本发明涉及玻璃屏幕生产技术领域，特别是涉及一种玻璃盖板制备方法。
背景技术：
随着人们生活水平的提升，手机、平板电脑等电子产品已广泛应用于各种生活环境。
电子产品中最重要的部件即为显示部件，其中玻璃盖板起到透光、美观、触控并能保护内部元件的功能。在玻璃盖板的生产工艺中，需要对普通盖板进行黄光处理，以使玻璃盖板能进行触控操作。黄光处理主要包括喷涂、曝光、显影，最终固烤即得最终产物。
在玻璃盖板的生产工艺中，黄光处理易对玻璃盖板产生划伤，划伤后的玻璃盖板必须报废，生产成本较大。
技术实现要素：
本发明的一个目的在于提出一种能提高良率的玻璃盖板制备方法，该方法能降低玻璃盖板在黄光处理中被划伤的几率。
一种玻璃盖板制备方法，包括以下步骤：
对板材玻璃开料得普通盖板，对所述普通盖板依次进行精雕、热弯、抛光和加硬，得到具有凸面和凹面的曲面盖板；
在所述曲面盖板表面镀膜；
在所述曲面盖板表面喷涂光刻胶，执行曝光、显影，得所述玻璃盖板。
本发明的有益效果是：在进行黄光处理前，先在曲面盖板上进行镀膜，能大大降低曲面盖板被划伤的几率，提高了产品良率。
另外，根据本发明提供的玻璃盖板制备方法，还可以具有如下附加的技术特征：
进一步地，所述对所述普通盖板进行热弯的步骤包括：
对所述普通盖板依次进行预热、第一成型、第二成型和缓冷，其中，所述第一成型和所述第二成型均为将所述普通盖板的边缘朝向其自身的下表面弯曲。
进一步地，所述预热的步骤包括：
对所述普通盖板的上板加热至620～660℃，下板加热至620～660℃；
对所述普通盖板的上板加热至680～710℃，下板加热至660～680℃；
对所述普通盖板的上板加热至720～750℃，下板加热至680～710℃；
对所述普通盖板的上板加热至750～770℃，下板加热至710～730℃；
对所述普通盖板的上板加热至750～770℃，下板加热至730～750℃；
对所述普通盖板的上板加热至730～750℃，下板加热至710～720℃。
进一步地，所述第一成型为保持所述普通盖板的上板700～720℃，下板700～720℃，分别保持成型压力在0.03～0.06mpa、0.12～0.17mpa、0.35～0.42mpa执行成型20s、20s、100s，所述第二成型为保持所述普通盖板的上板680～720℃，下板660～700℃，分别保持成型压力在0.44～0.51mpa、0.20～0.27mpa、0.23～0.26mpa执行成型100s、20s、100s。
进一步地，所述缓冷的步骤包括：
将所述普通盖板的上板温度降至650～690℃，下板温度降至640～660℃；
将所述普通盖板的上板温度降至560～590℃，下板温度降至500～530℃；
将所述普通盖板的上板温度降至520～550℃，下板温度降至420～460℃；
将所述普通盖板的上板温度降至420～460℃，下板温度降至330～370℃。
进一步地，所述对所述普通盖板进行抛光的步骤包括：
在抛光盘上采用胶丝对所述凹面进行第一粗抛，采用猪毛对所述凹面进行第一精抛，所述抛光盘包括上盘和下盘，所述第一粗抛为保持上盘150～200r/min和下盘1～5r/min持续抛光3600～3800s，所述第一精抛为保持上盘150～200r/min和下盘2～5r/min持续抛光900～1000s；
在抛光盘上采用胶丝对所述凸面进行第二粗抛，采用猪毛对所述凹面进行第二精抛，所述第二粗抛为保持上盘150～200r/min和下盘2～5r/min持续抛光1200～1400s，所述第二精抛为保持上盘150～200r/min和下盘2～5r/min持续抛光900～1000s。
进一步地，所述对所述普通盖板进行加硬的步骤包括：
加热所述普通盖板至380～450℃，保持1～1.5h；
将所述普通盖板放入硝酸钾和碳酸钾的混合熔融液中，保持3～4h，所述混合熔融液的温度为400～450℃，其中硝酸钾和碳酸钾的质量比为5:1～2；
将所述普通盖板冷却，虑干，再向将所述普通盖板放入持续流动的水中保持20～35min，取出即得所述曲面盖板。
进一步地，所述在所述曲面盖板表面镀膜的步骤包括：
将所述曲面盖板置于负压环境中，所述负压环境的气压为8～20*10-5pa，温度为500～750℃；
对所述曲面盖板进行蒸镀，蒸镀速率为2～7nm/s，直至镀膜厚度为100～180nm为止。
进一步地，所述在所述曲面盖板表面喷涂光刻胶，执行曝光、显影的步骤包括：
将所述光刻胶以雾状喷涂在所述曲面盖板上，喷涂完成后的光刻胶厚度为8-12μm；
将所述曲面盖板加热至60～70℃，对所述曲面盖板进行曝光，曝光能量为1200～1600mj/cm2，曝光波长为365nm，曝光时间为13～18s；
将所述曲面盖板加热至60～70℃，对所述曲面盖板进行曝光，曝光能量为1200～1600mj/cm2，曝光波长为405nm，曝光时间为13～18s；
向所述曲面盖板喷淋显影液进行显影，所述显影液的浓度为1～2g/l，所述喷淋的对所述曲面压力为0.05～0.2kg/cm2，所述显影时的环境温度为20～30℃，再对所述曲面盖板进行清洗，在200℃环境下固烤30min即得所述玻璃盖板。
进一步地，所述对所述曲面盖板进行清洗的步骤包括：
对所述曲面盖板的上板和下板分别采用0.4～0.5kg/cm2和0.1～0.2kg/cm2的水压进行喷淋清洗；
对所述曲面盖板的上板和下板分别采用1～1.5kpa和0.2～0.6kpa压力的风刀进行风切。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
具体实施方式
为使本发明的目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合实施例对本发明的具体实施方式做详细的说明。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
实施例1
一种玻璃盖板制备方法，包括以下步骤：
(1)对板材玻璃开料得普通盖板，对所述普通盖板依次进行精雕、热弯、抛光和加硬，得到具有凸面和凹面的曲面盖板；
(2)在所述曲面盖板表面镀膜；
(3)在所述曲面盖板表面喷涂光刻胶，执行曝光、显影，得所述玻璃盖板。
需要说明的是，镀膜能增加曲面盖板表面的强度，在进行黄光处理前，先在曲面盖板上进行镀膜，能大大降低曲面盖板被划伤的几率，提高了产品良率。
在本实施例中，步骤(1)中的精雕采用精雕机主轴20000r/min即可。
具体的，步骤(1)中对所述普通盖板进行热弯的步骤包括：
对所述普通盖板依次进行预热、第一成型、第二成型和缓冷，其中，所述第一成型和所述第二成型均为将所述普通盖板的边缘朝向其自身的下表面弯曲。
应当指出的是，对普通盖板的热弯采用两次成型，能提高成型的精度，且普通盖板在热弯过程中不易发生损坏，提高了产品良率。
具体的，所述预热的步骤包括：
对所述普通盖板的上板加热至620℃，下板加热至620℃；
对所述普通盖板的上板加热至680℃，下板加热至660℃；
对所述普通盖板的上板加热至720℃，下板加热至680℃；
对所述普通盖板的上板加热至750℃，下板加热至710℃；
对所述普通盖板的上板加热至750℃，下板加热至730℃；
对所述普通盖板的上板加热至730℃，下板加热至710℃。
需要说明的是，预热采用多段加热，防止普通盖板单独采用一次高温加热而破裂。
具体的，所述第一成型为保持所述普通盖板的上板700℃，下板700℃，分别保持成型压力在0.03mpa、0.12mpa、0.35mpa执行成型20s、20s、100s，所述第二成型为保持所述普通盖板的上板680℃，下板660℃，分别保持成型压力在0.44mpa、0.20mpa、0.23mpa执行成型100s、20s、100s。
需要说明的是，在成型过程中，对上板和下板均采用不同的温度，能进一步提高热弯的精度，降低不良率。
具体的，所述缓冷的步骤包括：
将所述普通盖板的上板温度降至650℃，下板温度降至640℃；
将所述普通盖板的上板温度降至560℃，下板温度降至500℃；
将所述普通盖板的上板温度降至520℃，下板温度降至420℃；
将所述普通盖板的上板温度降至420℃，下板温度降至330℃。
需要说明的是，缓冷对上板和下板分别进行降温，能确保冷却过程中普通盖板不继续发生变形。
具体的，所述对所述普通盖板进行抛光的步骤包括：
在抛光盘上采用胶丝对所述凹面进行第一粗抛，采用猪毛对所述凹面进行第一精抛，所述抛光盘包括上盘和下盘，所述第一粗抛为保持上盘150r/min和下盘1r/min持续抛光3600s，所述第一精抛为保持上盘150r/min和下盘2r/min持续抛光900s；
在抛光盘上采用胶丝对所述凸面进行第二粗抛，采用猪毛对所述凹面进行第二精抛，所述第二粗抛为保持上盘150r/min和下盘2r/min持续抛光1200s，所述第二精抛为保持上盘150r/min和下盘2r/min持续抛光900s。
具体的，所述对所述普通盖板进行加硬的步骤包括：
加热所述普通盖板至380℃，保持1h；
将所述普通盖板放入硝酸钾和碳酸钾的混合熔融液中，保持3h，所述混合熔融液的温度为400℃，其中硝酸钾和碳酸钾的质量比为5:1；
将所述普通盖板冷却，虑干，再向将所述普通盖板放入持续流动的水中保持20min，取出即得所述曲面盖板。
具体的，步骤(2)中所述在所述曲面盖板表面镀膜的步骤包括：
将所述曲面盖板置于负压环境中，所述负压环境的气压为8*10-5pa，温度为500℃；
采用纯度为99％的钾，对所述曲面盖板进行蒸镀，蒸镀速率为2nm/s，直至镀膜厚度为100nm为止。
具体的，步骤(3)中所述在所述曲面盖板表面喷涂光刻胶，执行曝光、显影的步骤包括：
将所述光刻胶以雾状喷涂在所述曲面盖板上，喷涂完成后的光刻胶厚度为8μm；
将所述曲面盖板加热至60℃，对所述曲面盖板进行曝光，曝光能量为1200mj/cm2，曝光波长为365nm，曝光时间为13～18s；
将所述曲面盖板加热至60℃，对所述曲面盖板进行曝光，曝光能量为1200mj/cm2，曝光波长为405nm，曝光时间为13s；
向所述曲面盖板喷淋显影液进行显影，所述显影液的浓度为1g/l，所述喷淋的对所述曲面压力为0.05kg/cm2，所述显影时的环境温度为20℃，再对所述曲面盖板进行清洗，在200℃环境下固烤30min即得所述玻璃盖板。
具体的，所述对所述曲面盖板进行清洗的步骤包括：
对所述曲面盖板的上板和下板分别采用0.4kg/cm2和0.1kg/cm2的水压进行喷淋清洗；
对所述曲面盖板的上板和下板分别采用1kpa和0.2kpa压力的风刀进行风切。
实施例2
本实施例与实施例1基本一致，不同之处在于如下方面。
步骤(1)的热弯过程中，预热的步骤包括：
对所述普通盖板的上板加热至660℃，下板加热至660℃；
对所述普通盖板的上板加热至710℃，下板加热至680℃；
对所述普通盖板的上板加热至750℃，下板加热至710℃；
对所述普通盖板的上板加热至770℃，下板加热至730℃；
对所述普通盖板的上板加热至770℃，下板加热至750℃；
对所述普通盖板的上板加热至750℃，下板加热至720℃。
步骤(1)的热弯过程中，所述第一成型为保持所述普通盖板的上板720℃，下板720℃，分别保持成型压力在0.06mpa、0.17mpa、0.42mpa执行成型20s、20s、100s，所述第二成型为保持所述普通盖板的上板720℃，下板700℃，分别保持成型压力在0.51mpa、0.27mpa、0.26mpa执行成型100s、20s、100s。
步骤(1)的热弯过程中，所述缓冷的步骤包括：
将所述普通盖板的上板温度降至690℃，下板温度降至660℃；
将所述普通盖板的上板温度降至590℃，下板温度降至530℃；
将所述普通盖板的上板温度降至550℃，下板温度降至460℃；
将所述普通盖板的上板温度降至460℃，下板温度降至370℃。
步骤(1)中，所述对所述普通盖板进行抛光的步骤包括：
在抛光盘上采用胶丝对所述凹面进行第一粗抛，采用猪毛对所述凹面进行第一精抛，所述抛光盘包括上盘和下盘，所述第一粗抛为保持上盘200r/min和下盘5r/min持续抛光3800s，所述第一精抛为保持上盘200r/min和下盘5r/min持续抛光1000s；
在抛光盘上采用胶丝对所述凸面进行第二粗抛，采用猪毛对所述凹面进行第二精抛，所述第二粗抛为保持上盘200r/min和下盘5r/min持续抛光1400s，所述第二精抛为保持上盘200r/min和下盘5r/min持续抛光1000s。
步骤(1)中，所述对所述普通盖板进行加硬的步骤包括：
加热所述普通盖板至450℃，保持1.5h；
将所述普通盖板放入硝酸钾和碳酸钾的混合熔融液中，保持4h，所述混合熔融液的温度为450℃，其中硝酸钾和碳酸钾的质量比为5:2；
将所述普通盖板冷却，虑干，再向将所述普通盖板放入持续流动的水中保持35min，取出即得所述曲面盖板。
步骤(2)中，所述在所述曲面盖板表面镀膜的步骤包括：
将所述曲面盖板置于负压环境中，所述负压环境的气压为20*10-5pa，温度为750℃；
采用纯度为99％的钾，对所述曲面盖板进行蒸镀，蒸镀速率为7nm/s，直至镀膜厚度为180nm为止。
步骤(3)中，所述在所述曲面盖板表面喷涂光刻胶，执行曝光、显影的步骤包括：
将所述光刻胶以雾状喷涂在所述曲面盖板上，喷涂完成后的光刻胶厚度为12μm；
将所述曲面盖板加热至70℃，对所述曲面盖板进行曝光，曝光能量为1600mj/cm2，曝光波长为365nm，曝光时间为18s；
将所述曲面盖板加热至70℃，对所述曲面盖板进行曝光，曝光能量为1600mj/cm2，曝光波长为405nm，曝光时间为18s；
向所述曲面盖板喷淋显影液进行显影，所述显影液的浓度为2g/l，所述喷淋的对所述曲面压力为0.2kg/cm2，所述显影时的环境温度为30℃，再对所述曲面盖板进行清洗，在200℃环境下固烤30min即得所述玻璃盖板。
其中，所述对所述曲面盖板进行清洗的步骤包括：
对所述曲面盖板的上板和下板分别采用0.5kg/cm2和0.2kg/cm2的水压进行喷淋清洗；
对所述曲面盖板的上板和下板分别采用1.5kpa和0.6kpa压力的风刀进行风切。
实施例3
本实施例与实施例1基本一致，不同之处在于如下方面。
步骤(1)的热弯过程中，预热的步骤包括：
对所述普通盖板的上板加热至650℃，下板加热至650℃；
对所述普通盖板的上板加热至700℃，下板加热至680℃；
对所述普通盖板的上板加热至740℃，下板加热至700℃；
对所述普通盖板的上板加热至760℃，下板加热至720℃；
对所述普通盖板的上板加热至760℃，下板加热至720℃；
对所述普通盖板的上板加热至740℃，下板加热至720℃。
步骤(1)的热弯过程中，所述第一成型为保持所述普通盖板的上板720℃，下板710℃，分别保持成型压力在0.05mpa、0.15mpa、0.5mpa执行成型20s、20s、100s，所述第二成型为保持所述普通盖板的上板710℃，下板690℃，分别保持成型压力在0.5mpa、0.25mpa、0.25mpa执行成型100s、20s、100s。
步骤(1)的热弯过程中，所述缓冷的步骤包括：
将所述普通盖板的上板温度降至680℃，下板温度降至650℃；
将所述普通盖板的上板温度降至580℃，下板温度降至520℃；
将所述普通盖板的上板温度降至550℃，下板温度降至450℃；
将所述普通盖板的上板温度降至450℃，下板温度降至350℃。
步骤(1)中，所述对所述普通盖板进行抛光的步骤包括：
在抛光盘上采用胶丝对所述凹面进行第一粗抛，采用猪毛对所述凹面进行第一精抛，所述抛光盘包括上盘和下盘，所述第一粗抛为保持上盘160r/min和下盘2r/min持续抛光3660s，所述第一精抛为保持上盘180r/min和下盘4r/min持续抛光1000s；
在抛光盘上采用胶丝对所述凸面进行第二粗抛，采用猪毛对所述凹面进行第二精抛，所述第二粗抛为保持上盘150r/min和下盘5r/min持续抛光1400s，所述第二精抛为保持上盘190r/min和下盘3r/min持续抛光950s。
步骤(1)中，所述对所述普通盖板进行加硬的步骤包括：
加热所述普通盖板至410℃，保持1.2h；
将所述普通盖板放入硝酸钾和碳酸钾的混合熔融液中，保持3.5h，所述混合熔融液的温度为430℃，其中硝酸钾和碳酸钾的质量比为5:1.8；
将所述普通盖板冷却，虑干，再向将所述普通盖板放入持续流动的水中保持30min，取出即得所述曲面盖板。
步骤(2)中，所述在所述曲面盖板表面镀膜的步骤包括：
将所述曲面盖板置于负压环境中，所述负压环境的气压为15*10-5pa，温度为600℃；
采用纯度为99％的钾，对所述曲面盖板进行蒸镀，蒸镀速率为6nm/s，直至镀膜厚度为150nm为止。
步骤(3)中，所述在所述曲面盖板表面喷涂光刻胶，执行曝光、显影的步骤包括：
将所述光刻胶以雾状喷涂在所述曲面盖板上，喷涂完成后的光刻胶厚度为10μm；
将所述曲面盖板加热至65℃，对所述曲面盖板进行曝光，曝光能量为1500mj/cm2，曝光波长为365nm，曝光时间为17s；
将所述曲面盖板加热至60℃，对所述曲面盖板进行曝光，曝光能量为1200mj/cm2，曝光波长为405nm，曝光时间为18s；
向所述曲面盖板喷淋显影液进行显影，所述显影液的浓度为1.6g/l，所述喷淋的对所述曲面压力为0.1kg/cm2，所述显影时的环境温度为24℃，再对所述曲面盖板进行清洗，在200℃环境下固烤30min即得所述玻璃盖板。
其中，所述对所述曲面盖板进行清洗的步骤包括：
对所述曲面盖板的上板和下板分别采用0.5kg/cm2和0.2kg/cm2的水压进行喷淋清洗；
对所述曲面盖板的上板和下板分别采用1.2kpa和0.5kpa压力的风刀进行风切。
对照例1
本对照例与实施例3基本一致，不同之处在于：
本对照例未采用镀膜。
对照例2
本对照例与实施例3基本一致，不同之处在于：
步骤(1)的热弯过程中，预热的步骤为对将普通盖板的上板和下板同时加热至750℃。
对照例3
本对照例与实施例3基本一致，不同之处在于：
步骤(1)的热弯过程中，采用一次成型，具体参数为保持成型压力在0.35mpa执行成型400s。
对照例4
本对照例与实施例3基本一致，不同之处在于：
步骤(1)的抛光过程中，未采用第二粗抛和第二精抛。
对照例5
本对照例与实施例3基本一致，不同之处在于：
步骤(1)的加硬过程中，混合熔融液为硝酸钾。
对照例6
本对照例与实施例3基本一致，不同之处在于：
步骤(3)中，只采用一次曝光，具体为将所述曲面盖板加热至65℃，对所述曲面盖板进行曝光，曝光能量为1500mj/cm2，曝光波长为365nm，曝光时间为30s。
分别对上述实施例和对照例所得产品20组进行检验，所得结果见表1.
表1
从表1可以看出，对比实施例1～3，可以看出是实施例3的效果更优，可认为其为最优实施例；
对比实施例3和对照例1，可以看出，若黄光处理之前未采用镀膜，会大大增加所得产品的不良率；
对比实施例3和对照例2、对照例3、对照例4、对照例5，可以看出，实施例3所采用的步骤均能产生突出的效果，能不同程度地降低不良率；
对比实施例3和对照例6，可以看出，采用分别采用两次曝光，能一定程度地降低不良率。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。