专利名称：正性光敏组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及在较宽的谱带范围(365-436nm)内特别敏感的正性光致抗蚀剂组合物，其基于一种用下式结构的化合物作为骨架的重氮萘醌敏化剂、一种线型酚醛树脂和一种溶剂。
X＝Cl，Br，I，OH，OR，COOR，COOAr(OH)n，COAr(OH)n，COR，R，Ar(OH)nR＝C1-C8烷基，n＝0到5，Ar＝苯基相关技术的说明光致抗蚀剂是一些当其经光源照射如紫外光照射曝光后在显影剂溶液中改变其溶解性的材料。光致抗蚀剂组合物包括一种光敏化合物(有时称为光敏剂)、一种成膜聚合物树脂和一种溶剂。也可有其它类型的组合物，如一种溶于适当溶剂中的光敏剂组合物。光致抗蚀剂涂布于一个待刻出图形的基材上，然后例如用加热的方法脱除溶剂，留下的光致抗蚀剂以一薄层胶膜覆盖在该基材上。由于光致抗蚀剂经光照曝光后，抗蚀膜曝光和未曝光部分(其上有蔽光物)的溶解速度不同，经显影后得到一个表面凸起的图形。曝光区域在显影液中变得更易溶解的那些光致抗蚀剂称为“正性”光致抗蚀剂，而曝光区域的溶解性较小的那些则称为“负性”光致抗蚀剂，本发明涉及一类适用于正性光致抗蚀剂组合物的那些化合物。
正性光致抗蚀剂可以包括一种可溶于碱性水溶液的树脂诸如线型酚醛树脂或聚(羟基苯乙烯)和一种光敏剂。树脂和敏化剂可通过例如滚涂、喷涂或其它适用的方法从一种有机溶剂或溶剂混合物中涂覆到一种诸如硅片或镀铬玻璃板的基材上。用于处理正性光致抗蚀剂的显影剂是碱性水溶液，例如硅酸钠、氢氧化钾、四甲基氢氧化铵和氢氧化铵。涂布光致抗蚀剂胶膜后经灯光或其它形式光源照射曝光的区域用显影剂脱除，使光致抗蚀剂胶膜产生一个凸版图形。在各种基材上涂覆一层光致抗蚀剂胶膜是制造集成电路的一个基本步骤，这些基材一般是硅片，可以有一薄氧化物涂层或例如四氮化三硅或铝的其它涂层。采用一系列步骤，将光敏胶膜用于在基材上刻出图形，这些步骤包括曝光(穿过一个掩膜图形)，显影后在抗蚀层上得到一个凸版图形，和基材刻蚀步骤，使该图形转移到基材上。最基本的一点是基材刻蚀图形要精确复制掩膜图形，为达到这样高的精确度，光致抗蚀剂层必须很好地解象掩膜图形，常规光致抗蚀剂可以采用线型酚醛树脂作为碱可溶的成膜聚合物。
背景技术：
本发明涉及光照敏感的正过程光致抗蚀剂组合物，特别涉及含有线型酚醛树脂与一种光敏剂组合起来的组合物，该光敏剂是一种通过2，1，4或2，1，5重氮磺酰氯与下列结构作为骨架的化合物反应制备的重氮磺酰二酯
X＝Cl，Br，I，OH，OR，COOR，COOAr(OH)n，COAr(OH)n，COR，R，Ar(OH)nR＝C1-C8烷基，n＝0到5，Ar＝苯基。
本专业技术人员熟知制备正性光致抗蚀剂组合物的方法，例如在美国专利号3，666，473、4，115，128和4，173，470中所述的方法，这些方法包括将不溶于水、可溶于碱性水溶液的苯酚-甲醛线型酚醛树脂与光敏材料，通常是一种取代萘醌重氮化合物组合。树脂和敏化剂溶解于一种有机溶剂和混合溶剂中，并且涂布于一种适合所需特殊用途的基材上成一薄胶膜或涂层。
这些光致抗蚀剂配方中的线型酚醛树脂组分可溶于碱性水溶液，但在曝光前敏化剂是不溶性的。被涂覆的基材部分按照影像图形经光源照射曝光后，敏化剂变成碱溶性，涂层的曝光区域比未曝光区域更易溶解。这种溶解速度的差异导致在基材被浸渍于或以其它方式与一种碱性显影溶液接触时光致抗蚀剂的曝光区域将被溶解，而未曝光区域则基本上未受影响，这样就在基材上产生一个正性凸版图形。此后该曝光和显影后的基材通常要经刻蚀处理。光致抗蚀剂涂层保护基材上被涂覆的区域不被刻蚀剂刻蚀，刻蚀剂仅能刻蚀基材上未被涂覆的区域，即经光源照射曝光的相应区域。这样，可在基材上形成一个与掩膜、模版、样板等一致的刻蚀图形，这些掩膜、模版、样板常用于在显影前于被涂覆的基材上形成选择性曝光图形。通过该方法在基材上产生的光致抗蚀剂凸版图形适用于各种用途，包括制造微型集成电路。
光致抗蚀剂组合物的特性包括感光速度、反差、解象力(边缘锐度)、在处理过程中影像的热稳定性、处理范围、线宽控制、清晰显影和未曝光胶膜损失，这些在工业应用上都是很重要的特性。
光致抗蚀剂的反差是在保持固定的显影条件下由曝光剂量的对数对归一化的膜厚作图所得曲线直线部分斜率。在应用中，涂覆有抗蚀剂的基材曝光后持续显影直到曝光区域的涂层基上已完全溶解下来。解象力是指抗蚀剂体系能够复制曝光过程中所用掩膜的最小等间距线对和中间空白区，在显影后的曝光空白区具有高边缘锐度的能力。在制造微型电子元件时，对于通常在1微米或更小数量级的极小线和空白区宽度来说一种光致抗蚀剂需要提供很高的解象力。这种极小尺寸的复制能力，对于在硅片或类似元件上制造大规模集成电路是极其重要的。假如采用光刻工艺的话，只有通过增加抗蚀剂的解象能力来增加这种硅片上的电路密度。负性光致抗性剂中抗蚀剂涂层的曝光区域变成不溶性而未曝光区域用显影剂溶解下来，尽管半导体工业已将它们广泛用于此项用途，但正性光致抗蚀剂本身具有更高的解象力，可用来代替负性抗蚀剂。
在光刻工艺中，通常希望增加抗蚀剂反差，当在如分档器和投影对准器的标准设备中进行曝光操作时，高反差正过程抗蚀剂形成呈现高边缘锐度的显影影像。在大多数半导体平版印刷应用中，显影影像的高边缘锐度是很重要的，这样就可以允许硅片图形上的线宽有各种小的变化，因而就有可能在各向异性的等离子刻蚀过程中较好地控制刻蚀，并且同时有较好的处理范围。
发明概要本发明提供一种新的光敏剂和含该光敏剂的新的正性光致抗蚀剂组合物。这样的光致抗蚀剂组合物具有很好的感光速度、高反差、很好的解象力、处理过程中很好的影像热稳定性、较宽的处理范围、很好的线宽控制、清晰的显影和较低的未曝光胶膜损失。
本发明的光敏化合物包括一种有下列结构作为骨架的化合物的重氮磺酰酯
X＝Cl，Br，I，OH，OR，COOR，COOAr(OH)n，COAr(OH)n，COR，R，Ar(OH)nR＝C1-C8烷基，n＝0到5，Ar＝苯基其中的重氮酯是一种在苯环上的羟基中至少有一个已用重氮磺酰氯酯化的化合物。平均来说，上述结构中的羟基已有约60％到100％(摩尔)被重氮磺酰氯酯化。重氮酯部分是约从60％到100％(摩尔)2，1，4-重氮磺酰氯或2，1，5-重氮磺酰氯，或是它们的混合物。重氮酯分布范围优选约从75％到100％(摩尔)，更优选约从85％到95％(摩尔)。
本发明还提供一种制备正性光致抗蚀剂组合物的方法，包括提供一个下列组分的混合物a)一种包含有下列结构作为骨架的化合物的重氮磺酰酯
X＝Cl，Br，I，OH，OR，COOR，COOAr(OH)n，COAr(OH)n，COR，R，Ar(OH)nR＝C1-C8烷基，n＝0到5，Ar＝苯基其中重氮酯是一种在苯环上的羟基中至少有一个已经用重氮磺酰氯酯化的化合物。平均来说，上述类型结构分子中的羟基约从60％到100％(摩尔)已经用一个磺酰氯酯化。在光致抗蚀剂组合物中光敏剂组分的含量足以使光致抗蚀剂组合物均匀感光敏化，重氮酯部分是从60％到100％(摩尔)2，1，4或2，1，5重氮酯或是它们的混合物，重氮酯分布范围优选约从75％到100％(摩尔)，更优选为约从85％到95％(摩尔)；b)一种非水溶性但可溶于碱性水溶液的线型酚醛树脂，在光致抗蚀剂组合物中线型酚醛树脂的含量足以形成一个基本均匀的光致抗蚀剂组合物；c)一种适当的溶剂，优选丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA)，2-庚酮、乳酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯(EEP)或是它们的混合物。
正性光致抗蚀剂组合物包括一个下列组分的混合物a)一种包含有下列结构作为骨架的化合物的重氮磺酰酯
X＝Cl，Br，I，OH，OR，COOR，COOAr(OH)n，COAr(OH)n，COR，R，Ar(OH)nR＝C1-C8烷基，n＝0到5，Ar＝苯基其中重氮酯是一种在苯环上的羟基中至少有一个已经用重氮磺酰氯酯化的化合物。平均来说，上述类型结构分子中的羟基约从60％到100％(摩尔)已经用一个磺酰氯酯化。在光致抗蚀剂组合物中光敏剂组分的含量足以使光致抗蚀剂组合物均匀感光敏化，重氮酯部分是从60％到100％(摩尔)2，1，4或2，1，5重氮酯或是它们的混合物，重氮酯分布范围优选约从75％到100％(摩尔)，更优选为约从85％到95％(摩尔)；b)一种非水溶性但可溶于碱性水溶液的线型酚醛树脂，在光致抗蚀剂组合物中线型酚醛树脂的含量足以形成一个基本均匀的光致抗蚀剂组合物；c)一种适当的溶剂，优选丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA)，2-庚酮、乳酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯(EEP)或是这些溶剂的两种或多种混合物；d)将被涂布的基材加热处理直到基本上脱除所有溶剂组分；e)按影像图形将光致抗蚀剂组合物光源照射曝光；f)用一种含水碱性显影剂脱除组合物按影像图形曝光的区域(可任选在紧靠脱除步骤之前或之后对基材进行烘干燥作)。
在总组合物中涂料溶剂的含量可高达组合物固体重量的95％。当然，在将光致抗蚀剂溶液涂布于基材上并烘干后，这些溶剂基本上都被脱除。可以使用的非离子表面活性剂包括例如壬基苯氧基聚(乙烯氧基)乙醇、辛基苯氧基乙醇，其含量可高达线型酚醛树脂与敏化剂合并重量的10％(重量)。
制成的抗蚀剂溶液可通过光刻胶工艺所用的任何常规方法涂覆于基材上，包括浸涂、喷涂、旋转涂布和滚涂。滚涂时，为保证所用类型滚涂设备和滚涂处理所需的时间给出理想涂层厚度，可根据固含量百分比调整抗蚀剂溶液。适用的基材包括硅、铝、聚合物树脂、二氧化硅、掺杂型二氧化硅、四氮化三硅、钽、铜、多晶硅、陶瓷、铝/铜混合物、砷化镓和其它这样的III/V族化合物。通过上述方法制成的光致抗蚀剂涂层特别适合涂覆例如制造微处理器和其它微型集成电路元件所用的热增长型硅/二氧化硅涂覆片基。铝/氧化铝片基也可使用。基材还可包括各种聚合物树脂，特别是透明的聚合物，例如聚酯。基材可以有一个有适当组成的增粘层，例如一种含六烷基乙硅烷的增粘层。
然后将抗蚀剂组合物溶液涂布在基材上，于从约80℃到110℃下，在加热板上热处理基材约30秒到180秒，或者在一个对流烘箱内处理约15到40分钟。选择该处理温度是为了降低光致抗蚀剂中残留溶剂浓度同时又基本上不会引起光敏剂热降解。通常都希望溶剂浓度尽可能少，因此第一次热处理要进行到基本上所有的溶剂都蒸发掉，而微米数量级厚度的光致抗蚀剂涂层留在基材上。在一个优选的实施方案中，进行热处理的温度为从约80℃到95℃。处理过程一直要持续到溶剂脱除速度变化变得相对很小。根据使用者所需抗蚀剂的性能以及所用设备和工业生产所需涂布时间来选择该温度和时间。然后按用适当的掩膜、底版、模版、样板产生的任何所需图形，将涂布后的基材经波长约从300nm到450nm(优选365nm)光源照射、X-射线、电子束、离子束或激光照射曝光。
然后，曝光后的抗蚀剂可任选在显影前或显影后进行第二次烘干或热处理。热处理温度范围约从90℃到150℃，更优选约从110℃到150℃。在加热板上进行加热的时间约从10秒到30分钟，更优选约从45秒到90秒，或者用对流烘箱加热约10到30分钟。
涂布抗蚀剂的基材曝光后用一种碱性显影溶液通过喷显显影，脱除按影像图形曝光后非影像区域。优选例如通过氮气鼓动搅拌方法对该溶液进行搅拌。使基材留在显影剂内直到所有或基本上所有曝光区域的抗蚀剂涂层都溶解下来。显影剂可以包括氢氧化铵或碱金属氢氧化物的水溶液。优选的一种氢氧化物是四甲基氢氧化铵(TMAH)，一种适用的显影剂是从Hoechst Celanese公司(Somerville，New Jersey)AZ光致抗蚀剂产品组购得的AZ显影剂。涂布片基从显影液中取出后，可任选进行显影后的热处理或烘干，以增加涂层粘合力和抗刻蚀溶液和其它物质化学腐蚀的能力。显影后的热处理过程可包括涂层和基材在涂层软化点以下的温度下烘箱烘干。在工业应用中，特别是制造硅/二氧化硅型基材的微型电路元件时，显影后的基材可以用一种含缓冲剂的氢氟酸基刻蚀溶液处理。本发明的抗蚀剂组合物可抗酸基刻蚀溶液，并且对基材上未曝光的抗蚀剂涂层区域提供有效的保护。
下列一些特定实施例将提供本发明组合物制备和使用方法的详细说明。这些实施例并不以任何方式限定和约束本发明范围，并且也不能认为所提供的条件、参数或数值是实际应用本发明时必须专门采用的。
实施例1合成1，1-双(4-羟基苯基)-1-(4-溴苯)-2，2，2-三氟乙烷的2，1，5-和2，1，4-重氮酯将5.0克(0.01182摩尔)1，1-双(4-羟基苯基)-1-(4-溴苯)-2，2，2-三氟乙烷和4.73克(0.0176摩尔)2，1，5-重氮磺酰氯和2.03克(0.00765摩尔)2，1，4-重氮磺酰氯和18mlγ-丁内酯(BLO)和10ml丙酮加入到一个装有温度计、搅拌器和滴液漏斗的200ml四口烧瓶中，混合物于室温(25℃)下搅拌约30分钟，得到一澄清溶液。
将一个4.5克(0.0403摩尔)1，4-重氮二环(2，2，2)辛烷在17mlBLO和8ml丙酮中的分层溶液用滴液漏斗历时10分钟加入到反应瓶中，同时维持温度在30℃。反应混合物于室温下搅拌1小时。反应完全后，加入2ml冰乙酸，破坏掉任何未反应的酰氯。反应混合物搅拌1小时，然后过滤除去盐和任何杂质。
反应混合物通过倒入到一个220ml去离子水和20ml甲醇的混合物中进行沉淀，得到一个黄色细沉淀，将其搅拌数小时，然后滗析、过滤并用3升去离子水洗涤。黄色滤饼于室温下用布氏漏斗抽气进行空气干燥。滤饼经空气干燥后，置于一个35℃的真空烘箱内过夜。HPLC数据表明酯分布为2，1，4/2，1，5(F/L)二酯47.25％，2，1，5/2，1，5-(L/L)二酯22.02％，2，1，4/2，1，4(F/F)二酯27.11％且未反应的2，1，4-重氮酸/其它酯2-4％。
实施例21，1-双(4-羟基苯基)-1-(4-溴苯基)-2，2，2-三氟乙烷的2，1，4-和2，1，4-重氮酯(由实施例1制备)应用于平版印刷的评价。
通过与一个间甲酚/3，5-二甲酚(5∶3的比例)线型酚醛树脂(NR)在PGMEA中的26％溶液混合制成1，1-双(4-羟基苯基)-1-(4溴苯)-2，2，2-三氟乙烷重氮酯的配方液。将该配方液以约4000转/分的速度滚涂到硅片上，得到1-1.2微米厚胶膜。硅片在一个90℃的热空气烘箱内缓慢烘干30分钟。所有硅片都用0.263nTMAH显影剂于25±0.5℃下显影。评价下列参数
RO＝黑膜损失R＝全白膜的溶解速度PAC＝酚酞2，1，4重氮酯高R/RO值表明曝光和未曝光胶膜损失有极大的差异，这一点会影响感光速度和反差，与传统的重氮酯相比，酚酞重氮酯的R/RO值更高。
解象力使用实施例2的配方液印刷0.5微米线和空白区图形，印刷1.0微米膜厚的0.5微米几何图形所需的照射剂量约为170mj/cm2，内侧面几乎垂直且膜表面没有浮渣。
权利要求
1.一种正性光致抗蚀剂组合物，包括下列组分的混合物a)一种光敏剂，包括一种有下列结构作为骨架的重氮酯
X＝Cl，Br，I，OH，OR，COOR，COOAr(OH)n，COAr(OH)n，COR，R，Ar(OH)nR＝C1-C8烷基，n＝0到5，Ar＝苯基其中重氮酯是一种在苯环上的羟基中至少有一个已经用一种包括60到100％(摩尔)2，1，4或2，1，5重氮磺酰氯或是它们的混合物的重氮磺酰氯酯化的化合物，在光致抗蚀剂组合物中光敏剂的含量应足以使光致抗蚀剂组合物均匀感光敏化；和b)一种非水溶性但可溶于碱性水溶液的线型酚醛树脂，在光致抗蚀剂组合物中线型酚醛树脂的含量应足以形成一个基本均匀的光致抗蚀剂组合物。
2.按权利要求1的组合物还进一步包括一种或多种溶剂。
3.按权利要求2的组合物，其中所述溶剂包括丙二醇单甲基醚乙酸酯。
4.按权利要求1的组合物，其中按组合物无溶剂组分量为基准，a)的含量为约从1到35％(重量)，b)的含量约为从65到95％(重量)
5.按权利要求1的组合物，其中所述溶液包括3-乙氧基丙酸乙酯。
6.按权利要求1的组合物，还进一步包括从着色剂、均化剂、抗条纹剂、增塑剂、增粘剂、速度增强剂和表面活性剂中选择的一种或多种添加剂。
7.一种光敏剂元件，包括一个基材和涂布在该基材上的干燥的权利要求1组合物。
8.按权利要求7的元件，其中所述的基材选自硅、铝、聚合物树脂、二氧化硅、掺杂型二氧化硅、砷化镓、III/V族化合物、四氮化三硅、钽、铜、多晶硅、陶瓷和铝/铜混合物。
9.按权利要求7的元件，其中所述基材有一增粘表面。
10.按权利要求7的元件，其中的组合物还进一步包括从非芳香族着色剂、染色剂、抗条纹剂、均化剂、增塑剂、增粘剂、速度增强剂和表面活性剂中选择的一种或多种组分。
11.按权利要求7的元件，其中按组合物无溶剂组分量为基准，a)的含量约为1到35％(重量)，b)的含量约为65到99％(重量)。
12.一种在基材上产生光致抗蚀剂影像的方法，包括用一个正过程光敏剂组合物涂布一个基材，该组合物包括下述组分a)一种光敏剂，包括一种有下列结构作为骨架的重氮酯
X＝Cl，Br，I，OH，OR，COOR，COOAr(OH)n，COAr(OH)n，COR，R，Ar(OH)nR＝C1-C8烷基，n＝0到5，Ar＝苯基其中重氮酯是一种在苯环上的羟基中至少有一个已经用一种包括60到100％(摩尔)2，1，4或2，1，5重氮磺酰氯或是它们的混合物的重氮磺酰氯酯化的化合物，在光致抗蚀剂组合物中光敏剂的含量应足以使光致抗蚀剂组合物均匀感光敏化；和b)一种非水溶性但可溶于碱性水溶液的线型酚醛树脂，在光致抗蚀剂组合物中线型酚醛树脂的含量应足以形成一个基本均匀的光致抗蚀剂组合物，和一种溶剂组分；将涂布后的该基材进行热处理直到基本上脱除所述溶剂组分；按影像图形对光致抗蚀剂组合物光照曝光；并且用一种碱性显影剂水溶液脱除按影像图形曝光区域的该组合物。
13.按权利要求12的方法，还进一步包括在曝光步骤后但在脱除步骤前将所述的涂布后基材于从约90℃到150℃下在加热板上加热约30秒到180秒，或者在一个烘箱内加热约15分钟到40分钟。
14.按权利要求12的方法，还进一步包括在脱除步骤后将所述的涂布后基材于从约90℃到150℃下在加热板上加热约30秒到180秒，或者在一个烘箱内加热约15分钟到40分钟。
15.按权利要求12的方法，其中所述基材包括一种或多种选自硅、铝、聚合物树脂、二氧化硅、掺杂型二氧化硅、砷化镓、III/V族化合物、四氮化三硅、钽、铜、多晶硅、陶瓷和铝/铜混合物。
16.按权利要求12的方法，其中用光源、X-射线或离子束照射实施曝光步骤。
17.按权利要求12的方法，其中用波长约为365nm的紫外光射实施所述的曝光步骤。
18.按权利要求12的方法，其中用氢氧化钠、氢氧化钾或四甲基氢氧化铵实施显影步骤。
19.按权利要求12的方法，其中的组合物还进一步包括从非芳香族着色剂、染色剂、抗条纹剂、均化剂、增塑剂、增粘剂、速度增强剂和表面活性剂中选择的一种或多种组分。
20.按权利要求12的方法，其中按组合物无溶剂组分量为基准，a)的含量约为1到35％(重量)，b)的含量约为65到99％(重量)。
21.按权利要求12的方法，其中的溶剂组分包括一种或多种溶剂。
22.按权利要求12的方法，其中的溶剂包括丙二醇单甲基醚乙酸酯。
23.按权利要求12的方法，其中的溶剂包括3-乙氧基丙酸乙酯。
24.一种光敏剂，包括一种有下列结构的重氮酯
X＝Cl，Br，I，OH，OR，COOR，COOAr(OH)n，COAr(OH)n，COR，R，Ar(OH)nR＝C1-C8烷基，n＝0到5，Ar＝苯基其中重氮酯是一种在苯环上的羟基中至少有一个已经用包括60到100％(摩尔)2，1，4-或2，1，5-重氮磺酰氯或它们的混合物的重氮磺酰氯酯化的化合物。
25.一种制备正过程光敏组合物的方法，包括提供一个下列组分混合物a)一种光敏剂，包括一种有下列结构作为骨架的重氮酯
X＝Cl，Br，I，OH，OR，COOR，COOAr(OH)n，COAr(OH)n，COR，R，Ar(OH)nR＝C1-C8烷基，n＝0到5，Ar＝苯基其中重氮酯是一种在苯环上的羟基中至少有一个已经用一种包括60到100％(摩尔)2，1，4或2，1，5重氮磺酰氯或是它们的混合物的重氮磺酰氯酯化的化合物，在光致抗蚀剂组合物中光敏剂的含量应足以使光致抗蚀剂组合物均匀感光敏化；和b)一种非水溶性但可溶于碱性水溶液的线型酚醛树脂，在光致抗蚀剂组合物中线型酚醛树脂的含量应足以形成一个基本均匀的光致抗蚀剂组合物，和一种溶剂组分；将涂布后的该基材进行热处理直到基本上脱除所述溶剂组分；按影像图形对光致抗蚀剂组合物光照曝光；并且用一种碱性显影剂水溶液脱除按影像图形曝光区域的该组合物。
26.按权利要求24的方法，其中的光致抗蚀剂组合物还进一步包括从非芳香族着色剂、染色剂、抗条纹剂、均化剂、增塑剂、增粘剂、速度增强剂和表面活性剂中选择的一种或多种组分。
27.按权利要求25的方法，其中按组合物无溶剂组分量为基准，a)的含量约为1到35％(重量)，b)的含量约为65到99％(重量)。
28.按权利要求25的方法，其中的溶剂组分包括一种或多种溶剂。
29.按权利要求25的方法，其中的溶剂包括丙二醇单甲基醚乙酸酯。
30.按权利要求25的方法，其中的溶剂包括3-乙氧基丙酸乙酯。
全文摘要
本发明提供一种光敏剂，它包括一种结构(I)作为骨架的重氮酯，式中X=Cl，Br，I，OH，OR，COOR，COOAr(OH)n，COAr(OH)n，COR，R，Ar(OH)n，R=C
文档编号G03F7/022GK1161751SQ95195852
公开日1997年10月8日 申请日期1995年10月12日 优先权日1994年10月24日
发明者M·D·拉哈马, D·P·奥宾 申请人:赫希斯特人造丝公司