一种液晶显示晶体管半导体层短路的测试方法与流程

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种液晶显示晶体管半导体层短路的测试方法。

背景技术：

液晶显示模组生产后，需要进行功能类不良的挑拣工作。现有技术通过逐行扫描的方式点亮纯色显示画面和一些复杂显示画面(彩图)，以检查是否存在功能性缺陷。逐行扫描的工作原理为：扫描第一行时，使gate1上电，打开第一行像素晶体管，ic输出电压给cst1充电，然后gate1输出低电平关闭像素晶体管，以此类推，逐行显示gate2、gate3等，直至将液晶显示模组的每一行均进行检查，以此检出液晶显示模组是否存在功能性缺陷。但是这种测试方式会将整行像素晶体管点亮，无法检出由于tft晶体管短路漏电而导致的亮点、亮线等缺陷，无法对液晶显示模组进行全面检测，存在一定的不良隐患。

因此，现有技术存在缺陷，需要改进。

技术实现要素：

本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种液晶显示晶体管半导体层短路的测试方法。

本发明的技术方案如下：提供一种液晶显示晶体管半导体层短路的测试方法，包括以下步骤：

步骤1：将液晶显示模组与测试系统进行连接，并对测试系统进行上电；

步骤2：测试系统通过mipi的低速模式向寄存器发送指令，对液晶显示模组进行初始化；

步骤3：液晶显示模组进行放电，将所有晶体管的存储电容电荷清空，并将demux开关全部关闭；

步骤4：测试系统通过driveric输入信号给gip电路，gip电路控制gate线路，依次给gate1、gate2到gaten输出高电位，以进行逐行扫描，在该过程中，同时判断液晶显示屏是否存在漏电情况；

步骤5：逐行扫描完gate线路后，对液晶显示模组下达指令，使液晶显示模组进入休眠模式；

步骤6：测试系统下电，断开液晶显示模组与测试系统的连接，完成测试。

进一步地，所述步骤1上电的具体步骤为：按顺序依次打开iovcc电压、vsp电压及vsn电压，然后打开液晶显示模组的背光源，完成测试系统的上电过程。

进一步地，所述步骤7下电的具体步骤为：按顺序依次将vsn电压、vsp电压及iovcc电压进行下电，完成测试系统的下电过程。

进一步地，在所述步骤4中，当观察液晶显示屏出现亮点或者亮线，则判断该液晶显示屏的晶体管存在短路漏电现象；当观察液晶显示屏没有出现亮点或者亮线，则判断该液晶显示屏的晶体管不存在短路漏电现象。

进一步地，所述步骤1包括将待测试液晶显示屏安装于黑暗箱子内的测试支架上，所述测试支架与所述测试系统电连接。

进一步地，所述测试支架两侧以滑轨的形式安装于所述黑暗箱子两侧壁上，所述黑暗箱子上设有一门扇。

进一步地，所述黑暗箱子内对应测试时液晶显示屏的显示面设有与所述测试系统连接的光感元件组，所述黑暗箱子上设有报警系统，所述报警系统包括发光器件和/或发声器件。

进一步地，所述发光器件为指示灯，所述发声器件为蜂鸣器。

进一步地，所述步骤4包括：当所述光感元件组检测到液晶显示屏显示面上出现光线时，所述测试系统控制所述发光器件发出红光进行报警，和/或，所述测试系统控制所述发声器件发出报警声；当逐行扫描完毕后，所述光感元件组没有检测到光线，所述测试系统控制所述发光器件发出绿光进行提示，和/或，所述测试系统控制所述发声器件发出提示声。

进一步地，所述步骤4还包括测试人员根据报警系统的提示判断液晶显示屏是否存在漏电情况。

采用上述方案，本发明通过将存储电容电荷清空，使得gate线上的高电位通过短路晶体管的位置送到data线上，对该列data线上的晶体管进行充电，使晶体管发光，从而显示出一条纵向的亮线，以此检测出tft晶体管半导体层的短路漏电问题，实现功能性不良的排查。

附图说明

图1为本发明第一实施例的流程框图。

图2为本发明的电路示意图。

图3为本发明第二实施例的流程框图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例，对本发明进行详细说明。

请参阅图1，本发明提供一种液晶显示晶体管半导体层短路的测试方法，包括以下步骤：

步骤1：将液晶显示模组与测试系统进行连接，并按顺序依次打开iovcc电压、vsp电压及vsn电压，然后打开液晶显示模组的背光源，完成测试系统的上电过程。

步骤2：测试系统通过mipi的低速模式向寄存器发送指令，对液晶显示模组进行初始化。

步骤3：液晶显示模组进行放电，将所有晶体管的存储电容电荷清空，并将demux开关全部关闭。对液晶显示模组进行放电，将所有晶体管的电容电荷清空，并关闭demux开关，使得各列data线均处于低电位状态，从而令晶体管在gate线路通电时不显示画面。

步骤4：测试系统通过driveric输入信号给gip电路，gip电路控制gate线路，依次给gate1、gate2到gaten输出高电位，以进行逐行扫描，在该过程中，同时判断液晶显示屏是否存在漏电情况。当观察液晶显示屏出现亮点或者亮线，则判断该液晶显示屏的晶体管存在短路漏电现象；当观察液晶显示屏没有出现亮点或者亮线，则判断该液晶显示屏的晶体管不存在短路漏电现象。

步骤5：逐行扫描完gate线路后，对液晶显示模组下达指令，使液晶显示模组进入休眠模式。

步骤6：按顺序依次将vsn电压、vsp电压及iovcc电压进行下电，完成测试系统的下电过程，断开液晶显示模组与测试系统的连接，完成测试。

请参阅图2，在本发明的第一实施例中，进行测试时，将液晶显示模组放置于测试系统上，并接入测试系统，按顺序依次打开iovcc电压、vsp电压及vsn电压，再打开液晶显示模组的背光源，实现对测试系统以及液晶显示模组的上电。然后测试系统通过mipi的低速模式向寄存器发送指令，对液晶显示模组进行初始化，并使液晶显示模组进行放电，使所有晶体管的电容电荷清空，并关闭demux开关，使得各列data均处于低电位状态。测试系统通过driveric输入信号给gip电路，gip电路控制gate线路，依次给各行gate输出高电位，使得所有晶体管打开。如果液晶显示模组中存在有晶体管半导体短路的情况，相应gate的高电位会从短路的位置通过打开的晶体管，将高电位送到该晶体管所在的data线上，并对该data线上的所有晶体管进行充电，使晶体管点亮，形成一道亮线。而其他data线上的晶体管的存储电容中电荷已清空，表现为黑色的画面。测试人员可以通过观察液晶显示模组上是否出现亮点或纵向的亮线，并结合亮线出现时处于高电位的gate线，判断出短路的晶体管所在的位置，以进行后续的维修、返工。通过此方式，可以有效地检测出tft晶体管半导体层短路的漏电缺陷，提高测试的准确性及稳定性。

请参阅图3，本发明还提供第二实施例，在第二实施例中，所述步骤1还包括将待测试液晶显示屏安装于黑暗箱子内的测试支架上，所述测试支架与所述测试系统电连接。所述黑暗箱子内对应测试时液晶显示屏的显示面设有与所述测试系统连接的光感元件组，所述黑暗箱子上设有报警系统，所述报警系统包括发光器件和/或发声器件。通过黑暗箱子制造一个封闭且黑暗的环境，以便于光感元件组检测到液晶显示模组所发出的光线，以实现自动化检测。

所述测试支架两侧以滑轨的形式安装于所述黑暗箱子两侧壁上，所述黑暗箱子上设有一门扇。通过门扇的闭合，以防止外部光源进入黑暗箱子内部而影响光感元件组的检测。当打开门扇时，测试人员可将测试支架沿着滑轨从门扇处拉出，以便于将待测液晶显示模组安装于测试支架上，提高测试效率。当关上门扇时，黑暗箱子内形成黑暗空间，可以提高光感元件组检测光线的准确度。

在本实施例中，所述发光器件为指示灯，如led灯，能耗低，亮度高；所述发声器件为蜂鸣器。

所述步骤4包括：当所述光感元件组检测到液晶显示屏显示面上出现光线时，所述测试系统控制所述发光器件发出红光进行报警，和/或，所述测试系统控制所述发声器件发出报警声；当逐行扫描完毕后，所述光感元件组没有检测到光线，所述测试系统控制所述发光器件发出绿光进行提示，和/或，所述测试系统控制所述发声器件发出提示声。

所述步骤4还包括测试人员根据报警系统的提示判断液晶显示屏是否存在漏电情况。

进行测试时，打开黑暗箱子的门扇，将测试支架沿着滑轨从黑暗箱子中拉出，将待测试液晶显示屏安装于测试支架上，接入测试系统。将测试支架推入黑暗箱子后，关闭门扇，按顺序依次打开iovcc电压、vsp电压及vsn电压，再打开液晶显示模组的背光源，实现对测试系统以及液晶显示模组的上电。然后测试系统通过mipi的低速模式向寄存器发送指令，对液晶显示模组进行初始化，并使液晶显示模组进行放电，使所有晶体管的电容电荷清空，并关闭demux开关，使得各列data均处于低电位状态。测试系统通过driveric输入信号给gip电路，gip电路控制gate线路，依次给各行gate输出高电位，使得所有晶体管打开。如果液晶显示模组中存在有晶体管半导体短路的情况，相应gate的高电位会从短路的位置通过打开的晶体管，将高电位送到该晶体管所在的data线上，并对该data线上的所有晶体管进行充电，使晶体管点亮，形成一道亮线。而其他data线上的晶体管的存储电容中电荷已清空，表现为黑色的画面。

黑暗箱子内对应液晶显示屏的显示面的光感元件组检测到液晶显示屏上出现亮线而发出的光线时，发送信号给测试系统，测试系统所控制的发光器件发出红光进行报警，同时发声器件发出高频报警声，以提示测试人员该液晶显示模组上存在晶体管半导体短路的缺陷。如果完成逐行扫描后，光感元件组没有检测到光线，测试系统未接收到光感元件组所发出的信号，则控制系统所控制的发光器件发出绿光进行提示，同时发声器件低频提示声，以提示测试人员该液晶显示模组为良品，不存在晶体管半导体短路的缺陷。

综上所述，本发明通过将存储电容电荷清空，使得gate线上的高电位通过短路晶体管的位置送到data线上，对该列data线上的晶体管进行充电，使晶体管发光，从而显示出一条纵向的亮线，以此检测出tft晶体管半导体层的短路漏电问题，实现功能性不良的排查。

以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。