用于在光刻工艺中照明的白光源和照明设备的制作方法

本发明涉及一种用于在光刻工艺中照明的白光源和照明设备，更特别地，涉及一种用于在光刻工艺中照明的、即使在光刻工艺中使用有限波长的光的情况下也能够实现白光的白光源和照明设备。

背景技术：

执行通过曝光光致抗蚀剂来形成电路图案的光刻工艺，以制造半导体、pcb等。安装在执行光刻工艺以制造半导体和pcb的曝光室中的照明不需要发射与光刻工艺中使用的光致抗蚀剂产生反应的波长的光。

更具体地，用于半导体的光刻工艺根据产品特性并通过使用波长为450nm或更小的光(例如，g射线(436nm)、i射线(365nm)、krf准分子激光束(248nm)、arf准分子激光束(193nm)等)来形成电路图案。为此，为了防止在光刻工艺中发生缺陷，在现有技术的半导体和pcb生产线中执行光刻工艺的曝光室中，将波长限制在450nm或更小。

更具体地，在现有技术中，使用包括白色荧光灯的照明，该白色荧光灯被配置成发射用于光刻工艺的波长为400nm至700nm的光，并且该白色荧光灯被封阻波长为450nm的光的薄膜或塑料盖覆盖。在这种情况下，薄膜或塑料盖为黄色并实施黄色的照明环境，如从图1a中可看到的，使得光刻工艺被称为黄色工艺。

更具体地，如图2所示，在现有技术中用于曝光室的发射黄光的荧光灯400中，光通过高电压汞放电从电极420发射，该电极420设置在由玻璃管构成的主体410的端部，并且当发射光时，围绕主体410的波长屏蔽膜430封阻特定波长范围(即，450nm或更小的波长范围)内的光。因此，因为即使将荧光灯400应用于曝光室，光也不会与光致抗蚀剂反应，所以没有干扰光刻工艺。

然而，现有技术中用于曝光室的荧光灯400存在的问题在于，由于主体410中包含汞440而导致环境污染，由于应用在电极420上的发射体在高电压放电过程中蒸发而使荧光灯400无法保持长时间的寿命，并且存在主体410周围的波长屏蔽膜430随着时间流逝而引起光反应以及需要被封阻的波长范围内的光泄漏的风险。

此外，在现有技术中用于曝光室的荧光灯400的情况下，另外需要安装波长屏蔽膜430的工艺，这导致单价增加。特别地，当操作者长时间暴露于黄色照明时，光刻工艺中的黄色照明可能导致诸如操作者的疲劳度增加、可操作性和效率劣化以及可见度劣化的问题。因此，各种相关公司一直试图实施可应用于光刻工艺的白光照明，然而，都还没有提出对上述问题的适当的解决方案。

技术实现要素：

技术问题

本发明致力于解决现有技术中的上述问题，并且本发明的目的在于提供一种用于在光刻工艺中照明的白光源和照明设备，其能够在限制具有光刻工艺中使用的波长的光的同时实施白光。

技术方案

为了实现上述技术目的，根据本发明的一种用于光刻工艺中照明并且用于照亮执行光刻工艺的曝光室的白光照明设备包括：白光源，其包括：蓝色发光二极管元件，具有450nm至490nm的发射峰值波长；以及封装层，其被配置成对蓝色发光二极管元件进行封装，其中，在该封装层中分布与蓝色发光二极管元件一起实施白光发射的一个或多个磷光体以及封阻具有光刻工艺中使用的波长的光的封阻剂，以在形成波长为450nm至490nm的第一峰值区域和与第一峰值区域结合以实施白光发射的第二峰值区域的同时限制光刻工艺中使用的波长。

在这种情况下，该封阻剂可包括选自包括碳(c)、氢(h)和氮(n)作为基本元素的卟啉基材料、酞菁基材料以及香豆素基材料的化学材料。

另外，封阻剂可包括金属材料以及化学材料。

在这种情况下，金属材料可包括钒(v)、镁(mg)、铬(cr)、锰(mn)、铟(in)、钴(co)、镍(ni)、铜(cu)、锌(zn)、钠(na)、锂(li)、铝(al)、硅(si)、银(ag)、锡(sn)和钛(ti)中的一种或两种。

进一步地，封阻剂可由卟啉-钒制成。

进一步地，封阻剂的重量比可处于磷光体和封阻剂总重量的1％至10％的范围内。

另外，封装层可包括：发射峰值波长为500nm至560nm的第一磷光体；以及发射峰值波长为621nm至670nm的第三磷光体。

另外，封装层可包括发射峰值波长为561nm至620nm的第二磷光体。

另外，封装层可包括发射峰值波长为621nm至670nm的第三磷光体。

另外，封装层可包括：发射峰值波长为561nm至620nm的第二磷光体；以及发射峰值波长为621nm至670nm的第三磷光体。

另外，白光照明设备可发射处于2700k至7000k的相关色温(cct)范围内的白光。

另外，蓝色发光二极管元件可具有470nm至490nm的发射峰值波长，并且在没有封阻剂的情况下，在封装层中分布发射峰值波长为500nm至560nm的第一磷光体、发射峰值波长为561nm至620nm的第二磷光体以及发射峰值波长为621nm至670nm的第三磷光体中的一种或两种或更多种，使得在封阻具有光刻工艺中使用的波长的光的同时实施白光发射。

另外，白光照明设备可进一步包括：板，其安装有白光源；透光构件，其嵌入有板，并且被配置成透射从白光源发射的光；以及连接构件，其电连接到板，并且被配置成供应用于操作白光源的电力，其中白光照明设备以荧光灯或平板的形式实施。

根据本发明的另一示例性实施例的一种用于光刻工艺中照明并且用于照亮执行光刻工艺的曝光室的白光源，其包括：蓝色发光二极管元件，其具有发射峰值波长450nm至490nm；以及封装层，其被配置成对蓝色发光二极管元件进行封装，其中，在该封装层中分布与蓝色发光二极管元件一起实施白光发射的一个或多个磷光体以及封阻具有光刻工艺中使用的波长的光的封阻剂，以在形成波长为450nm至490nm的第一峰值区域和与第一峰值区域结合以实施白光发射的第二峰值区域的同时限制光刻工艺中使用的波长。

在这种情况下，该封阻剂可包括选自包括碳(c)、氢(h)和氮(n)作为基本元素的卟啉基材料、酞菁基材料以及香豆素基材料的化学材料。

另外，封阻剂可包括金属材料以及化学材料。

在这种情况下，金属材料可包括钒(v)、镁(mg)、铬(cr)、锰(mn)、铟(in)、钴(co)、镍(ni)、铜(cu)、锌(zn)、钠(na)、锂(li)、铝(al)、硅(si)、银(ag)、锡(sn)和钛(ti)中的一种或两种。

进一步地，封阻剂可由卟啉-钒制成。

进一步地，封阻剂的重量比可处于磷光体和封阻剂总重量的1％至10％的范围内。

另外，封装层可包括：发射峰值波长为500nm至560nm的第一磷光体；以及发射峰值波长为621nm至670nm的第三磷光体。

另外，封装层可包括发射峰值波长为561nm至620nm的第二磷光体。

另外，封装层可包括发射峰值波长为621nm至670nm的第三磷光体。

另外，封装层可包括：发射峰值波长为561nm至620nm的第二磷光体；以及发射峰值波长为621nm至670nm的第三磷光体。

另外，白光照明设备可发射处于2700k至7000k的相关色温(cct)范围内的白光。

另外，蓝色发光二极管元件可具有470nm至490nm的发射峰值波长，并且在没有封阻剂的情况下，在封装层中分布发射峰值波长为500nm至560nm的第一磷光体、发射峰值波长为561nm至620nm的第二磷光体以及发射峰值波长为621nm至670nm的第三磷光体中的一种或两种或更多种，使得在封阻具有光刻工艺中使用的波长的光的同时实施白光发射。

有益效果

在根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光源和照明设备中，可在白光照明环境中执行光刻工艺，并因此，不仅可防止当操作者长时间暴露于黄光照明时操作者的疲劳度增加、可操作性和效率劣化以及可见度劣化的问题，而且还防止由于安装波长屏蔽膜等的附加工艺而导致的制造成本增加。

附图说明

作为帮助理解本发明的详细描述的一部分而包括的附图提供了本发明的示例性实施例，并且将与详细说明一起描述本发明的技术实质。

图1是示出现有技术中曝光室内的照明环境和根据本发明的曝光室内的照明环境的示图。

图2是示出现有技术中曝光室的照明的示图。

图3是根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光源的横截面图。

图4是根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光照明设备的立体图。

图5是根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光照明设备的分解图。

图6是示出根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光照明设备的光谱的曲线图。

图7a是示出根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光源的由卟啉-钒制成的一种类型的封阻剂的分子式的示例图，并且图7b是示出每个波长的吸收和透射的曲线图。

图8是根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光源的横截面图。

图9是示出根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光照明设备的每个配置的特性的实验值的示图。

图10a至图10g是示出根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光照明设备的发光光谱的示图。

具体实施方式

本发明可进行各种修改，并且可具有各种示例性实施例，下面将参照附图详细描述具体的示例性实施例。

提供下面的示例性实施例来帮助全面理解本说明书中公开的方法、设备和/或系统。然而，示例性实施例仅出于说明的目的而提供，并且本发明不限于此。

另外，在本发明的示例性实施例的描述中，当确定与本发明相关的公知技术的具体描述可能不必要地使本发明的主题不清楚时，将省略该具体描述。另外，本文所使用的术语是考虑到本发明的功能而定义的，并且可根据用户或操作者的意图或惯例而变化。因此，应当基于本说明书的全部内容形成本发明的定义。在详细描述中使用的术语仅用于描述本发明的示例性实施例，并且不应当是限制性的。除非另外明确使用，否则单数表述包括复数表述。在本说明书中，提供术语“包括”、“包含”、“包括有”、“包含有”、“具有”、“有”或它们的其他变体来指示特定的特征、数量、步骤、操作、元件及其一些或组合，并且不应当被解释为排除除了所公开的那些之外的一个或多个其他特征、数量、步骤、操作、元件及其一些或组合的存在或可能性。

另外，诸如“第一”和“第二”的术语可用于描述各种构成元件，但是构成元件不应受这些术语的限制，并且这些术语仅用于将一个构成元件与另一构成元件区分开。

在下文中，将参照附图详细描述根据本发明的用于在光刻工艺中照明的白光源和照明设备的示例性实施例。

首先，图3示出根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光源100的横截面图。

从图3可看出，根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光源100是用于照亮执行光刻工艺的曝光室的白光源100，并且白光源100可包括发射峰值波长为450nm至490nm的蓝色发光二极管元件130，以及被配置成封装该蓝色发光二极管元件130的封装层140。在这种情况下，在封装层140中分布与蓝色发光二极管元件130一起实施白光发射的一个或多个磷光体150和封阻光刻工艺中使用的波长的光的封阻剂160，以在形成波长为450nm至490nm的第一峰值区域以及与该第一峰值区域结合以实施白光发射的第二峰值区域的同时限制光刻工艺中使用的波长。因此，可提供即使在执行光刻工艺的曝光室中也可使用的白光源100和照明设备10。

另外，图4示出根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光照明设备10的立体图，并且图5示出根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光照明设备10的分解图。

从图4和图5可看出，根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光照明设备10可包括：板200，其安装有白光源100；透光构件300，其嵌入有板200并且被配置成透射从白光源100发射的光；以及连接构件310，其电连接到板200并且被配置成供应用于操作白光源100的电力，并且可以荧光灯或平板的形式来配置白光照明设备10。然而，本发明不一定限于此，本发明可以各种形状实施，以便能够在执行光刻工艺的曝光室中使用。

在下文中，将参照图3至图5更详细地描述根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光源100和照明设备10的每个配置。

首先，图3示出根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光源100的横截面图。

从图3可看出，根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光源100包括发光二极管元件130，诸如安装在基板110上的led芯片。因此，用于在光刻工艺中照明的白光源100可通过表面安装技术(smt)由球栅(ballgrid)210连结，并且被安装在诸如金属板(金属pcb)的各种类型的板200上。当然，图3所示的封装结构是作为本发明的一个示例性实施例的示例，并且该封装结构也可通过其他封装方法来实施。

将具有预定形状(例如，圆锥形)的框架170安装在用于在光刻工艺中照明的白光源100的基板110上，并且可在框架170的内表面上设置反射器以有效地反射从发光二极管元件130发射的光。另外，尽管未示出，但是发光二极管元件130的电极可通过接合线等的方法电连接到基板110上的金属线。

另外，封装层140包括一个或多个磷光体150，该一个或多个磷光体150可通过在蓝色发光二极管元件130的激发波长下被激发而发光，使得封装层140可与蓝色发光二极管元件130一起实施白光发射。特别地，用于封阻具有光刻工艺中使用的波长的光的封阻剂160与磷光体150一起分布在封装层140中。

进一步地，封装层140中的封阻剂160的重量比可处于磷光体150和封阻剂160的总重量的1％至10％的范围内。

在这种情况下，发射峰值波长为500nm至560nm的第一磷光体151和发射峰值波长为621nm至670nm的第三磷光体153可与封阻剂160一起分布在封装层140中。

另外，发射峰值波长为561nm至620nm的第二磷光体可与封阻剂160一起被包括和分布在封装层140中。

另外，发射峰值波长为621nm至670nm的第三磷光体可与封阻剂160一起被包括和分布在封装层140中。

另外，发射峰值波长为561nm至620nm的第二磷光体和发射峰值波长为621nm至670nm的第三磷光体可与封阻剂160一起被包括和分布在封装层140中。

更具体地，在本发明中，可以粉末的形式提供诸如第一至第三磷光体151、152和153的磷光体150。因此，封装层140可包括透明树脂，该透明树脂在分配和固定磷光体150的同时密封发光二极管元件130。

在本发明中，典型的硅树脂或环氧树脂可用作透明树脂。

在本发明中，设置一个或多个磷光体150来与蓝色发光二极管元件130一起实施白光发射。

在这种情况下，蓝光、绿光和红光需要适当组合以实施白光发射。在本发明中，优选的是待使用的波长不超过光刻工艺中使用的波长区域(450nm或更小)，使得蓝色发光二极管元件130被限制为具有450nm至490nm的发射峰值波长。

也就是说，从图6可看出，在现有技术中，为了通过使用发光二极管(图6中的a)来实施白光发射元件，通过使用波长为450nm或更小的蓝色发光二极管元件在蓝色波长处形成第一峰值区域(图6中的a1)，并且通过使用黄色磷光体等在黄色波长处形成第二峰值区域(图6中的a2)，从而实施白光发射。相反地，在本发明中，考虑到光刻工艺中使用的波长区域(450nm或更小)，可实施450nm至490nm的发射峰值波长。

因此，根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光源100和照明设备10(图6中的b)的特征在于，通过使用发射峰值波长为450nm至490nm的蓝色发光二极管元件130，在450nm至490nm的波长处形成第一峰值区域(图6中的b1)，以及通过使用一个或多个磷光体150形成用于结合第一峰值波长来实施白光发射的第二峰值区域(图6中的b2)，从而在发射光的同时结合第一峰值区域实施白光发射。

因此，在本发明中，可选择一个或多个磷光体150，并且其限于可结合由蓝色发光二极管元件130形成的波长为450nm至490nm的第一峰值区域来实施白光发射的磷光体150。

此外，在本发明中，可由具有不同成分的一个或多个荧光材料来制成一个或多个磷光体150。

更具体地，在本发明中，第一磷光体151可由从发光二极管元件130发射的光激发，以发射峰值波长处于500nm至560nm范围内的光。第一磷光体151的发射峰值波长大于从发光二极管元件130发射的光的峰值波长。

在本发明中，作为第一磷光体151，可使用由下面的化学式1或2表示的磷光体中的一种，或者可使用由下面的化学式1或2表示的多种磷光体的组合。

(化学式1)

进一步地，al5lu3o12:ce++可用作基于al和lu制成的石榴石结构磷光体。

(化学式2)

进一步地，si6-zalzozn8-z:eu++(z＝0.1至0.3)可用作基于si、o和n制成的氮氧化物基磷光体。

另外，在本发明中，第二磷光体152由从发光二极管元件130发射的光激发，并且发射峰值波长处于561nm至620nm范围内的光，并且由下面的化学式3至5表示的磷光体可单独或组合用作第二磷光体152。

(化学式3)

进一步地，y3al5o12:ce+++可用作基于y和al制成的石榴石结构磷光体。

(化学式4)

进一步地，sr，ba，ca2sio4:eu++可用作基于sr、ba、ca、或si制成的硅酸盐基磷光体。

(化学式5)

进一步地，casialon:eu++可用作基于si、al、o、和n制成的氮氧化物基磷光体。

另外，在本发明中，第三磷光体153由从发光二极管元件130发射的光激发，并且发射峰值波长处于621nm至670nm范围内的光，并且由下面的化学式6或7表示的磷光体可单独或组合用作第三磷光体153。

(化学式6)

进一步地，caalsin3:eu++可用作基于ca、si、和n制成的氮化物基磷光体。

(化学式7)

进一步地，sr，caalsin3:eu++可用作基于sr、ca、si、或n制成的氮化物基磷光体。

具体而言，在根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光源100和照明设备10中，封阻剂160可与一个或多个磷光体150一起分布在封装层140中，以在封阻具有光刻工艺中使用的波长的光的同时实施白光。

在这种情况下，封阻剂160可包括选自包括碳(c)、氢(h)和氮(n)作为基本元素的卟啉基材料、酞菁基材料和香豆素基材料的化学材料。

另外，封阻剂160可包括金属材料以及化学材料。

在这种情况下，金属材料可包括钒(v)、镁(mg)、铬(cr)、锰(mn)、铟(in)、钴(co)、镍(ni)、铜(cu)、锌(zn)、钠(na)、锂(li)、铝(al)、硅(si)、银(ag)、锡(sn)和钛(ti)中的一种或两种。

发明模式

更具体地，图7a示出根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光源100的由卟啉-钒制成的一种类型的封阻剂的分子式，并且图7b是示出每个波长的吸收和透射的曲线图。

在本发明中，提供了具有由下面的化学式8表示的分子结构的一种封阻剂160，并且将封阻剂160与一个或多个磷光体150一起分布在封装层140中。

(化学式8)

c20h14n4v

在这种情况下，从图7b可看出，可确定由卟啉-钒制成的一种类型的封阻剂160吸收光刻工艺中使用的波长为450nm或更小的光，同时有效地透射波长大于450nm的光。

特别地，由卟啉-钒制成的一种类型的封阻剂160的重量比可处于磷光体150和封阻剂160的总重量的1％至10％的范围内。

本发明的发明人已经确定，利用由卟啉-钒制成的一种类型的封阻剂160与一个或多个磷光体150一起分布在封装层140中并且使封阻剂160的重量比处于磷光体150和封阻剂160的总重量的1％至10％的范围内的配置，可在封阻光刻工艺中使用的波长为450nm或更小的光的同时实施白光而非黄光。

在这种情况下，根据本发明的示例性实施例的用于光刻工艺的白光照明设备10可发射处于2700k至7000k的相关色温(cct)范围内的白光。

进一步地，板200可设置有焊盘和电路图案，该焊盘安装有用于在光刻工艺中照明的白光源100，该电路图案用于操作用于在光刻工艺中照明的白光源100。板200可由诸如fr-4的介电材料制成。进一步地，板200可由诸如金属板(金属pcb)的各种材料制成，以便从白光源100中散热。在这种情况下，板200可电连接到连接构件310并且被供应外部电力。

进一步地，根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光照明设备10可设置有散热构件320，该散热构件320被配置成消散从用于在光刻工艺中照明的白光源100产生的热量，并且被配置成使得板200落座于散热构件320上。因此，为便于散热，连接到板200的散热构件320可由金属材料制成，或者被实施为具有有利于散热的结构。

另外，根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光照明设备10可嵌入有用于在光刻工艺中照明的白光源100，并且设置有被配置成透射从用于在光刻工艺中照明的白光源100发射的光的透光构件300。透光构件300可由有效地透射从用于在光刻工艺中照明的白光源100发射的光的pc、pmma、玻璃等制成。进一步地，透光构件300可由半透明材料制成，以减少光盲()。

另外，从图8可看出，根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光照明设备10可包括发射峰值波长为470nm至490nm的蓝色发光二极管元件130，以及被配置成封装该蓝色发光二极管元件130的封装层140。在这种情况下，在没有封阻剂160的情况下，发射峰值波长为500nm至560nm的第一磷光体151、发射峰值波长为561nm至620nm的第二磷光体152以及发射峰值波长为621nm至670nm的第三磷光体153中的一种或两种或更多种与封阻剂160一起被包括并且分布在封装层140中，使得可在封阻具有光刻工艺中使用的波长的光的同时实施白光发射。

另外，图9是示出根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光照明设备10的每个配置的特性的实验值的示图，并且图10a至图10g是示出根据图8所示的每个配置的特性的实验值的用于在光刻工艺中照明的白光照明设备10的发光光谱的示图。

在下文中，将基于根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光照明设备10的实验值，参照图9和图10a至图10g更详细地描述本发明。

首先，图9示出当在改变根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光照明设备10中的蓝色发光二极管元件130的波长的同时改变磷光体150和封阻剂160的成分时的性能的实验值。

更具体地，图9中的(1)至(7)示出通过根据是否添加了封阻剂160来对第一至第三磷光体151、152和153的成分进行组合来测量的蓝色发光二极管元件130的波长、光谱的大小以及450nm波长处的封阻比。

首先，图8中的(1)示出当第一磷光体151和第三磷光体153通过与峰值波长为450nm至460nm的蓝色发光二极管元件130组合来使用时所测量的值。在这种情况下，第一磷光体151的重量比为81％，第三磷光体153的重量比为15％，并且封阻剂160的重量比为4％。

另外，封装层140被配置成使得硅树脂的重量比为92.4％，并且磷光体150和封阻剂160的重量比为7.6％。

因此，从图10a可看出，在由上述成分构成的用于在光刻工艺中照明的白光照明设备10中，波长为450nm的光与不使用封阻剂160时的最大值相比仅衰减0.87％。相反地，当使用封阻剂160时，可封阻高达99.38％的波长为450nm的光，使得可在封阻具有光刻工艺中使用的波长的光的同时实施白光发射。

另外，图9中的(2)示出当第一磷光体151和第三磷光体153通过与峰值波长为460nm至470nm的蓝色发光二极管元件130组合来使用时所测量的值。在这种情况下，第一磷光体151的重量比被调整到82.5％，第三磷光体153的重量比被调整到15％，并且封阻剂160的重量比被调整到2.5％。

另外，封装层140被配置成使得硅树脂的重量比为94.4％，并且磷光体150和封阻剂160的重量比为5.6％。

因此，从图10b中可看出，在由上述成分构成的用于在光刻工艺中照明的白光照明设备10中，当不使用封阻剂160时，波长为450nm的光与最大值相比可衰减高达67.71％，但是这种配置还不能充分限制具有光刻工艺中使用的波长的光。相反地，可看出，使用封阻剂160的情况可将波长为450nm的光封阻高达99.48％。

另外，图9中的(3)示出当第一磷光体151和第三磷光体153通过与峰值波长为470nm至480nm的蓝色发光二极管元件130组合来使用时所测量的值。在这种情况下，第一磷光体151的重量比被调整到83.5％，第三磷光体153的重量比被调整到15％，并且封阻剂160的重量比被调整到1.5％。

另外，封装层140被配置成使得硅树脂的重量比为91.8％，并且磷光体150和封阻剂160的重量比为8.2％。

因此，从图10c可看出，在如上所述配置的用于在光刻工艺中照明的白光照明设备10中，当不使用封阻剂160时，波长为450nm的光与最大值相比可衰减高达93.05％，但是这种配置仍然不能将具有光刻工艺中使用的波长的光限制在充分防止发生错误的水平。相反地，可看出，使用封阻剂160的情况可将波长为450nm的光封阻高达99.63％。

另外，图9中的(4)示出当第二磷光体152和第三磷光体153与峰值波长为470nm至480nm的蓝色发光二极管元件130组合时所测量的值。在这种情况下，第二磷光体152的重量比为95.9％，第三磷光体153的重量比为2.1％，并且封阻剂160的重量比为2.0％。

另外，封装层140被配置成使得硅树脂的重量比为95.6％，并且磷光体150和封阻剂160的重量比为4.4％。

因此，从图10d可看出，在如上所述配置的用于在光刻工艺中照明的白光照明设备10中，当不使用封阻剂160时，波长为450nm的光与最大值相比可衰减高达93.05％，但是这种配置仍然不能将具有光刻工艺中使用的波长的光限制在充分防止发生错误的水平。相反地，可看出，使用封阻剂160的情况可将波长为450nm的光封阻高达99.36％。

另外，图9中的(5)示出当第一磷光体151和第三磷光体153通过与峰值波长为470nm至480nm的蓝色发光二极管元件130组合来使用时所测量的值。在这种情况下，第一磷光体151的重量比为83.0％，第三磷光体153的重量比为15.0％，并且封阻剂160的重量比为1.5％。

另外，封装层140被配置成使得硅树脂的重量比为95.6％，并且磷光体150和封阻剂160的重量比为4.4％。

因此，从图10e可看出，在如上所述配置的用于在光刻工艺中照明的白光照明设备10中，当不使用封阻剂160时，波长为450nm的光与最大值相比可衰减高达93.05％，但是这种配置仍然不能将具有光刻工艺中使用的波长的光限制在充分防止发生错误的水平。相反地，可看出，使用封阻剂160的情况可将波长为450nm的光封阻高达99.42％。

另外，图9中的(6)示出当第一磷光体151和第三磷光体153通过与峰值波长为480nm至490nm的蓝色发光二极管元件130组合来使用时所测量的值。在这种情况下，第一磷光体151的重量比为84.0％，第三磷光体153的重量比为15.0％，并且封阻剂160的重量比为1.0％。

另外，封装层140被配置成使得硅树脂的重量比为94.6％，并且磷光体150和封阻剂160的重量比为5.4％。

因此，从图10f可看出，在如上所述配置的用于在光刻工艺中照明的白光照明设备10中，当不使用封阻剂160时，波长为450nm的光与最大值相比可衰减高达95.39％，因此具有光刻工艺中使用的波长的光似乎显著防止错误的发生，但是这种配置仍然不能达到在使用封阻剂160时所达到的水平。相反地，可看出，使用封阻剂160的情况可将波长为450nm的光封阻高达99.73％。

最后，图9中的(7)示出当第一磷光体151和第二磷光体152通过与峰值波长为480nm至490nm的蓝色发光二极管元件130组合来使用时所测量的值。在这种情况下，第一磷光体151的重量比为3.0％，第二磷光体152的重量比为95.5％，并且封阻剂160的重量比为1.5％。

另外，封装层140被配置成使得硅树脂的重量比为95.5％，并且磷光体150和封阻剂160的重量比为4.5％。

因此，从图10g可看出，在如上所述配置的用于在光刻工艺中照明的白光照明设备10中，当不使用封阻剂160时，波长为450nm的光与最大值相比可衰减高达95.87％，因此具有光刻工艺中使用的波长的光似乎显著防止错误的发生，但是这种配置仍然不能达到在使用封阻剂160时所达到的水平。相反地，可看出，使用封阻剂160的情况可将波长为450nm的光封阻高达99.33％。

在根据本发明的示例性实施例的用于在光刻工艺中照明的白光源100和照明设备10中，可在白光照明环境中执行光刻工艺，并因此，不仅可防止当操作者长时间暴露于黄光照明时操作者的疲劳度增加、可操作性和效率劣化以及可见度劣化的问题，而且还防止由于安装波长屏蔽膜等的附加工艺而导致的制造成本增加。

上面的说明仅仅是为了说明性地描述本发明的技术实质，并且本发明所属领域的技术人员将理解的是，在不脱离本发明的基本特性的情况下，可进行各种改变和修改。因此，本发明中公开的示例性实施例是为了说明的目的，而非旨在限制本发明的技术实质，并且本发明不限于示例性实施例。本发明的保护范围应该基于以下的权利要求书来解释，并且其等同范围内的所有技术实质应当被解释为落入本发明的范围内。