阵列基板、显示面板和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域，更具体地说，涉及一种阵列基板、显示面板和显示
目.0
【背景技术】
[0002]将触控面板和显示面板一体化的触控显示装置，由于减少了基板的使用、具有更轻更薄的优点，因此，已经成为当前应该最广泛的触控显示装置。一般的，现有的触控显示装置主要包括on-cell结构和in-cell结构，其中，in-cell结构是将触控面板功能嵌入到像素中，on-cell结构是将触控面板功能嵌入到彩色滤光片和偏光板之间。
[0003]对于in-cell结构的触控显示装置而言，需通过刻缝将显示面板的公共电极层划分为一个个独立的公共电极，以使该公共电极能够复用为触控电极。但是，由于公共电极层刻缝的存在，会降低公共电极层的存储电容，因此，会使得显示装置出现画面闪烁等显示问题，导致显示装置的显示效果较差。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，本发明提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置，以解决现有的in-cell结构的触控显示装置由于公共电极层存储电容较低，而导致显示装置的显示效果较差的问题。
[0005]为实现上述目的，本发明提供如下技术方案:
[0006]一种阵列基板，包括:
[0007]衬底；
[0008]设置于所述衬底一侧的多条栅极线、多条数据线和由所述栅极线和所述数据线限定出的多个像素单元，所述像素单元包括像素电极、薄膜晶体管和第一电容，所述第一电容包括第一电极和第二电极；
[0009]设置于所述衬底同一侧的公共电极层，所述公共电极层具有至少一条刻缝；
[0010]其中，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一电极和第二电极至少部分交叠；且所述第一电极与所述薄膜晶体管的有源层为连续的一体结构；所述第二电极位于所述公共电极层和所述有源层之间，且所述第二电极与所述公共电极层电连接。
[0011]一种显示面板，包括:
[0012]如上任一项所述的阵列基板；
[0013]与所述阵列基板相对设置的彩膜基板；
[0014]位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。
[0015]一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
[0016]与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点:
[0017]本发明所提供的阵列基板、显示面板和显示装置，像素单元包括第一电容，第一电容的第一电极与薄膜晶体管的有源层为连续的一体结构，第二电极位于公共电极层与有源层之间，且第二电极与公共电极层电连接，从而通过第一电容增加了公共电极层的存储电容，进而解决了由于公共电极层存储电容降低而导致的显示装置显示效果较差的问题。
【附图说明】
[0018]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0019]图1为本发明实施例一提供的阵列基板的俯视结构示意图；
[0020]图2为本发明实施例一提供的一种具有顶栅结构的薄膜晶体管的阵列基板的剖视图；
[0021]图3为本发明实施例一提供的另一种具有顶栅结构的薄膜晶体管的阵列基板的剖视图；
[0022]图4为本发明实施例一提供的一种具有底栅结构的薄膜晶体管的阵列基板的剖视图；
[0023]图5为本发明实施例一提供的另一种具有底栅结构的薄膜晶体管的阵列基板的剖视图；
[0024]图6为本发明实施例一提供的又一种具有顶栅结构的薄膜晶体管的阵列基板的剖视图；
[0025]图7为图1所示的阵列基板的局部放大图；
[0026]图8为本发明实施例二提供的显示面板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0027]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0028]本发明的实施例一提供了一种阵列基板，参考图1和图2，图1为本实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图，图2?图6为本发明实施例提供的阵列基板的剖视图。
[0029]本实施例中，阵列基板包括衬底1、设置于衬底I 一侧的多条栅极线10、多条数据线11、多个像素单元12和公共电极层，该像素单元12由多条横向延伸的栅极线10和多条纵向延伸的数据线11限定而成。
[0030]其中，公共电极层具有至少一条刻缝13，可选的，该公共电极层被多条横向的刻缝和纵向的刻缝分割成多个块状的公共电极130，当然，在其他实施例中，公共电极层还可以被沿其他方向延伸的刻缝分割成三角形的电极，本发明并不对此进行限定。该公共电极130通过引线与驱动电路连接，以通过驱动电路向公共电极130输入公共电压信号和触控信号，即该公共电极130可复用为触控电极，但是，本发明并不仅限于此，在其他实施例中，只要公共电极层具有刻缝，即可采用本发明的方案来增加公共电极层的存储电容。
[0031]参考图2，每一像素单元12均包括像素电极120、薄膜晶体管121和第一电容122，可选的，薄膜晶体管121包括依次设置于衬底I表面的有源层1210、栅介质层1211、栅极1212、栅绝缘层1213、源极1214和漏极1215，源极1214和漏极1215分别与有源层1210电连接；第一电容122包括第一电极1220和第二电极1221。
[0032]在垂直于衬底I的方向上，第一电极1220和第二电极1221至少部分交叠，这样交叠的第一电极1220和第二电极1221之间就能够形成存储电容。其中，第一电极1220与薄膜晶体管121的有源层1210为连续的一体结构；第二电极1221位于公共电极层即公共电极130和有源层1210之间，且第二电极1221与公共电极层电连接。
[0033]可选的，第二电极1221与栅极线10位于同一层。由于栅极线10与栅极1212同层且电连接，因此，也可以说第二电极1221与栅极1212位于同一层。并且，第二电极1221与栅极线10相互绝缘，此时，第一电极1220和第二电极1221之间的绝缘介质为栅介质层1211。
[0034]根据电容的基本概念以及计算公式可知，第一电极1220和第二电极1221之间的绝缘介质的厚度越小，第一电容122的电容越大，因此，可选的，第一电极1220和第二电极1221之间的绝缘介质如栅介质层1211的厚度小于或等于lOOnm。
[0035]由于第二电极1221与公共电极层即公共电极130电连接，因此，第二电极1221和第一电极1220以及二者之间的绝缘介质即栅介质层1211构成的第一电容122能够增加公共电极层的存储电容，进而能够解决现有的显示装置出现的画面闪烁等显示问题。
[0036]当然，在本发明的其他实施例中，参考图3，第二电极1221还可以与源极1214和漏极1215位于同一层，并且，第二电极1221与源极1214和漏极1215相互绝缘，此时，第一电极1220和第二电极1221之间的绝缘介质为栅介质层1211和栅绝缘层1213。
[0037]图2和图3所示的薄膜晶体管是顶栅结构的薄膜晶体管，当然，在本发明的其他实施例中，薄膜晶体管也可以是底栅结构的薄膜晶体管，参考图4和图5，图4和图5中的薄膜晶体管包括依次设置于衬底I表面的栅极1212、栅绝缘层1213、有源层1210、栅介质层1211、源极1214和漏极1215，源极1214和漏极1215分别与有源层1210电连接。
[0038]参考图4，第一电极1220为与有源层1210连续的一体结构，第二电极1221与栅极线10位于同一层，也可以说与栅极1212位于同一层，且第二电极1221与栅极线10相互绝缘。此时，第一电极1220和第二电极1221之间的绝缘介质为栅绝缘层1213。
[0039]在其他实施例中，参考图5，第二电极1221可以与源极1214和漏极1215位于同一层，此时，第一电极1220和第二电极1221之间的绝缘介质为栅介质层1211。
[0040]当然，本发明并不仅限于此，在其他实施例中，第二电极1221可以位于其他层，只要其与第一电极1220至少部分交叠，且二者之间具有绝缘介质，能够形成存储电容即可。
[0041]此外，本发明中的公共电极层即公共电极130可以位于像素电极120的下方，参考图2?图5，公共电极层即公共电极130也可以位于像素电极120的下方，参考图6。
[0042]参考图2?图5，像素电极120位于漏极1215背离衬底I的一侧，且像素电极120与漏极1215电连接，公共电极130位于漏极1215和像素电极120之间，该公共电极130和漏极1215之间具有第一绝缘层1