色阻层结构及其制造方法与流程

本发明是有关于一种色阻层结构及其制造方法，特别是有关于一种凸形的色阻层结构及其制造方法。

背景技术：

液晶显示(lcd)面板中的黑色感光间隙(bps)技术将黑色矩阵(bm)与感光间隙子(ps)两道制程合并，可以缩短制程，提升效率，降低成本；将bm与ps合并在薄膜晶体管(tft)侧可以有效防止t/cshift漏光，有利曲面屏设计，同时可以有效遮挡上基板和液晶中反射/折射/散射回tft器件上的光，有助于改善tft的性能。

bps最具前景的技术之一为1_tone架构，即用两层色阻堆叠做为主感光间隙子，单层色阻则作为副感光间隙子。由于间隙子高度关乎面板盒厚、液晶填充量(lcmargin)、面板压力等，对堆叠成的主感光间隙子的高度，所有主感光间隙子上底面积之和除以有效显示区总面积(mainpsratio)，和主感光间隙子的高度与临界尺寸(criticaldimension)均一性要求都很高。高度及均一性不理想，均会带来诸如液晶层高度(cellgap)不佳、lcmargin过小，面板压力不良等问题。

目前色阻堆叠设计均采用全透光罩设计，验证发现，此种设计无法同时兼顾高的ps堆叠高度和小的psratio。为了提高堆叠高度，需要设计大的cd(如：cd≧25*25um)的色阻，这样psratio会加倍增大，导致mainpsratio过高，lcmargin过小的异常；如果需减小psratio，需减小堆叠色阻的cd，但会带来堆叠色阻膜厚偏低或者堆叠色阻peeling的风险。

故，有必要提供一种色阻层结构及其制造方法，以解决现有技术所存在的问题。

技术实现要素：

本发明的主要目的在于提供一种色阻层结构及其制造方法，所述色阻层结构主要包含两层不同颜色的色阻，其中上层色阻在中央部位具有一凸部以及包围所述凸部的一周边部位。利用所述周边部位与所述下层色阻之间具有更好的结合力，避免色阻剥离，同时利用所述凸部提供更高的堆叠高度，兼顾了大cd与小cd的优点。

为达成本发明的前述目的，本发明一实施例提供一种色阻层结构，所述色阻层结构包含：一第一色阻；以及一第二色阻，所述第一色阻设置于所述第二色阻之上；其中所述第一色阻包含一凸部以及一基底部，所述凸部设置于所述基底部之上，且凸部具有一第一宽度小于所述基底部的总宽度。

在本发明的一实施例中，所述凸部位于所述基底部的一中间区域。

在本发明的一实施例中，所述凸部具有一第一高度，所述基底部具有一第二高度，所述第一高度大于所述第二高度。

在本发明的一实施例中，所述第一宽度小于25微米。

在本发明的一实施例中，所述基底部的所述总宽度大于或等于25微米。

在本发明的一实施例中，所述第二色阻具有一第二宽度，所述第二宽度大于所述基底部的所述总宽度。

在本发明的一实施例中，所述第二色阻具有一第三高度，所述第三高度大于或等于所述第二高度。

为达成本发明的前述目的，本发明的另一实施例提供一种色阻层结构的制造方法，所述制造方法包含步骤：将一第一色阻形成于一第二色阻上；以及将一掩膜置于所述第一色阻上方，通过紫外光照射所述掩膜及所述第一色阻，以形成如上所述的色阻层结构；其中所述掩膜具有一全透光区以及一狭缝区，所述狭缝区围绕所述全透光区。

在本发明的一实施例中，所述狭缝区具有至少一狭缝以及至少一遮光线，所述狭缝的宽度等于所述遮光线的宽度。

在本发明的一实施例中，所述狭缝的宽度为2至4微米。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

附图说明

图1是本发明一实施例的一色阻层结构的侧视图。

图2是本发明一实施例的一色阻层结构的制造方法中，所使用的一掩膜照光时对应所述色阻层结构的示意图。

图3是本发明一实施例的一色阻层结构的制造方法中，所使用的一掩膜的结构示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。再者，本发明所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧面、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。

本发明一实施例提供一种所述色阻层结构，所述色阻层结构主要包含两层不同颜色的色阻，其中上层色阻在中央部位具有一凸部以及包围所述凸部的一周边部位。利用所述周边部位与所述下层色阻之间具有更好的结合力，避免色阻剥离，同时利用所述凸部提供更高的堆叠高度，兼顾了大cd与小cd的优点。

请参照图1，显示本发明一实施例的一色阻层结构。所述色阻层结构包含：一第一色阻10；以及一第二色阻20。所述第一色阻10设置于所述第二色阻20之上；其中所述第一色阻10包含一凸部11以及一基底部12，所述凸部11设置于所述基底部12之上，且所述凸部11具有一第一宽度w1小于所述基底部的总宽度w。优选的，所述第一宽度w1小于25微米；所述基底部12的所述总宽度w大于或等于25微米。所述凸部11大致上位于所述基底部12的一中间区域，然不限于此，稍微偏移也是可以允许的。

请继续参照图1，在本发明的一实施例中，所述凸部11具有一第一高度h1，所述基底部12具有一第二高度h，所述第一高度h1大于所述第二高度h。所述第一高度h1与所述第二高度h的总和为所述第一色阻的厚度。

在本发明的一实施例中，所述第二色阻20具有一第二宽度w2，所述第二宽度w2大于所述基底部12的所述总宽度w。所述第二色阻20具有一第三高度h3，所述第三高度h3可以大于或等于所述第一色阻的所述第二高度h。

本发明的另一实施例提供一种色阻层结构的制造方法。所述制造方法包含步骤：(s1)将一第一色阻10形成于一第二色阻20上；以及(s2)将一掩膜30置于所述第一色阻10上方，通过紫外光照射所述掩膜30及所述第一色阻10，以形成如上所述的色阻层结构。

首先，根据本发明的一实施例，所述步骤(s1)中，可利用多种本领域已知的方法来形成两层堆叠的色阻，如红绿色阻堆叠、红蓝色阻堆叠或绿蓝堆叠(请补充可使用的色阻形成技术)，然不限于此。优选的，可以使用有色光阻配合掩膜通过紫外光照射、曝光并显影后形成所述第二色阻20，接着在及第二色阻20上以相同方式形成所述第一色阻10。

如图2所示，本发明一实施例的一色阻层结构的制造方法中，所述步骤(s2)的示意图。在本步骤中，所述掩膜30具有一全透光区31以及一狭缝区32，所述狭缝区32围绕所述全透光区31。当一紫外光(uv)通过所述掩膜30照射所述第一色阻10，由于所述狭缝区32的影响，通过的uv光强度较低，相反的，在所述全透光区31，通过的uv光可以维持原有强度。优选的，所述全透光区31对应于所述凸部11的位置，所述狭缝区32对应于所述基底部12的位置。

由于照光强度的差异，因此第一色阻可以被制造出具有高低差的表面构造，从而形成所述凸部11以及所述基底部12。

请继续参照图3，在本发明的一实施例中，所述狭缝区32具有至少一狭缝a1以及至少一遮光线b1。优选的，所述狭缝a1的宽度等于所述遮光线b1的宽度，以使得所述第一色阻10的所述基底部12具有较平整的表面，这可以使所述基底部12的膜厚度均一性较好。在本发明的一实施例中，所述狭缝a1的宽度为2至4微米，可例如是2、2.5、3、3.5或4微米。

本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明的范例。必需指出的是，已公开的实施例并未限制本发明的范围。相反地，包含于权利要求书的精神及范围的修改及均等设置均包括于本发明的范围内。