1.一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：(a)工序，在半导体基板上涂布包含水解缩合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物并进行烧成而形成抗蚀剂下层膜，所述水解缩合物是在强酸的存在下在非醇溶剂中，将水解性硅烷进行水解并缩合而获得的；(b)工序，在所述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂用组合物而形成抗蚀剂膜；(c)工序，对所述抗蚀剂膜进行曝光；(d)工序，在曝光后将抗蚀剂进行显影而获得经图案化的抗蚀剂膜；(e)工序，利用所述经图案化的抗蚀剂膜对抗蚀剂下层膜进行蚀刻；(f)工序，利用经图案化的抗蚀剂和抗蚀剂下层膜对半导体基板进行加工；以及工序(g)，用混合双氧水与硫酸而得的硫酸双氧水混合液spm和/或混合双氧水与氨水而得的氨水双氧水混合液sc1将经图案化的抗蚀剂膜、经图案化的抗蚀剂下层膜和/或颗粒除去，
所述水解性硅烷包含式(1)所示的水解性硅烷，
r1ar2bsi(r3)4-(a+b)式(1)
在式(1)中，r1表示具有伯氨基、仲氨基或叔氨基的有机基，并且r1以si-c键与硅原子结合；r2表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烷氧基芳基、烯基、酰氧基烷基、或具有丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基、酰胺基、羟基、烷氧基、酯基、磺酰基或氰基的有机基、或作为它们的组合的基团，并且r2以si-c键与硅原子结合；这里，r1与r2可以结合而形成环结构；r3表示烷氧基、酰氧基或卤素基；a表示整数1，b表示整数0～2，a+b表示整数1～3；
所述水解缩合物包含具有由来源于强酸的抗衡阴离子与来源于伯铵基、仲铵基或叔铵基的抗衡阳离子形成的盐结构的有机基。
2.一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：(a)工序，在半导体基板上形成有机下层膜；(b)工序，在所述有机下层膜上涂布包含水解缩合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物并进行烧成而形成抗蚀剂下层膜，所述水解缩合物是在强酸的存在下在非醇溶剂中，将水解性硅烷进行水解并缩合而获得的；(c)工序，在所述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂用组合物而形成抗蚀剂层；(d)工序，对所述抗蚀剂膜进行曝光；(e)工序，在曝光后将抗蚀剂进行显影而获得经图案化的抗蚀剂膜；(f)工序，利用所述经图案化的抗蚀剂膜对抗蚀剂下层膜进行蚀刻；(g)工序，利用所述经图案化的抗蚀剂下层膜对所述有机下层膜进行蚀刻；(h)工序，利用所述经图案化的有机下层膜对半导体基板进行加工；以及工序(i)，用混合双氧水与硫酸而得的硫酸双氧水混合液spm和/或混合双氧水与氨水而得的氨水双氧水混合液sc1将经图案化的抗蚀剂膜、经图案化的抗蚀剂下层膜、经图案化的有机下层膜和/或颗粒除去，
所述水解性硅烷包含式(1)所示的水解性硅烷，
r1ar2bsi(r3)4-(a+b)式(1)
在式(1)中，r1表示具有伯氨基、仲氨基或叔氨基的有机基，并且r1以si-c键与硅原子结合；r2表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烷氧基芳基、烯基、酰氧基烷基、或具有丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基、酰胺基、羟基、烷氧基、酯基、磺酰基或氰基的有机基、或作为它们的组合的基团，并且r2以si-c键与硅原子结合；这里，r1与r2可以结合而形成环结构；r3表示烷氧基、酰氧基或卤素基；a表示整数1，b表示整数0～2，a+b表示整数1～3；
所述水解缩合物包含具有由来源于强酸的抗衡阴离子与来源于伯铵基、仲铵基或叔铵基的抗衡阳离子形成的盐结构的有机基。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，所述抗蚀剂下层膜形成用组合物进一步包含式(1)所示的水解性硅烷、其水解物、或它们的组合。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，所述非醇溶剂为酮或醚。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，所述强酸为具有5以下的pka的无机酸或羧酸。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制造方法，所述水解性硅烷除了式(1)所示的水解性硅烷以外，进一步包含选自式(2)所示的水解性硅烷、和式(3)所示的水解性硅烷中的至少1种水解性硅烷，
r4csi(r5)4-c式(2)
在式(2)中，r4表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、烷氧基芳基、烯基、酰氧基烷基、或具有丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基、酰胺基、羟基、烷氧基、酯基、磺酰基或氰基的有机基、或作为它们的组合的基团，并且r4以si-c键与硅原子结合，r5表示烷氧基、酰氧基或卤素基，c表示整数0～3；
〔r6dsi(r7)3-d〕2ye式(3)
在式(3)中，r6表示烷基，并且r6以si-c键与硅原子结合，r7表示烷氧基、酰氧基或卤素基，y表示亚烷基或亚芳基，d表示整数0或1，e表示整数0或1。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，在全部水解性硅烷中，相对于水解性硅烷的总摩尔数以0.1摩尔％～100摩尔％的比例含有式(1)所示的水解性硅烷。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置的制造方法，所述抗蚀剂下层膜形成用组合物进一步包含交联性化合物。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置的制造方法，所述抗蚀剂下层膜形成用组合物进一步包含酸或产酸剂。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置的制造方法，所述抗蚀剂下层膜形成用组合物进一步包含水。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置的制造方法，所述抗蚀剂下层膜为euv抗蚀剂的下层膜，并且该抗蚀剂下层膜的膜厚为1nm～30nm。