1.一种电极结构，其特征在于，包括金属电极(10)以及覆盖所述金属电极(10)上的介质层(20)；
所述介质层(20)包括层叠设置的多层子介质层(21)，相邻的两个子介质层(21)的材料分别为第一材料及第二材料，最底层的子介质层(21)的材料为第一材料，且所述第一材料的折射率大于第二材料的折射率。
2.如权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述第一材料和第二材料的介电常数均大于10。
3.如权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述第一材料的折射率与第二材料的折射率的差值大于0.5。
4.如权利要求1所述的电极结构，其特征在于，所述介质层包括层叠设置的五层子介质层(21)，其中第一、第三及第五层子介质层(21)的材料为硅，第二及四层子介质层(21)的材料为二氧化钛。
5.一种微显示器，其特征在于，包括：相对设置的硅片(1)及顶板(2)、设于所述硅片(1)及顶板(2)之间的液晶层(3)、设于所述硅片(1)靠近所述顶板(2)的一侧的多个间隔排列的底电极(4)、覆盖所述底电极(4)及硅片(1)的介质层(5)以及设于所述顶板(2)靠近硅片(1)的一侧的顶电极(6)；
所述介质层(5)包括层叠设置的多层子介质层(51)，相邻的两个子介质层(51)的材料分别为第一材料及第二材料，最底层的子介质层(51)的材料为第一材料，且所述第一材料的折射率大于第二材料的折射率。
6.如权利要求5所述的微显示器，其特征在于，所述第一材料和第二材料的介电常数均大于10。
7.如权利要求5所述的微显示器，其特征在于，所述第一材料的折射率与第二材料的折射率的差值大于0.5。
8.如权利要求5所述的微显示器，其特征在于，所述介质层(5)包括层叠设置的五层子介质层(51)，其中第一、第三及第五层子介质层(51)的材料为硅，第二及四层子介质层(51)的材料为二氧化钛。
9.如权利要求5所述的微显示器，其特征在于，所述硅片(1)包括底层电路(11)及设于所述底层电路(11)上的绝缘层(12)，所述底电极(4)设于所述绝缘层(12)上并通过一穿越绝缘层(12)的过孔(13)与所述底层电路(11)电性连接。
10.如权利要求5所述的微显示器，其特征在于，还包括设于所述顶电极(6)靠近所述硅片(1)的一侧的定向层(7)。