一种液晶面板及电压调节方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示屏技术领域，尤其涉及一种液晶面板及电压调节方法。
【背景技术】
[0002]TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶体管)液晶屏中的每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的TFT来驱动，因此，TFT液晶屏相较于其他显示屏具有高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息的优点，越来越受到用户的青睐。然而，实践中发现，由于TFT关闭后漏电流的存在，导致施加在液晶像素点上的像素电压发生偏移，其正负极性电压相对于公共电压不再对称，使得离子被界面捕获而形成内电场，该内电场与施加在液晶像素点上的电场产生叠加效应，这样就会出现影像残留的画面(即液晶面板上显示的图像看起来是之前固定画面留下的残影)，使得TFT液晶屏的显示效果不好。
【发明内容】
[0003]本发明实施例提供了一种液晶面板及电压调节方法，可以提高TFT液晶屏的显示效果。
[0004]本发明实施例第一方面公开了一种液晶面板，包括:显示区域和非显示区域，其中，
[0005]所述显示区域包括的多个TFT薄膜晶体管用于驱动与所述TFT连接的子像素点，以显示图像；
[0006]所述非显示区域为围绕所述显示区域的边界线设置的预设面积的区域，且所述非显示区域包括预设数量的TFT、垂直方向上的所述预设数量的Data line数据线以及水平方向上的由所述显示区域内的至少一条Gate line扫描线延伸的目标Gate line，其中，每条所述Data line连接一个TFT，每条所述目标Gate line连接至少一个TFT，每条所述Dataline用于侦测与所述Data line连接的TFT的漏电流，所述侦测的漏电流用于反映所述显示区域中的TFT漏电流特性，所述非显示区域包括的TFT架构与所述显示区域包括的TFT架构相同，所述非显示区域包括的每个TFT连接一个子像素点。
[0007]本发明实施例第二方面公开了一种电压调节方法，包括:
[0008]检测非显示区域的多个TFT薄膜晶体管是否关闭；
[0009]若是，则侦测每个从所述TFT流出的漏电流；
[0010]根据侦测到的所述漏电流，确定目标电压；
[0011]将显示区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为所述目标电压。
[0012]本发明实施例中，液晶面板检测非显示区域的多个TFT薄膜晶体管是否关闭，若是，则通过与TFT连接的data line侦测从该TFT流出的漏电流，进一步地，根据侦测到的漏电流，确定目标电压后，液晶面板就可以将显示区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压。通过本发明实施例，液晶面板将显示区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压，当液晶分子在不断地进行正负极切换时，可以确保液晶电容第一极板上的公共电压与第二极板上的像素电压之间的压差保持不变，使得液晶分子呈电中性，而不会去捕获界面中带电的离子，这样就不会出现影像残留的画面，从而可以提高TFT液晶屏的显示效果。
【附图说明】
[0013]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0014]图1是本发明实施例公开的一种液晶面板的结构示意图；
[0015]图2是本发明实施例公开的一种液晶面板的显示区域的结构示意图；
[0016]图3是本发明实施例公开的一种子像素点的等效电路的结构示意图；
[0017]图4是本发明实施例公开的一种电压调节方法的流程示意图；
[0018]图5是本发明实施例公开的另一种电压调节方法的流程示意图；
[0019]图6是本发明实施例公开的一种液晶面板的结构示意图；
[0020]图7是本发明实施例公开的另一种液晶面板的结构示意图；
[0021]图8是本发明实施例公开的另一种液晶面板的结构示意图；
[0022]图9是本发明实施例公开的另一种液晶面板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0023]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0024]本发明实施例公开了一种液晶面板及电压调节方法，可以提高TFT液晶屏的显示效果。以下分别进行详细说明。
[0025]本发明实施例中，液晶面板可以包括任何配置有TFT薄膜晶体管的液晶屏，该液晶面板可以应用于任何需要配置显示屏的设备，该设备可以包括但不限于电视机、智能手机、笔记本电脑、个人计算机(Personal Computer, PC)、个人数字助理(Personal DigitalAssistant, PDA)、移动互联网设备(Mobile Internet Device，MID)、智能穿戴设备(如智能手表、智能手环)等，本发明实施例不做限定。
[0026]请参见图1，图1是本发明实施例公开的一种液晶面板的结构示意图，如图1所示，该液晶面板可以包括显示区域和非显示区域，其中，
[0027]显示区域包括的多个TFT薄膜晶体管用于驱动与TFT连接的子像素点，以显示图像；
[0028]非显示区域为围绕显示区域的边界线设置的预设面积的区域，且非显示区域包括预设数量的TFT、垂直方向上的预设数量的Data line数据线以及水平方向上的由显示区域内的至少一条Gate line扫描线延伸的目标Gate line，其中，每条Data line连接一个TFT，每条目标Gate line连接至少一个TFT，每条Data line用于侦测与Data line连接的TFT的漏电流，侦测的漏电流用于反映显示区域中的TFT漏电流特性，非显示区域包括的TFT架构与显示区域包括的TFT架构相同，非显示区域包括的每个TFT连接一个子像素点。
[0029]本发明实施例中，非显示区域包括的TFT的数量(即预设数量)可以是预先根据显示区域的画面闪烁的程度确定出来的，如图1所示的6个。当确定了非显示区域包括的TFT的预设数量后，非显示区域也要设置预设数量的Data line数据线，每条data line仅连接一个TFT，这样就可以保证在一帧的时间内完全侦测该TFT的漏电流状况。非显示区域包括的目标Gate line扫描线可以由显示区域内的至少一条Gate line扫描线向一边(如向左边或右边)延伸到非显示区域，也可以由显示区域内的至少一条Gate line扫描线向两边(同时向左边和向右边)延伸到非显示区域，每条目标Gate line连接至少一个TFT。如图1所示，该非显示区域包括6个TFT、6条data line以及3条目标Gate line，该3条目标Gate line由显示区域内相应的3条Gate line (第I条、第m/2条以及第m条)向两边延长至非显示区域而得到的。TFT的位置分别为左上区、右上区、左中区、右中区、左下区、右下区。
[0030]本发明实施例中，非显示区域的每条Data line用于侦测与Data line连接的TFT的漏电流，侦测的漏电流用于反映显示区域中的TFT漏电流特性。为了使侦测的结果更加精确，非显示区域包括的TFT架构与显示区域包括的TFT架构相同，且非显示区域包括的每个TFT连接一个子像素点，其中，一个液晶像素点包括3个子像素点(即红、绿、蓝3个子像素点)。
[0031]具体地，非显示区域的每条Data line具体用于在与Data line连接的TFT的导通时间内充入电压，以及用于在与Data line连接的TFT的关闭时间内侦测漏电流的变化，其中，漏电流为与Data line连接的TFT在关闭时间内所流出的漏电流。
[0032]需要说明的是，图1所示的非显示区域的TFT的数量不限于6个，TFT的位置也不限于图1所示的那些位置，即非显示区域中的TFT位置可以根据实际需要而改变。非显示区域中的TFT的数量越多，反映显示区域中的TFT漏电流情况的准确性就越高，但占用非显示区域的面积会变大，即边框会变宽，用户可以根据具体情况来设置非显示区域中的TFT的数量。
[0033]请一并参见图2，图2是本发明实施例公开的一种液晶面板的显示区域的结构示意图，如图2所示，
[0034]当显示区域的解析度为n*m时，显示区域被3n条垂直方向的Date line以及m条水平方向的Gate line划分成3n*m个子区域，其中，每个子区域包括一个子像素点，显示区域包括的每条Date line连接多个TFT，显示区域包括的每条Gate line连接多个TFT。
[0035]本发明实施例中，当显示区域的解析度为n*m时，该显示区域就有3n*m个子像素点，每个子像素点都是由集成在该子像素点后面的TFT来驱动，因此显示区域就有3n*m个TFT，同时显不区域包括3n条Date line和m条Gate line，这些Date line和Gate line就把显示区域划分成3n*m个子区域，其中，每个子区域包括一个子像素点，显示区域包括的每条Date line连接多个TFT，显示区域包括的每条Gate line连接多个TFT。
[0036]请