺的简易去边装置以外的区域41被曝光去除。

在一些较为具体的实施方案中，支撑柱还可以采用可伸缩的套管，支撑柱与去边盘固定连接，并呈0°-180°的夹角，优选为90°；至少通过支撑柱的自伸缩实现对去边盘1与表面覆盖有光刻胶4的基体5之间的距离的调节。

需要说明的是，去边盘的形状可以是圆形或多边形或其他与要基底配合的形状；去边盘的材质可以是不透过紫外光的材料，取放把手可以与去边盘一体设置，支撑柱的材质可以采用与去边盘相同的材料，或其他能够实现本实用新型目的的其他材料。

与现有技术相比，本实用新型提供的用于半导体光刻工艺的简易去边装置，结构简单、制作灵活、周期短，制作成本低；以及本实用新型提供的简易去边装置可以通过曝光、显影的方式实现去边，成本较低，并且能够适应多种形状的基底、灵活方便。

应当理解，上述实施例仅为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。