一并参见图3，图3是本发明实施例公开的一种子像素点的等效电路的结构示意图，如图3所示，该等效电路包括TFT、液晶电容以及存储电容，其中，
[0037]非显示区域和显示区域的TFT的栅极均连接Gate line，非显示区域和显示区域的TFT的源极均连接Data line，非显示区域和显示区域的TFT的漏极均连接液晶电容的第一极板，且非显示区域和显示区域的TFT的漏极均连接存储电容的第一极板，液晶电容的第二极板以及存储电容的第二极板分别连接公共电极。
[0038]本发明实施例中，非显示区域包括的TFT架构与显示区域包括的TFT架构相同，且非显示区域包括的每个TFT均连接一个子像素点，这样，非显示区域中的子像素点的等效电路与显示区域中的子像素点的等效电路相同，因此，非显示区域中的TFT的漏电流情况就可以模拟显示区域中的TFT的漏电流情况。
[0039]当Tl (即TFT)导通时，Data line上的数据就可以写入液晶电容ClC2，当Tl关闭时，存储电容Cst2维持每个像素的电压，同时，Tl上的漏电流将会反向流入到与该Tl连接的Data line 中。
[0040]下面结合图1?图3对本发明装置实施例的原理进行详细的描述。
[0041]本发明实施例中，液晶面板检测非显示区域的多个TFT薄膜晶体管是否关闭，当检测到TFT关闭时，通过与TFT连接的data line侦测从该TFT流出的漏电流，进一步地，根据侦测到的漏电流，确定目标电压后，液晶面板就可以将显示区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压。
[0042]具体的，液晶面板可以根据侦测到的漏电流，从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，分别查询每个漏电流对应的电压，对查询到的电压求和并取平均值，以获得平均电压作为目标电压，或者，液晶面板可以对侦测到的漏电流求和并取平均值，以获得平均漏电流，并根据平均漏电流，从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，查询平均漏电流对应的目标电压。在获得目标电压后，液晶面板可以将显示区域的每一个液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压。
[0043]或者，液晶面板根据侦测到的漏电流，从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，分别查询每个漏电流对应的目标电压，进一步地，根据预先存储的子区域与TFT的对应关系，确定预先对显示区域划分的多个子区域中每个子区域的目标电压，其中，子区域的目标电压为子区域对应的TFT所流出的漏电流对应的目标电压，并将每个子区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为子区域的目标电压。
[0044]通过本发明实施例，液晶面板将显示区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压后，当液晶分子在不断地进行正负极切换时，可以确保液晶电容第一极板上的公共电压与第二极板上的像素电压之间的压差保持不变，使得液晶分子呈电中性，而不会去捕获界面中带电的离子，这样就不会出现影像残留的画面，从而可以提高TFT液晶屏的显示效果。
[0045]需要说明的是，原理这里描述的“液晶电容的第一极板上的公共电压”就是上述装置实施例中连接公共电极的液晶电容的第二极板上的公共电压，原理这里描述的“第二极板上的像素电压”就是上述装置实施例中连接TFT漏极的第一极板上的像素电压。
[0046]请参见图4，图4是本发明实施例公开的一种电压调节方法的流程示意图，该方法应用于液晶面板。如图4所示，该方法可以包括以下步骤。
[0047]S401、检测非显示区域的多个TFT薄膜晶体管是否关闭，若是，执行步骤S402，若否，返回继续执行步骤S401。
[0048]本发明实施例中，TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶体管)液晶屏中的每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的TFT来驱动，因此，TFT液晶屏相较于其他显示屏具有高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息的优点，越来越受到用户的青睐。
[0049]通常，TFT薄膜晶体管有两种工作状态:导通和关闭，当TFT导通时，对液晶电容快速充电，当TFT关闭时，保持液晶电容的电压。
[0050]当写入一行数据后TFT关闭时，理论上液晶电容上的像素电压要保持一帧时间，但TFT关闭后漏电流的存在，导致像素电压偏移，其正负极性相对于液晶电容上的VCOM(公共电压)不再对称。液晶分子在不断地进行正负极切换时，正负极性长时间施加在液晶面板两端的电压不相等，使得离子被界面捕获形成内建电场，从而与本身液晶施加电场(切换成纯灰阶画面时)产生叠加效应，看起来像是之前固定画面留下了残影。
[0051]本发明实施例中，TFT液晶屏的显示区域中的TFT关闭时的漏电流会反向流入Data line(数据线)，而Data line在一帧的大部分时间都处于传送电压的状态，很难独立出来作为侦测漏电流的路径。
[0052]本发明实施例中，液晶面板预先在非显示区域设置多个TFT，该非显示区域的TFT的架构与显示区域的TFT的架构完全一致，且非显示区域中的每条Data line仅连接一个TFT,Data line接入source IC(即源极驱动)，仅在对应scan line (即扫描线)的时间充入电压，其他时间去侦测该Data I ine上电流的变化，这样就保证可以在一帧的时间内完全侦测该TFT漏电流的状况。需要说明的是，当非显示区域的TFT的架构与显示区域的TFT的架构完全一致时，液晶面板就可以通过侦测非显示区域的TFT的漏电流情况来反映显示区域的TFT的漏电流特性。
[0053]S402、侦测每个从TFT流出的漏电流。
[0054]本发明实施例中，当液晶面板检测非显示区域的多个TFT薄膜晶体管关闭时，液晶面板可以侦测每个从TFT流出的漏电流。
[0055]具体的，液晶面板可以在Source IC(即源极驱动)上增加对应channel (即通道)去驱动非显示区域中的TFT，并侦测该非显示区域中的TFT所流出的漏电流。
[0056]S403、根据侦测到的漏电流，确定目标电压。
[0057]本发明实施例中，液晶面板侦测到每个从TFT流出的漏电流之后，液晶面板就可以根据侦测到的漏电流，确定目标电压。
[0058]作为一种可选的实施方式，液晶面板根据侦测到的漏电流，确定目标电压的【具体实施方式】可以包括以下步骤:
[0059]11)根据侦测到的漏电流，从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，分别查询每个漏电流对应的电压；
[0060]12)对查询到的电压求和并取平均值，以获得平均电压作为目标电压。
[0061 ] 在该实施例中，用户预先在液晶面板中存储了漏电流与电压的对应关系，其中，该对应关系可以为用户预先通过实验获取到的。液晶面板侦测到从每个TFT流出的漏电流之后，液晶面板就可以从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，查询每个漏电流对应的电压，进一步地，液晶面板对查询到的电压求和并取平均值，以获得平均电压作为目标电压。
[0062]作为另一种可选的实施方式，液晶面板根据侦测到的漏电流，确定目标电压的【具体实施方式】可以包括以下步骤:
[0063]21)对侦测到的漏电流求和并取平均值，以获得平均漏电流；
[0064]22)根据平均漏电流，从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，查询平均漏电流对应的目标电压。
[0065]在该实施例中，用户预先在液晶面板中存储了漏电流与电压的对应关系，其中，该对应关系可以为用户预先通过实验获取到的。液晶面板侦测到从每个TFT流出的漏电流之后，液晶面板就可以对侦测到的漏电流求和并取平均值，以获得平均漏电流，进一步地，液晶面板可以根据平均漏电流，从预先存储的漏电流与电压的对应关系中，查询平均漏电流对应的目标电压。
[0066]S404、将显示区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压。
[0067]本发明实施例中，TFT关闭后漏电流的存在而导致液晶电容上的像素电压发生偏移是无法改变的事实，因此，要使得液晶分子始终保持直流平衡(呈电中性)，就需要液晶电容两极板上的压差为固定值，即液晶电容上的像素电压与液晶电容上的VCOM之间的差值为固定值，此时只有通过调节液晶电容上的VCOM才能确保液晶分子呈电中性，这样，液晶分子就不会去捕获界面中带电的离子，从而TFT液晶屏就不会出现影像残留的画面。
[0068]本发明实施例中，液晶面板实时将显示区域的每一个液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压后，就可以确保每一个液晶分子呈电中性，这样，液晶分子就不会去捕获界面中带电的离子。其中，该液晶电容有上下两个极板，分别为第一极板和第二极板，该第一极板上加载的是VC0M，即公共电压，该第二极板上加载的是像素电压。
[0069]需要说明的是，方法实施例中的“液晶电容的第一极板”就是上述装置实施例中连接公共电极的液晶电容的第二极板，方法实施例中的“第二极板”就是上述装置实施例中连接TFT漏极的第一极板。后续方法实施例中也一样。
[0070]在图4所描述的方法流程中，液晶面板检测非显示区域的多个TFT薄膜晶体管是否关闭，若是，则侦测每个从TFT流出的漏电流，进一步地，根据侦测到的漏电流，确定目标电压后，液晶面板就可以将显示区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压。通过本发明实施例，液晶面板将显示区域的液晶电容的第一极板上的公共电压调节为目标电压，当液晶分子在不断地进行正负极切换时，可以确保液晶电容的第二极板上的公共电压与第二极板上的像素电压之间的压差保持不变，使得液晶分子呈电中性，而不会去捕获界面中带电的