色阻层结构及其制造方法与流程

文档序号:21023174发布日期:2020-06-09 19:48阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种色阻层结构,其特征在于,所述色阻层结构包含:

一第一色阻;以及

一第二色阻,所述第一色阻设置于所述第二色阻之上;

其中所述第一色阻包含一凸部以及一基底部,所述凸部设置于所述基底部之上,且所述凸部具有一第一宽度小于所述基底部的总宽度。

2.如权利要求1所述的色阻层结构,其特征在于:所述凸部位于所述基底部的一中间区域。

3.如权利要求1所述的色阻层结构,其特征在于:所述凸部具有一第一高度,所述基底部具有一第二高度,所述第一高度大于所述第二高度。

4.如权利要求1所述的色阻层结构,其特征在于:所述第一宽度小于25微米。

5.如权利要求1所述的色阻层结构,其特征在于:所述基底部的所述总宽度大于或等于25微米。

6.如权利要求1所述的色阻层结构,其特征在于:所述第二色阻具有一第三高度,所述第三高度大于所述第二高度。

7.一种色阻层结构的制造方法,所述制造方法包含下列步骤:

将一第一色阻形成于一第二色阻上;以及

将一掩膜置于所述第一色阻上方,通过紫外光照射所述掩膜及所述第一色阻,以形成如权利要求1所述的色阻层结构;

其中所述掩膜具有一全透光区以及一狭缝区,所述狭缝区围绕所述全透光区。

8.如权利要求7所述的制造方法,其特征在于:所述第一色阻包含一凸部以及一基底部,所述全透光区对应于所述凸部的位置,所述狭缝区对应于所述基底部的位置。

9.如权利要求7所述的制造方法,其特征在于:所述狭缝区具有至少一狭缝以及至少一遮光线,所述狭缝的宽度等于所述遮光线的宽度。

10.如权利要求9所述的制造方法,其特征在于:所述狭缝的宽度为2至4微米。


技术总结
本发明公开一种色阻层结构及其制造方法,所述色阻层结构包含:一第一色阻;以及一第二色阻,所述第一色阻设置于所述第二色阻之上。所述第一色阻包含一凸部以及一基底部,所述凸部设置于所述基底部之上,且凸部具有一第一宽度小于所述基底部的一第二宽度。

技术研发人员:俞云
受保护的技术使用者:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日:2020.03.18
技术公布日:2020.06.09
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